JPH04314871A - 無電解金めつき液 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、銅素地の微細回路基板
上へ長時間安定に厚付け金めつきを施すことが可能な無
電解金めつき液に関する。

【０００２】

【従来の技術】これまで多くの自己触媒めつき液が報告
されているが、シアン化合物を含有し高アルカリ性で使
用するめつき液が多い。

【０００３】一方、シアン化合物を全く含まない中性無
電解金めつき液としては、特願平２−７０６３号に記載
されている水溶性亜硫酸金化合物、水溶性ポリアミノポ
リカルボン酸又はその塩、水溶性アミン又はその誘導体
、チオ硫酸塩、亜硫酸塩及びヒドラジン化合物を含有す
る金めつき液がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする問題点】レジストを使用して
微細回路を形成した銅素地の微細回路基板上に例えば無
電解ニツケルめつきを施し続いて金めつきを行う場合、
レジストの金めつき液への溶解による微細回路の破壊が
なく、素地金属である銅のめつき液への溶け込みがなく
、銅の溶解に伴う金の異常析出がなく（膜厚のばらつき
が小さい）、レジスト上及び微細回路間に金が析出して
微細回路が短絡せず（以下これをパターン性が良いとい
う）、微細回路上に析出した金皮膜はムラ、ガスピツト
等の外観不良がない等の特性が要求される。

【０００５】従来多くの無電解金めつき液は、シアン化
合物を含む高アルカリ性めつき液であるため、レジスト
を使用した微細回路をめつきした場合、基板上のレジス
トを溶解するため微細回路が破壊され、パターン性が悪
くなる。また、シアン化合物を含有するめつき液は、作
業時及び廃液処理時等において安全上問題がある。さら
にシアン化合物を含有する金めつき液は、銅、ニツケル
などの素地の溶け込みによる不純物金属の影響を敏感に
受けて自己分解を生じ連続使用できないなどの欠点を有
している。

【０００６】したがつて、金めつき液がシアン化合物を
含むことなく、中性のめつき条件で使用できれば、かよ
うな金めつき液は、レジストを溶解することがなく、微
細回路基板上にパターン性良く金を析出することが可能
であり、また作業時、廃液処理時などにおいて有利であ
る。

【０００７】一方、従来のシアン化合物を含まない中性
無電解金めつき液は、レジストを溶解することなくめつ
きできるが、めつき液に銅が溶解する欠点がある。たと
え銅素地にニツケルめつきを行つても、ニツケルめつき
の欠陥部分及びレジストと銅との界面部分などから素地
の銅が液中に溶解するため、溶解部分に金が異常析出し
膜厚が部分的に高くなる。さらに異常析出に伴いパター
ン性は悪くなる。

【０００８】また、銅の溶解濃度が高くなるとめつき液
は、自己分解を起こし易くなり連続使用できない傾向が
ある。

【０００９】本発明は、従来の無電解金めつき液に於け
る上記の問題点を解決すべく開発された無電解金めつき
液である。即ち、本発明はシアン化合物を含むことなく
、中性のめつき条件で使用でき、微細回路基板上のレジ
ストを溶解することなく、パターン性良く金が析出し、
また部分的異常析出及びパターン性劣化の原因である銅
のめつき液への溶け込みがなく、ムラ、ガスピツト等の
外観不良を有しない金皮膜を析出することができる無電
解金めつき液を提供することを目的とするものである。

【００１０】

【問題点を解決するための手段】本発明の無電解金めつ
き液は、上記の目的を達成させるものとして、シアン化
合物を含むことなく、中性のめつき条件で使用でき、微
細回路基板上のレジストを溶解することなく、パターン
性良く金が析出し、また部分的異常析出及びパターン性
劣化の原因である銅のめつき液への溶け込みがなく、ム
ラ、ガスピツト等の外観不良を有しない金皮膜を析出す
ることができる無電解金めつき液を開発すべく研究検討
を結果開発されたものである。

【００１１】本発明は、水溶性亜硫酸金化合物と、水溶
性ポリアミノポリカルボン酸又はその塩と、水溶性アミ
ン又はその誘導体と、チオ硫酸塩と、亜硫酸塩と、ヒド
ラジン化合物とベンゾトリアゾール系化合物とを含むこ
とを特徴とする無電解金めつき液である。

【００１２】以下、本発明の無電解金めつき液について
詳細に説明する。

【００１３】本発明の無電解金めつき液は、水溶性亜硫
酸金化合物を含有する、水溶性亜硫酸金化合物としては
、例えば亜硫酸金アンモニウム、亜硫酸金カリウム、亜
硫酸金ナトリウムなどを挙げることができる。本発明の
無電解金めつき液は、これら水溶性亜硫酸金化合物を金
イオンとして１〜８ｇ／ｌ、好ましくは２〜５ｇ／ｌ含
有するものである。これら水溶性亜硫酸金化合物の含有
量が金イオンとして１ｇ／ｌ以下であるとめつき反応の
進行が遅いか又はほとんど起こらず、８ｇ／ｌ以上であ
ると金めつき液が自己分解し、沈澱が生じ、パターン性
が悪くなる傾向がある。

【００１４】本発明の無電解金めつき液は、水溶性ポリ
アミノポリカルボン酸又はその塩を含有する。水溶性ポ
リアミノポリカルボン酸又はその塩としては、例えばエ
チレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸二ナト
リウム、エチレンジアミン四酢酸二カリウム、エチレン
ジアミン四酢酸二アンモニウム及びニトリロ三酢酸など
を挙げることができる。本発明の無電解金めつき液は、
これら水溶性ポリアミノポリカルボン酸又はその塩を１
０ｇ／ｌ〜１５０ｇ／ｌ、好ましくは５０ｇ／ｌ〜１０
０ｇ／ｌ含有するものである。これら水溶性ポリアミノ
ポリカルボン酸又はその塩の含有量が１０ｇ／ｌ以下で
あると金めつき液は銅、ニツケルなどの不純物の影響を
受け易くなり、めつき液の安定性が低下し、金めつき液
の自己分解が生じる。一方、これら水溶性ポリアミノポ
リカルボン酸又はその塩の含有量を１５０ｇ／ｌ以上と
してもそれに見合う効果はほとんど得られないことが多
く、経済的ではない。

【００１５】本発明の無電解金めつき液は、水溶性アミ
ン又はその誘導体を含有する。水溶性アミン又はその誘
導体としては、例えばトリエタノールアミン、トリエチ
レンテトラミン、エチレンジアミン、ジメチルアミン、
トリメタノールアミン及び塩酸ヒドロキシルアミンなど
を挙げることができる。本発明の無電解金めつき液は、
これら水溶性アミン又はその誘導体を１ｇ／ｌ〜１０ｇ
／ｌ、好ましくは２ｇ／ｌ〜６ｇ／ｌ含有するものであ
る。これら水溶性アミン又はその誘導体の含有量が１ｇ
／ｌ以下であると、ガスピツトの抑制の効果がなく、１
０ｇ／ｌ以上であると、めつき物の外観が悪くなる傾向
がある。

【００１６】本発明の無電解金めつき液は、チオ硫酸塩
を含有する。チオ硫酸塩としては、例えばチオ硫酸アン
モニウム、チオ硫酸カリウム及びチオ硫酸ナトリウムな
どを挙げることができる。本発明の無電解金めつき液は
、これらチオ硫酸塩を１〜５０ｇ／ｌ、好ましくは５〜
３０ｇ／ｌ含有するものである。こられチオ硫酸塩の含
有量が１ｇ／ｌ以下または５０ｇ／ｌ以上であると、め
つき液が自己分解し、沈澱が生じ、パターン性が悪くな
る傾向がある。

【００１７】本発明の無電解金めつき液は、亜硫酸塩を
含有する。亜硫酸塩としては、例えば亜硫酸アンモニウ
ム、亜硫酸カリウム、及び亜硫酸ナトリウムなどを挙げ
ることができる。本発明の無電解金めつき液は、これら
亜硫酸塩を５〜１５０ｇ／ｌ、好ましくは３０〜１００
ｇ／ｌ含有するものである。これら亜硫酸塩の含有量が
５ｇ／ｌ以下であると金めつき液が自己分解し、沈澱が
生じ、パターン性が悪くなり、１５０ｇ／ｌ以上である
と、めつき反応の進行を遅くするか妨げることが多い。

【００１８】本発明の無電解金めつき液は、ヒドラジン
化合物を含有する。ヒドラジン化合物としては、例えば
ヒドラジン水和物、塩酸ヒドラジン、硫酸ヒドラジン、
一塩化ヒドラジン及び二塩化ヒドラジンなどを挙げるこ
とができる。本発明の無電解金めつき液は、これらヒド
ラジン化合物を５〜５０ｇ／ｌ、好ましくは１０〜３０
ｇ／ｌ含有するものである。これらヒドラジン化合物の
含有量が５ｇ／ｌ以下であると、めつき反応の進行がほ
とんど起こらず、５０ｇ／ｌ以上であると、めつき液が
自己分解し、沈澱が生じ、パターン性が悪くなる。

【００１９】本発明の無電解金めつき液は、上記の成分
に加えてベンゾトリアゾール系化合物をさらに含有する
。ベンゾトリアゾール系化合物としては、例えばベンゾ
トリアゾールナトリウム、ベンゾトリアゾールカリウム
、テトラヒドロベンゾトリアソール、メチルベンゾトリ
アゾール及びニトロベンゾトリアゾールなどを挙げるこ
とができる。本発明の無電解金めつき液は、これらベン
ゾトリアゾール系化合物を１〜２０ｇ／ｌ、好ましくは
３〜１０ｇ／ｌ含有するものである。これらベンゾトリ
アゾール系化合物の含有量が１ｇ／ｌ以下であると、銅
のめつき液への溶解抑制に効果がなく、銅の溶解による
部分的異常析出が生じパターン性が悪くなるばかりでな
く、自己分解を生じ易くなり、２０ｇ／ｌ以上であると
めつき反応の進行が極端に遅くなる。

【００２０】本発明の無電解金めつき液は、ｐＨ５．０
〜１０．０で使用可能であるが、ｐＨ６．０〜８．０で
使用することが好ましい。ｐＨが５．０より低い場合、
めつき反応の進行がほとんど起こらず、１０．０より高
い場合、めつき液は自己分解し易くなる。またｐＨが１
０．０より高い場合は、金めつき液がレジストを溶解す
るようになる。尚、ｐＨの調整剤としては、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム及び亜硫
酸水などを使用することができる。

【００２１】本発明の金めつき液は、液温３０℃〜９０
℃で使用可能であるが、５０℃〜８０℃で使用すること
が好ましい。金めつき液の液温が３０℃よりも低いと、
めつき反応の進行がほとんど起こらず、９０℃より高い
とめつき液が自己分解をし、沈澱を生じ、パターン性が
悪くなる傾向がある。

【００２２】本発明の無電解金めつき液は、シアンを含
有せず、水溶性亜硫酸金化合物及びヒドラジン化合物を
含有するものであり、中性のめつき条件で使用すること
ができ、微細回路基板上のレジストを溶解することなく
、パターン性良くめつきすることができる。

【００２３】また、本発明の無電解金めつき液は、水溶
性ポリアミノポリカルボン酸又はその塩、水溶性アミン
又はその誘導体、チオ硫酸塩及び亜硫酸塩を含有するの
で、水溶性亜硫酸金化合物のめつき液中での自己分解が
抑制される。

【００２４】上記水溶性ポリアミノポリカルボン酸又は
その塩及び水溶性アミン又はその誘導体は、素地金属の
銅、ニツケルなどの溶け込みによる金属不純物を隠ぺい
するため、本発明の無電解金めつき液は、沈澱を生じる
ことなく、パターン性良く、外観良好な金皮膜を析出す
ることができる。

【００２５】さらにまた、ベンゾトリアゾール系化合物
を含有することにより素地の銅がめつき液に溶解しない
ようになるため、銅の溶解に伴う部分的異常析出が生じ
なくなり、膜厚のばらつきが小さく、パターン性の良い
金を析出することができる。本発明の無電解金めつき液
は、上記水溶性亜硫酸金化合物と、水溶性ポリアミノポ
リカルボン酸又はその塩と、水溶性アミン又はその誘導
体と、チオ硫酸塩と、亜硫酸塩と、ヒドラジン化合物及
びベンゾトリアゾール系化合物とを含む他に、ひ素化合
物、タリウム化合物及び鉛化合物の少なくとも一つとキ
ノリン類及びオキシカルボン酸塩を含有することにより
、さらに金皮膜外観、パターン性、自己分解抑制性が向
上する。

【００２６】

【実施例】

【００２７】

【実施例１】レジストを使用して線幅５０〜１０００μ
ｍの回路を形成した。大きさ５×５ｃｍの銅素地微細回
路基板上に、厚さ５μｍのニツケル皮膜を無電解めつき
法により形成させた。この基板を、市販の置換金めつき
液（エヌ・イー・ケムキヤツト（株）ＡＴＯＭＥＸ）に
つけて金めつきを行つた。１０分後にこの基板を取り出
し、ケイ光Ｘ線膜厚測定器により析出膜厚を測定した。 置換金めつきの膜厚は０．０５μｍであつた。以下この
置換金めつきを施した基板を試料１と称する。

【００２８】亜硫酸金ナトリウムを金イオンとして４ｇ
／ｌ、エチレンジアミン４酢酸２ナトリウムを７０ｇ／
ｌ、トリエタノールアミンを５ｇ／ｌ、チオ硫酸ナトリ
ウムを２０ｇ／ｌ、亜硫酸アンモニウムを５０ｇ／ｌ、
ヒドラジン一水和物を１５ｇ／ｌ及びベンゾトリアゾー
ルカリウムを８ｇ／ｌ含有する無電解金めつき液を調製
した。この無電解金めつき液のｐＨをｐＨ調整試薬によ
り７．０に調整し、温度を８０℃とした中に、撹拌しな
がら上記試料１を１時間浸漬した。１時間後に試料１を
取り出しケイ光Ｘ線膜厚測定器により１０箇所の析出膜
厚を測定した。１時間後の析出膜厚は１０箇所平均で１
．３０μｍであつた。また１０箇所の測定値のうち最大
の膜厚から最小の膜厚の引いたもの（以下これを膜厚の
ばらつきＲという）は０．０６μｍであり、部分的異常
析出は認められなかつた。目視及び実体顕微鏡により観
察したがレジストの溶解は認められず、パターン性良く
微細回路上に金が析出した。析出した金皮膜の外観はム
ラ、ガスピツトがなく良好な外観を示した。

【００２９】さらに同様にして１０時間のめつきを行つ
たが、レジストの溶解及び部分的異常析出は認められず
、パターン性良く外観の良好な金皮膜を析出した。

【００３０】１０時間めつき後の無電解金めつき液中の
不純物金属濃度は、銅５ｐｐｍ以下、ニツケル５ｐｐｍ
以下であつた。

【００３１】

【実施例２】亜硫酸金アンモニウムを金イオンとして２
．５ｇ／ｌ、エチレンジアミン４酢酸２カリウムを９０
ｇ／ｌ、エチレンジアミンを３ｇ／ｌ、チオ硫酸アンモ
ニウムを１０ｇ／ｌ、亜硫酸ナトリウムを７０ｇ／ｌ、
硫酸ヒドラジンを１０ｇ／ｌ及びメチルベンゾトリアゾ
ールを４．０ｇ／ｌ含有する無電解金めつき液を調製し
た。この無電解金めつき液のｐＨをｐＨ調整試薬により
６．５に調整し、温度を７０℃とした中に、撹拌しなが
ら上記実施例１と同様にして準備した試料１を１時間浸
漬した。一時間後に試料１を取り出しケイ光Ｘ線膜厚測
定器により１０箇所の析出膜厚を測定した。１時間後の
析出膜厚は１０箇所平均で１．１５μｍであつた。 また膜厚のばらつきＲは０．０４μｍであり、部分的異
常析出は認められなかつた。目視及び実体顕微鏡により
観察したがレジストの溶解は認められず、パターン性良
く微細回路上に金が析出した。析出した金皮膜の外観は
ムラ、ガスピツトがなく良好な外観を示した。

【００３２】さらに同様にして１０時間のめつきを行つ
たが、レジストの溶解及び部分的異常析出は認められず
、パターン性良く外観の良好な金皮膜を析出した。

【００３３】１０時間めつき後の無電解金めつき液中の
不純物金属濃度は、銅５ｐｐｍ以下、ニツケル５ｐｐｍ
以下であつた。

【００３４】

【実施例３】亜硫酸金ナトリウムを金イオンとして３．
０ｇ／ｌ、エチレンジアミン４酢酸２カリウムを６０ｇ
／ｌ、ジメチルアミンを６ｇ／ｌ、チオ硫酸アンモニウ
ムを１５ｇ／ｌ、亜硫酸カリウムを４０ｇ／ｌ、硫酸ヒ
ドラジンを２５ｇ／ｌ、テトラヒドロベンゾトリアゾー
ルを６．０ｇ／ｌ、酢酸鉛を８ｍｇ／ｌ、２−クロロキ
ノリンを３０ｍｇ／ｌ及びクエン酸ナトリウムを２５ｇ
／ｌ含有する無電解金めつき液を調製した。この無電解
金めつき液のｐＨをｐＨ調整試薬により７．５に調整し
、温度を６０℃とした中に、撹拌をしながら上記実施例
１と同様にして準備した試料１を１時間浸漬した。一時
間後に試料１を取り出しケイ光Ｘ線膜厚測定器により１
０箇所の析出膜厚を測定した。１時間後の析出膜厚は１
０箇所平均で１．０３μｍであつた。また膜厚のばらつ
きＲは０．０２μｍであり、部分的異常析出は認められ
なかつた。目視及び実体顕微鏡により観察したがレジス
トの溶解は認められず、パターン性良く微細回路上に金
が析出した。析出した金皮膜の外観はムラ、ガスピツト
がなく良好な外観を示した。

【００３５】さらに同様にして１０時間のめつきを行つ
たが、レジストの溶解及び部分的異常析出は認められず
、パターン性良く外観の良好な金皮膜を析出した。

【００３６】１０時間めつき後の無電解金めつき液中の
不純物金属濃度は、銅５ｐｐｍ以下、ニツケル５ｐｐｍ
以下であつた。

【００３７】

【実施例４】レジストを使用して線幅５０〜１０００μ
ｍの回路を形成した、大きさ５×５ｃｍの銅素地微細回
路基板を、市販の置換金めつき液（エヌ・イー・ケムキ
ヤツト（株）ＡＴＯＭＥＸ）に浸漬して金めつきを行つ
た。１０分後にこの基板を取り出し、ケイ光Ｘ線膜厚測
定器により析出膜厚を測定した。置換金めつき膜厚は０
．０５μｍであつた。以下この置換金めつきを施した基
板を試料２と称する。

【００３８】実施例１において、試料１の代わりに試料
２を用いた以外は、実施例１と同様にして、１時間後に
試料２を取り出しケイ光Ｘ線膜厚測定器により１０箇所
の析出膜厚を測定した。１時間後の析出膜厚は１０箇所
平均で１．５１μｍであつた。また膜厚のばらつきＲは
０．０９μｍであり、部分的異常析出は認められなかつ
た。目視及び実体顕微鏡により観察したがレジストの溶
解は認められず、パターン性良く微細回路上に金が析出
した。析出した金皮膜の外観はムラ、ガスピツトがなく
良好な外観を示した。

【００３９】さらに同様にして１０時間のめつきを行つ
たが、レジストの溶解及び部分的異常析出は認められず
、パターン性良く外観の良好な金皮膜を析出した。

【００４０】１０時間めつき後の無電解金めつき液中の
不純物金属濃度は、銅５ｐｐｍ以下であつた。

【００４１】

【実施例５】実施例２において、試料１の代わりに試料
２を用いた以外は、実施例２と同様にして、１時間後に
試料２を取り出しケイ光Ｘ線膜厚測定器により１０箇所
の析出膜厚を測定した。１時間後の析出膜厚は１０箇所
平均で１．３３μｍであつた。また膜厚のばらつきＲは
０．０６μｍであり、部分的異常析出は認められなかつ
た。目視及び実体顕微鏡により観察したがレジストの溶
解は認められず、パターン性良く微細回路上に金が析出
した。析出した金皮膜の外観はムラ、ガスピツトがなく
良好な外観を示した。

【００４２】さらに同様にして１０時間のめつきを行つ
たが、レジストの溶解及び部分的異常析出は認められず
、パターン性良く外観の良好な金皮膜を析出した。

【００４３】１０時間めつき後の無電解金めつき液中の
不純物金属濃度は、銅５ｐｐｍ以下であつた。

【００４４】

【実施例６】実施例３において、試料１の代わりに試料
２を用いた以外は、実施例３と同様にして、１時間後に
試料２を取り出しケイ光Ｘ線膜厚測定器により１０箇所
の析出膜厚を測定した。１時間後の析出膜厚は１０箇所
平均で１．２９μｍであつた。また膜厚のばらつきＲは
０．０４μｍであり、部分的異常析出は認められなかつ
た。目視及び実体顕微鏡により観察したがレジストの溶
解は認められず、パターン性良く微細回路上に金が析出
した。析出した金皮膜の外観はムラ、ガスピツトがなく
良好な外観を示した。

【００４５】さらに同様にして１０時間のめつきを行つ
たが、レジストの溶解及び部分的異常析出は認められず
、パターン性良く外観の良好な金皮膜を析出した。

【００４６】１０時間めつき後の無電解金めつき液中の
不純物金属濃度は、銅５ｐｐｍ以下であつた。

【００４７】比較例１ 亜硫酸金ナトリウムを金イオンとして４ｇ／ｌ、エチレ
ンジアミン４酢酸２ナトリウムを７０ｇ／ｌ、トリエタ
ノールアミンを５ｇ／ｌ、チオ硫酸ナトリウムを２０ｇ
／ｌ、亜硫酸アンモニウムを５０ｇ／ｌ及びヒドラジン
一水和物を１５ｇ／ｌ含有する無電解金めつき液を調製
した。この無電解金めつき液のｐＨをｐＨ調整試薬によ
り７．０に調整し、温度を７５℃とした中に撹拌しなが
ら上記実施例１と同様にして準備した試料１を１時間浸
漬した。１時間後に試料１を取り出しケイ光Ｘ線膜厚測
定器により１０箇所の析出膜厚を測定した。１時間後の
析出膜厚は１０箇所平均で１．３６μｍであつた。また
膜厚のばらつきＲは０．８９μｍであり、部分的異常析
出が認められた。

【００４８】目視及び実体顕微鏡により観察した結果、
レジストの溶解は認められず、微細回路上に金が析出し
たが、素地の銅の溶解により異常析出した部分の金皮膜
の外観はムラ、ピンホールなどの外観不良が生じていた
。

【００４９】さらに同様にして１０時間のめつきを行つ
た。その結果、レジストの溶解は認められなかつたが、
素地の銅の溶解による異常析出部分のパターン性は悪く
なつた。

【００５０】１０時間めつき後の無電解金めつき液中の
不純物金属濃度は、銅３０ｐｐｍ、ニツケル５ｐｐｍ以
下であつた。

【００５１】比較例２ 比較例１において、試料１の代わりに試料２を用いた以
外は、比較例１と同様にして、１時間後に試料２を取り
出しケイ光Ｘ線膜厚測定器により１０箇所の析出膜厚を
測定した。１時間後の析出膜厚は１０箇所平均で２．６
８μｍであつた。また膜厚のばらつきＲは１．６９μｍ
であり、部分的異常析出が認められた。

【００５２】素地の銅の溶解により異常析出した部分の
パターン性は悪くなつた。また、異常析出した部分の金
皮膜の外観はムラ、ピンホールなどの外観不良が生じて
いた。

【００５３】さらに同様にして１０時間のめつきを行つ
た。その結果、レジストの溶解は認められなかつたが、
素地の銅の溶解による異常析出部分のパターン性はさら
に悪くなつた。更にまためつき液は自己分解による沈澱
が生じた。

【００５４】１０時間めつき後の無電解金めつき液中の
不純物金属濃度は、銅１００ｐｐｍであつた。

【００５５】

【本発明の効果】以上説明したように本発明の無電解金
めつき液は、シアン化合物を含むことがないので毒性が
低く安全上有利であり、中性のめつき条件で使用できる
ので微細回路基板上のレジストを溶解することなく、パ
ターン性良く金が析出することができる。

【００５６】また素地の銅のめつき液への溶け込みがな
いため、部分的異常析出及びパターン性の劣化を生じる
ことなくムラ、ガスピツト等の外観不良を有しない金皮
膜を析出することができる。

【００５７】また本発明の無電解金めつき液は、金めつ
き液の安定性を劣化させる銅の溶け込みがないために、
自己分解を生じることなく長時間安定に使用することが
可能である。

【００５８】よつて本発明の無電解金めつき液は、銅素
地のレジストを用いたＩＣフレーム、プリント基板、セ
ラミツク基板などの微細回路上の金めつきが必要となる
製品に金めつきを施すのに最適である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　水溶性亜硫酸金化合物、水溶性ポリア
   ミノポリカルボン酸又はその塩、水溶性アミン又はその
   誘導体、チオ硫酸塩、亜硫酸塩、ヒドラジン化合物及び
   ベンゾトリアゾール系化合物を含むことを特徴とする無
   電解金めつき液。