JPH04315416A - Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスク及びその製造方法Info
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- JPH04315416A JPH04315416A JP3082168A JP8216891A JPH04315416A JP H04315416 A JPH04315416 A JP H04315416A JP 3082168 A JP3082168 A JP 3082168A JP 8216891 A JP8216891 A JP 8216891A JP H04315416 A JPH04315416 A JP H04315416A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線露光用マスク及びそ
の製造方法に関し、さらに詳しくは、大面積の微細な回
路パターンを半導体基板などの被加工物上に転写するＸ
線露光に使用するのに好適なＸ線露光用マスク及びその
製造方法に関する。
の製造方法に関し、さらに詳しくは、大面積の微細な回
路パターンを半導体基板などの被加工物上に転写するＸ
線露光に使用するのに好適なＸ線露光用マスク及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線露光は、０．２５μｍ以下の分解能
を持つ写真蝕刻技術として次世代の超高集積回路や微細
電子デバイスの製造工程の一つとして用いられようとし
ている。Ｘ線露光の原理は、図２に示すように、薄いＸ
線透過膜１０上にＸ線吸収体１１で回路パターンを描い
たＸ線露光用マスクを通して、被加工物１２上に塗布さ
れたＸ線レジスト１３にＸ線１４を照射し回路パターン
を焼き付けるものである。
を持つ写真蝕刻技術として次世代の超高集積回路や微細
電子デバイスの製造工程の一つとして用いられようとし
ている。Ｘ線露光の原理は、図２に示すように、薄いＸ
線透過膜１０上にＸ線吸収体１１で回路パターンを描い
たＸ線露光用マスクを通して、被加工物１２上に塗布さ
れたＸ線レジスト１３にＸ線１４を照射し回路パターン
を焼き付けるものである。
【０００３】Ｘ線露光に使用されるＸ線の波長は０．５
〜２ｎｍで、物質に吸収され易いため、窒化珪素、炭化
珪素、窒化ホウ素、燐ドープ珪素等の薄膜がＸ線透過膜
として用いられる。十分なマスクコントラストを得るた
めには、Ｘ線吸収体として、厚さ０．５〜１μｍの金、
タングステン、タンタル等の重金属を用いなければなら
ない。これらの重金属を所望の回路パターンに形成する
ために、Ｘ線吸収体がタングステンやタンタルの場合に
は反応性イオンエッチング法が用いられる。図３（ａ）
〜（ｅ）はタングステンを吸収体とするＸ線露光用マス
クの製造工程の一例をしめすマスクの断面図である。
〜２ｎｍで、物質に吸収され易いため、窒化珪素、炭化
珪素、窒化ホウ素、燐ドープ珪素等の薄膜がＸ線透過膜
として用いられる。十分なマスクコントラストを得るた
めには、Ｘ線吸収体として、厚さ０．５〜１μｍの金、
タングステン、タンタル等の重金属を用いなければなら
ない。これらの重金属を所望の回路パターンに形成する
ために、Ｘ線吸収体がタングステンやタンタルの場合に
は反応性イオンエッチング法が用いられる。図３（ａ）
〜（ｅ）はタングステンを吸収体とするＸ線露光用マス
クの製造工程の一例をしめすマスクの断面図である。
【０００４】まず、図３（ａ）に示すように、シリコン
基板１上に化学気相成長法により厚さ１〜２μｍの窒化
珪素膜２を形成し、その上にスパッタ法等で厚さ０．５
〜１μｍのタングステン膜３を形成する。さらにタング
ステン膜３上に有機膜４と電子線レジスト膜５とを塗布
する。次に図３（ｂ）に示すように、電子線描画装置に
よって所望の回路パターンを描き、電子線レジスト膜５
を現像してレジストパターン５Ａを得る。
基板１上に化学気相成長法により厚さ１〜２μｍの窒化
珪素膜２を形成し、その上にスパッタ法等で厚さ０．５
〜１μｍのタングステン膜３を形成する。さらにタング
ステン膜３上に有機膜４と電子線レジスト膜５とを塗布
する。次に図３（ｂ）に示すように、電子線描画装置に
よって所望の回路パターンを描き、電子線レジスト膜５
を現像してレジストパターン５Ａを得る。
【０００５】次に図３（ｃ）に示すように、このレジス
トパターン５Ａをマスクとして反応性イオンエッチング
により有機膜４をエッチングし有機膜パターン４Ａを、
次でこの有機膜パターン４Ａをマスクとしてタングステ
ン膜３をエッチングし回路パターン３Ａを形成する。次
に図３（ｄ）に示すように、有機膜パターンを除去した
のち、裏面よりシリコン基板１を水酸化カリウム等でエ
ッチングしてシリコン製支持枠１Ａを形成する。次に図
３（ｅ）に示すように、タングステン膜からなる回路パ
ターン３Ａ上に２次電子吸収膜８としてプラズマＣＶＤ
法により窒化シリコン膜を形成しＸ線露光用マスクを完
成させる。
トパターン５Ａをマスクとして反応性イオンエッチング
により有機膜４をエッチングし有機膜パターン４Ａを、
次でこの有機膜パターン４Ａをマスクとしてタングステ
ン膜３をエッチングし回路パターン３Ａを形成する。次
に図３（ｄ）に示すように、有機膜パターンを除去した
のち、裏面よりシリコン基板１を水酸化カリウム等でエ
ッチングしてシリコン製支持枠１Ａを形成する。次に図
３（ｅ）に示すように、タングステン膜からなる回路パ
ターン３Ａ上に２次電子吸収膜８としてプラズマＣＶＤ
法により窒化シリコン膜を形成しＸ線露光用マスクを完
成させる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたＸ線露光用
マスクの製造方法では、シリコン基板１のバックエッチ
ングの際、Ｘ線吸収体である回路パターンを保護しなが
らエッチングするための特殊な治具を必要とし、熟練者
が一枚一枚治具に取り付けてエッチングをする必要があ
るため、スループットが上がらないという欠点や、治具
取り付けの際Ｘ線マスクを壊し、歩留りを低下させる等
の欠点があった。
マスクの製造方法では、シリコン基板１のバックエッチ
ングの際、Ｘ線吸収体である回路パターンを保護しなが
らエッチングするための特殊な治具を必要とし、熟練者
が一枚一枚治具に取り付けてエッチングをする必要があ
るため、スループットが上がらないという欠点や、治具
取り付けの際Ｘ線マスクを壊し、歩留りを低下させる等
の欠点があった。
【０００７】本発明の目的は、このような従来の欠点を
除去せしめて、スループットが良くかつ、歩留りの良い
Ｘ線露光用マスク及びその製造方法を提供することにあ
る。
除去せしめて、スループットが良くかつ、歩留りの良い
Ｘ線露光用マスク及びその製造方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明のＸ線露光用
マスクは、シリコン製の支持枠上に形成されたＸ線透過
膜と、このＸ線透過膜上に形成されたＸ線吸収体からな
る回路パターンと、この回路パターン上を含む全面に形
成された塗布酸化膜とを含むものである。
マスクは、シリコン製の支持枠上に形成されたＸ線透過
膜と、このＸ線透過膜上に形成されたＸ線吸収体からな
る回路パターンと、この回路パターン上を含む全面に形
成された塗布酸化膜とを含むものである。
【０００９】第２の発明のＸ線露光用マスクの製造方法
は、シリコン基板の表面にＸ線透過膜を介してＸ線吸収
体からなる回路パターンを形成したのち前記シリコン基
板の裏面をエッチングするＸ線露光用マスクの製造方法
において、前記回路パターン上に塗布法による酸化膜を
形成したのちシリコン基板の裏面をエッチングするもの
である。
は、シリコン基板の表面にＸ線透過膜を介してＸ線吸収
体からなる回路パターンを形成したのち前記シリコン基
板の裏面をエッチングするＸ線露光用マスクの製造方法
において、前記回路パターン上に塗布法による酸化膜を
形成したのちシリコン基板の裏面をエッチングするもの
である。
【００１０】
【作用】本発明では、シリコン基板のバックエッチング
の前に回路パターン上に塗布酸化膜を形成し、バックエ
ッチングをバッチ式で行うことによりスループットが向
上し、歩留りが良くなる。更に塗布酸化膜により回路パ
ターンが保護されるため、Ｘ線露光用マスクの取扱が簡
単になる。また、従来はＸ線露光の際Ｘ線吸収体からで
る２次電子を吸収するために２次電子吸収体膜を形成し
ていたが、塗布酸化膜が同様の働きをするため、この作
成工程を省略できる。
の前に回路パターン上に塗布酸化膜を形成し、バックエ
ッチングをバッチ式で行うことによりスループットが向
上し、歩留りが良くなる。更に塗布酸化膜により回路パ
ターンが保護されるため、Ｘ線露光用マスクの取扱が簡
単になる。また、従来はＸ線露光の際Ｘ線吸収体からで
る２次電子を吸収するために２次電子吸収体膜を形成し
ていたが、塗布酸化膜が同様の働きをするため、この作
成工程を省略できる。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例について、図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明
の一実施例を説明するためのマスクの断面図である。
ながら詳細に説明する。図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明
の一実施例を説明するためのマスクの断面図である。
【００１２】まず図１（ａ）に示すように、シリコン基
板１の上にマスク基板となる厚さ１〜数μｍの窒化シリ
コン膜２を形成する。マスク基板材料としては、炭化珪
素、窒化ホウ素、ダイヤモンド等も使用できる。次でそ
の上にＸ線吸収体としてスパッタ蒸着法で厚さ０．５〜
１μｍのタングステン膜３を形成する。Ｘ線吸収体はタ
ンタル等でもよい。次でこの上にポリイミド等の有機膜
４を塗布する。更にこの表面に電子線レジスト膜５を塗
布する。次に図１（ｂ）に示すように、電子線描画装置
で電子線レジスト膜５上に回路パターンを描画した後、
電子線レジスト膜５を現像してレジストパターン５Ａを
得る。
板１の上にマスク基板となる厚さ１〜数μｍの窒化シリ
コン膜２を形成する。マスク基板材料としては、炭化珪
素、窒化ホウ素、ダイヤモンド等も使用できる。次でそ
の上にＸ線吸収体としてスパッタ蒸着法で厚さ０．５〜
１μｍのタングステン膜３を形成する。Ｘ線吸収体はタ
ンタル等でもよい。次でこの上にポリイミド等の有機膜
４を塗布する。更にこの表面に電子線レジスト膜５を塗
布する。次に図１（ｂ）に示すように、電子線描画装置
で電子線レジスト膜５上に回路パターンを描画した後、
電子線レジスト膜５を現像してレジストパターン５Ａを
得る。
【００１３】次に図１（ｃ）に示すように、レジストパ
ターン５Ａをマスクとして有機膜４をエッチングして有
機膜パターン４Ａを形成し、さらにレジストパターン５
Ａと有機膜パターン４Ａをマスクとしてタングステン膜
３をエッチングし回路パターン３Ａを形成する。次に図
１（ｄ）に示すように、レジストパターン５Ａ及び有機
膜パターン４Ａを剥離したのち塗布酸化膜６をスピンコ
ートする。室温２０分、８０℃２０分、１５０℃２時間
の焼き締め処理を行う。次に図１（ｅ）に示すように、
シリコン基板１の裏面をエチレンジアミンとピロカテコ
ールと水の混合液等でエッチングして支持枠１Ａとして
、Ｘ線露光用マスクを完成させる。
ターン５Ａをマスクとして有機膜４をエッチングして有
機膜パターン４Ａを形成し、さらにレジストパターン５
Ａと有機膜パターン４Ａをマスクとしてタングステン膜
３をエッチングし回路パターン３Ａを形成する。次に図
１（ｄ）に示すように、レジストパターン５Ａ及び有機
膜パターン４Ａを剥離したのち塗布酸化膜６をスピンコ
ートする。室温２０分、８０℃２０分、１５０℃２時間
の焼き締め処理を行う。次に図１（ｅ）に示すように、
シリコン基板１の裏面をエチレンジアミンとピロカテコ
ールと水の混合液等でエッチングして支持枠１Ａとして
、Ｘ線露光用マスクを完成させる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、シリコン
基板のバックエッチングの前に回路パターン上に塗布酸
化膜を形成し、バックエッチングをバッチ式で行うこと
によりスループットが向上すると共に、歩留りが良くな
る。また塗布酸化膜によって吸収体パターンが保護され
るため、Ｘ線露光用マスクの取扱が容易となる。更に２
次電子吸収体膜の作成工程も省略できる。
基板のバックエッチングの前に回路パターン上に塗布酸
化膜を形成し、バックエッチングをバッチ式で行うこと
によりスループットが向上すると共に、歩留りが良くな
る。また塗布酸化膜によって吸収体パターンが保護され
るため、Ｘ線露光用マスクの取扱が容易となる。更に２
次電子吸収体膜の作成工程も省略できる。
【図１】本発明の一実施例を説明するためのマスクの断
面図である。
面図である。
【図２】Ｘ線露光の原理を示す説明図である。
【図３】従来のＸ線露光用マスクの製造方法の一例を示
すマスクの断面図である。
すマスクの断面図である。
１ シリコン基板
１Ａ 支持枠
２ 窒化シリコン膜
３ タングステン膜
３Ａ 回路パターン
４ 有機膜
４Ａ 有機膜パターン
５ 電子線レジスト膜
５Ａ レジストパターン
６ 塗布酸化膜
８ ２次電子吸収膜
１０ Ｘ線透過膜
１１ Ｘ線吸収体
１２ 被加工物
１３ Ｘ線レジスト
１４ Ｘ線
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン製の支持枠上に形成されたＸ
線透過膜と、このＸ線透過膜上に形成されたＸ線吸収体
からなる回路パターンと、この回路パターン上を含む全
面に形成された塗布酸化膜とを含むことを特徴とするＸ
線露光用マスク。 - 【請求項２】 シリコン基板の表面にＸ線透過膜を介
してＸ線吸収体からなる回路パターンを形成したのち前
記シリコン基板の裏面をエッチングするＸ線露光用マス
クの製造方法において、前記回路パターン上に塗布法に
よる酸化膜を形成したのちシリコン基板の裏面をエッチ
ングすることを特徴とするＸ線露光用マスクの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3082168A JPH04315416A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3082168A JPH04315416A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04315416A true JPH04315416A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=13766904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3082168A Pending JPH04315416A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04315416A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9977323B2 (en) | 2015-09-14 | 2018-05-22 | Toshiba Memory Corporation | Reflective mask and method for manufacturing reflective mask |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP3082168A patent/JPH04315416A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9977323B2 (en) | 2015-09-14 | 2018-05-22 | Toshiba Memory Corporation | Reflective mask and method for manufacturing reflective mask |
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