JPH0364584B2 - - Google Patents
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- JPH0364584B2 JPH0364584B2 JP26710586A JP26710586A JPH0364584B2 JP H0364584 B2 JPH0364584 B2 JP H0364584B2 JP 26710586 A JP26710586 A JP 26710586A JP 26710586 A JP26710586 A JP 26710586A JP H0364584 B2 JPH0364584 B2 JP H0364584B2
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- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 54
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 12
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 25
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 24
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 23
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 15
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052661 anorthite Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- JHLNERQLKQQLRZ-UHFFFAOYSA-N calcium silicate Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] JHLNERQLKQQLRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- GWWPLLOVYSCJIO-UHFFFAOYSA-N dialuminum;calcium;disilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GWWPLLOVYSCJIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000514 dolomite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010459 dolomite Substances 0.000 description 1
- -1 etc. Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は蒸着用Mn−Bi基合金に係り、特に磁
気記録材料として用いられる薄膜の製造に好適な
蒸着用Mn−Bi基合金に関する。 ［従来の技術］ 非磁性基板上に磁性合金薄膜を形成した磁気記
録材料は周知である。 この磁気記録材料の薄膜を製造する方法として
は、スパツタリングや真空蒸着、イオンプレーテ
イング等の蒸着法が広く用いられている。 特にスパツタリング法は、均一な内部組成で一
定の合金元素を含んだターゲツト材が得られさえ
すれば、スパツタリング装置内の圧力をコントロ
ールしながら組成的に均一な薄膜を得ることがで
きる点で有利である。 磁性合金薄膜を形成する強磁性合金としては、
ニツケル合金、コバルト合金、鉄基合金、マンガ
ン基合金などが従来より用いられている。しかし
て、Mn−Bi基合金は高特性磁性膜のスパツタタ
ーゲツト又は蒸着用母合金としての需要が極めて
大きい。 ［発明が解決しようとする問題点］ 従来より用いられている磁性合金について種々
検討を重ねたところ、酸素、窒素、硫黄、炭素、
その他金属酸化物等の介在物が比較的多量に含ま
れており、得られる薄膜の磁気特性に多大な悪影
響をもたらすことが認められた。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は上記従来の実情に鑑み、不純物含有量
の少ない高特性磁性薄膜を安定かつ効率的に得る
ことができる蒸着用Mn−Bi基合金を提供するべ
くなされたものであつて、 Bi50〜85重量％、Al3重量％以下、Ca500ppm
以下、O300ppm以下、N30ppm以下を含有し、
残部が実質的にMnであることを特徴とする蒸着
用Mn−Bi基合金、及び Bi50〜85重量％、Cr5重量％以下、Al3重量％
以下、Ca500ppm以下、O300ppm以下、N30ppm
以下を含有し、残部が実質的にMnであることを
特徴とする蒸着用Mn−Bi基合金、 を要旨とするものである。 即ち、本発明者は、蒸着用合金の不純物に起因
する問題を解決し、高特性磁性薄膜を得るべく、
鋭意検討を重ねた結果、蒸着用Mn−Bi基合金中
に、特定量のCaとAlとを含有させることにより、
不純物含有量の少ない合金が得られ、しかもCa
とAlとによるゲツタ作用により、蒸着雰囲気中
のガス成分をも低減し、極めて高純度で高特性の
磁性薄膜を得ることができることを見出し、本発
明を完成させた。 なお、Mn基合金については、溶解品が得難
く、従来は、焼結品が殆どであつた。本発明は、
このようなMn基合金について、溶製を容易に行
なえるようにしたものである。 以下、本発明につき詳細に説明する。 なお、本明細書において、「％」は「重量％」
を表すものである。 本発明の蒸着用Mn−Bi基合金は、真空蒸着あ
るいはスパツタリング、イオンプレーテイング等
の蒸着用材料として用いられ、磁性薄膜の製造等
に利用されるものであつて、その組成は、下記の
通りである。 Bi：50〜85％ Mn：残部 Cr：含有せず（第１の発明）又は５％以下
（第２の発明） Al：３％以下 Ca：500ppm以下 Ｏ ：300ppm以下 Ｎ ：30ppm 以下に本発明の合金組成の限定理由について説
明する。 本発明の蒸着用Mn−Bi基合金において、Biは
50〜85％とする。これは、この範囲のBi含有率
にて、極めて高い保磁率が得られ、高磁気特性の
合金となるためであつて、好ましいBi含有率は
70〜80％、特に75〜80％とすることにより、著し
く高い磁気特性が得られる。 Crは磁気特性の向上及び耐食性の向上に使用
する。しかしながら、その含有量が多過ぎると逆
に磁気特性に悪影響を及ぼすことがあるので、本
発明においてはCrは５％以下、好ましくは３％
以下とする。 Alは、合金の溶製を行なう際に、Caと共に合
金の清浄化に作用し、また蒸着雰囲気中にてガス
成分を捕足するゲツタ作用を有する。ただし、
Alはその量があまりに多過ぎ、合金特性に影響
を及ぼす量であつては好ましくなく、このため本
発明においては、前述の如く、Alは３％以下、
当然のことながら、Alは、その量があまりに少
な過ぎると上記清浄化作用及びゲツタ作用による
十分な効果が得られない。本発明においては、
Alは、１〜２％、より好ましくは0.5〜１％含有
させるのが望ましい。なお、Alは、固溶Alの形
態で合金中に存在することにより、本発明の効果
を奏するものであるので、Alの存在形態は固溶
状態であることが重要である。 Caは前述の如くAlと共に合金の清浄化に作用
し、またゲツタ作用を奏する。Caは、その含有
量があまりに多過ぎると合金特性に影響を及ぼ
し、また、金属間化合物の析出により合金を脆く
することがある。このため、本発明においては
Ca含有量は500ppm以下とする。一方、Ca含有量
は少な過ぎてもCaによる十分な清浄化作用及び
ゲツタ作用が現れない。このようなことから、
Ca含有量は50〜200ppmの範囲とするのが好まし
い。なお、CaはCaOないしCaO−Al2O3の形態で
は本発明の効果は奏し得ないことから、合金中の
Caの存在形態は金属Caであることが重量である。 合金中のＯ、Ｎの量が多いと、蒸着に使用した
際に、蒸着雰囲気の真空度を悪化させたり、また
良好な蒸着が行なえず、高特性の磁性薄膜が得ら
れない。このため、合金中の含有量は300ppm以
下、好ましくは200ppm以下、Ｎ含有量は30ppm
以下、好ましくは10ppm以下とする。 なお、本発明において、Si、Ｐ、Ｓ等の不純物
が合金中に不可避的に含有されるのは、特に問題
とならないが、上述したことと同様の理由から、
本発明において、合金中の他の不純物はできるだ
け少なくするのが良く、例えば、Si含有量は0.1
％以下、Ｐ含有量は200ppm以下、Ｓ含有量は
30ppm以下とするのが好ましい。 このような本発明の蒸着用Mn−Bi基合金は、
例えば、以下に説明する方法に従つて製造するこ
とができる。 即ち、まず、合金化のためのMn、Bi、場合に
よりCr、Alの金属又は合金材料を、内面がCaO
質耐火材で構成された容器中で、真空又はアルゴ
ン等の不活性ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気に
て、常法例えば高周波あるいは低周波誘導加熱法
等で加熱して溶解することにより、所望の組成の
合金溶湯を得る。 本発明において、用いられる容器の内面を構成
するCaO質耐火材としては、カルシア（CaO）、
ラルナイト（安定化2CaO・BiO2）、メルウイナ
イト（3CaO・MgO・2BiO2）、アノルサイト
（CaO・Al2O3・2BiO2）ならびにCaOを富化した
ドロマイト等が挙げられるが、特に、電融カルシ
アが好適である。 このようなカルシア質炉材は、そのCaO含有率
が40％以上、特に60％以上のものが好ましい。 CaOは高融点であると共に、高温で極めて安定
であり、溶製にあたり、金属酸化物を生成して溶
湯を不純物により汚染することがなく、高清浄を
溶湯を得ることが可能とされる。 特に、CaO含有量の高いCaO質耐火材で内面が
構成された容器を用いた場合には、脱Ｏ、脱Ｓ、
脱介在物等の精錬作用も奏され、極めて有利であ
る。 しかも、溶湯中にAlが存在するため、溶湯中
の脱Ｏ、脱Ｓ、脱Ｎが行なわれ、また、溶湯中へ
のCaの溶出もおこる。即ち、Alは溶湯中のＯ及
び炉壁のCaOと溶湯中のＳと反応して CaO＋Ｓ→CaS＋Ｏ となつて生じたＯと反応して、 2Al＋3O→Al2O3 となり、Al2O3を生じる。また溶湯中のAlは炉壁
のCaOと反応して 2Al＋3CaO→Al2O3＋3Ca（ｇ） となり、これによつてもAl2O3が生じる。（この
場合、生じたCaは殆ど溶解せずに、ガスとなつ
て系外に抜けるが、ごく一部が合金中に残留し
て、本発明の合金のCa含有量を満足させる。） Al2O3は次式の如く炉壁のCaOと反応して、
3CaO・Al2O3又は12CaO・7Al2O3の活性な層が
炉壁表面に形成される。 Al2O3＋3CaO→3CaO・Al2O3 7Al2O3＋12CaO→12CaO・7Al2O3 この12CaO・7Al2O3及び3CaO・Al2O3、特に
3CaO・Al2O3は溶湯の脱Ｓ能が高く、脱Ｓが良
好に進行する。 このように、Alにより脱Ｏが、またAlの還元
作用により生じた活性な3CaO・Al2O3、
12CaO・7Al2O3やCaOにより脱Ｓが行なわれる。 また溶湯中のＮは前述のAlとCaOとの反応に
より生じたCa等の蒸発（沸騰）等に伴つて溶湯
中から離脱し、溶湯中のＮ量も低減される。 従つて、内面がCaO質耐火材で構成された容器
中で溶製を行なうことにより、本発明の低Ｏ、低
Ｎ含有量のMn−Bi基合金を容易に得ることがで
きる。 ところで、本発明においては、内面がCaO質耐
火材で構成された容器中にて溶製する際に、Al
の冷却固化後のAl残留量が本発明の範囲、即ち、
Al3％以下となるように添加するのであるが、溶
製に用いる容器の内面を、特に電融カルシアより
なるものとすることにより、Alの添加により溶
湯中へのCaのコンタミを低減し、得られる合金
中のCa含有量を容易に本発明の範囲即ち500ppm
以下とすることができる。 このようにして得られた合金溶湯を、常法に従
つて非酸化性雰囲気下で鋳造する。 この際、鋳造に用いる鋳型の材質としては、
Al2O3、ZrO2、BiO2又はCaO質耐火材等が挙げ
られ、これらのうち、AI2O3、ZrO2、CaO耐火
材、とりわけCaO質耐火材が好適である。 このような方法によれば、Bi50〜85％、場合
によりCr5％以下、Al3％以下、Ca500ppm以下、
O300ppm以下、N30ppm以下を含有し、残部が
実質的にMnである本発明の蒸着用Mn−Bi基合
金を極めて容易に製造することができる。 ［作用］ 本発明の蒸着用Mn−Bi基合金は、Ｏ、Ｎ含有
量が少ないため、高特性の磁性薄膜を得ることが
できる。 また、本発明の蒸着用Mn−Bi基合金に含有さ
れるAl、Caは、真空蒸着又はスパツタリング等
の蒸着雰囲気中にて、 4Al＋3O2→2Al2O3 2Al＋N2→2AlN 2Ca＋O2→2CaO 3Ca＋Na→Ca3N2 のように反応して、雰囲気中のガス成分を低下さ
せる、いわゆるゲツタ作用を奏する。 このため、蒸着時の薄膜形成安定性及び形成速
度を向上させると共に、得られる薄膜は高純度で
磁気特性が大幅に改善され、高特性薄膜を高生産
効率で製造することを可能とする。 ［実施例］ 以下、実施例について説明する。 実施例 １ 第１表に示す組成のMn−Bi基合金を蒸着用材
料として用い、下記仕様のスパツタリング装置に
て、直径10cmのガラス基盤上に薄膜を形成した。
なお、基盤加熱温度は200〜400℃とした。 スパツタリング装置仕様 RFマグトロンスパツタ装置 (1) ターゲツトサイズ φ4″ (2) 到達真空度 10-7torr (3) スパツタリングレート 4000Å／min （基盤固定時）
気記録材料として用いられる薄膜の製造に好適な
蒸着用Mn−Bi基合金に関する。 ［従来の技術］ 非磁性基板上に磁性合金薄膜を形成した磁気記
録材料は周知である。 この磁気記録材料の薄膜を製造する方法として
は、スパツタリングや真空蒸着、イオンプレーテ
イング等の蒸着法が広く用いられている。 特にスパツタリング法は、均一な内部組成で一
定の合金元素を含んだターゲツト材が得られさえ
すれば、スパツタリング装置内の圧力をコントロ
ールしながら組成的に均一な薄膜を得ることがで
きる点で有利である。 磁性合金薄膜を形成する強磁性合金としては、
ニツケル合金、コバルト合金、鉄基合金、マンガ
ン基合金などが従来より用いられている。しかし
て、Mn−Bi基合金は高特性磁性膜のスパツタタ
ーゲツト又は蒸着用母合金としての需要が極めて
大きい。 ［発明が解決しようとする問題点］ 従来より用いられている磁性合金について種々
検討を重ねたところ、酸素、窒素、硫黄、炭素、
その他金属酸化物等の介在物が比較的多量に含ま
れており、得られる薄膜の磁気特性に多大な悪影
響をもたらすことが認められた。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は上記従来の実情に鑑み、不純物含有量
の少ない高特性磁性薄膜を安定かつ効率的に得る
ことができる蒸着用Mn−Bi基合金を提供するべ
くなされたものであつて、 Bi50〜85重量％、Al3重量％以下、Ca500ppm
以下、O300ppm以下、N30ppm以下を含有し、
残部が実質的にMnであることを特徴とする蒸着
用Mn−Bi基合金、及び Bi50〜85重量％、Cr5重量％以下、Al3重量％
以下、Ca500ppm以下、O300ppm以下、N30ppm
以下を含有し、残部が実質的にMnであることを
特徴とする蒸着用Mn−Bi基合金、 を要旨とするものである。 即ち、本発明者は、蒸着用合金の不純物に起因
する問題を解決し、高特性磁性薄膜を得るべく、
鋭意検討を重ねた結果、蒸着用Mn−Bi基合金中
に、特定量のCaとAlとを含有させることにより、
不純物含有量の少ない合金が得られ、しかもCa
とAlとによるゲツタ作用により、蒸着雰囲気中
のガス成分をも低減し、極めて高純度で高特性の
磁性薄膜を得ることができることを見出し、本発
明を完成させた。 なお、Mn基合金については、溶解品が得難
く、従来は、焼結品が殆どであつた。本発明は、
このようなMn基合金について、溶製を容易に行
なえるようにしたものである。 以下、本発明につき詳細に説明する。 なお、本明細書において、「％」は「重量％」
を表すものである。 本発明の蒸着用Mn−Bi基合金は、真空蒸着あ
るいはスパツタリング、イオンプレーテイング等
の蒸着用材料として用いられ、磁性薄膜の製造等
に利用されるものであつて、その組成は、下記の
通りである。 Bi：50〜85％ Mn：残部 Cr：含有せず（第１の発明）又は５％以下
（第２の発明） Al：３％以下 Ca：500ppm以下 Ｏ ：300ppm以下 Ｎ ：30ppm 以下に本発明の合金組成の限定理由について説
明する。 本発明の蒸着用Mn−Bi基合金において、Biは
50〜85％とする。これは、この範囲のBi含有率
にて、極めて高い保磁率が得られ、高磁気特性の
合金となるためであつて、好ましいBi含有率は
70〜80％、特に75〜80％とすることにより、著し
く高い磁気特性が得られる。 Crは磁気特性の向上及び耐食性の向上に使用
する。しかしながら、その含有量が多過ぎると逆
に磁気特性に悪影響を及ぼすことがあるので、本
発明においてはCrは５％以下、好ましくは３％
以下とする。 Alは、合金の溶製を行なう際に、Caと共に合
金の清浄化に作用し、また蒸着雰囲気中にてガス
成分を捕足するゲツタ作用を有する。ただし、
Alはその量があまりに多過ぎ、合金特性に影響
を及ぼす量であつては好ましくなく、このため本
発明においては、前述の如く、Alは３％以下、
当然のことながら、Alは、その量があまりに少
な過ぎると上記清浄化作用及びゲツタ作用による
十分な効果が得られない。本発明においては、
Alは、１〜２％、より好ましくは0.5〜１％含有
させるのが望ましい。なお、Alは、固溶Alの形
態で合金中に存在することにより、本発明の効果
を奏するものであるので、Alの存在形態は固溶
状態であることが重要である。 Caは前述の如くAlと共に合金の清浄化に作用
し、またゲツタ作用を奏する。Caは、その含有
量があまりに多過ぎると合金特性に影響を及ぼ
し、また、金属間化合物の析出により合金を脆く
することがある。このため、本発明においては
Ca含有量は500ppm以下とする。一方、Ca含有量
は少な過ぎてもCaによる十分な清浄化作用及び
ゲツタ作用が現れない。このようなことから、
Ca含有量は50〜200ppmの範囲とするのが好まし
い。なお、CaはCaOないしCaO−Al2O3の形態で
は本発明の効果は奏し得ないことから、合金中の
Caの存在形態は金属Caであることが重量である。 合金中のＯ、Ｎの量が多いと、蒸着に使用した
際に、蒸着雰囲気の真空度を悪化させたり、また
良好な蒸着が行なえず、高特性の磁性薄膜が得ら
れない。このため、合金中の含有量は300ppm以
下、好ましくは200ppm以下、Ｎ含有量は30ppm
以下、好ましくは10ppm以下とする。 なお、本発明において、Si、Ｐ、Ｓ等の不純物
が合金中に不可避的に含有されるのは、特に問題
とならないが、上述したことと同様の理由から、
本発明において、合金中の他の不純物はできるだ
け少なくするのが良く、例えば、Si含有量は0.1
％以下、Ｐ含有量は200ppm以下、Ｓ含有量は
30ppm以下とするのが好ましい。 このような本発明の蒸着用Mn−Bi基合金は、
例えば、以下に説明する方法に従つて製造するこ
とができる。 即ち、まず、合金化のためのMn、Bi、場合に
よりCr、Alの金属又は合金材料を、内面がCaO
質耐火材で構成された容器中で、真空又はアルゴ
ン等の不活性ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気に
て、常法例えば高周波あるいは低周波誘導加熱法
等で加熱して溶解することにより、所望の組成の
合金溶湯を得る。 本発明において、用いられる容器の内面を構成
するCaO質耐火材としては、カルシア（CaO）、
ラルナイト（安定化2CaO・BiO2）、メルウイナ
イト（3CaO・MgO・2BiO2）、アノルサイト
（CaO・Al2O3・2BiO2）ならびにCaOを富化した
ドロマイト等が挙げられるが、特に、電融カルシ
アが好適である。 このようなカルシア質炉材は、そのCaO含有率
が40％以上、特に60％以上のものが好ましい。 CaOは高融点であると共に、高温で極めて安定
であり、溶製にあたり、金属酸化物を生成して溶
湯を不純物により汚染することがなく、高清浄を
溶湯を得ることが可能とされる。 特に、CaO含有量の高いCaO質耐火材で内面が
構成された容器を用いた場合には、脱Ｏ、脱Ｓ、
脱介在物等の精錬作用も奏され、極めて有利であ
る。 しかも、溶湯中にAlが存在するため、溶湯中
の脱Ｏ、脱Ｓ、脱Ｎが行なわれ、また、溶湯中へ
のCaの溶出もおこる。即ち、Alは溶湯中のＯ及
び炉壁のCaOと溶湯中のＳと反応して CaO＋Ｓ→CaS＋Ｏ となつて生じたＯと反応して、 2Al＋3O→Al2O3 となり、Al2O3を生じる。また溶湯中のAlは炉壁
のCaOと反応して 2Al＋3CaO→Al2O3＋3Ca（ｇ） となり、これによつてもAl2O3が生じる。（この
場合、生じたCaは殆ど溶解せずに、ガスとなつ
て系外に抜けるが、ごく一部が合金中に残留し
て、本発明の合金のCa含有量を満足させる。） Al2O3は次式の如く炉壁のCaOと反応して、
3CaO・Al2O3又は12CaO・7Al2O3の活性な層が
炉壁表面に形成される。 Al2O3＋3CaO→3CaO・Al2O3 7Al2O3＋12CaO→12CaO・7Al2O3 この12CaO・7Al2O3及び3CaO・Al2O3、特に
3CaO・Al2O3は溶湯の脱Ｓ能が高く、脱Ｓが良
好に進行する。 このように、Alにより脱Ｏが、またAlの還元
作用により生じた活性な3CaO・Al2O3、
12CaO・7Al2O3やCaOにより脱Ｓが行なわれる。 また溶湯中のＮは前述のAlとCaOとの反応に
より生じたCa等の蒸発（沸騰）等に伴つて溶湯
中から離脱し、溶湯中のＮ量も低減される。 従つて、内面がCaO質耐火材で構成された容器
中で溶製を行なうことにより、本発明の低Ｏ、低
Ｎ含有量のMn−Bi基合金を容易に得ることがで
きる。 ところで、本発明においては、内面がCaO質耐
火材で構成された容器中にて溶製する際に、Al
の冷却固化後のAl残留量が本発明の範囲、即ち、
Al3％以下となるように添加するのであるが、溶
製に用いる容器の内面を、特に電融カルシアより
なるものとすることにより、Alの添加により溶
湯中へのCaのコンタミを低減し、得られる合金
中のCa含有量を容易に本発明の範囲即ち500ppm
以下とすることができる。 このようにして得られた合金溶湯を、常法に従
つて非酸化性雰囲気下で鋳造する。 この際、鋳造に用いる鋳型の材質としては、
Al2O3、ZrO2、BiO2又はCaO質耐火材等が挙げ
られ、これらのうち、AI2O3、ZrO2、CaO耐火
材、とりわけCaO質耐火材が好適である。 このような方法によれば、Bi50〜85％、場合
によりCr5％以下、Al3％以下、Ca500ppm以下、
O300ppm以下、N30ppm以下を含有し、残部が
実質的にMnである本発明の蒸着用Mn−Bi基合
金を極めて容易に製造することができる。 ［作用］ 本発明の蒸着用Mn−Bi基合金は、Ｏ、Ｎ含有
量が少ないため、高特性の磁性薄膜を得ることが
できる。 また、本発明の蒸着用Mn−Bi基合金に含有さ
れるAl、Caは、真空蒸着又はスパツタリング等
の蒸着雰囲気中にて、 4Al＋3O2→2Al2O3 2Al＋N2→2AlN 2Ca＋O2→2CaO 3Ca＋Na→Ca3N2 のように反応して、雰囲気中のガス成分を低下さ
せる、いわゆるゲツタ作用を奏する。 このため、蒸着時の薄膜形成安定性及び形成速
度を向上させると共に、得られる薄膜は高純度で
磁気特性が大幅に改善され、高特性薄膜を高生産
効率で製造することを可能とする。 ［実施例］ 以下、実施例について説明する。 実施例 １ 第１表に示す組成のMn−Bi基合金を蒸着用材
料として用い、下記仕様のスパツタリング装置に
て、直径10cmのガラス基盤上に薄膜を形成した。
なお、基盤加熱温度は200〜400℃とした。 スパツタリング装置仕様 RFマグトロンスパツタ装置 (1) ターゲツトサイズ φ4″ (2) 到達真空度 10-7torr (3) スパツタリングレート 4000Å／min （基盤固定時）
【表】
スパツタ電力、アルゴンガス圧、スパツタ時間
を変えて、各蒸着用材料により形成された薄膜の
膜厚を調べた結果を、それぞれ第１図〜第３図に
示す。 第１図〜第３図より、本発明の蒸着用Mn−Bi
基合金は、膜形成効率が高いことが認められる。 実施例 ２ 実施例１で用いたスパツリング装置及び基盤を
用い、第１表のNo.１の蒸着用合金にて、Ar圧又
は基板加熱温度を変えて、0.5μｍ厚さの薄膜を形
成して磁気記録材料を製造した。なお、スパツタ
電圧は200Wで行なつた。 得られた磁気記録材料の保磁率Hcを調べ、基
盤加熱温度又はAr圧との関係をそれぞれ第４図、
第５図に示す。 第４図及び第５図より、本発明の蒸着用Mn−
Bi基合金によれば、極めて保磁率の高い磁気記
録材料が得られることが認められる。 実施例 ３ 実施例２において、No.１の合金材料より基盤加
熱温度400℃、Ar圧４×10-3にて得らえた磁気記
録材料について、その磁気特性を調べた結果を第
６図に示す。 第６図より、本発明の蒸着用Mn−Bi基合金に
より得られる磁気記録材料はヒステリシス特性に
優れ、角形比が高く、極めて高特性のものである
ことが認められる。 ［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明の蒸着用Mn−Bi基
合金は、Ｏ、Ｈ含有量が少ない上に、AlとCaに
よるゲツタ作用により、蒸着雰囲気中のガス成分
が大幅に低減される。 このため、蒸着による膜形成安定性及び膜形成
速度が向上されるとともに、得られる薄膜は高純
度で極めて磁気特性に優れたものとなる。 従つて、本発明の蒸着用Mn−Bi基合金によれ
ば、高特性薄膜を高効率で得ることができ、本発
明の蒸着用Mn−Bi基合金は、光磁気記録材料の
薄膜製造用蒸着材料として極めて有用である。
を変えて、各蒸着用材料により形成された薄膜の
膜厚を調べた結果を、それぞれ第１図〜第３図に
示す。 第１図〜第３図より、本発明の蒸着用Mn−Bi
基合金は、膜形成効率が高いことが認められる。 実施例 ２ 実施例１で用いたスパツリング装置及び基盤を
用い、第１表のNo.１の蒸着用合金にて、Ar圧又
は基板加熱温度を変えて、0.5μｍ厚さの薄膜を形
成して磁気記録材料を製造した。なお、スパツタ
電圧は200Wで行なつた。 得られた磁気記録材料の保磁率Hcを調べ、基
盤加熱温度又はAr圧との関係をそれぞれ第４図、
第５図に示す。 第４図及び第５図より、本発明の蒸着用Mn−
Bi基合金によれば、極めて保磁率の高い磁気記
録材料が得られることが認められる。 実施例 ３ 実施例２において、No.１の合金材料より基盤加
熱温度400℃、Ar圧４×10-3にて得らえた磁気記
録材料について、その磁気特性を調べた結果を第
６図に示す。 第６図より、本発明の蒸着用Mn−Bi基合金に
より得られる磁気記録材料はヒステリシス特性に
優れ、角形比が高く、極めて高特性のものである
ことが認められる。 ［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明の蒸着用Mn−Bi基
合金は、Ｏ、Ｈ含有量が少ない上に、AlとCaに
よるゲツタ作用により、蒸着雰囲気中のガス成分
が大幅に低減される。 このため、蒸着による膜形成安定性及び膜形成
速度が向上されるとともに、得られる薄膜は高純
度で極めて磁気特性に優れたものとなる。 従つて、本発明の蒸着用Mn−Bi基合金によれ
ば、高特性薄膜を高効率で得ることができ、本発
明の蒸着用Mn−Bi基合金は、光磁気記録材料の
薄膜製造用蒸着材料として極めて有用である。
第１図〜第３図は実施例１で得られた結果を示
すグラフであつて、それぞれ、スパツタ電圧、ア
ルゴン圧、スパツタ時間と得られる膜厚との関係
を示す。第４図及び第５図は実施例２で得られた
結果を示すグラフであつて、それぞれ、基盤加熱
温度、アルゴン圧と磁気記録材料の保磁率との関
係を示す。第６図は実施例３で得られた磁気特性
の測定結果を示すグラフである。
すグラフであつて、それぞれ、スパツタ電圧、ア
ルゴン圧、スパツタ時間と得られる膜厚との関係
を示す。第４図及び第５図は実施例２で得られた
結果を示すグラフであつて、それぞれ、基盤加熱
温度、アルゴン圧と磁気記録材料の保磁率との関
係を示す。第６図は実施例３で得られた磁気特性
の測定結果を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Bi50〜85重量％、Al3重量％以下、
Ca500ppm以下、O300ppm以下、N30ppm以下を
含有し、残部が実質的にMnであることを特徴と
する蒸着用Mn−Bi基合金。 ２ Bi50〜85重量％、Cr5重量％以下、Al3重量
％以下、Ca500ppm以下、O300ppm以下、
N30ppm以下を含有し、残部が実質的にMnであ
ることを特徴とする蒸着用Mn−Bi基合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26710586A JPS63121632A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 蒸着用Ｍｎ−Ｂｉ基合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26710586A JPS63121632A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 蒸着用Ｍｎ−Ｂｉ基合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63121632A JPS63121632A (ja) | 1988-05-25 |
| JPH0364584B2 true JPH0364584B2 (ja) | 1991-10-07 |
Family
ID=17440131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26710586A Granted JPS63121632A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 蒸着用Ｍｎ−Ｂｉ基合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63121632A (ja) |
-
1986
- 1986-11-10 JP JP26710586A patent/JPS63121632A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63121632A (ja) | 1988-05-25 |
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