JPH04313080A - 半導体試験方法 - Google Patents
半導体試験方法Info
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- JPH04313080A JPH04313080A JP3060232A JP6023291A JPH04313080A JP H04313080 A JPH04313080 A JP H04313080A JP 3060232 A JP3060232 A JP 3060232A JP 6023291 A JP6023291 A JP 6023291A JP H04313080 A JPH04313080 A JP H04313080A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は温度特性のある半導体
記憶装置などの半導体装置の試験を行なう半導体試験方
法に関するものである。
記憶装置などの半導体装置の試験を行なう半導体試験方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体記憶装置の性能は、ある一定温度
（例えば２５℃）下で保障されている。ある温度下で保
障された性能を規格値という。半導体記憶装置の試験環
境は規格値を保障した温度下で行われることが望ましい
が、通常ある一定の温度範囲（例えば２５±３℃）内で
行われている。半導体記憶装置の特性には環境温度に左
右される特性があり、例えばスタンバイ電流は環境温度
の上昇とともに増加する特性を持つ。
（例えば２５℃）下で保障されている。ある温度下で保
障された性能を規格値という。半導体記憶装置の試験環
境は規格値を保障した温度下で行われることが望ましい
が、通常ある一定の温度範囲（例えば２５±３℃）内で
行われている。半導体記憶装置の特性には環境温度に左
右される特性があり、例えばスタンバイ電流は環境温度
の上昇とともに増加する特性を持つ。
【０００３】図３は従来の半導体試験装置による半導体
記憶装置の試験手順を示すフローチャートである。同図
に示すように、まず被試験半導体記憶装置のスタンバイ
電流を測定し、その測定値とあらかじめ求められ、この
半導体試験装置に入力されている判定値とを比較して良
品／不良品の判定を行う。
記憶装置の試験手順を示すフローチャートである。同図
に示すように、まず被試験半導体記憶装置のスタンバイ
電流を測定し、その測定値とあらかじめ求められ、この
半導体試験装置に入力されている判定値とを比較して良
品／不良品の判定を行う。
【０００４】図２は半導体記憶装置のスタンバイ電流の
温度特性の一例を示す図である。図２中の実線１のよう
な温度特性を持つ被試験半導体記憶装置を試験するため
の半導体試験装置を２５±３℃に制御された環境内に設
置し、この温度環境下でスタンバイ電流の試験を行なう
場合を想定する。試験中の環境温度が２５℃の場合、被
試験半導体記憶装置のスタンバイ電流の測定値はａで、
判定値Ａに対して小さい値であるため、被試験半導体記
憶装置は良品と判定される。一方、試験中の環境温度が
２７℃の場合、スタンバイ電流の測定値はｂで、判定値
Ａに対して大きい値であるため、被試験半導体記憶装置
は不良品と判定される。
温度特性の一例を示す図である。図２中の実線１のよう
な温度特性を持つ被試験半導体記憶装置を試験するため
の半導体試験装置を２５±３℃に制御された環境内に設
置し、この温度環境下でスタンバイ電流の試験を行なう
場合を想定する。試験中の環境温度が２５℃の場合、被
試験半導体記憶装置のスタンバイ電流の測定値はａで、
判定値Ａに対して小さい値であるため、被試験半導体記
憶装置は良品と判定される。一方、試験中の環境温度が
２７℃の場合、スタンバイ電流の測定値はｂで、判定値
Ａに対して大きい値であるため、被試験半導体記憶装置
は不良品と判定される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体記憶装置
の試験は以上のように、ある温度範囲（例えば２５±３
℃）内で制御された環境温度下で試験を行なわれていた
ので、この温度内において被試験半導体記憶装置のスタ
ンバイ電流は変動する。したがって、被試験半導体記憶
装置のスタンバイ電流が規格値を保証した環境温度（２
５℃）下では良品と判定されるべきものが不良品と判定
されたり、或いは逆に不良品であるものが良品と判定さ
れることがあるという問題点があった。
の試験は以上のように、ある温度範囲（例えば２５±３
℃）内で制御された環境温度下で試験を行なわれていた
ので、この温度内において被試験半導体記憶装置のスタ
ンバイ電流は変動する。したがって、被試験半導体記憶
装置のスタンバイ電流が規格値を保証した環境温度（２
５℃）下では良品と判定されるべきものが不良品と判定
されたり、或いは逆に不良品であるものが良品と判定さ
れることがあるという問題点があった。
【０００６】また、半導体試験装置は環境温度を制御さ
れた部屋内に設置されているが、部屋内の位置によって
温度のバラツキが生じているため、半導体試験装置の設
置された位置によって試験中の環境温度に差が生じ、こ
のため複数の半導体試験装置を用いて試験する場合、そ
れぞれの半導体試験装置で判定結果が異なるなどの問題
点があった。
れた部屋内に設置されているが、部屋内の位置によって
温度のバラツキが生じているため、半導体試験装置の設
置された位置によって試験中の環境温度に差が生じ、こ
のため複数の半導体試験装置を用いて試験する場合、そ
れぞれの半導体試験装置で判定結果が異なるなどの問題
点があった。
【０００７】この発明は以上のような問題点を解決する
ためになされたもので、試験中の温度環境に変動があっ
ても被試験半導体装置の良否判定を正しく行うことがで
きる半導体試験方法を得ることを目的としている。
ためになされたもので、試験中の温度環境に変動があっ
ても被試験半導体装置の良否判定を正しく行うことがで
きる半導体試験方法を得ることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る半導体
試験方法は、被試験半導体装置の電気的特性値を測定し
、その測定値をあらかじめ定められた温度環境下での判
定値と比較して良否の判定を行なう半導体試験方法にお
いて、被試験半導体装置の試験環境温度を測定するステ
ップと、判定に先立ち、試験環境温度の測定値に基づい
て、電気的特性の測定値を、あらかじめ定められた温度
環境下での測定値に補正するステップとを備えて構成さ
れている。
試験方法は、被試験半導体装置の電気的特性値を測定し
、その測定値をあらかじめ定められた温度環境下での判
定値と比較して良否の判定を行なう半導体試験方法にお
いて、被試験半導体装置の試験環境温度を測定するステ
ップと、判定に先立ち、試験環境温度の測定値に基づい
て、電気的特性の測定値を、あらかじめ定められた温度
環境下での測定値に補正するステップとを備えて構成さ
れている。
【０００９】第２の発明に係る半導体試験方法は、被試
験半導体装置の電気的特性値を測定し、その測定値を判
定値と比較して良否の判定を行なう半導体試験方法にお
いて、被試験半導体装置の試験環境温度を測定するステ
ップと、判定に先立ち、試験環境温度の測定値に基づい
て、判定値を補正するステップとを備えて構成されてい
る。
験半導体装置の電気的特性値を測定し、その測定値を判
定値と比較して良否の判定を行なう半導体試験方法にお
いて、被試験半導体装置の試験環境温度を測定するステ
ップと、判定に先立ち、試験環境温度の測定値に基づい
て、判定値を補正するステップとを備えて構成されてい
る。
【００１０】
【作用】第１の発明においては、良否判定に先立ち、試
験環境温度の測定値に基づいて被試験半導体装置の電気
的特性の測定値をあらかじめ定められた温度環境下での
測定値に補正しているので、試験環境温度の変動が良否
判定に与える影響を排除することができる。
験環境温度の測定値に基づいて被試験半導体装置の電気
的特性の測定値をあらかじめ定められた温度環境下での
測定値に補正しているので、試験環境温度の変動が良否
判定に与える影響を排除することができる。
【００１１】また、第２の発明においては、良否判定に
先立ち、試験環境温度の測定値に基づいて判定値を補正
しているので、試験環境温度の変動が良否判定に与える
影響を排除することができる。
先立ち、試験環境温度の測定値に基づいて判定値を補正
しているので、試験環境温度の変動が良否判定に与える
影響を排除することができる。
【００１２】
【実施例】図１はこの発明による半導体記憶装置の試験
手順を示すフローチャートである。同図に示すように、
まず半導体試験装置に取り付けられた温度センサによっ
て試験中の環境温度（例えば、２７℃）を測定する。次
に被試験半導体記憶装置のスタンバイ電流を測定する。 このスタンバイ電流の測定値は、上記で測定した環境温
度に基づいて、半導体記憶装置の規格値を保障する温度
（例えば、２５℃）下でのスタンバイ電流値となるよう
に補正される。測定値の補正方法については後述する。 そして、補正した測定値と判定値とを比較する。この比
較の結果、測定値が判定値に対して小さい場合、被試験
半導体記憶装置を良品と判定し、大きい場合、不良品と
判定する。
手順を示すフローチャートである。同図に示すように、
まず半導体試験装置に取り付けられた温度センサによっ
て試験中の環境温度（例えば、２７℃）を測定する。次
に被試験半導体記憶装置のスタンバイ電流を測定する。 このスタンバイ電流の測定値は、上記で測定した環境温
度に基づいて、半導体記憶装置の規格値を保障する温度
（例えば、２５℃）下でのスタンバイ電流値となるよう
に補正される。測定値の補正方法については後述する。 そして、補正した測定値と判定値とを比較する。この比
較の結果、測定値が判定値に対して小さい場合、被試験
半導体記憶装置を良品と判定し、大きい場合、不良品と
判定する。
【００１３】次に、前述したスタンバイ電流の測定値の
補正方法の一例について説明する。一般に半導体記憶装
置のスタンバイ電流Ｉｓｂは次の式で表すことができる
。
補正方法の一例について説明する。一般に半導体記憶装
置のスタンバイ電流Ｉｓｂは次の式で表すことができる
。
【００１４】
【数１】
【００１５】ここで、ｇとｈは半導体記憶装置に固有の
値であり、Ｔは試験中の環境温度である。ｈは環境温度
Ｔとスタンバイ電流Ｉｓｂとの比を示す値であり、同一
種類の半導体記憶装置であれば、ほぼ一定の値である。 このｈの値はあらかじめ測定して求めておく。実際に試
験を行なう環境温度Ｔｘ 下でスタンバイ電流がＩｓｂ
ｘ と測定された場合、その被試験半導体記憶装置のｇ
の値は次式で求めることができる。
値であり、Ｔは試験中の環境温度である。ｈは環境温度
Ｔとスタンバイ電流Ｉｓｂとの比を示す値であり、同一
種類の半導体記憶装置であれば、ほぼ一定の値である。 このｈの値はあらかじめ測定して求めておく。実際に試
験を行なう環境温度Ｔｘ 下でスタンバイ電流がＩｓｂ
ｘ と測定された場合、その被試験半導体記憶装置のｇ
の値は次式で求めることができる。
【００１６】
【数２】
【００１７】したがって、この被試験半導体記憶装置の
環境温度Ｔｙ 下でのスタンバイ電流は数２を数１に代
入することによって求めることができ、次に示す数式が
環境温度Ｔｘ でのスタンバイ電流を環境温度Ｔｙでの
スタンバイ電流に変換する数式となる。
環境温度Ｔｙ 下でのスタンバイ電流は数２を数１に代
入することによって求めることができ、次に示す数式が
環境温度Ｔｘ でのスタンバイ電流を環境温度Ｔｙでの
スタンバイ電流に変換する数式となる。
【００１８】
【数３】
【００１９】図２の実線１に示すスタンバイ電流の温度
特性を持つ半導体記憶装置を、上記の試験手順と測定補
正方法を用いて、良品／不良品判定を行なうときの手順
について説明する。環境温度が例えば２７℃であるとす
ると、そのときのスタンバイ電流の測定値はｂとなる。 そこで、２５℃下で測定したかのように測定値ｂを数３
を用いて、２５℃下でのスタンバイ電流値に補正する。 補正値ｃは次式で決まる。ここで、Ｔ２５は２５℃を、
Ｔ２７は２７℃を表す。
特性を持つ半導体記憶装置を、上記の試験手順と測定補
正方法を用いて、良品／不良品判定を行なうときの手順
について説明する。環境温度が例えば２７℃であるとす
ると、そのときのスタンバイ電流の測定値はｂとなる。 そこで、２５℃下で測定したかのように測定値ｂを数３
を用いて、２５℃下でのスタンバイ電流値に補正する。 補正値ｃは次式で決まる。ここで、Ｔ２５は２５℃を、
Ｔ２７は２７℃を表す。
【００２０】
【数４】
【００２１】図２中の一点鎖線２は数３で求められた補
正後の温度特性である。試験中の環境温度が２７℃の場
合、被試験半導体記憶装置の測定値はｂで、従来技術で
説明したように、補正前の温度特性を示す実線１では判
定値Ａに対して大きい値であるため、被試験半導体記憶
装置は不良品と判定される。
正後の温度特性である。試験中の環境温度が２７℃の場
合、被試験半導体記憶装置の測定値はｂで、従来技術で
説明したように、補正前の温度特性を示す実線１では判
定値Ａに対して大きい値であるため、被試験半導体記憶
装置は不良品と判定される。
【００２２】一方、補正後の一点鎖線２では実線１上の
測定値ｂは測定値ｃに補正されているので、被試験半導
体記憶装置は良品と判定される。
測定値ｂは測定値ｃに補正されているので、被試験半導
体記憶装置は良品と判定される。
【００２３】以上のように、この発明では試験中の温度
環境が変動して、被試験半導体装置のスタンバイ電流が
変動した場合、このスタンバイ電流を温度の関数で補正
してある定められた温度環境下での値に補正する。また
、この補正された電流値と判定値とを比較して良否の判
定を行なっている。したがって、温度環境の変動に起因
するスタンバイ電流の変動により良品と判定すべきもの
を不良品と判定し、不良品と判定すべきものを良品と判
定することを防ぐことができる。
環境が変動して、被試験半導体装置のスタンバイ電流が
変動した場合、このスタンバイ電流を温度の関数で補正
してある定められた温度環境下での値に補正する。また
、この補正された電流値と判定値とを比較して良否の判
定を行なっている。したがって、温度環境の変動に起因
するスタンバイ電流の変動により良品と判定すべきもの
を不良品と判定し、不良品と判定すべきものを良品と判
定することを防ぐことができる。
【００２４】なお、±５℃程度の狭い温度変動範囲で試
験中の環境温度が変化する場合、スタンバイ電流Ｉｓｂ
は温度Ｔに比例すると近似できるため、数１に代えて数
５を用いることができる。
験中の環境温度が変化する場合、スタンバイ電流Ｉｓｂ
は温度Ｔに比例すると近似できるため、数１に代えて数
５を用いることができる。
【００２５】
【数５】
【００２６】ここで、ｄとｆは半導体記憶装置に固有の
値であり、同一種類の半導体記憶装置であれば、ほぼ一
定の値となる。環境温度Ｔｘ 下でスタンバイ電流がＩ
ｓｂｘ と測定されたとき、これを２５℃下のスタンバ
イ電流値ｃに補正するための数式は次式で求めることが
できる。
値であり、同一種類の半導体記憶装置であれば、ほぼ一
定の値となる。環境温度Ｔｘ 下でスタンバイ電流がＩ
ｓｂｘ と測定されたとき、これを２５℃下のスタンバ
イ電流値ｃに補正するための数式は次式で求めることが
できる。
【００２７】
【数６】
【００２８】なお、ｄの値はあらかじめ測定して求めて
おく。この式を用いて測定値を補正しても良い。
おく。この式を用いて測定値を補正しても良い。
【００２９】また、この実施例では測定値を補正して良
品，不良品の判定を行なう場合について説明したが、逆
に判定値を補正し、良品，不良品の判定を行なっても良
い。この判定値の補正は、判定値にスタンバイ電流の温
度特性と同じような温度特性をもたせることによって行
うことができる。例えば、環境温度２５℃での判定値Ａ
２５を環境温度２７℃での判定値Ａ２７に補正する式は
、次式で求めることができる。
品，不良品の判定を行なう場合について説明したが、逆
に判定値を補正し、良品，不良品の判定を行なっても良
い。この判定値の補正は、判定値にスタンバイ電流の温
度特性と同じような温度特性をもたせることによって行
うことができる。例えば、環境温度２５℃での判定値Ａ
２５を環境温度２７℃での判定値Ａ２７に補正する式は
、次式で求めることができる。
【００３０】
【数７】
【００３１】
【発明の効果】以上のように、第１の発明によれば、被
試験半導体装置の電気的特性値を測定し、その測定値を
あらかじめ定められた温度環境下での判定値と比較して
良否の判定を行なう半導体試験方法において、被試験半
導体装置の試験環境温度を測定するステップと、判定に
先立ち、試験環境温度の測定値に基づいて、電気的特性
の測定値を、あらかじめ定められた温度環境下での測定
値に補正するステップとを設け、第２の発明によれば、
被試験半導体装置の電気的特性値を測定し、その測定値
を判定値と比較して良否の判定を行なう半導体試験方法
において、被試験半導体装置の試験環境温度を測定する
ステップと、判定に先立ち、試験環境温度の測定値に基
づいて、判定値を補正するステップとを設けたので、試
験環境温度の変動が良否判定に与える影響を排除するこ
とができ、被試験半導体装置の良否判定を正しく行うこ
とができるという効果がある。
試験半導体装置の電気的特性値を測定し、その測定値を
あらかじめ定められた温度環境下での判定値と比較して
良否の判定を行なう半導体試験方法において、被試験半
導体装置の試験環境温度を測定するステップと、判定に
先立ち、試験環境温度の測定値に基づいて、電気的特性
の測定値を、あらかじめ定められた温度環境下での測定
値に補正するステップとを設け、第２の発明によれば、
被試験半導体装置の電気的特性値を測定し、その測定値
を判定値と比較して良否の判定を行なう半導体試験方法
において、被試験半導体装置の試験環境温度を測定する
ステップと、判定に先立ち、試験環境温度の測定値に基
づいて、判定値を補正するステップとを設けたので、試
験環境温度の変動が良否判定に与える影響を排除するこ
とができ、被試験半導体装置の良否判定を正しく行うこ
とができるという効果がある。
【図１】この発明による半導体記憶装置の試験手順を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図２】半導体記憶装置のスタンバイ電流の温度特性の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図３】従来の半導体試験装置による半導体記憶装置の
試験手順を示すフローチャートである。
試験手順を示すフローチャートである。
Claims (2)
- 【請求項１】 被試験半導体装置の電気的特性値を測
定し、その測定値をあらかじめ定められた温度環境下で
の判定値と比較して良否の判定を行なう半導体試験方法
であって、前記被試験半導体装置の試験環境温度を測定
するステップと、前記判定に先立ち、前記試験環境温度
の測定値に基づいて、前記電気的特性の測定値を、前記
あらかじめ定められた温度環境下での測定値に補正する
ステップとを備える半導体試験方法。 - 【請求項２】 被試験半導体装置の電気的特性値を測
定し、その測定値を判定値と比較して良否の判定を行な
う半導体試験方法であって、前記被試験半導体装置の試
験環境温度を測定するステップと、前記判定に先立ち、
前記試験環境温度の測定値に基づいて、前記判定値を補
正するステップとを備える半導体試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3060232A JPH04313080A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3060232A JPH04313080A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04313080A true JPH04313080A (ja) | 1992-11-05 |
Family
ID=13136226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3060232A Pending JPH04313080A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04313080A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996028826A1 (en) * | 1995-03-15 | 1996-09-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device having deterioration determining function |
| US5920574A (en) * | 1996-09-27 | 1999-07-06 | Matsushita Electronics Corporation | Method for accelerated test of semiconductor devices |
| US6223311B1 (en) | 1995-03-15 | 2001-04-24 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device having deterioration determining function |
| US6694460B2 (en) | 1997-09-11 | 2004-02-17 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor memory device having deterioration determining function |
| JP2009164292A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体デバイス試験装置及び半導体デバイス試験方法 |
| JP2018049003A (ja) * | 2016-09-14 | 2018-03-29 | 株式会社村田製作所 | 電子部品装置の電気的特性測定方法、電子部品装置の選別方法および電気的特性測定装置 |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP3060232A patent/JPH04313080A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996028826A1 (en) * | 1995-03-15 | 1996-09-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device having deterioration determining function |
| US5978941A (en) * | 1995-03-15 | 1999-11-02 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device having deterioration determining function |
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| JP2018049003A (ja) * | 2016-09-14 | 2018-03-29 | 株式会社村田製作所 | 電子部品装置の電気的特性測定方法、電子部品装置の選別方法および電気的特性測定装置 |
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