JPH04313218A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH04313218A JPH04313218A JP3079207A JP7920791A JPH04313218A JP H04313218 A JPH04313218 A JP H04313218A JP 3079207 A JP3079207 A JP 3079207A JP 7920791 A JP7920791 A JP 7920791A JP H04313218 A JPH04313218 A JP H04313218A
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- JP
- Japan
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- pressure
- reaction chamber
- semiconductor manufacturing
- gas
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造装置に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の横型の減圧下における化学
的気相成長法（以下ＬＰ−ＣＶＤ法と略す）による半導
体製造装置の構成を示す図、図４は図３に示す半導体製
造装置に用いられる反応室内の圧力制御方法を説明する
図、図５は排気ポンプの吸込圧力と排気速度との関係を
示す図である。図３において、１はガス導入口、２はガ
ス排管、３は排気用真空ポンプ、４は圧力制御弁、５は
圧力計、６は被処理ウエーハ、７はヒーター、８はオペ
レーション用コントローラ、９は反応室、１０は流量制
御器である。
的気相成長法（以下ＬＰ−ＣＶＤ法と略す）による半導
体製造装置の構成を示す図、図４は図３に示す半導体製
造装置に用いられる反応室内の圧力制御方法を説明する
図、図５は排気ポンプの吸込圧力と排気速度との関係を
示す図である。図３において、１はガス導入口、２はガ
ス排管、３は排気用真空ポンプ、４は圧力制御弁、５は
圧力計、６は被処理ウエーハ、７はヒーター、８はオペ
レーション用コントローラ、９は反応室、１０は流量制
御器である。
【０００３】次に動作について説明する。図３に示す半
導体製造装置において、被処理ウエーハ６の入った反応
室９内にガス導入口１よりガスを導入して処理を行う際
は、通常次の手順で行われる。すなわち成膜しようとす
る被処理ウエーハ６をヒーター７で暖められた反応室９
内に導入し、その後、装置各部の気密を保持すべく動作
を行う。このとき、ガス導入口１よりガスは導入しない
。その後、排気用真空ポンプ３により反応室９内の真空
引きを行う。この場合、常圧から１０−３Ｔｏｒｒ程度
の真空まで真空引きを行うが、これは排気用真空ポンプ
３の能力に左右される。排気用真空ポンプ３の吸込圧力
と排気速度との関係は図５に示したように所望圧力に達
する前に排気速度はピークをむかえることが分かる。す
なわち常圧から所望圧力までの真空引きは、一定ではな
く、途中で大排気を行い、排気ピークをむかえた後、徐
々に排気量が低下して所望圧力に達する。この後、反応
室９内に成膜ガスをガス導入口１より導入し、成膜処理
を行う。成膜処理が完了後、ガス導入口１からガス導入
を中止し、反応室９内を排気用真空ポンプ３によってガ
ス抜きを行った後、排気用真空ポンプ３を停止し、ガス
導入口１から不活性ガスを導入し、反応室９内を大気圧
まで復帰させて被処理ウエーハ６を引き出し、処理は終
わる。この時の常圧復帰は不活性ガスの流量コントロー
ルのみで行われるのが常である。
導体製造装置において、被処理ウエーハ６の入った反応
室９内にガス導入口１よりガスを導入して処理を行う際
は、通常次の手順で行われる。すなわち成膜しようとす
る被処理ウエーハ６をヒーター７で暖められた反応室９
内に導入し、その後、装置各部の気密を保持すべく動作
を行う。このとき、ガス導入口１よりガスは導入しない
。その後、排気用真空ポンプ３により反応室９内の真空
引きを行う。この場合、常圧から１０−３Ｔｏｒｒ程度
の真空まで真空引きを行うが、これは排気用真空ポンプ
３の能力に左右される。排気用真空ポンプ３の吸込圧力
と排気速度との関係は図５に示したように所望圧力に達
する前に排気速度はピークをむかえることが分かる。す
なわち常圧から所望圧力までの真空引きは、一定ではな
く、途中で大排気を行い、排気ピークをむかえた後、徐
々に排気量が低下して所望圧力に達する。この後、反応
室９内に成膜ガスをガス導入口１より導入し、成膜処理
を行う。成膜処理が完了後、ガス導入口１からガス導入
を中止し、反応室９内を排気用真空ポンプ３によってガ
ス抜きを行った後、排気用真空ポンプ３を停止し、ガス
導入口１から不活性ガスを導入し、反応室９内を大気圧
まで復帰させて被処理ウエーハ６を引き出し、処理は終
わる。この時の常圧復帰は不活性ガスの流量コントロー
ルのみで行われるのが常である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の真空引きおよび
常圧復帰は、以上のように行われていたので、反応室９
内の真空引き時において、排気用真空ポンプ３の能力に
左右されるため、常圧から所望圧力までの真空引きに当
たり、排気速度が変化するので、反応室９内にある異物
を巻き上げる。この異物は、高集積化の進むＶＬＳＩに
とっては不良の原因となる。また、常圧に復帰させる際
も不活性ガスをガス導入口１より流量コントロールのみ
で導入するので、真空引き同様に反応室９内にある異物
を巻き上げる。さらに真空引き，常圧復帰に際しては、
急激な圧力変化を起こすことが異物の発生につながるこ
とが明らかな事実であるが、その解決策として名案はな
く、経験に基づいて行っていた。
常圧復帰は、以上のように行われていたので、反応室９
内の真空引き時において、排気用真空ポンプ３の能力に
左右されるため、常圧から所望圧力までの真空引きに当
たり、排気速度が変化するので、反応室９内にある異物
を巻き上げる。この異物は、高集積化の進むＶＬＳＩに
とっては不良の原因となる。また、常圧に復帰させる際
も不活性ガスをガス導入口１より流量コントロールのみ
で導入するので、真空引き同様に反応室９内にある異物
を巻き上げる。さらに真空引き，常圧復帰に際しては、
急激な圧力変化を起こすことが異物の発生につながるこ
とが明らかな事実であるが、その解決策として名案はな
く、経験に基づいて行っていた。
【０００５】したがってこの発明は、前述した従来の問
題を解決するためになされたものであり、その目的は、
圧力計からの情報を用い、オペレーション用コントロー
ラに真空引き率および常圧復帰率を入力することにより
、反応室内の圧力状況をコントロールするようにした半
導体製造装置を提供することにある。
題を解決するためになされたものであり、その目的は、
圧力計からの情報を用い、オペレーション用コントロー
ラに真空引き率および常圧復帰率を入力することにより
、反応室内の圧力状況をコントロールするようにした半
導体製造装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るためにこの発明による半導体製造装置は、圧力変化率
の設定可能なオペレーション用コントローラを備え、反
応室内へのガス導入量および圧力制御用機構をこのオペ
レーション用コントローラにより制御し、圧力変化率に
応じた圧力制御を行うようにしたものである。
るためにこの発明による半導体製造装置は、圧力変化率
の設定可能なオペレーション用コントローラを備え、反
応室内へのガス導入量および圧力制御用機構をこのオペ
レーション用コントローラにより制御し、圧力変化率に
応じた圧力制御を行うようにしたものである。
【０００７】
【作用】この発明における圧力変化率制御機構は、反応
室内の圧力変化率を設定できる。
室内の圧力変化率を設定できる。
【０００８】
【実施例】以下、図面を用いてこの発明の実施例を詳細
に説明する。図１，図２はこの発明による半導体製造装
置の一実施例を説明する図であり、図１はこの発明によ
る半導体製造装置を横型ＬＰ−ＣＶＤ装置システムに適
用した概略ブロック図を示し、図２は図１に適用した半
導体製造装置の圧力変化率の設定およびその動作を説明
する図である。次に動作について説明する。図１に示す
横型ＬＰ−ＣＶＤ装置において、被処理ウエーハ６の入
った反応室９内にガス導入口１よりガスを導入して処理
を行う際は、通常次の手順で行われる。すなわち成膜し
ようとする被処理ウエーハ６をヒーター７で暖められた
反応室９内に導入し、その後、装置各部の気密を保持す
べく動作を行う。その後、排気用真空ポンプ３により反
応室９内の真空引きを行う。この場合、常圧から１０−
３Ｔｏｒｒ程度の真空度まで真空引きを行うが、オペレ
ーション用コントローラ８Ａにより圧力変化率を設定し
ているので、排気用真空ポンプ３の排気と設定圧力変化
率とを得るために圧力制御弁４の調節とガス導入口１よ
り不活性ガスを流量制御器１０を通して反応室９内に導
入する。これらの動作により反応室９内は圧力変化率を
一定にして所望圧力を得る。この後、反応室９内に成膜
ガスをガス導入口１より導入し、成膜処理を行う。成膜
処理が完了後、ガス導入口１からのガス導入を中止し、
反応室９内を排気用真空ポンプ３によってガス抜きを行
った後、圧力変化率を設定しているので、真空引き時と
同様にして圧力制御弁４の調節とガス導入口１より不活
性ガスを流量制御器１０を通して反応室９内に導入し、
圧力変化率を一定にして大気圧にまで復帰する。これに
より常圧復帰を終え、被処理ウエーハ６を引き出し、処
理は終わる。
に説明する。図１，図２はこの発明による半導体製造装
置の一実施例を説明する図であり、図１はこの発明によ
る半導体製造装置を横型ＬＰ−ＣＶＤ装置システムに適
用した概略ブロック図を示し、図２は図１に適用した半
導体製造装置の圧力変化率の設定およびその動作を説明
する図である。次に動作について説明する。図１に示す
横型ＬＰ−ＣＶＤ装置において、被処理ウエーハ６の入
った反応室９内にガス導入口１よりガスを導入して処理
を行う際は、通常次の手順で行われる。すなわち成膜し
ようとする被処理ウエーハ６をヒーター７で暖められた
反応室９内に導入し、その後、装置各部の気密を保持す
べく動作を行う。その後、排気用真空ポンプ３により反
応室９内の真空引きを行う。この場合、常圧から１０−
３Ｔｏｒｒ程度の真空度まで真空引きを行うが、オペレ
ーション用コントローラ８Ａにより圧力変化率を設定し
ているので、排気用真空ポンプ３の排気と設定圧力変化
率とを得るために圧力制御弁４の調節とガス導入口１よ
り不活性ガスを流量制御器１０を通して反応室９内に導
入する。これらの動作により反応室９内は圧力変化率を
一定にして所望圧力を得る。この後、反応室９内に成膜
ガスをガス導入口１より導入し、成膜処理を行う。成膜
処理が完了後、ガス導入口１からのガス導入を中止し、
反応室９内を排気用真空ポンプ３によってガス抜きを行
った後、圧力変化率を設定しているので、真空引き時と
同様にして圧力制御弁４の調節とガス導入口１より不活
性ガスを流量制御器１０を通して反応室９内に導入し、
圧力変化率を一定にして大気圧にまで復帰する。これに
より常圧復帰を終え、被処理ウエーハ６を引き出し、処
理は終わる。
【０００９】なお、前述した実施例では、横型ＬＰ−Ｃ
ＶＤ装置を用いた場合について説明したが、真空と大気
圧とを交互に繰り返すことを行うような装置であれば良
く、前述した実施例と同様な効果が得られる。
ＶＤ装置を用いた場合について説明したが、真空と大気
圧とを交互に繰り返すことを行うような装置であれば良
く、前述した実施例と同様な効果が得られる。
【００１０】さらに前述した実施例では、圧力計の位置
を図１に示すようにガス入口側の反応室端に設けた場合
について説明したが、この発明はこれに限定されるもの
ではない。
を図１に示すようにガス入口側の反応室端に設けた場合
について説明したが、この発明はこれに限定されるもの
ではない。
【００１１】また、前述した実施例では、圧力制御機構
として圧力制御弁の開閉度合いによる圧力制御方法を用
いた場合について説明したが、この発明はこれに限定さ
れるものではなく、例えば真空ポンプ側に不活性ガスを
送り込むバラスト法や真空ポンプ自体の排気能力をコン
トロールする方法による圧力制御機構でも前述と同様の
効果が得られる。
として圧力制御弁の開閉度合いによる圧力制御方法を用
いた場合について説明したが、この発明はこれに限定さ
れるものではなく、例えば真空ポンプ側に不活性ガスを
送り込むバラスト法や真空ポンプ自体の排気能力をコン
トロールする方法による圧力制御機構でも前述と同様の
効果が得られる。
【００１２】
【発明の効果】以上、説明したようにこの発明による半
導体製造装置によれば、圧力変化率の設定可能なオペレ
ーション用コントローラを備え、反応室内へのガス導入
量および圧力制御用機構をこのオペレーション用コント
ローラにより制御し、圧力変化率に応じた圧力制御を行
うので、反応室内にある異物の巻き上げに対して経験に
基づく防止策をとる必要はなく、定量的な監視ができる
という極めて優れた効果が得られる。
導体製造装置によれば、圧力変化率の設定可能なオペレ
ーション用コントローラを備え、反応室内へのガス導入
量および圧力制御用機構をこのオペレーション用コント
ローラにより制御し、圧力変化率に応じた圧力制御を行
うので、反応室内にある異物の巻き上げに対して経験に
基づく防止策をとる必要はなく、定量的な監視ができる
という極めて優れた効果が得られる。
【図１】この発明の一実施例による半導体製造装置を横
型ＬＰ−ＣＶＤ装置システムに適用した場合の構成を示
す概略ブロック図である。
型ＬＰ−ＣＶＤ装置システムに適用した場合の構成を示
す概略ブロック図である。
【図２】図１に適用した半導体製造装置の圧力変化率の
設定およびその動作を説明する概略図である。
設定およびその動作を説明する概略図である。
【図３】従来の横型ＬＰ−ＣＶＤ装置システムの構成を
示す概略ブロック図である。
示す概略ブロック図である。
【図４】図３に示す半導体制御装置に用いられる圧力制
御方法を説明する概略図である。
御方法を説明する概略図である。
【図５】排気ポンプの吸込圧力と排気速度との関係を示
す図である。
す図である。
１ ガス導入口
２ ガス排管
３ 排気用真空ポンプ
４ 圧力制御弁
５ 圧力計
６ 被処理ウエーハ
７ ヒーター
８Ａ オペレーション用コントローラ９
反応室 １０ 流量制御器
反応室 １０ 流量制御器
Claims (1)
- 【請求項１】 圧力変化率の設定可能なオペレーショ
ン用コントローラを備え、真空チャンバー内へのガス導
入量および圧力制御用機構を前記オペレーション用コン
トローラにより制御し、所望の圧力変化率に応じた圧力
制御を行うことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3079207A JPH04313218A (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3079207A JPH04313218A (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04313218A true JPH04313218A (ja) | 1992-11-05 |
Family
ID=13683502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3079207A Pending JPH04313218A (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04313218A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990008787A1 (en) * | 1989-01-31 | 1990-08-09 | Amoco Corporation | Hydroxyethers of epoxidized polybutenes |
-
1991
- 1991-04-11 JP JP3079207A patent/JPH04313218A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990008787A1 (en) * | 1989-01-31 | 1990-08-09 | Amoco Corporation | Hydroxyethers of epoxidized polybutenes |
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