JPH04314855A - Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金製スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金製スパッタリングターゲットおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH04314855A JPH04314855A JP230691A JP230691A JPH04314855A JP H04314855 A JPH04314855 A JP H04314855A JP 230691 A JP230691 A JP 230691A JP 230691 A JP230691 A JP 230691A JP H04314855 A JPH04314855 A JP H04314855A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- content
- target
- sputtering target
- ingot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング法によ
って磁気記録媒体に薄膜を形成する際にターゲットとし
て用いられるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金製スパッタリングタ
ーゲットおよびその製造方法に関するものである。
って磁気記録媒体に薄膜を形成する際にターゲットとし
て用いられるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金製スパッタリングタ
ーゲットおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えばハードディスク等の磁気記録媒体
に単体金属や合金の薄膜を形成する場合には、形成しよ
うとする薄膜と同一の材料を真空中にて蒸発させて前記
磁気記録媒体上に付着させるＰＶＤ法（物理的蒸着法）
が主として用いられている。
に単体金属や合金の薄膜を形成する場合には、形成しよ
うとする薄膜と同一の材料を真空中にて蒸発させて前記
磁気記録媒体上に付着させるＰＶＤ法（物理的蒸着法）
が主として用いられている。
【０００３】このＰＶＤ法の中でも特にスパッタリング
法では、まず前記薄膜と同一の材料を板状に成形した、
いわゆるスパッタリングターゲット（以下、ターゲット
と称する。）と前記被覆膜部材とを高真空中に保持する
。そして、両者の間にバイアスを印加するとともにイオ
ンを導入してターゲットの構成原子をスパッタしたり、
あるいは前記ターゲット上に磁界を形成して真空中で発
生するプラズマをターゲット近傍の空間に閉じ込め、こ
の磁界内を運動する電子によって前記イオンを発生させ
てターゲット構成原子をスパッタしたりして、構成原子
を前記被覆膜部材に付着させる。
法では、まず前記薄膜と同一の材料を板状に成形した、
いわゆるスパッタリングターゲット（以下、ターゲット
と称する。）と前記被覆膜部材とを高真空中に保持する
。そして、両者の間にバイアスを印加するとともにイオ
ンを導入してターゲットの構成原子をスパッタしたり、
あるいは前記ターゲット上に磁界を形成して真空中で発
生するプラズマをターゲット近傍の空間に閉じ込め、こ
の磁界内を運動する電子によって前記イオンを発生させ
てターゲット構成原子をスパッタしたりして、構成原子
を前記被覆膜部材に付着させる。
【０００４】このようなスパッタリング法に用いられる
ターゲットは、従来その原料となる材料を粉末化した後
に焼結させて成形する、いわゆるパウダー法によって製
造されていた。
ターゲットは、従来その原料となる材料を粉末化した後
に焼結させて成形する、いわゆるパウダー法によって製
造されていた。
【０００５】ところが、このようなパウダー法によって
ターゲットを製造する場合には、粉末化した原料の充填
密度をいくら上げても、成形の際にターゲットに酸素が
巻き込まれてしまうことは避けられない。これにより、
製造されるターゲットの酸素の含有量が高いものとなっ
てしまうため、このようなターゲットからスパッタされ
て形成された薄膜も、やはり酸素含有量が高いものとな
ってしまう。この結果、前記媒体の磁気記録特性が劣化
されてしまうという問題があった。
ターゲットを製造する場合には、粉末化した原料の充填
密度をいくら上げても、成形の際にターゲットに酸素が
巻き込まれてしまうことは避けられない。これにより、
製造されるターゲットの酸素の含有量が高いものとなっ
てしまうため、このようなターゲットからスパッタされ
て形成された薄膜も、やはり酸素含有量が高いものとな
ってしまう。この結果、前記媒体の磁気記録特性が劣化
されてしまうという問題があった。
【０００６】そこで、このような問題を解決する手段と
して、前記パウダー法に代えて鋳造により前記ターゲッ
トのインゴットを製造し、このインゴットを熱間圧延等
によってターゲットに成形する方法が採られている。こ
のような方法によれば、比較的酸素含有量が低く、また
大型かつ一体物のターゲットを得ることが可能であると
いう利点を有する。
して、前記パウダー法に代えて鋳造により前記ターゲッ
トのインゴットを製造し、このインゴットを熱間圧延等
によってターゲットに成形する方法が採られている。こ
のような方法によれば、比較的酸素含有量が低く、また
大型かつ一体物のターゲットを得ることが可能であると
いう利点を有する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
利点を有する反面、鋳造によるターゲットの製造方法の
場合には、インゴットからターゲットへ成形する工程に
おいてターゲットの割れに対する感受性が高められてし
まうという問題がある。この割れ感受性は、特にＣｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ成分系の合金ではＣｒの含有量が高くなるに
つれて強くなる、すなわち割れ易くなるという傾向があ
る。
利点を有する反面、鋳造によるターゲットの製造方法の
場合には、インゴットからターゲットへ成形する工程に
おいてターゲットの割れに対する感受性が高められてし
まうという問題がある。この割れ感受性は、特にＣｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ成分系の合金ではＣｒの含有量が高くなるに
つれて強くなる、すなわち割れ易くなるという傾向があ
る。
【０００８】このように割れ感受性が高くなると、熱間
圧延の最中に割れを生じてしまうためにターゲットへの
成形が困難となり、結果的に歩留まりが悪化してしまう
。また、成形中に割れを生じなくてもターゲットとして
使用中に割れてしまうおそれもある。
圧延の最中に割れを生じてしまうためにターゲットへの
成形が困難となり、結果的に歩留まりが悪化してしまう
。また、成形中に割れを生じなくてもターゲットとして
使用中に割れてしまうおそれもある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】ここで本発明の発明者等
は、前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ成分系の合金について研究を
重ねた結果、次のような知見を得るに至った。すなわち
、このような合金には不純物としてＳやＣ等の元素が含
有されることは避けられないが、このような不可避不純
物であるＳおよびＣには合金の結晶粒界に存在して該粒
界の延性を著しく劣化させるという特性がある。そして
、前記の割れ感受性は合金中のＣｒの含有量と、該合金
中に不可避不純物として含有されるＳおよびＣの含有量
との関係によって決定されるというものである。
は、前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ成分系の合金について研究を
重ねた結果、次のような知見を得るに至った。すなわち
、このような合金には不純物としてＳやＣ等の元素が含
有されることは避けられないが、このような不可避不純
物であるＳおよびＣには合金の結晶粒界に存在して該粒
界の延性を著しく劣化させるという特性がある。そして
、前記の割れ感受性は合金中のＣｒの含有量と、該合金
中に不可避不純物として含有されるＳおよびＣの含有量
との関係によって決定されるというものである。
【００１０】本発明はかかる知見に基づき、前記の課題
を解決するためになされたもので、請求項１のＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ合金製スパッタリングターゲットは、５〜２０
ｗｔ％のＣｒと１５〜５５ｗｔ％のＰｔとを含有すると
ともに、不純物としてＳとＣとを含み、前記Ｃｒの含有
量をＸｗｔ％とし、前記Ｓの含有量をＹｗｔ・ｐｐｍと
し、このＳの含有量と前記Ｃの含有量との和をＺｗｔ・
ｐｐｍとしたとき、これらＸとＹ、およびＸとＺの間に
は、
を解決するためになされたもので、請求項１のＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ合金製スパッタリングターゲットは、５〜２０
ｗｔ％のＣｒと１５〜５５ｗｔ％のＰｔとを含有すると
ともに、不純物としてＳとＣとを含み、前記Ｃｒの含有
量をＸｗｔ％とし、前記Ｓの含有量をＹｗｔ・ｐｐｍと
し、このＳの含有量と前記Ｃの含有量との和をＺｗｔ・
ｐｐｍとしたとき、これらＸとＹ、およびＸとＺの間に
は、
【００１１】
【数１】Ｙ≦−２／３Ｘ＋７０／３
【００１２】
【数２】Ｚ≦−４／３Ｘ＋１７０／３
【００１３】なる関係が成り立っていることを特徴とす
る。
る。
【００１４】また、請求項２のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金製
スパッタリングターゲットの製造方法は、前記請求項１
記載の成分系を有する素材を鋳造してＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
合金のインゴットを得、このインゴットを熱間圧延を施
して板状に成形することを特徴とする。
スパッタリングターゲットの製造方法は、前記請求項１
記載の成分系を有する素材を鋳造してＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
合金のインゴットを得、このインゴットを熱間圧延を施
して板状に成形することを特徴とする。
【００１５】
【作用】本発明によれば、合金中に含まれるＣｒの含有
量に対して不可避不純物であるＳおよびＣの含有量が低
い水準に抑制されているため、合金の結晶粒界に存する
ＳおよびＣも僅かであり、このため合金の延性が阻害さ
れることはない。これによって合金の割れ感受性が弱く
抑えられるので、インゴットからターゲットに成形する
工程において熱間圧延を施したとしても割れを生じるこ
となく、一体的かつ比較的大型のターゲットを成形する
ことが可能となる。
量に対して不可避不純物であるＳおよびＣの含有量が低
い水準に抑制されているため、合金の結晶粒界に存する
ＳおよびＣも僅かであり、このため合金の延性が阻害さ
れることはない。これによって合金の割れ感受性が弱く
抑えられるので、インゴットからターゲットに成形する
工程において熱間圧延を施したとしても割れを生じるこ
となく、一体的かつ比較的大型のターゲットを成形する
ことが可能となる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。こ
の実施例では、５〜２０ｗｔ％のＣｒと１５〜５５ｗｔ
％のＰｔとを含有するとともに不可避不純物としてＳと
Ｃとを含み、Ｃｒの含有量をＸｗｔ％とし、Ｓの含有量
をＹｗｔ・ｐｐｍとし、Ｓの含有量とＣの含有量との和
をＺｗｔ・ｐｐｍとしたとき、これらＸとＹ、およびＸ
とＺの間に、
の実施例では、５〜２０ｗｔ％のＣｒと１５〜５５ｗｔ
％のＰｔとを含有するとともに不可避不純物としてＳと
Ｃとを含み、Ｃｒの含有量をＸｗｔ％とし、Ｓの含有量
をＹｗｔ・ｐｐｍとし、Ｓの含有量とＣの含有量との和
をＺｗｔ・ｐｐｍとしたとき、これらＸとＹ、およびＸ
とＺの間に、
【００１７】
【数３】Ｙ≦−２／３Ｘ＋７０／３
【００１８】
【数４】Ｚ≦−４／３Ｘ＋１７０／３
【００１９】なる関係が成り立っている７種の組成のＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金を製造し、それぞれ実施例１〜７と
した。これら実施例１〜７の組成を表１に示す。
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金を製造し、それぞれ実施例１〜７と
した。これら実施例１〜７の組成を表１に示す。
【００２０】また、これら実施例１〜７のＣｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ合金のＣｒの含有量に対するＳの含有量およびＳと
Ｃとの含有量の和を、それぞれ図１および図２にＡ１〜
Ａ７として示す。ただし、図１における直線Ｙおよび図
２における直線Ｚは、それぞれ本発明のＣｒの含有量に
対するＳの含有量の上限値およびＳとＣとの含有量の和
の上限値を示すものである。
Ｐｔ合金のＣｒの含有量に対するＳの含有量およびＳと
Ｃとの含有量の和を、それぞれ図１および図２にＡ１〜
Ａ７として示す。ただし、図１における直線Ｙおよび図
２における直線Ｚは、それぞれ本発明のＣｒの含有量に
対するＳの含有量の上限値およびＳとＣとの含有量の和
の上限値を示すものである。
【００２１】
【表１】
【００２２】また、この実施例に対する比較例１〜７と
して、５〜２０ｗｔ％のＣｒと１５〜５５ｗｔ％のＰｔ
とを含有するとともに、前記Ｓの含有量およびＳとＣと
の含有量の和の少なくとも一方を前記上限値より大きく
設定したＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金を製造した。これらの比
較例１〜７の組成を表２に示すとともに、Ｃｒの含有量
に対するＳの含有量およびＳとＣとの含有量の和を、そ
れぞれ前記図１および図２にＢ１〜Ｂ７として示す。
して、５〜２０ｗｔ％のＣｒと１５〜５５ｗｔ％のＰｔ
とを含有するとともに、前記Ｓの含有量およびＳとＣと
の含有量の和の少なくとも一方を前記上限値より大きく
設定したＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金を製造した。これらの比
較例１〜７の組成を表２に示すとともに、Ｃｒの含有量
に対するＳの含有量およびＳとＣとの含有量の和を、そ
れぞれ前記図１および図２にＢ１〜Ｂ７として示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】前記表１に示すような組成のＣｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ合金では、当該合金中に不可避不純物として含まれ
るＳおよびＣの含有量が低いため、該合金の結晶粒界に
存在して粒界の延性を劣化せしめるＳおよびＣも少なく
なり、結果的に合金の延性の向上を図ることができる。 これにより、合金の割れ感受性が弱く抑えられるので、
熱間圧延によってターゲットを成形した場合でも割れを
生じることなく、大型かつ一体物のターゲットを比較的
簡単に製造することができる。
Ｐｔ合金では、当該合金中に不可避不純物として含まれ
るＳおよびＣの含有量が低いため、該合金の結晶粒界に
存在して粒界の延性を劣化せしめるＳおよびＣも少なく
なり、結果的に合金の延性の向上を図ることができる。 これにより、合金の割れ感受性が弱く抑えられるので、
熱間圧延によってターゲットを成形した場合でも割れを
生じることなく、大型かつ一体物のターゲットを比較的
簡単に製造することができる。
【００２５】また、ＳおよびＣの含有量を低く抑えたこ
とに伴い、これらの不純物が合金製造工程において空気
と反応して合金中に取り込まれる酸素の含有量も比較的
低い水準に抑えられる。このような酸素含有量の低いＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金から成形されたターゲットをスパッ
タすることにより形成される薄膜も、やはり酸素含有量
の低いものとなるため、このような薄膜を例えば磁気記
録媒体に形成した場合には、前記パウダー法による従来
のターゲットをスパッタして薄膜を形成した場合に比べ
、磁気記録特性に優れた記録媒体を得ることができる。
とに伴い、これらの不純物が合金製造工程において空気
と反応して合金中に取り込まれる酸素の含有量も比較的
低い水準に抑えられる。このような酸素含有量の低いＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金から成形されたターゲットをスパッ
タすることにより形成される薄膜も、やはり酸素含有量
の低いものとなるため、このような薄膜を例えば磁気記
録媒体に形成した場合には、前記パウダー法による従来
のターゲットをスパッタして薄膜を形成した場合に比べ
、磁気記録特性に優れた記録媒体を得ることができる。
【００２６】ところで、このような構成のＣｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ合金は、例えば以下のような方法により製造され、
スパッタリングターゲットとして成形される。
Ｐｔ合金は、例えば以下のような方法により製造され、
スパッタリングターゲットとして成形される。
【００２７】まず原材料として、不可避不純物であるＳ
の含有量が１００ｗｔ・ｐｐｍ、同じくＣの含有量が１
０ｗｔ・ｐｐｍの純度９９．９％のＣｏと、純度９９．
９９％のＰｔおよび純度９９．９９％のＣｒ、さらに脱
酸剤としてＣ（クリプトルカーボン）を混合し、Ｃｒの
含有量が５〜２０ｗｔ％、Ｐｔの含有量が１５〜５５ｗ
ｔ％となるようにする。
の含有量が１００ｗｔ・ｐｐｍ、同じくＣの含有量が１
０ｗｔ・ｐｐｍの純度９９．９％のＣｏと、純度９９．
９９％のＰｔおよび純度９９．９９％のＣｒ、さらに脱
酸剤としてＣ（クリプトルカーボン）を混合し、Ｃｒの
含有量が５〜２０ｗｔ％、Ｐｔの含有量が１５〜５５ｗ
ｔ％となるようにする。
【００２８】次に、この原材料を１００ｋＷの出力の電
子ビーム溶解によって１５００〜２０００℃の高温、５
×１０−５〜１×１０−６Ｔｏｒｒの高真空下で溶解し
、Ｃｏ−Ｐｔ母合金を生成する。この際、Ｓを溶解時間
を５〜３０分間にコントロールすることによってベーパ
ーさせ、その含有量を前記上限値以下に制御する。
子ビーム溶解によって１５００〜２０００℃の高温、５
×１０−５〜１×１０−６Ｔｏｒｒの高真空下で溶解し
、Ｃｏ−Ｐｔ母合金を生成する。この際、Ｓを溶解時間
を５〜３０分間にコントロールすることによってベーパ
ーさせ、その含有量を前記上限値以下に制御する。
【００２９】さらに、こうして得られたＣｏ−Ｐｔ母合
金を真空高周波誘導溶解によって１５００〜１６００℃
の温度で溶解してＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金を生成する。こ
の際、Ｃの含有量を脱酸によってコントロールして前記
上限値以下に制御する。これによって、当該Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ合金に含有される酸素の含有量を１００ｗｔ・ｐ
ｐｍ以下とする。
金を真空高周波誘導溶解によって１５００〜１６００℃
の温度で溶解してＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金を生成する。こ
の際、Ｃの含有量を脱酸によってコントロールして前記
上限値以下に制御する。これによって、当該Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ合金に含有される酸素の含有量を１００ｗｔ・ｐ
ｐｍ以下とする。
【００３０】こうして生成された溶融Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
合金を鋳造することにより、当該Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金
のインゴットを得ることができる。このインゴットは、
例えば外形寸法が幅９０ｍｍ、厚さ２５ｍｍ、長さ１３
０ｍｍ、重量が３ｋｇの直方体状インゴットである。
合金を鋳造することにより、当該Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金
のインゴットを得ることができる。このインゴットは、
例えば外形寸法が幅９０ｍｍ、厚さ２５ｍｍ、長さ１３
０ｍｍ、重量が３ｋｇの直方体状インゴットである。
【００３１】こうして製造された前記表１の組成のＣｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ合金のインゴットは前述のように熱間圧延
加工が可能であるので、加熱温度６５０℃にて圧延して
前記厚さを２５ｍｍから７ｍｍにまで引き延ばし、さら
に成形を施すことにより、外形寸法が厚さ５ｍｍ、幅８
８ｍｍ、長さ４９０ｍｍの大型かつ一体物のターゲット
を得ることができる。
−Ｃｒ−Ｐｔ合金のインゴットは前述のように熱間圧延
加工が可能であるので、加熱温度６５０℃にて圧延して
前記厚さを２５ｍｍから７ｍｍにまで引き延ばし、さら
に成形を施すことにより、外形寸法が厚さ５ｍｍ、幅８
８ｍｍ、長さ４９０ｍｍの大型かつ一体物のターゲット
を得ることができる。
【００３２】表１および表２の右欄は、この熱間圧延が
可能であるか否か、すなわち成形の途中で割れが生じる
か否かを示すものである。これらの結果より分かるよう
に、表１に示した本実施例１〜７ではすべて前記熱間圧
延が可能であったのに対し、表２に示した比較例１〜７
では合金中の結晶粒界に存在するＳおよびＣによって粒
界の延性が劣化せしめられ、圧力を加えた際にインゴッ
トが割れてしまって圧延は不可能であった。
可能であるか否か、すなわち成形の途中で割れが生じる
か否かを示すものである。これらの結果より分かるよう
に、表１に示した本実施例１〜７ではすべて前記熱間圧
延が可能であったのに対し、表２に示した比較例１〜７
では合金中の結晶粒界に存在するＳおよびＣによって粒
界の延性が劣化せしめられ、圧力を加えた際にインゴッ
トが割れてしまって圧延は不可能であった。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、合
金中に不可避不純物として含まれるＳおよびＣの含有量
を低くすることにより、合金の結晶粒界に存在するＳお
よびＣも低い水準に抑えられるので、合金の延性の劣化
を防ぐことが可能である。これにより、合金の割れ感受
性が弱く抑えられるので、熱間圧延によってターゲット
を成形しても割れを生じることなく大型かつ一体物のタ
ーゲットを得ることができる。
金中に不可避不純物として含まれるＳおよびＣの含有量
を低くすることにより、合金の結晶粒界に存在するＳお
よびＣも低い水準に抑えられるので、合金の延性の劣化
を防ぐことが可能である。これにより、合金の割れ感受
性が弱く抑えられるので、熱間圧延によってターゲット
を成形しても割れを生じることなく大型かつ一体物のタ
ーゲットを得ることができる。
【００３４】また、不純物であるＳおよびＣの含有量を
抑えることにより、これらの不純物と反応して合金中に
巻き込まれる酸素量も減少するので、酸素含有量の低い
スパッタリングターゲットを提供することが可能となる
。従って、このようなターゲットよりスパッタされて形
成される薄膜も酸素含有量の低いものとなるため、この
ような薄膜を例えば磁気記録媒体に形成した場合には、
該記録媒体の磁気記録特性の向上を図ることができる。
抑えることにより、これらの不純物と反応して合金中に
巻き込まれる酸素量も減少するので、酸素含有量の低い
スパッタリングターゲットを提供することが可能となる
。従って、このようなターゲットよりスパッタされて形
成される薄膜も酸素含有量の低いものとなるため、この
ような薄膜を例えば磁気記録媒体に形成した場合には、
該記録媒体の磁気記録特性の向上を図ることができる。
【図１】本発明の実施例１〜７および比較例１〜７の、
Ｃｒの含有量に対するＳの含有量を示す図である。
Ｃｒの含有量に対するＳの含有量を示す図である。
【図２】本発明の実施例１〜７および比較例１〜７の、
Ｃｒの含有量に対するＳとＣとの含有量との和を示す図
である。
Ｃｒの含有量に対するＳとＣとの含有量との和を示す図
である。
Ａ１〜Ａ７ 実施例１〜７のＣｒの含有量に対するＳ
の含有量およびＳとＣとの含有量の和 Ｂ１〜Ｂ７ 比較例１〜７のＣｒの含有量に対するＳ
の含有量およびＳとＣとの含有量の和 Ｙ 本発明のＣｒの含有量に対するＳの含有量の上限
値Ｚ 本発明のＣｒの含有量に対するＳとＣとの含有
量の和の上限値
の含有量およびＳとＣとの含有量の和 Ｂ１〜Ｂ７ 比較例１〜７のＣｒの含有量に対するＳ
の含有量およびＳとＣとの含有量の和 Ｙ 本発明のＣｒの含有量に対するＳの含有量の上限
値Ｚ 本発明のＣｒの含有量に対するＳとＣとの含有
量の和の上限値
Claims (2)
- 【請求項１】 ５〜２０ｗｔ％のＣｒと１５〜５５ｗ
ｔ％のＰｔとを含有するとともに、不純物としてＳとＣ
とを含むＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金製スパッタリングターゲ
ットであって、前記Ｃｒの含有量をＸｗｔ％とし、前記
Ｓの含有量をＹｗｔ・ｐｐｍとし、このＳの含有量と前
記Ｃの含有量との和をＺｗｔ・ｐｐｍとしたとき、これ
らＸとＹ、およびＸとＺの間には、 Ｙ≦−２／３Ｘ＋７０／３ Ｚ≦−４／３Ｘ＋１７０／３ なる関係が成り立っていることを特徴とするＣｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ合金製スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 前記請求項１記載の成分系を有する素
材を鋳造してＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金のインゴットを得、
このインゴットを熱間圧延を施して板状に成形すること
を特徴とするＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金製スパッタリングタ
ーゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP230691A JPH04314855A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金製スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP230691A JPH04314855A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金製スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04314855A true JPH04314855A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=11525675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP230691A Pending JPH04314855A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金製スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04314855A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07118818A (ja) * | 1993-10-25 | 1995-05-09 | Kobe Steel Ltd | 難加工性Ｃｏ合金の低透磁率化方法 |
| DE4438202A1 (de) * | 1994-10-26 | 1996-05-02 | Leybold Materials Gmbh | Target für eine Magnetron-Kathodenzerstäubungsvorrichtung |
| US7652223B2 (en) * | 2005-06-13 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Electron beam welding of sputtering target tiles |
-
1991
- 1991-01-11 JP JP230691A patent/JPH04314855A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07118818A (ja) * | 1993-10-25 | 1995-05-09 | Kobe Steel Ltd | 難加工性Ｃｏ合金の低透磁率化方法 |
| DE4438202A1 (de) * | 1994-10-26 | 1996-05-02 | Leybold Materials Gmbh | Target für eine Magnetron-Kathodenzerstäubungsvorrichtung |
| US7652223B2 (en) * | 2005-06-13 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Electron beam welding of sputtering target tiles |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6176944B1 (en) | Method of making low magnetic permeability cobalt sputter targets | |
| EP2511397B1 (en) | Magnetic material sputtering target | |
| US6458182B2 (en) | Process for producing high-purity Mn materials | |
| WO2016140113A1 (ja) | 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP6383462B2 (ja) | Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｂ系スパッタリングターゲット | |
| EP4162088B1 (en) | Aluminum-scandium composite and method of making | |
| JP3628575B2 (ja) | Ｎｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| TWI540217B (zh) | Fe-Al alloy sputtering target | |
| JPS63100148A (ja) | 蒸着用Ｎｉ−Ｆｅ基合金 | |
| JP3103458B2 (ja) | 蒸着用材料 | |
| JPH0430451B2 (ja) | ||
| JP4224880B2 (ja) | Ｃｏ−Ｎｉ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP3228356B2 (ja) | 蒸着用材料 | |
| US10612128B2 (en) | Sputtering target comprising Al—Te—Cu—Zr-based alloy and method of manufacturing same | |
| JP2021123782A (ja) | スパッタリングターゲット、磁性膜、及びスパッタリングターゲット作製用の原料混合粉末 | |
| KR20050118313A (ko) | 실리콘 함량이 낮은 Ｎｉ-Ｓｉ 스퍼터링 타깃의 제조방법및 당해 방법으로 제조한 타깃 | |
| JPH0262110B2 (ja) | ||
| JPS63100156A (ja) | 蒸着用Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ基合金 | |
| JPH0364585B2 (ja) | ||
| JP2000256841A (ja) | スパッタリングターゲット、配線膜および電子部品 | |
| JPH0364584B2 (ja) | ||
| JPS6396261A (ja) | 蒸着用クロム基合金 | |
| JPS63100147A (ja) | 蒸着用Ｎｉ−Ｆｅ基合金 | |
| JPS6386842A (ja) | 蒸着用コバルト合金 | |
| JPH0754069A (ja) | 磁気記録媒体用コバルト基合金の製造方法 |