JPH0431372B2 - - Google Patents
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- JPH0431372B2 JPH0431372B2 JP8365185A JP8365185A JPH0431372B2 JP H0431372 B2 JPH0431372 B2 JP H0431372B2 JP 8365185 A JP8365185 A JP 8365185A JP 8365185 A JP8365185 A JP 8365185A JP H0431372 B2 JPH0431372 B2 JP H0431372B2
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Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、カイラルスメクテイツク液晶装置、
より詳細にはスメクテイツク液晶パネルの駆動回
路に関する。
より詳細にはスメクテイツク液晶パネルの駆動回
路に関する。
（従来技術）
近年、カイラルスメクテイツクＣ相を使用した
液晶装置は、高速応答性と記憶保持性を持つデイ
スプレイ装置や、カメラ用、プリンタ用の光シヤ
ツタとして注目されている。
液晶装置は、高速応答性と記憶保持性を持つデイ
スプレイ装置や、カメラ用、プリンタ用の光シヤ
ツタとして注目されている。
このカイラルスメクテイツクＣ相を持つ強誘電
性液晶化合物としては、例えば、２−メチブチル
Ｐ−［（Ｐ−ｎ−デシロキシベンジリデン）アミ
ノ］が広く知られており、その液晶分子は、第８
図に示したように一定の方位角ψを持つて層L1，
L2，L3，L4毎に捩れた螺旋構造を採つて配列し
ている。
性液晶化合物としては、例えば、２−メチブチル
Ｐ−［（Ｐ−ｎ−デシロキシベンジリデン）アミ
ノ］が広く知られており、その液晶分子は、第８
図に示したように一定の方位角ψを持つて層L1，
L2，L3，L4毎に捩れた螺旋構造を採つて配列し
ている。
ところで、このカイラルスメクテイツクＣ相を
持つ液晶化合物をその螺旋周期（通常数μm）よ
りも小さい間隙（例えば1μm程度）を持つ２枚の
基板Ｂ，Ｂの間に注入して液晶セルを構成すると
（第９図イ）、液晶分子は、螺旋構造を消失して分
子軸を基板Ｂ、Ｂに平行にして層の法線方向から
時計回りに角度θ傾むいたドメインと、反時計回
りにθつまり−θ傾むいたドメインを混存した状
態を持つとともに（同図ロ）、分子軸に垂直な方
向の電気双極子を備えている。
持つ液晶化合物をその螺旋周期（通常数μm）よ
りも小さい間隙（例えば1μm程度）を持つ２枚の
基板Ｂ，Ｂの間に注入して液晶セルを構成すると
（第９図イ）、液晶分子は、螺旋構造を消失して分
子軸を基板Ｂ、Ｂに平行にして層の法線方向から
時計回りに角度θ傾むいたドメインと、反時計回
りにθつまり−θ傾むいたドメインを混存した状
態を持つとともに（同図ロ）、分子軸に垂直な方
向の電気双極子を備えている。
このため、一方のドメインが基板Ｂ、Ｂに対し
て上向きの電気双極子を持つと、他方のドメイン
は下向きの電気双極子を持つことになり、したが
つて基板Ｂ、Ｂ間に電界を印加すると、全ての液
晶分子は、層の法線方向から＋θもしくは−θの
いずれか一方に傾いた位置に揃い、また逆向きの
電界を印加すると、液晶分子も反転して−θもし
くは＋θ傾むいた位置に一斉に揃つた状態で配列
する。
て上向きの電気双極子を持つと、他方のドメイン
は下向きの電気双極子を持つことになり、したが
つて基板Ｂ、Ｂ間に電界を印加すると、全ての液
晶分子は、層の法線方向から＋θもしくは−θの
いずれか一方に傾いた位置に揃い、また逆向きの
電界を印加すると、液晶分子も反転して−θもし
くは＋θ傾むいた位置に一斉に揃つた状態で配列
する。
このセルの両面に偏光板を配設して電界を印加
すると、液晶分子の移動により明状態や暗状態が
生じて表示パネルや光シヤツタとしての機能を持
たせることができる（第１０図）。このように構
成した液晶パネルは、マイクロ秒台という非常に
速い応答速度と、一旦表示したパターンを電界除
去後も保持するという優れた特性を持つている。
すると、液晶分子の移動により明状態や暗状態が
生じて表示パネルや光シヤツタとしての機能を持
たせることができる（第１０図）。このように構
成した液晶パネルは、マイクロ秒台という非常に
速い応答速度と、一旦表示したパターンを電界除
去後も保持するという優れた特性を持つている。
特に、この記憶保持性は駆動電力を節約するこ
とができるという点では非常に有用な特性ではあ
るが、反面において表示内容の変更時に暗状態の
書込みと明状態の書込みを別々のフレーム走査で
行なうことが必要となり、表示パターンの変更に
時間を要するという問題がある。
とができるという点では非常に有用な特性ではあ
るが、反面において表示内容の変更時に暗状態の
書込みと明状態の書込みを別々のフレーム走査で
行なうことが必要となり、表示パターンの変更に
時間を要するという問題がある。
（目的）
本発明は、このような問題に鑑み、明状態と暗
状態の書込みを１フレーム走査で実行することが
できる走査速度の速い新規なスメクテイツク液晶
装置を提供することを目的とする。
状態の書込みを１フレーム走査で実行することが
できる走査速度の速い新規なスメクテイツク液晶
装置を提供することを目的とする。
（発明の概要）
すなわち、本発明が特徴とするところは、配向
処理を施した一対の基板の間隙を強誘電性カイラ
ルスメクテイツク液晶化合物の螺旋ピツチ以下に
してスメクテイツク液晶パネルを構成する一方
に、前記液晶化合物の第１の反転時間と第２の反
転時間の間の時間幅を持つ交番信号と、前記反転
時間の長い方より大きい時間幅を持つ交番信号を
選択的に印加するようにした点にある。
処理を施した一対の基板の間隙を強誘電性カイラ
ルスメクテイツク液晶化合物の螺旋ピツチ以下に
してスメクテイツク液晶パネルを構成する一方
に、前記液晶化合物の第１の反転時間と第２の反
転時間の間の時間幅を持つ交番信号と、前記反転
時間の長い方より大きい時間幅を持つ交番信号を
選択的に印加するようにした点にある。
（構成）
そこで、以下に本発明の詳細を図示した実施例
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
第１図は、本発明に使用するスメクテイツク液
晶装置の一実施例を示すものであつて、図中符号
１は、液晶表示パネルを構成する一方の基板で、
透明導電性材料によりセグメント電極１ａ，１
ａ，１ａ……が形成されたガラス等の電気絶縁性
透明板１ｂの表面に印刷やデイツピングによつて
ポリイミドの薄膜を設けて基板１の面方向の全て
の向きに均一な配向性を持つランダム水平配向膜
層１ｃを形成して構成されている（第２図イ）。
２は、液晶表示パネルを構成する他方の基板で、
セグメント電極１ａ，１ａ，１ａ……と直交する
ようにコモン電極２ａ，２ａ，２ａ……が形成さ
れた電気絶縁性透明板２ｂの表面にポリイミドの
薄膜を設け、この薄膜の表面を一方向にラビング
処理を行なつて一方向だけの配向を付与した一軸
配向膜層２ｃを形成して構成されている（第２図
ロ）。これら２枚の基板１，２は、液晶化合物の
螺旋ピツチよりも小さい間隙を持つてランダム水
平配向薄膜１ｃと一軸配向膜層２ｃを対向させて
平行に配置され、２枚の基板１，２間にＳ−４−
０（２−メチル）ブチルーレゾルシリデン−４−
アルキルｎ−チクチルアニリン と Ｐ−ｎ−オクチルフエニル−P′−６−メチルオ
クチルオキシベンゾエート を等率混合してなる強誘電性カイラルスメクテイ
ツク液晶化合物３を充填し、基板周囲をシール剤
により封止してセル構造体に形成して表示パネル
６に構成されている。なお、図中符号４，５は、
基板の表面に配置された偏光板をそれぞれ示す。
晶装置の一実施例を示すものであつて、図中符号
１は、液晶表示パネルを構成する一方の基板で、
透明導電性材料によりセグメント電極１ａ，１
ａ，１ａ……が形成されたガラス等の電気絶縁性
透明板１ｂの表面に印刷やデイツピングによつて
ポリイミドの薄膜を設けて基板１の面方向の全て
の向きに均一な配向性を持つランダム水平配向膜
層１ｃを形成して構成されている（第２図イ）。
２は、液晶表示パネルを構成する他方の基板で、
セグメント電極１ａ，１ａ，１ａ……と直交する
ようにコモン電極２ａ，２ａ，２ａ……が形成さ
れた電気絶縁性透明板２ｂの表面にポリイミドの
薄膜を設け、この薄膜の表面を一方向にラビング
処理を行なつて一方向だけの配向を付与した一軸
配向膜層２ｃを形成して構成されている（第２図
ロ）。これら２枚の基板１，２は、液晶化合物の
螺旋ピツチよりも小さい間隙を持つてランダム水
平配向薄膜１ｃと一軸配向膜層２ｃを対向させて
平行に配置され、２枚の基板１，２間にＳ−４−
０（２−メチル）ブチルーレゾルシリデン−４−
アルキルｎ−チクチルアニリン と Ｐ−ｎ−オクチルフエニル−P′−６−メチルオ
クチルオキシベンゾエート を等率混合してなる強誘電性カイラルスメクテイ
ツク液晶化合物３を充填し、基板周囲をシール剤
により封止してセル構造体に形成して表示パネル
６に構成されている。なお、図中符号４，５は、
基板の表面に配置された偏光板をそれぞれ示す。
このように構成した液晶パネルの電極に電圧を
印加してドメインの反転速度を調べると、第３図
に示したように同一レベルの電圧が印加されたと
き、明状態から暗状態に変化する速度τ1と、暗状
態から明状態に変化する速度τ2が異なり、両者間
に応答時間差Δτが発生する。
印加してドメインの反転速度を調べると、第３図
に示したように同一レベルの電圧が印加されたと
き、明状態から暗状態に変化する速度τ1と、暗状
態から明状態に変化する速度τ2が異なり、両者間
に応答時間差Δτが発生する。
本発明は、この表示状態の切換わり時の時間差
Δτを積極的に利用して明状態の書込みと、暗状
態の書込みを同時に実行するようにしたものであ
る。
Δτを積極的に利用して明状態の書込みと、暗状
態の書込みを同時に実行するようにしたものであ
る。
そこで、次に本発明に係る駆動回路の詳細を実
施例に基づいて説明する。
施例に基づいて説明する。
第４図は本発明の一実施例を示すものであつ
て、図中符号７は、上述したスメクテイツク液晶
パネル６のコモン電極２ａ，２ａ，２ａ……に接
続するコモン電極駆動回路、８は、セグメント電
極１ａ，１ａ，１ａ……に接続するセグメント電
極駆動回路で、線順次走査時に書込状態に対応し
て第１モードもしくは第２モードの電界を、また
非選択時には第３モードの電界を画素に印加する
ように構成されている。
て、図中符号７は、上述したスメクテイツク液晶
パネル６のコモン電極２ａ，２ａ，２ａ……に接
続するコモン電極駆動回路、８は、セグメント電
極１ａ，１ａ，１ａ……に接続するセグメント電
極駆動回路で、線順次走査時に書込状態に対応し
て第１モードもしくは第２モードの電界を、また
非選択時には第３モードの電界を画素に印加する
ように構成されている。
すなわち、画素選択時に、
電圧｜V1｜で、明状態から暗状態に変化す
るに要する時間τ1と暗状態から明状態に変化す
るに要する時間τ2の間の時間幅T1を持つ負方
向のパルスP1と（第５図イ）、電圧｜V1｜で時
間幅T1の正方向のパルスP2からなる暗状態書
込信号、及び電圧｜V1／Ｎ｜で交番する維持
信号からなる第１モード信号（同図ロ）、 同一レベルの電圧｜V1｜で暗状態から明状
態に変化するに要する時間τ2以上の時間幅T2
の負方向のパルスP3と（同図ハ）、電圧｜V1｜
で時間幅T2の正方向のパルスP4からなる明状
態書込信号と、及び維持信号からなる第２モー
ド信号ニ、 非選択時に 液晶分子に反転を生じさせない電圧｜V1／
Ｎ｜と時間幅を持つた交番信号からなる第３モ
ード信号ホ を選択的に出力するように構成されている。
るに要する時間τ1と暗状態から明状態に変化す
るに要する時間τ2の間の時間幅T1を持つ負方
向のパルスP1と（第５図イ）、電圧｜V1｜で時
間幅T1の正方向のパルスP2からなる暗状態書
込信号、及び電圧｜V1／Ｎ｜で交番する維持
信号からなる第１モード信号（同図ロ）、 同一レベルの電圧｜V1｜で暗状態から明状
態に変化するに要する時間τ2以上の時間幅T2
の負方向のパルスP3と（同図ハ）、電圧｜V1｜
で時間幅T2の正方向のパルスP4からなる明状
態書込信号と、及び維持信号からなる第２モー
ド信号ニ、 非選択時に 液晶分子に反転を生じさせない電圧｜V1／
Ｎ｜と時間幅を持つた交番信号からなる第３モ
ード信号ホ を選択的に出力するように構成されている。
次に、こうのようにした装置の動作について説
明する。
明する。
電極１ａ，２ａに電界を作用させない状態で
は、液晶分子がその螺旋ピツチ以下という狭い間
隙に封入されることにより、液晶分子の一端がラ
ンダム水平配向膜層１ｃによりに捕捉されてつつ
も面方向にフリーな状態の下で、液晶分子の他端
が一軸配向膜層２ｃによつて１つの方向へのバイ
アスを与えられる。これにより、基板１，２に充
填されている全ての液晶分子は、一方向に揃えら
れて何らのパターンを現出することなくパネル面
全体を一様な光学濃度に維持して均一なバツクグ
ラウンドを形成する。
は、液晶分子がその螺旋ピツチ以下という狭い間
隙に封入されることにより、液晶分子の一端がラ
ンダム水平配向膜層１ｃによりに捕捉されてつつ
も面方向にフリーな状態の下で、液晶分子の他端
が一軸配向膜層２ｃによつて１つの方向へのバイ
アスを与えられる。これにより、基板１，２に充
填されている全ての液晶分子は、一方向に揃えら
れて何らのパターンを現出することなくパネル面
全体を一様な光学濃度に維持して均一なバツクグ
ラウンドを形成する。
このような状態において、第１モード信号を印
加すると、選択画素の液晶分子は、パルスP1の
電圧−V1における反転時間τ1より長く、かつ反
転時間τ2より短い継続時間T1の電界の作用を受
けるため、十分に暗状態に反転する。この反転後
にパルスP2が印加されると、このパルスP2の時
間幅T1が暗状態から明状態に切換わる時間τ2よ
り短いため、選択画素の液晶分子は、明状態に反
転することができず、暗状態、つまりパルスP1
による書込み状態を保持する。この書込み信号の
後に印加される維持信号により、選択画素の液晶
分子は、暗状態の位置に動的に保持される。
加すると、選択画素の液晶分子は、パルスP1の
電圧−V1における反転時間τ1より長く、かつ反
転時間τ2より短い継続時間T1の電界の作用を受
けるため、十分に暗状態に反転する。この反転後
にパルスP2が印加されると、このパルスP2の時
間幅T1が暗状態から明状態に切換わる時間τ2よ
り短いため、選択画素の液晶分子は、明状態に反
転することができず、暗状態、つまりパルスP1
による書込み状態を保持する。この書込み信号の
後に印加される維持信号により、選択画素の液晶
分子は、暗状態の位置に動的に保持される。
第２モード信号を印加すると、選択画素の液晶
分子は、パルスP3の電圧−Ｖにおける反転時間τ1
より長い継続時間T2の電界の作用を受けるため、
一旦、暗状態に変化する。ところが、引続き印加
されるパルスP4は、この電圧V1での暗状態から
明状態への反転時間τ2より長い時間幅T2を持つ
ているため、液晶分子は、パルスP3によつて書
込まれた暗状態から反転させられて明状態を書込
むことになる。この書込み信号の後に印加される
維持信号により、選択画素の液晶分子は、明状態
に保持される。
分子は、パルスP3の電圧−Ｖにおける反転時間τ1
より長い継続時間T2の電界の作用を受けるため、
一旦、暗状態に変化する。ところが、引続き印加
されるパルスP4は、この電圧V1での暗状態から
明状態への反転時間τ2より長い時間幅T2を持つ
ているため、液晶分子は、パルスP3によつて書
込まれた暗状態から反転させられて明状態を書込
むことになる。この書込み信号の後に印加される
維持信号により、選択画素の液晶分子は、明状態
に保持される。
これにより、数百μ秒台という非常に速い速度
で暗状態の書込みと、明状態の書込みを実行する
ことができる。言うまでもなく、上述の過程にお
いては、液晶分子は、電圧レベルと時間幅が同一
の電圧を交互に受けるため、画素に残留電荷が発
生することはない。
で暗状態の書込みと、明状態の書込みを実行する
ことができる。言うまでもなく、上述の過程にお
いては、液晶分子は、電圧レベルと時間幅が同一
の電圧を交互に受けるため、画素に残留電荷が発
生することはない。
以下、このように、書込むべき状態に対応させ
て第１モード信号か第２モード信号のいずれか一
方を選択して暗状態と明状態を１フレーム走査に
より書込むことができる。
て第１モード信号か第２モード信号のいずれか一
方を選択して暗状態と明状態を１フレーム走査に
より書込むことができる。
なお、この実施例においては、パターン表示後
に駆動電圧の１／Ｎのピーク値を持つ交番電圧を
印加して表示内容を保持するようにしているが、
液晶分子は、ランダム水平配向膜層１ｃの新たな
１つの配向軸により捕捉されるため、交番電圧の
印加を除去しても液晶分子の向きが保持されて表
示内容を記憶することができる。
に駆動電圧の１／Ｎのピーク値を持つ交番電圧を
印加して表示内容を保持するようにしているが、
液晶分子は、ランダム水平配向膜層１ｃの新たな
１つの配向軸により捕捉されるため、交番電圧の
印加を除去しても液晶分子の向きが保持されて表
示内容を記憶することができる。
また、この実施例においては、第１モード信号
を暗状態の書込みに、第２モード信号を明状態の
書込みに使用しているが、対象となる液晶パネル
の動作特性により適宜変更されることは云うまで
もない。
を暗状態の書込みに、第２モード信号を明状態の
書込みに使用しているが、対象となる液晶パネル
の動作特性により適宜変更されることは云うまで
もない。
第６図は、本発明の第２の実施例を示すもの
で、第７図に示した電界印加時間に対する画素濃
度変化を利用して階調表示を行なうものであつ
て、 画素選択時には、 ピーク電圧が｜V1｜で、V1／２より先端側
を明状態から暗状態に変化するに要する時間τ1
と暗状態から明状態に変化するに要する時間τ2
の間の時間幅Txにより変調される負方向のパ
ルスP5と（同図イ）、ピーク電圧｜V1｜で1/2
より先端側が時間幅Txにより変調される正方
向のパルスP6からなる暗状態書込信号及び、
電圧｜V1／Ｎ｜で交番する維持信号からなる
第４モード信号ロ、 ピーク電圧が｜V1｜で、｜V1／２｜より先端
側を暗状態から明状態に変化するに要する時間
τ2よりも大きい時間幅Tyにより変調される負
方向のパルスP7とハ、ピーク電圧が｜V1｜で、
時間幅Tyにより変調される正方向のパルスP8
からなる明状態書込信号及び、電圧｜V1／Ｎ
｜で交番する維持信号からなる第５モード信号
ニを、 また非選択時には 前述の第３モードの信号ホを印加するように
構成したものである。
で、第７図に示した電界印加時間に対する画素濃
度変化を利用して階調表示を行なうものであつ
て、 画素選択時には、 ピーク電圧が｜V1｜で、V1／２より先端側
を明状態から暗状態に変化するに要する時間τ1
と暗状態から明状態に変化するに要する時間τ2
の間の時間幅Txにより変調される負方向のパ
ルスP5と（同図イ）、ピーク電圧｜V1｜で1/2
より先端側が時間幅Txにより変調される正方
向のパルスP6からなる暗状態書込信号及び、
電圧｜V1／Ｎ｜で交番する維持信号からなる
第４モード信号ロ、 ピーク電圧が｜V1｜で、｜V1／２｜より先端
側を暗状態から明状態に変化するに要する時間
τ2よりも大きい時間幅Tyにより変調される負
方向のパルスP7とハ、ピーク電圧が｜V1｜で、
時間幅Tyにより変調される正方向のパルスP8
からなる明状態書込信号及び、電圧｜V1／Ｎ
｜で交番する維持信号からなる第５モード信号
ニを、 また非選択時には 前述の第３モードの信号ホを印加するように
構成したものである。
この実施例によれば、第４モード信号を印加す
ると、選択画素の液晶分子は、このパルスP5の
電圧−V1と時間幅Txに比例した濃度で暗状態側
に変化する（第７図）。このような状態において
パルスP6が印加されると、暗状態から明状態に
切換わるにはそのピーク電圧V1の時間幅Tyが反
転時間τ2より短いため、液晶分子は、暗状態の位
置に移動することができず、パルスP5により書
込まれた濃度状態を保持する。この書込み信号の
後に印加される維持信号により、液晶分子は、そ
の選択された位置を中心として表示濃度を動的に
保持される。
ると、選択画素の液晶分子は、このパルスP5の
電圧−V1と時間幅Txに比例した濃度で暗状態側
に変化する（第７図）。このような状態において
パルスP6が印加されると、暗状態から明状態に
切換わるにはそのピーク電圧V1の時間幅Tyが反
転時間τ2より短いため、液晶分子は、暗状態の位
置に移動することができず、パルスP5により書
込まれた濃度状態を保持する。この書込み信号の
後に印加される維持信号により、液晶分子は、そ
の選択された位置を中心として表示濃度を動的に
保持される。
第５モード信号を印加すると、液晶分子は、パ
ルスP7の時間幅Tyが反転時間τ2より長いため、
一旦、暗状態に変化する。ところが、引続き印加
されるパルスP8は、液晶分子を暗状態から明状
態側に移動させるに十分な時間幅Tyを持つてい
るため、液晶分子は、パルスP7によつて書込ま
れた暗状態から明状態側に移動させられ、時間幅
Tyに比例した明度を書込むことになる。これに
より、数百μ秒台という非常に速い速度で階調性
を持つパターンの書込みを１工程で実行する。
ルスP7の時間幅Tyが反転時間τ2より長いため、
一旦、暗状態に変化する。ところが、引続き印加
されるパルスP8は、液晶分子を暗状態から明状
態側に移動させるに十分な時間幅Tyを持つてい
るため、液晶分子は、パルスP7によつて書込ま
れた暗状態から明状態側に移動させられ、時間幅
Tyに比例した明度を書込むことになる。これに
より、数百μ秒台という非常に速い速度で階調性
を持つパターンの書込みを１工程で実行する。
なお、この実施例においては、暗状態と明状態
に階調性を持たせているが、どちらか一方、例え
ば暗状態の書込時だけに階調性を持たせても同様
の作用を奏することは明らかである。
に階調性を持たせているが、どちらか一方、例え
ば暗状態の書込時だけに階調性を持たせても同様
の作用を奏することは明らかである。
なお、上述した強誘性を持つたスメクテイツク
液晶の他に、一般式 により表わされるピリミジン系液晶化合物や ２−メテイルブテイルＰ−［（Ｐ−ｎ−デシロキ
シベンジリデン）アミノ］等のカイラルスメクテ
イツク液晶化合物を使用することができる。
液晶の他に、一般式 により表わされるピリミジン系液晶化合物や ２−メテイルブテイルＰ−［（Ｐ−ｎ−デシロキ
シベンジリデン）アミノ］等のカイラルスメクテ
イツク液晶化合物を使用することができる。
なお、上述した実施例においては、基板の表面
にポリイミドにより一軸配向膜層、及びランダム
水平配向膜層を形成しているが、一軸配向膜を形
成する材料としてはポリイミドの外、ポリビニー
ルアルコール、弗素樹脂、シラン等の有機膜や
SiO2斜方蒸着膜などが、また他方の基板のラン
ダム水平配向膜を形成する材料としてはポリイミ
ドの外、エポキシ、ポリビニールアルコール、弗
素樹脂、ポリウレタン、シラン、フエノール、尿
素などの有機膜、SiO2やMgF2などを蒸着してな
る無機膜が使用できることを確認した。
にポリイミドにより一軸配向膜層、及びランダム
水平配向膜層を形成しているが、一軸配向膜を形
成する材料としてはポリイミドの外、ポリビニー
ルアルコール、弗素樹脂、シラン等の有機膜や
SiO2斜方蒸着膜などが、また他方の基板のラン
ダム水平配向膜を形成する材料としてはポリイミ
ドの外、エポキシ、ポリビニールアルコール、弗
素樹脂、ポリウレタン、シラン、フエノール、尿
素などの有機膜、SiO2やMgF2などを蒸着してな
る無機膜が使用できることを確認した。
（効果）
以上、説明したように本発明によれば、スメク
テイツク液晶化合物を用いた液晶パネルに、液晶
化合物の第１の反転時間と第２の反転時間の間の
時間幅を持つ交番信号、及び前記反転時間の長い
方より大きい時間幅を持つ交番信号を書込信号と
したので、記憶保持性とバツクグラウンドの均一
性を活しつつ、明状態と暗状態の書込みを１フレ
ーム走査期間内で行なうことができて、走査速度
の速い表示装置や光シヤツタ等のカイラルスメク
テイツク液晶装置を実現することができる。
テイツク液晶化合物を用いた液晶パネルに、液晶
化合物の第１の反転時間と第２の反転時間の間の
時間幅を持つ交番信号、及び前記反転時間の長い
方より大きい時間幅を持つ交番信号を書込信号と
したので、記憶保持性とバツクグラウンドの均一
性を活しつつ、明状態と暗状態の書込みを１フレ
ーム走査期間内で行なうことができて、走査速度
の速い表示装置や光シヤツタ等のカイラルスメク
テイツク液晶装置を実現することができる。
第１図は、本発明に使用する液晶パネルの一実
施例を示す装置の斜視断面図、第２図イ，ロは、
それぞれ同上装置における基板のラビング方向を
示す説明図、第３図は、同上装置における印加電
圧と応答速度を示す説明図、第４図は、本発明の
一実施例を示す装置のブロツク図、第５図イ乃至
ホは、それぞれ同上装置における動作を示す波形
図、第６図イ乃至ホは、それぞれ本発明の他の実
施例を示す波形図、第７図は、電界印加時間と画
素濃度の関係を示す説明図、第８図は、カイラル
スメクテイツク液晶の分子配列を示す模式図、第
９図イ，ロは、それぞれセル間隙を液晶分子の螺
旋ピツチ以下にしたときの分子の配列を示す模式
図、第１０図は、スメクテイツク液晶のドメイン
と偏光の関係を示す説明図である。 １……基板、１ａ……電気絶縁性透明板、１ｃ
……ランダム水平配向膜層、２……基板、２ａ…
…電気絶縁性透明板、２ｃ……一軸配向膜層、３
……カイラルスメクテイツク液晶化合物。
施例を示す装置の斜視断面図、第２図イ，ロは、
それぞれ同上装置における基板のラビング方向を
示す説明図、第３図は、同上装置における印加電
圧と応答速度を示す説明図、第４図は、本発明の
一実施例を示す装置のブロツク図、第５図イ乃至
ホは、それぞれ同上装置における動作を示す波形
図、第６図イ乃至ホは、それぞれ本発明の他の実
施例を示す波形図、第７図は、電界印加時間と画
素濃度の関係を示す説明図、第８図は、カイラル
スメクテイツク液晶の分子配列を示す模式図、第
９図イ，ロは、それぞれセル間隙を液晶分子の螺
旋ピツチ以下にしたときの分子の配列を示す模式
図、第１０図は、スメクテイツク液晶のドメイン
と偏光の関係を示す説明図である。 １……基板、１ａ……電気絶縁性透明板、１ｃ
……ランダム水平配向膜層、２……基板、２ａ…
…電気絶縁性透明板、２ｃ……一軸配向膜層、３
……カイラルスメクテイツク液晶化合物。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電極が形成された基板表面に一軸配向処理を
施した一方の基板と、 電極が形成された基板表面にランダム水平配向
処理を施した他方の基板と、 上記両基板をそれぞれ配向面側を対向させて平
行に配設し、上記基板間に形成された空間に、強
誘電性カイラルスメクテイツク液晶化合物からな
り、上記液晶化合物の螺旋ピツチ以下の層厚で封
入された液晶層と、 上記両基板の電極が交差する部分に、上記液晶
層を介在して成る画素と、 上記両基板を挟むように配設された偏光板と、 上記両基板上の電極を介して上記画素へ電圧を
印加する信号発生手段と、 上記信号発生手段から上記画素へ、一方の極性
を持つパルス状電圧を印加したとき上記画素が第
１の状態から第２の状態へ変化する第１の反転時
間よりも、他方の極性を持つパルス状電圧を印加
したときの第２の状態から第１の状態へ変化する
第２の反転時間が長い液晶表示装置において、 上記信号発生手段は、上記第１の反転時間と上
記第２の反転時間との間の時間幅をそれぞれが持
つ、上記一方の極性と上記他方の極性の少なくと
も一対のパルス状電圧を含み、上記一方の極性の
パルス状電圧の後に上記他方の極性のパルス状電
圧が配列された第１の交番電圧と、 上記第１の反転時間と上記第２の反転時間のい
ずれよりも大きい時間幅をそれぞれが持つ、上記
一方の極性と上記他方の極性の少なくとも一対の
パルス状電圧を含み、上記一方の極性のパルス状
電圧の後に上記他方の極性のパルス状電圧が配列
された第２の交番電圧とを、 選択的に上記液晶層へ出力することを特徴とす
る液晶表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8365185A JPS61241731A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | スメクテイック液晶装置 |
| DE8686302887T DE3682610D1 (de) | 1985-04-19 | 1986-04-17 | Elektrooptische vorrichtung mit chiral smektischem fluessigkristall und verfahren zu deren ansteuerung. |
| EP19860302887 EP0200427B1 (en) | 1985-04-19 | 1986-04-17 | Chiral smectic liquid crystal electro-optical device and method of driving same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8365185A JPS61241731A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | スメクテイック液晶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61241731A JPS61241731A (ja) | 1986-10-28 |
| JPH0431372B2 true JPH0431372B2 (ja) | 1992-05-26 |
Family
ID=13808352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8365185A Granted JPS61241731A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | スメクテイック液晶装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0200427B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61241731A (ja) |
| DE (1) | DE3682610D1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2185614B (en) * | 1985-12-25 | 1990-04-18 | Canon Kk | Optical modulation device |
| US5255110A (en) * | 1985-12-25 | 1993-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving method for optical modulation device using ferroelectric liquid crystal |
| JPH061310B2 (ja) * | 1987-05-13 | 1994-01-05 | キヤノン株式会社 | 液晶装置 |
| US5010328A (en) * | 1987-07-21 | 1991-04-23 | Thorn Emi Plc | Display device |
| US6268839B1 (en) * | 1998-05-12 | 2001-07-31 | Kent State University | Drive schemes for gray scale bistable cholesteric reflective displays |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629919B2 (ja) * | 1982-04-16 | 1994-04-20 | 株式会社日立製作所 | 液晶素子の駆動方法 |
| EP0106386A3 (de) * | 1982-09-23 | 1985-03-13 | BBC Brown Boveri AG | Verfahren zur Ansteuerung einer multiplexierbaren, bistabilen Flüssigkristallanzeige |
| US4655561A (en) * | 1983-04-19 | 1987-04-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of driving optical modulation device using ferroelectric liquid crystal |
| AU584867B2 (en) * | 1983-12-09 | 1989-06-08 | Seiko Instruments & Electronics Ltd. | A liquid crystal display device |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP8365185A patent/JPS61241731A/ja active Granted
-
1986
- 1986-04-17 EP EP19860302887 patent/EP0200427B1/en not_active Expired
- 1986-04-17 DE DE8686302887T patent/DE3682610D1/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0200427A1 (en) | 1986-11-05 |
| EP0200427B1 (en) | 1991-11-27 |
| JPS61241731A (ja) | 1986-10-28 |
| DE3682610D1 (de) | 1992-01-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |