JPS614026A - 液晶素子の駆動法 - Google Patents
液晶素子の駆動法Info
- Publication number
- JPS614026A JPS614026A JP59124516A JP12451684A JPS614026A JP S614026 A JPS614026 A JP S614026A JP 59124516 A JP59124516 A JP 59124516A JP 12451684 A JP12451684 A JP 12451684A JP S614026 A JPS614026 A JP S614026A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- terminal
- state
- electrode
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3651—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix using multistable liquid crystals, e.g. ferroelectric liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/13781—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering using smectic liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/122—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode having a particular pattern
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3655—Details of drivers for counter electrodes, e.g. common electrodes for pixel capacitors or supplementary storage capacitors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶を用いた光シヤツターアレイ、画像表示装
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
［従来の技術］
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくすがら、表
示素子として実用に供されているのは殆どが、例えば、
Ｍ、 ５ｃｈａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、 Ｖ
ｏｌ、 １Ｂ、 Ｎｏ、４（１９７１，’ ２．１５）
、 Ｐ、 １２？ 〜１２Ｂ （７）”Ｖｏｌｔａｇ
ｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖ
ｉｔｙ ｏｆ ａ ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ″に示されたＴＮ（ｔｗｉ
ｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたもノテあ
り、この型の液晶は、無電界状態で正の誘電異方性をも
つ、ネマチック液晶の分子が、液晶層厚力（向で捩れた
構造（ヘリカル構造）を形成し、両電極面でこの液晶の
分子が互いに並行に配列した構造を形成している。一方
、電界印加状態では、正の誘電異方性をもつネマチック
液晶が電界方向に配列し、この結果光調変調を起すこと
ができる。
示素子として実用に供されているのは殆どが、例えば、
Ｍ、 ５ｃｈａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、 Ｖ
ｏｌ、 １Ｂ、 Ｎｏ、４（１９７１，’ ２．１５）
、 Ｐ、 １２？ 〜１２Ｂ （７）”Ｖｏｌｔａｇ
ｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖ
ｉｔｙ ｏｆ ａ ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ″に示されたＴＮ（ｔｗｉ
ｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたもノテあ
り、この型の液晶は、無電界状態で正の誘電異方性をも
つ、ネマチック液晶の分子が、液晶層厚力（向で捩れた
構造（ヘリカル構造）を形成し、両電極面でこの液晶の
分子が互いに並行に配列した構造を形成している。一方
、電界印加状態では、正の誘電異方性をもつネマチック
液晶が電界方向に配列し、この結果光調変調を起すこと
ができる。
この型の液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域或い
は、走査電極が選択されず、信号電極が選択される領域
（所謂゛半選択点パ）にも有限の電界がかかってしまう
。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差が
充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるに要
する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば、
表示素子は正常に動作するわけである。しかし、この方
式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画
面全体（１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有
効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は、１／Ｈ
の割合で減少してしまう。このために、くり返し走査を
行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値としての
電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり、結
果的には画像コントラストの低下やクロストークが避は
難い欠点となっている。このような現象は、双安定状態
を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に配向
しているのが安定状態であり、電界が有効に印加されて
いる間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積効果を利用
して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに生じる
木質的には避は難い問題点である。この点を改良するた
めに、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリクス法
等が既に提案されているが、いずれの方法でも不充分で
あり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線数が充
分に増やせないことによって頭打ちになっているのが現
状である。
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域或い
は、走査電極が選択されず、信号電極が選択される領域
（所謂゛半選択点パ）にも有限の電界がかかってしまう
。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差が
充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるに要
する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば、
表示素子は正常に動作するわけである。しかし、この方
式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画
面全体（１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有
効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は、１／Ｈ
の割合で減少してしまう。このために、くり返し走査を
行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値としての
電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり、結
果的には画像コントラストの低下やクロストークが避は
難い欠点となっている。このような現象は、双安定状態
を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に配向
しているのが安定状態であり、電界が有効に印加されて
いる間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積効果を利用
して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに生じる
木質的には避は難い問題点である。この点を改良するた
めに、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリクス法
等が既に提案されているが、いずれの方法でも不充分で
あり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線数が充
分に増やせないことによって頭打ちになっているのが現
状である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子に
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
即ち、本発明は電圧応答速度が早く、状態記憶性を有す
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
Ｌ問題点を解決するための手段］及び［作用］本発明の
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極を走査信号線として走
査信号を印加するとともに各画素に対応しているＦＥＴ
端子のうち、ソースもしくはドレインを共通端子に接続
して、ゲートに表示信号を印加することによって第一の
配向状態に基づく表示状態を書き込み、次に所定の表示
信号を印加して第二の配向状−態１′基″″＜ｉ″＜
９ Ｆｆｆｉ （７） ｉｔ Ｓ ｍ ｈ ’４ｔ ｈ
ｑ ？”９１１動であることを特徴とするものである
。
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極を走査信号線として走
査信号を印加するとともに各画素に対応しているＦＥＴ
端子のうち、ソースもしくはドレインを共通端子に接続
して、ゲートに表示信号を印加することによって第一の
配向状態に基づく表示状態を書き込み、次に所定の表示
信号を印加して第二の配向状−態１′基″″＜ｉ″＜
９ Ｆｆｆｉ （７） ｉｔ Ｓ ｍ ｈ ’４ｔ ｈ
ｑ ？”９１１動であることを特徴とするものである
。
本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液
晶が用いられる。
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液
晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（Ｓｍｃ＊）又Ｈ相（９ｍ０本）の液晶
が適している。この強誘電性液晶ニツイテは、ＬＥ Ｊ
ＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥＴＴＥＲ８
″３Ｂ （Ｌ−６１３） １１１７５． ｒＦｅｒｒ
ｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ
Ｊ ； Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ−ｔ
ｅｒｓ″３Ｂ （１１） １９８０、ｒ Ｓｕｂｍｉｃ
ｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ Ｌｉｑｕ
ｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ 」；”固体物理″１Ｂ （１４
１） １８８１ ｒ液晶」等に記載されており、本発
明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いることが
できる。
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（Ｓｍｃ＊）又Ｈ相（９ｍ０本）の液晶
が適している。この強誘電性液晶ニツイテは、ＬＥ Ｊ
ＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥＴＴＥＲ８
″３Ｂ （Ｌ−６１３） １１１７５． ｒＦｅｒｒ
ｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ
Ｊ ； Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ−ｔ
ｅｒｓ″３Ｂ （１１） １９８０、ｒ Ｓｕｂｍｉｃ
ｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ Ｌｉｑｕ
ｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ 」；”固体物理″１Ｂ （１４
１） １８８１ ｒ液晶」等に記載されており、本発
明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いることが
できる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー） （ＤＯＢＡＭＢ
Ｃ） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）お
よび４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリチン−
４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８） 等が挙げられ
る。
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー） （ＤＯＢＡＭＢ
Ｃ） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）お
よび４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリチン−
４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８） 等が挙げられ
る。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物がＳ曹Ｃ零相又はＳ＋＊旧相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
物がＳ曹Ｃ零相又はＳ＋＊旧相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。ｌと１′は、Ｉｎ２Ｏ，、ＳｎＯ□やＩＴＯ（
Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透明電極がコ
ートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子
層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｖ＋Ｃ寡相
の液晶が封入されている。太線で示した線３が液晶分子
を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直交し
た方向に双極子モーメン）（Ｐ↓）４を有している。基
板ｌと１′上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加す
ると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モーメ
ン）（Ｐ↓）４はすべて電界方向に向くよう、液晶分子
３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は細長
い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折率
異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いにク
ロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、電圧
印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子と
なることは、容易に理解される。さらに液晶セルの厚さ
を充分に薄くした場合（例えば１ル）には、第２図に示
すように電界を印加していない状態でも液晶分子のらせ
ん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極子モーメ
ン）Ｐ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向（４ｂ）のど
ちらかの状態をとる。このようなセルに第２図に示す如
く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′を所定
時間付与すると、双極子モーメントは電界Ｅ又はＥ′の
電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、下向き４ｂと
向きを変え、それに応じて液晶分子は第一の配向状態５
かあるいは第二の Ｏ 配向状態５′の何れか一方に配向する。
である。ｌと１′は、Ｉｎ２Ｏ，、ＳｎＯ□やＩＴＯ（
Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透明電極がコ
ートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子
層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｖ＋Ｃ寡相
の液晶が封入されている。太線で示した線３が液晶分子
を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直交し
た方向に双極子モーメン）（Ｐ↓）４を有している。基
板ｌと１′上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加す
ると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モーメ
ン）（Ｐ↓）４はすべて電界方向に向くよう、液晶分子
３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は細長
い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折率
異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いにク
ロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、電圧
印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子と
なることは、容易に理解される。さらに液晶セルの厚さ
を充分に薄くした場合（例えば１ル）には、第２図に示
すように電界を印加していない状態でも液晶分子のらせ
ん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極子モーメ
ン）Ｐ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向（４ｂ）のど
ちらかの状態をとる。このようなセルに第２図に示す如
く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′を所定
時間付与すると、双極子モーメントは電界Ｅ又はＥ′の
電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、下向き４ｂと
向きを変え、それに応じて液晶分子は第一の配向状態５
かあるいは第二の Ｏ 配向状態５′の何れか一方に配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状８５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、榮える電界Ｅ
が一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にや
はり維持されている。このような応答速度の速さと、双
安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来るだ
け薄い方が好ましく、一般的には、０．５ 鉢〜２０舊
、特にｌ＃Ｌ〜５ｐＬが適している。この種の強誘電性
液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気光
学装ψ 置は、例えばクラークとラガバルにより
、米国特許第４３６７９２４号明細書で提案されている
。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状８５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、榮える電界Ｅ
が一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にや
はり維持されている。このような応答速度の速さと、双
安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来るだ
け薄い方が好ましく、一般的には、０．５ 鉢〜２０舊
、特にｌ＃Ｌ〜５ｐＬが適している。この種の強誘電性
液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気光
学装ψ 置は、例えばクラークとラガバルにより
、米国特許第４３６７９２４号明細書で提案されている
。
本発明は、アクティブマトリックスを構成するＴＰＴ
（ｆｉ！膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果
トランジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加
電圧を逆にする事により、いずれをドレインとしていず
れをソースとしても使用しうるという事にもとづいてい
る。アクティブマトリックスを構成する素子としてはＦ
ＥＴ構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ
、多結晶シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用しう
る。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであっ
ても同様に行う事も可能である。
（ｆｉ！膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果
トランジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加
電圧を逆にする事により、いずれをドレインとしていず
れをソースとしても使用しうるという事にもとづいてい
る。アクティブマトリックスを構成する素子としてはＦ
ＥＴ構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ
、多結晶シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用しう
る。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであっ
ても同様に行う事も可能である。
Ｎ型ＦＥＴは、■ をドレイン電圧、Ｖ をＤ
Ｇ ゲート電圧、■、をソース電圧、■、をゲートソース間
の閾値電圧とするとｖ ＞ＶＳ であり す、Ｖ、＞Ｖ、＋Ｖ、の時導通状態となり、Ｖ ＜Ｖ
Ｓ＋Ｖ、の時非導通状態となる。
Ｇ ゲート電圧、■、をソース電圧、■、をゲートソース間
の閾値電圧とするとｖ ＞ＶＳ であり す、Ｖ、＞Ｖ、＋Ｖ、の時導通状態となり、Ｖ ＜Ｖ
Ｓ＋Ｖ、の時非導通状態となる。
Ｐ型ＦＥＴ ニオイテはｖＤくＶｓとし、ｖＧ くＶＳ
＋Ｖ、−ｔ’導通状態トナリ、ｖｏ＞ＶＳ＋ｖ。
＋Ｖ、−ｔ’導通状態トナリ、ｖｏ＞ＶＳ＋ｖ。
で非導通状態となる。
Ｐ型であってもＮ型であってもＦＥＴの端子のいずれが
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
強誘電性液晶においては、液晶セルに印加する、正、負
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置スるクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置スるクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
本発明は液晶セルに印加Ｘれる電界をアクティブマトリ
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
［実施例］
次に、本発明のアクティブマトリックスによる強誘電性
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
第３図はアクティブマトリックスの回路図、第４図は対
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
６は走査電極群であり、７は表示電極群である。
第６図（ａ）は走査信号を示す図であって、位相１、．
１２・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印加
される電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない走
査電極）に印加される電気信号を示している。第６図（
ｂ）は、表示信号を示す図であって位相ｔＩ 、ｔ２・
・・においてそれぞれ選択された表示電極と選択されな
い表示電極に与えられる電気信号な′示している。
１２・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印加
される電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない走
査電極）に印加される電気信号を示している。第６図（
ｂ）は、表示信号を示す図であって位相ｔＩ 、ｔ２・
・・においてそれぞれ選択された表示電極と選択されな
い表示電極に与えられる電気信号な′示している。
第６図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極ＣＮに与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示さ
れる如く位相（時間）１＋では、−■。を、位相（時間
）ｔ２では、＋ｖｃである。
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極ＣＮに与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示さ
れる如く位相（時間）１＋では、−■。を、位相（時間
）ｔ２では、＋ｖｃである。
一方、それ以外の走査電極ｃ ｃ は第６Ｎ＋１’
Ｎ＋２ 図（ａ）に示す如く位相ｔ＋、ｔ２ではｖ。＝ｏである
。また、位相ｔ１において選択された表示電極Ｇ に
榮えられる電気信号は■。＝０でＮ＋１ あり、位相ｔ２において選択された表示電極ＧＮ。
Ｎ＋２ 図（ａ）に示す如く位相ｔ＋、ｔ２ではｖ。＝ｏである
。また、位相ｔ１において選択された表示電極Ｇ に
榮えられる電気信号は■。＝０でＮ＋１ あり、位相ｔ２において選択された表示電極ＧＮ。
ＣＮ＋２に与えられる電気信号は、第６図（ｂ）に示さ
れる如く＋ｖＧである。また位相１．において選択され
ない表示電極に榮えられる電気信号は−ｖＧであり、位
相ｔ２において選択されない表示電極Ｇ に与えられ
る電気信号はＶＧ＝ｏでＮ＋１ ある。以」−に於て各々の電圧値は、以下の関係を満足
する所望の値に設定される。
れる如く＋ｖＧである。また位相１．において選択され
ない表示電極に榮えられる電気信号は−ｖＧであり、位
相ｔ２において選択されない表示電極Ｇ に与えられ
る電気信号はＶＧ＝ｏでＮ＋１ ある。以」−に於て各々の電圧値は、以下の関係を満足
する所望の値に設定される。
走査電極ｍ＝ｑラインに表示電極ｎ＝ｆｌＨの信号線で
「明」を書込み、次に走査電極層＝ｑライン、表示電極
ｍ＝文２で「暗」の書込みをする場合、 但し、各記号は下記の事項を表わす。
「明」を書込み、次に走査電極層＝ｑライン、表示電極
ｍ＝文２で「暗」の書込みをする場合、 但し、各記号は下記の事項を表わす。
■ ＝対向電極（走査信号）電圧
ｍ
■ ＝ゲート電極（表示信号）電圧
ｎ
Ｖ ；ソース又はドレイン（共通端子）電圧。
ＶＬｏ：強誘電性液晶の閾値電圧の絶対値Ｖ ：ゲート
、ソース間の閾値 以１−の動作をｑ＝ｌ−Ｎまで繰返し書込みを行う。こ
の際、対向電極は第１２図に示す様にストライプ形状の
ものとすることができる。
、ソース間の閾値 以１−の動作をｑ＝ｌ−Ｎまで繰返し書込みを行う。こ
の際、対向電極は第１２図に示す様にストライプ形状の
ものとすることができる。
この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においてはそれぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ（明）ト
側、ＯＦＦ （暗）下側の各表示状態を表わす。すな
わち、第６図および第７図より明らかな如く、位相ｔ１
において選択された走査線１−にある画素Ｐ には
閾値−■、。
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においてはそれぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ（明）ト
側、ＯＦＦ （暗）下側の各表示状態を表わす。すな
わち、第６図および第７図より明らかな如く、位相ｔ１
において選択された走査線１−にある画素Ｐ には
閾値−■、。
Ｎ、Ｎ＋１
を越える一■、。＞−Ｖ８−ＶＣの電圧が印加される。
したがって、第４図において画素ＰＮ、ｓ＋＋は配向を
変え「暗」に転移（スイッチ）する。次に位相ｔ２にお
いて、選択された走査線トにあＮ、Ｎ’ Ｎ、Ｎ＋２
には閾値”ＬＣを越える電圧る画素ＰＰ Ｖ ＜Ｖ −ＶＣが印加される。したがって画素Ｌ
ＣＳ Ｎ、Ｎ’ Ｎ、Ｎ＋２ は「明」に転移（スイッチ
）すＰ る。位相ｔ２以降の位相ｔ３〜ｔ６の動作は、前記１．
−１２と同じように、選択された走査線上にある画素に
まず「暗」が書込まれ、次に同一走査線−Ｌにある前回
選択されなかった画素に「明」が書込まれていく。以上
各動作でわかる通り、選択された走査電極線−Ｌに於て
、表示電極が選択されたか否かに応じて、選択された場
合には、液晶分子は第一の配向状態あるいは第二の配向
状態に配向を揃え、画素はＯＮ （明）あるいはＯＦＦ
Ｃ暗）となり、選択されない走査線上では、すべて
の画素に印加される電圧は、いずれも閾値電圧を越えな
い。従って、第７図に示される如く選択された走査線上
以外の各画素における液晶分子は配向状態を変えること
なく前回走査されたときの信号状態（ＱＮ−□）に対応
した配向を、そのまま保持している。即ち、走査電極が
選択されたときにその１ライン分の信号の書き込みが行
われ、】フレームが読了して次回選択されるまでの間は
、その信号状態を保持し得るわけである。従って、走査
電極数が増えても、実質的なデユーティ比はかわらず、
コントラストの低下は全く生じない。
変え「暗」に転移（スイッチ）する。次に位相ｔ２にお
いて、選択された走査線トにあＮ、Ｎ’ Ｎ、Ｎ＋２
には閾値”ＬＣを越える電圧る画素ＰＰ Ｖ ＜Ｖ −ＶＣが印加される。したがって画素Ｌ
ＣＳ Ｎ、Ｎ’ Ｎ、Ｎ＋２ は「明」に転移（スイッチ
）すＰ る。位相ｔ２以降の位相ｔ３〜ｔ６の動作は、前記１．
−１２と同じように、選択された走査線上にある画素に
まず「暗」が書込まれ、次に同一走査線−Ｌにある前回
選択されなかった画素に「明」が書込まれていく。以上
各動作でわかる通り、選択された走査電極線−Ｌに於て
、表示電極が選択されたか否かに応じて、選択された場
合には、液晶分子は第一の配向状態あるいは第二の配向
状態に配向を揃え、画素はＯＮ （明）あるいはＯＦＦ
Ｃ暗）となり、選択されない走査線上では、すべて
の画素に印加される電圧は、いずれも閾値電圧を越えな
い。従って、第７図に示される如く選択された走査線上
以外の各画素における液晶分子は配向状態を変えること
なく前回走査されたときの信号状態（ＱＮ−□）に対応
した配向を、そのまま保持している。即ち、走査電極が
選択されたときにその１ライン分の信号の書き込みが行
われ、】フレームが読了して次回選択されるまでの間は
、その信号状態を保持し得るわけである。従って、走査
電極数が増えても、実質的なデユーティ比はかわらず、
コントラストの低下は全く生じない。
第５図に於て、走査電極ＣＮ、ＣＮ＋１．ＣＮ＋２．・
・・と表示電極ＧＮ、ＧＮ＋０．ＧＭ＋２置の交点で形
成する画素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地
で示した画素は「明」状態に 対応するものとする。今、第５図中の表示電極Ｇ１−の
表示に注目すると、走査電極ＣＮ、ＣＮ＋２に対応する
画素では「明」状態であり、それ以外の画素は「暗」状
態である。前記位相１．−１６の各動作によって、第５
図の表示パターンが完成する。
・・と表示電極ＧＮ、ＧＮ＋０．ＧＭ＋２置の交点で形
成する画素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地
で示した画素は「明」状態に 対応するものとする。今、第５図中の表示電極Ｇ１−の
表示に注目すると、走査電極ＣＮ、ＣＮ＋２に対応する
画素では「明」状態であり、それ以外の画素は「暗」状
態である。前記位相１．−１６の各動作によって、第５
図の表示パターンが完成する。
本発明の強誘電性液晶の駆動方法において、走査電極と
信号電極の配置は任意であり、例えば第８図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。
信号電極の配置は任意であり、例えば第８図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。
次に、以上に説明した実施例において、強誘電性液晶と
してＤＯＢＡＭＢＣを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆ０＝１×１０４〜１ｘ１０６Ｈ２１０＜
ｌ Ｖ、＋ ＜８０Ｖ （波高値）０．３ ＜ ｌ
′ｖＳｌ’＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる。
してＤＯＢＡＭＢＣを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆ０＝１×１０４〜１ｘ１０６Ｈ２１０＜
ｌ Ｖ、＋ ＜８０Ｖ （波高値）０．３ ＜ ｌ
′ｖＳｌ’＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる。
第９図は本発明において使用されるＴＦＴにおけるＦＥ
Ｔの構成を示す断面図、第１θ図はＴＦＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１４図は第１
２図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以上
に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもので
ある。
Ｔの構成を示す断面図、第１θ図はＴＦＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１４図は第１
２図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以上
に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもので
ある。
第１θ図は、本発明の方法で用いうる液晶素子の１つの
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２１ （＊□
＋□０、−２７ケ５．イ、つ９．７□ど）を介して形成
した半導体膜１６（水素原子をドーピングしたアモルフ
ァスシリコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子
８と１１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴの端子１１と接続
した画素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ
０ｘｉｄｅ）が形成されている。
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２１ （＊□
＋□０、−２７ケ５．イ、つ９．７□ど）を介して形成
した半導体膜１６（水素原子をドーピングしたアモルフ
ァスシリコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子
８と１１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴの端子１１と接続
した画素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ
０ｘｉｄｅ）が形成されている。
さらに、この」−に絶縁層１３（ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、Ｓ＋
Ｏ、Ｓ＋０２）とアルミニウムやクロムなどからなる光
遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′
の上には対向電極２１ （ＩＴＯ； ＩｎｄｎｉｕｍＴ
ｉｎ ０ｗ１ｄｅ）と絶縁膜２２が形成されている。
ド、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、Ｓ＋
Ｏ、Ｓ＋０２）とアルミニウムやクロムなどからなる光
遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′
の上には対向電極２１ （ＩＴＯ； ＩｎｄｎｉｕｍＴ
ｉｎ ０ｗ１ｄｅ）と絶縁膜２２が形成されている。
この基板２０と２０′の間には、前述の強誘電性液晶２
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材２５
が設けられている。
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材２５
が設けられている。
この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロスニコル状
態の偏光子１９と１８′が配置され、観察者Ａが入射光
ＩＯよりの反射光１１によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１８′の背後に反射板１８（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が ゛設けられている
。
態の偏光子１９と１８′が配置され、観察者Ａが入射光
ＩＯよりの反射光１１によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１８′の背後に反射板１８（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が ゛設けられている
。
又、上記の各図においてソース電極、ドレイン電極とは
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
［発明の効果］
上記の構造よりなる本発明の強誘電性液晶の駆動方法を
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
第１図及び第２図は、本発明の方法に用いる強誘電性液
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印゛加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素へ
の書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）
はアクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配
線図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面
図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面
図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ
基板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ′線部分断面図び第
１４図はＢ−Ｂ ′部分断面図である。 ｔ、ｔ’；透明電極がコートされた基板２：液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐよ） ４ａ：上向き双極子モーメント ４ｂ；下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ８；ソース電極（ドレイン電極） ９；光遮蔽膜 １０；ｎ＋層 １１； ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １７；ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１！ａ、１１３′；偏光板２０．２０′；ガラス、プ
ラスチック等の透明基板２１；対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５：シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２９：光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′；走査電極 １〜Ｎ；表示電極 Ｌ：共通電極 ＬＣ；液晶 ＦＥＴ、電界効果トランジスタ
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印゛加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素へ
の書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）
はアクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配
線図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面
図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面
図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ
基板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ′線部分断面図び第
１４図はＢ−Ｂ ′部分断面図である。 ｔ、ｔ’；透明電極がコートされた基板２：液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐよ） ４ａ：上向き双極子モーメント ４ｂ；下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ８；ソース電極（ドレイン電極） ９；光遮蔽膜 １０；ｎ＋層 １１； ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １７；ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１！ａ、１１３′；偏光板２０．２０′；ガラス、プ
ラスチック等の透明基板２１；対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５：シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２９：光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′；走査電極 １〜Ｎ；表示電極 Ｌ：共通電極 ＬＣ；液晶 ＦＥＴ、電界効果トランジスタ
Claims (1)
- （１）ＦＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接続
した画素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板
と該画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有
し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定
状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の
駆動法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態
となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子
である第一端子と第二端子の間で電界を形成することに
よって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した
電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成す
ることによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列
を制御する第二位相を有し、前記対向電極を走査信号線
として走査信号を印加するとともに、各画素に対応して
いるＦＥＴ端子のうち、ソースもしくはドレインを共通
端子に接続してゲートに表示信号を印加することによっ
て、第一の配向状態に基づく表示状態を書き込み、次に
所定の表示信号を印加して第二の配向状態に基づく表示
状態の書込みを行う時分割駆動であることを特徴とする
液晶素子の駆動法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124516A JPS614026A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
| US06/724,828 US4697887A (en) | 1984-04-28 | 1985-04-18 | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124516A JPS614026A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614026A true JPS614026A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14887410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59124516A Pending JPS614026A (ja) | 1984-04-28 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614026A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS619624A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| US4770501A (en) * | 1985-03-07 | 1988-09-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation device and method of driving the same |
| JPH07331495A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-19 | Daiso Co Ltd | 不溶性電極板の取付け部 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124511A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-18 | Kawasaki Steel Corp | 丸刃の固定方法 |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59124516A patent/JPS614026A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124511A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-18 | Kawasaki Steel Corp | 丸刃の固定方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS619624A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| US4770501A (en) * | 1985-03-07 | 1988-09-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation device and method of driving the same |
| JPH07331495A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-19 | Daiso Co Ltd | 不溶性電極板の取付け部 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4973135A (en) | Active matrix display panel having plural stripe-shaped counter electrodes and method of driving the same | |
| US4697887A (en) | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's | |
| JPH0544009B2 (ja) | ||
| EP0146231B1 (en) | Addressing liquid crystal displays | |
| US4770501A (en) | Optical modulation device and method of driving the same | |
| JPS6244247B2 (ja) | ||
| JPS60262133A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614021A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60230121A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262136A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS619623A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPH028814A (ja) | 液晶装置 | |
| JPS60262134A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262137A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262135A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS617829A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS619624A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614022A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614028A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPH0453292B2 (ja) | ||
| JPH0453294B2 (ja) | ||
| JPS63316024A (ja) | 光学変調素子 | |
| JPH0452924B2 (ja) | ||
| JPS614023A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPH0453291B2 (ja) |