JPH0431320A - 酸化物超伝導体及び回路配線 - Google Patents
酸化物超伝導体及び回路配線Info
- Publication number
- JPH0431320A JPH0431320A JP2132516A JP13251690A JPH0431320A JP H0431320 A JPH0431320 A JP H0431320A JP 2132516 A JP2132516 A JP 2132516A JP 13251690 A JP13251690 A JP 13251690A JP H0431320 A JPH0431320 A JP H0431320A
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- Japan
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- superconductor
- circuit wiring
- oxide superconductor
- earth element
- mixed
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- Pending
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
酸化物超伝導体及び回路配線に係り、特に臨界温度と臨
界電流密度が高く、また経時変化が少ない良質な酸化物
超伝導体及び回路配線に関し、高い臨界温度、大きな臨
界電流密度を備えた超伝導膜を提供し、且つその膜から
なる回路配線を提供することを目的とし、 Ｂｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体におい
て、前記Ｃａの一部を下記化学式で示されるように置換
してなること、 Ｂｉ２５ｒ２Ｃａｌ ｘＬ、、ＸＣｕ０ｙ（１）上式で
り、、：希土類元素、及び該酸化物超伝導体からなる回
路配線によって構成される。
界電流密度が高く、また経時変化が少ない良質な酸化物
超伝導体及び回路配線に関し、高い臨界温度、大きな臨
界電流密度を備えた超伝導膜を提供し、且つその膜から
なる回路配線を提供することを目的とし、 Ｂｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系超伝導体におい
て、前記Ｃａの一部を下記化学式で示されるように置換
してなること、 Ｂｉ２５ｒ２Ｃａｌ ｘＬ、、ＸＣｕ０ｙ（１）上式で
り、、：希土類元素、及び該酸化物超伝導体からなる回
路配線によって構成される。
本発明は酸化物超伝導体及び回路配線に係り、特に臨界
温度と臨界電流密度が高く、また経時変化が少ない良質
な酸化物超伝導体及び回路配線に関するものである。
温度と臨界電流密度が高く、また経時変化が少ない良質
な酸化物超伝導体及び回路配線に関するものである。
例えばＢｉ −５ｒ −Ｃａ−Ｃｕ−○からなるＢＩ系
超超伝導体少なくとも３種類の超伝導相（臨界温度Ｔｃ
が１０に、８０に、ｌｌ０Ｋの相）が知られている。そ
の１１０に相のＢｉ系超伝導体は臨界温度Ｔｃは高いが
その合成が非常に困難であり、しかも超伝導体結晶が合
成されるにつれて、臨界電流密度Ｊｃが減少するため高
臨界電流密度Ｔｃを達成しに（い。
超超伝導体少なくとも３種類の超伝導相（臨界温度Ｔｃ
が１０に、８０に、ｌｌ０Ｋの相）が知られている。そ
の１１０に相のＢｉ系超伝導体は臨界温度Ｔｃは高いが
その合成が非常に困難であり、しかも超伝導体結晶が合
成されるにつれて、臨界電流密度Ｊｃが減少するため高
臨界電流密度Ｔｃを達成しに（い。
一方Ｔｃが８０に相のＢｉ系超伝導体の合成は比較的簡
単であり、Ｊｃの減少も殆どない。
単であり、Ｊｃの減少も殆どない。
上記の如＜ ｌｌ０Ｋ相のＢｉ系超伝導体は合成はしに
くいものの、スパッタ法、スクリーン印刷法等を利用し
て５ｒＴｉ０３あるいはＭｇＯ等の基板上に堆積した後
、熱処理することにより超伝導膜を得ている。
くいものの、スパッタ法、スクリーン印刷法等を利用し
て５ｒＴｉ０３あるいはＭｇＯ等の基板上に堆積した後
、熱処理することにより超伝導膜を得ている。
一方、酸化物超伝導体厚膜の７７ＫにおけるＪｃはスパ
ッタ法等による薄膜よりも低く、デバイスや回路配線に
応用するに当たり、高臨界温度、高臨界電流密度を達成
する必要がある。
ッタ法等による薄膜よりも低く、デバイスや回路配線に
応用するに当たり、高臨界温度、高臨界電流密度を達成
する必要がある。
本発明は高い臨界温度、大きな臨界電流密度を備えた酸
化物超伝導体を提供し、且つその膜を回路配線等に使用
することを目的とする。
化物超伝導体を提供し、且つその膜を回路配線等に使用
することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題は本発明によればＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃ
Ｕ−○系超伝導体において、前記Ｃａの一部を下記化学
式で示されるように置換してなることを特徴とする酸化
物超伝導体。
Ｕ−○系超伝導体において、前記Ｃａの一部を下記化学
式で示されるように置換してなることを特徴とする酸化
物超伝導体。
Ｂ１２５ｒ２Ｃａ１−ｘＬｎｘＣｕＯｙ
（１）上式でＬｎ：希土類元素 によって解決される。
（１）上式でＬｎ：希土類元素 によって解決される。
本発明では上記希土類元素の置換基ＸをＱ＜ｘ〈０．３
に限定することが好ましい。このＸの範囲外であると臨
界温度が従来と同程度か、それ以下となる。
に限定することが好ましい。このＸの範囲外であると臨
界温度が従来と同程度か、それ以下となる。
また本発明では酸化物超伝導体からなる回路配線が提供
される。
される。
本発明において希土類元素はＬａ 、Ｐｒ 、Ｎｄ。
Ｌｕ ５Ｙ、Ｓｃ等が用いられるが特にＹ、Ｌｕがより
好ましく用いられる。
好ましく用いられる。
本発明によればＣａサイトに一部希土類元素を置換する
ことによって高い臨界温度、大きな臨界電流密度を備え
た超伝導膜を作製することができ、超伝導回路配線など
に応用することが可能となる。
ことによって高い臨界温度、大きな臨界電流密度を備え
た超伝導膜を作製することができ、超伝導回路配線など
に応用することが可能となる。
以下本発明の実施例を図面にもとすいて説明する。
本発明の実施例ではＢ１２． ｏｓｒ２．ｏＣａｏ、
、、Ｌｕｏ、 ｌＣｕ２． ｏＯｙからなるＢｉ系超伝
導体を製造した。
、、Ｌｕｏ、 ｌＣｕ２． ｏＯｙからなるＢｉ系超伝
導体を製造した。
まず出発原料としてＢｉ、［］３． Ｌｕ２［１，、５
ｒＣＱ３． ＣａＣ［１３゜ＣｕＯの各粉末を用いた
。各粉末はＢｉ ： Ｌｕ ： Ｓｒ ：Ｃａ：Ｃｕ＝
２．０ ＋０．１ ：２．０ ＋０．９ ：２．０（ｍ
ｏｌ）になるように秤量し、全粉末を混合し、８２０℃
の温度で１２時間、仮焼成を行った。その後各粉末をよ
り均質にするため再混合した後、８６０℃の温度で２４
時間本焼成を行った。
ｒＣＱ３． ＣａＣ［１３゜ＣｕＯの各粉末を用いた
。各粉末はＢｉ ： Ｌｕ ： Ｓｒ ：Ｃａ：Ｃｕ＝
２．０ ＋０．１ ：２．０ ＋０．９ ：２．０（ｍ
ｏｌ）になるように秤量し、全粉末を混合し、８２０℃
の温度で１２時間、仮焼成を行った。その後各粉末をよ
り均質にするため再混合した後、８６０℃の温度で２４
時間本焼成を行った。
本焼成後、得られた焼成体（バルク）をＸ線回折測定を
行った結果、低Ｔｃ相（８０Ｋ）のみが合成されている
ことがわかった。抵抗率の温度変化を測定した結果、Ｔ
ｃは９０にであり、７７にでのＪｃは２８ＯＡ／ｃｆＩ
ｌであった。
行った結果、低Ｔｃ相（８０Ｋ）のみが合成されている
ことがわかった。抵抗率の温度変化を測定した結果、Ｔ
ｃは９０にであり、７７にでのＪｃは２８ＯＡ／ｃｆＩ
ｌであった。
作製したバルクを粉砕、混合した後、ＭＥＫ（メチルエ
チルケトン）、アセトン等の有機溶剤を混ぜ、ペースト
を作製した。このペーストを用いて、第１図に示すよう
にＭｇＯ基板１上に約１００戸厚さに酸化物超伝導厚膜
２の印刷を行った。
チルケトン）、アセトン等の有機溶剤を混ぜ、ペースト
を作製した。このペーストを用いて、第１図に示すよう
にＭｇＯ基板１上に約１００戸厚さに酸化物超伝導厚膜
２の印刷を行った。
８６０℃、１時間焼成を行った厚膜２の電気抵抗の温度
変化を第２図に示す。Ｔｃｅ＝９０にであり、７７にで
のＪｃは３５０Ａ／ｃ＋＋！であった。このＪｃ値はほ
とんどが１１０に相から成る厚膜で得られる臨界電流密
度Ｊｃ以上の高い値である。このようにして得られた厚
膜は回路配線として有効に利用される。
変化を第２図に示す。Ｔｃｅ＝９０にであり、７７にで
のＪｃは３５０Ａ／ｃ＋＋！であった。このＪｃ値はほ
とんどが１１０に相から成る厚膜で得られる臨界電流密
度Ｊｃ以上の高い値である。このようにして得られた厚
膜は回路配線として有効に利用される。
またスパッタ法よりＭｇＯ基板上に約１０Ｊ１１Ｉ＋以
下の本発明の酸化物超伝導薄膜の回路配線及びその回路
配線を有するデバイスも得られる。
下の本発明の酸化物超伝導薄膜の回路配線及びその回路
配線を有するデバイスも得られる。
以上説明したように、本発明によればＢｉ −Ｌｎ −
Ｓｒ −Ｃａ−Ｃｕ−○系（Ｌｎ＝希土類）厚膜におい
て、Ｔｃを７７に以上に保ちながら臨界電流密度を高め
ることができる。
Ｓｒ −Ｃａ−Ｃｕ−○系（Ｌｎ＝希土類）厚膜におい
て、Ｔｃを７７に以上に保ちながら臨界電流密度を高め
ることができる。
第１図は本発明にかかる酸化物超伝導体からなる厚膜を
示す斜視図であり、 第２図は本発明に係る酸化物超伝導厚膜の電気抵抗の温
度変化を示す図である。 １・・・ＭｇＯ基板、 ２・・・酸化物超伝導厚膜
。
示す斜視図であり、 第２図は本発明に係る酸化物超伝導厚膜の電気抵抗の温
度変化を示す図である。 １・・・ＭｇＯ基板、 ２・・・酸化物超伝導厚膜
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体において、
前記Ｃａの一部を下記化学式で示されるように置換して
なることを特徴とする酸化物超伝導体。 Ｂｉ＿２Ｓｒ＿２Ｃａ＿１＿−＿ｘＬｎ＿ｘＣｕＯ＿ｙ
（１）上式でＬｎ：希土類元素 ２、前記希土類元素の置換量ｘを０＜ｘ＜０．３にする
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の酸化物超
伝導体。 ３、請求項１記載の酸化物超伝導体からなる回路配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2132516A JPH0431320A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 酸化物超伝導体及び回路配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2132516A JPH0431320A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 酸化物超伝導体及び回路配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0431320A true JPH0431320A (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=15083158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2132516A Pending JPH0431320A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 酸化物超伝導体及び回路配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0431320A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04198026A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-17 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ｂｉ―Ｓｒ―Ｃａ―Ｃｕ―Ｏ系超電導体材料 |
-
1990
- 1990-05-24 JP JP2132516A patent/JPH0431320A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04198026A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-17 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ｂｉ―Ｓｒ―Ｃａ―Ｃｕ―Ｏ系超電導体材料 |
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