JPH04317325A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH04317325A JPH04317325A JP8489091A JP8489091A JPH04317325A JP H04317325 A JPH04317325 A JP H04317325A JP 8489091 A JP8489091 A JP 8489091A JP 8489091 A JP8489091 A JP 8489091A JP H04317325 A JPH04317325 A JP H04317325A
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- lower electrode
- semiconductor substrate
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- part electrode
- etching
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置に
関し、特にプラズマを用いたエッチング装置に関するも
のである。
関し、特にプラズマを用いたエッチング装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の半導体装置の製造装置に
ついて、図面を参照して説明する。図３は従来のエッチ
ング装置の構成図である。チャンバー９内に下部電極２
ａと上部電極６がある。下部電極２ａ上に半導体基板５
が乗り、半導体基板５で覆われていない下部電極２ａの
周辺領域は、下部電極カバー３で覆われている。ガス導
入口７よりガスがチャンバー９内に導入され、排気口８
より反応生成物等が排気され、チャンバー９内はある一
定圧力に安定する。そこに、上部電極６と下部電極２ａ
との間に高周波を印加するとプラズマが発生し、半導体
基板５がエッチングされる。また、同時に下部電極カバ
ー３もエッチングされる。半導体基板５の表面の高さと
下部電極カバー３の表面の高さは、半導体基板５の方が
若干低い場合、半導体基板５をエッチングする時の面内
均一性が一番良いことが知られている。しかし、半導体
基板５と下部電極カバー３とのエッチング速度を等しく
する事が困難な為、長時間エッチングを行うと半導体基
板５の表面の高さと下部電極カバー３の表面の高さにず
れが生じてくる。それに伴って半導体基板５をエッチン
グする時の面内均一性が悪化し、半導体装置の歩留り低
下をもたらす。
ついて、図面を参照して説明する。図３は従来のエッチ
ング装置の構成図である。チャンバー９内に下部電極２
ａと上部電極６がある。下部電極２ａ上に半導体基板５
が乗り、半導体基板５で覆われていない下部電極２ａの
周辺領域は、下部電極カバー３で覆われている。ガス導
入口７よりガスがチャンバー９内に導入され、排気口８
より反応生成物等が排気され、チャンバー９内はある一
定圧力に安定する。そこに、上部電極６と下部電極２ａ
との間に高周波を印加するとプラズマが発生し、半導体
基板５がエッチングされる。また、同時に下部電極カバ
ー３もエッチングされる。半導体基板５の表面の高さと
下部電極カバー３の表面の高さは、半導体基板５の方が
若干低い場合、半導体基板５をエッチングする時の面内
均一性が一番良いことが知られている。しかし、半導体
基板５と下部電極カバー３とのエッチング速度を等しく
する事が困難な為、長時間エッチングを行うと半導体基
板５の表面の高さと下部電極カバー３の表面の高さにず
れが生じてくる。それに伴って半導体基板５をエッチン
グする時の面内均一性が悪化し、半導体装置の歩留り低
下をもたらす。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置の製造装置の場合、半導体基板の表面の高さと半導
体基板で覆われていない下部電極の周辺領域を覆ってい
る下部電極カバーの表面の高さを任意に変更できなかっ
た為、長時間エッチングを行うと、双方の表面の高さの
関係が最良値からずれる。この事により、半導体基板を
エッチングする時の面内均一性が悪化し、半導体装置の
歩留り低下をもたらす問題があった。
装置の製造装置の場合、半導体基板の表面の高さと半導
体基板で覆われていない下部電極の周辺領域を覆ってい
る下部電極カバーの表面の高さを任意に変更できなかっ
た為、長時間エッチングを行うと、双方の表面の高さの
関係が最良値からずれる。この事により、半導体基板を
エッチングする時の面内均一性が悪化し、半導体装置の
歩留り低下をもたらす問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の装置は、下部電
極が中央領域の下部電極可動部とその周辺領域の下部電
極固定部とに２分割され、下部電極可動部上に置かれた
半導体基板表面の高さと、半導体基板の覆っていない下
部電極固定部の表面を覆う下部電極カバー表面の高さと
の差を任意に調節できる高さ調節機構を備えている。
極が中央領域の下部電極可動部とその周辺領域の下部電
極固定部とに２分割され、下部電極可動部上に置かれた
半導体基板表面の高さと、半導体基板の覆っていない下
部電極固定部の表面を覆う下部電極カバー表面の高さと
の差を任意に調節できる高さ調節機構を備えている。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の実施例１の構成図である。本実施例は
、チャンバー９内に下部電極固定部２，下部電極可動部
１と上部電極６がある。下部電極可動部１上に半導体基
板５が乗り、下部電極固定部２上は下部電極カバー３で
覆われている。下部電極固定部２と下部電極可動部１は
電気的に導通がある。下部電極可動部１は、下部電極固
定部２内にねじ込まれ、図示していない回転機構により
上下に任意に移動でき、かつ固定させる事ができる。
。図１は本発明の実施例１の構成図である。本実施例は
、チャンバー９内に下部電極固定部２，下部電極可動部
１と上部電極６がある。下部電極可動部１上に半導体基
板５が乗り、下部電極固定部２上は下部電極カバー３で
覆われている。下部電極固定部２と下部電極可動部１は
電気的に導通がある。下部電極可動部１は、下部電極固
定部２内にねじ込まれ、図示していない回転機構により
上下に任意に移動でき、かつ固定させる事ができる。
【０００６】次に、その動作について説明する。半導体
基板５の表面の高さが、下部電極カバー３の表面の高さ
より１ｍｍ低い位置にする。ガス導入口７よりＣＦ４
ガス８０ｓｃｃｍを導入し、排気口８より排気してチャ
ンバー９内の圧力を５Ｐａに維持する。上下電極間に１
０００Ｗの高周波を印加すると、半導体基板５に相当す
るシリコン基板上のシリコンナイトライド膜は約７００
オングストローム／分でエッチングされる。その時のエ
ッチング面内均一性は２％である。長時間エッチングを
行うと、下部電極カバー３に相当する樹脂板は約３００
オングストローム／分でエッチングされる為、徐々に半
導体基板５の表面と下部電極カバー表面との高さが１ｍ
ｍ以上になり、エッチング面内均一性が徐々に悪化して
いく。そこで下部電極可動部１を下部電極固定部２内で
上方に移動させることによって、半導体基板５表面の高
さを常時、下部電極カバー３表面の高さより１ｍｍ低い
位置に維持する事ができ、こうする事により、常時、エ
ッチング面内均一性を数％に維持する事ができる。
基板５の表面の高さが、下部電極カバー３の表面の高さ
より１ｍｍ低い位置にする。ガス導入口７よりＣＦ４
ガス８０ｓｃｃｍを導入し、排気口８より排気してチャ
ンバー９内の圧力を５Ｐａに維持する。上下電極間に１
０００Ｗの高周波を印加すると、半導体基板５に相当す
るシリコン基板上のシリコンナイトライド膜は約７００
オングストローム／分でエッチングされる。その時のエ
ッチング面内均一性は２％である。長時間エッチングを
行うと、下部電極カバー３に相当する樹脂板は約３００
オングストローム／分でエッチングされる為、徐々に半
導体基板５の表面と下部電極カバー表面との高さが１ｍ
ｍ以上になり、エッチング面内均一性が徐々に悪化して
いく。そこで下部電極可動部１を下部電極固定部２内で
上方に移動させることによって、半導体基板５表面の高
さを常時、下部電極カバー３表面の高さより１ｍｍ低い
位置に維持する事ができ、こうする事により、常時、エ
ッチング面内均一性を数％に維持する事ができる。
【０００７】図２は本発明の実施例２の構成図である。
チャンバー９内に下部電極固定部２，下部電極可動部１
と上部電極６がある。下部電極可動部１上に半導体基板
５が乗り、下部電極固定部２上は、下部電極カバー３で
覆われている。下部電極固定部２と下部電極可動部１は
電気的に完全に導通がある。下部電極可動部１は下部電
極固定部２内を上下運動させる事ができ、それを行う為
に下部電極可動機構部４が設けてある。ガス導入口７よ
りＣＦ４ ガス８０ｓｃｃｍ導入し、排気口８より排気
してチャンバー９内の圧力を５Ｐａに維持する。上下電
極間に１０００Ｗの高周波を印加すると、上下電極間に
プラズマが発生し、半導体基板５に相当するシリコン基
板上のシリコンナイトライド膜はエッチングされる。そ
のエッチング時に、下部電極可動機構部４を用いて下部
電極可動部１を下部電極固定部２内を１０周期／分で±
２ｍｍの範囲で上下させると、させなかった場合よりエ
ッチグ面内均一性が約２０％向上する。
と上部電極６がある。下部電極可動部１上に半導体基板
５が乗り、下部電極固定部２上は、下部電極カバー３で
覆われている。下部電極固定部２と下部電極可動部１は
電気的に完全に導通がある。下部電極可動部１は下部電
極固定部２内を上下運動させる事ができ、それを行う為
に下部電極可動機構部４が設けてある。ガス導入口７よ
りＣＦ４ ガス８０ｓｃｃｍ導入し、排気口８より排気
してチャンバー９内の圧力を５Ｐａに維持する。上下電
極間に１０００Ｗの高周波を印加すると、上下電極間に
プラズマが発生し、半導体基板５に相当するシリコン基
板上のシリコンナイトライド膜はエッチングされる。そ
のエッチング時に、下部電極可動機構部４を用いて下部
電極可動部１を下部電極固定部２内を１０周期／分で±
２ｍｍの範囲で上下させると、させなかった場合よりエ
ッチグ面内均一性が約２０％向上する。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、下部電極
上にある半導体基板の表面の高さと、下部電極で半導体
基板が乗っていない周辺領域の表面を覆っている下部電
極カバーの表面の高さとの差を任意に調節できる機構を
備えている事で、長時間エッチングを行っても半導体基
板の表面の高さを常時一定に保つ事ができ、エッチング
面内均一性を悪化させることなく維持でき、半導体装置
の製造歩留りの向上に効果がある。
上にある半導体基板の表面の高さと、下部電極で半導体
基板が乗っていない周辺領域の表面を覆っている下部電
極カバーの表面の高さとの差を任意に調節できる機構を
備えている事で、長時間エッチングを行っても半導体基
板の表面の高さを常時一定に保つ事ができ、エッチング
面内均一性を悪化させることなく維持でき、半導体装置
の製造歩留りの向上に効果がある。
【図１】本発明の実施例１の構成図である。
【図２】本発明の実施例２の構成図である。
【図３】従来装置の構成図である。
１ 下部電極可動部
２ 下部電極固定部
３ 下部電極カバー
４ 下部電極可動機構部
５ 半導体基板
６ 上部電極
７ ガス導入口
８ 排気口
９ チャンバー
Claims (1)
- 【請求項１】 下部電極上に半導体基板を載置し、上
部電極との間にプラズマを発生させてエッチングを行う
半導体装置の製造装置において、下部電極は可動部とな
る中央領域と固定部となるその周辺領域とに２分割され
、前記可動部上に置かれた半導体基板表面の高さと、半
導体基板のない前記固定部表面を覆う下部電極カバー表
面の高さとの差を調節する高さ調節機構を有することを
特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8489091A JPH04317325A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8489091A JPH04317325A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04317325A true JPH04317325A (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=13843351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8489091A Pending JPH04317325A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04317325A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8138444B2 (en) | 2008-04-03 | 2012-03-20 | Tes Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| WO2015169385A1 (de) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten |
| US11569070B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-01-31 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11600469B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-03-07 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11600466B2 (en) | 2018-06-26 | 2023-03-07 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus, plasma processing method, and memory medium |
| US11626270B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-04-11 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11961710B2 (en) | 2017-06-27 | 2024-04-16 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
-
1991
- 1991-04-17 JP JP8489091A patent/JPH04317325A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8138444B2 (en) | 2008-04-03 | 2012-03-20 | Tes Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| US10707059B2 (en) | 2014-05-09 | 2020-07-07 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Method and device for plasma treatment of substrates |
| KR20170002396A (ko) * | 2014-05-09 | 2017-01-06 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 기판의 플라즈마 처리 방법 및 장치 |
| JP2017520080A (ja) * | 2014-05-09 | 2017-07-20 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 基板をプラズマ処理するための方法及び装置 |
| CN107078013A (zh) * | 2014-05-09 | 2017-08-18 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 用于衬底的等离子体处理的方法和装置 |
| TWI677006B (zh) * | 2014-05-09 | 2019-11-11 | 奧地利商Ev集團E塔那有限公司 | 用於基板之電漿處理之方法及裝置 |
| WO2015169385A1 (de) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten |
| US11569070B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-01-31 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11600469B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-03-07 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11626270B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-04-11 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11756773B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-09-12 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11784030B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-10-10 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11961710B2 (en) | 2017-06-27 | 2024-04-16 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11600466B2 (en) | 2018-06-26 | 2023-03-07 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus, plasma processing method, and memory medium |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991207 |