JPH1098022A - ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング装置及びドライエッチング方法Info
- Publication number
- JPH1098022A JPH1098022A JP8249960A JP24996096A JPH1098022A JP H1098022 A JPH1098022 A JP H1098022A JP 8249960 A JP8249960 A JP 8249960A JP 24996096 A JP24996096 A JP 24996096A JP H1098022 A JPH1098022 A JP H1098022A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dry etching
- etching
- plasma
- electrodes
- etched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
- H01J37/32963—End-point detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
- H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
- H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/73—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
- H10P72/0421—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】良好なエッチング均一性、エッチング形状及び
エッチング再現性を得ることができ、かつパーティクル
の発生を防止でき、量産性に優れたドライエッチング装
置及びドライエッチング方法を提供する。 【解決手段】所定間隔を隔てて対向して配置された電極
３、４を備え、反応性ガスを導入して電極３、４間にプ
ラズマを発生させ、被エッチング材１をドライエッチン
グする。プラズマにさらされる領域はＡｌを含まない材
科で作られ、かつ、反応性ガスとしてＣＦ4のガスだけ
を用いる。電極３、４間にプラズマを閉じこめるための
リング状のカバー６が設けられているので、被エッチン
グ材１以外でプラズマにさらされる領域が極力少なくな
り、パーティクル対策として有効である。
エッチング再現性を得ることができ、かつパーティクル
の発生を防止でき、量産性に優れたドライエッチング装
置及びドライエッチング方法を提供する。 【解決手段】所定間隔を隔てて対向して配置された電極
３、４を備え、反応性ガスを導入して電極３、４間にプ
ラズマを発生させ、被エッチング材１をドライエッチン
グする。プラズマにさらされる領域はＡｌを含まない材
科で作られ、かつ、反応性ガスとしてＣＦ4のガスだけ
を用いる。電極３、４間にプラズマを閉じこめるための
リング状のカバー６が設けられているので、被エッチン
グ材１以外でプラズマにさらされる領域が極力少なくな
り、パーティクル対策として有効である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造工
程に用いられるドライエッチング装置及びドライエッチ
ング方法に関し、特に、半導体基板上に堆積された窒化
シリコン膜をドライエッチングする装置及び方法に関す
る。
程に用いられるドライエッチング装置及びドライエッチ
ング方法に関し、特に、半導体基板上に堆積された窒化
シリコン膜をドライエッチングする装置及び方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置の製造においては、
複数個の素子間を電気的に分離する工程が行われる。こ
の素子分離工程では、窒化シリコン膜をドライエッチン
グする方法が広く用いられている。
複数個の素子間を電気的に分離する工程が行われる。こ
の素子分離工程では、窒化シリコン膜をドライエッチン
グする方法が広く用いられている。
【０００３】図６は、従来のドライエッチング方法を説
明するための説明図である。図６（Ａ）に示すように、
被エッチング材は、半導体基板４０を熱酸化処理して酸
化シリコン膜４１を形成し、その酸化シリコン膜４１上
に窒化シリコン膜４２を被覆し、その窒化シリコン膜４
２上にフォトレジスト４３を塗布した後、周知のリソグ
ラフィ技術によりレジストパターンを形成して、作られ
ている。
明するための説明図である。図６（Ａ）に示すように、
被エッチング材は、半導体基板４０を熱酸化処理して酸
化シリコン膜４１を形成し、その酸化シリコン膜４１上
に窒化シリコン膜４２を被覆し、その窒化シリコン膜４
２上にフォトレジスト４３を塗布した後、周知のリソグ
ラフィ技術によりレジストパターンを形成して、作られ
ている。
【０００４】この被エッチング材を平行平板型ＲＩＥ装
置（反応性イオンエッチング装置）を用いて、図６
（Ｂ）に示すように窒化シリコン膜４２をドライエッチ
ングする。次いで、フォトレジスト４３を除去し、熱酸
化処理を行い、窒化シリコン膜４２、酸化シリコン膜４
１を除去することにより図６（Ｃ）に示すように、半導
体基板４０に素子分離領域４４が完成する。
置（反応性イオンエッチング装置）を用いて、図６
（Ｂ）に示すように窒化シリコン膜４２をドライエッチ
ングする。次いで、フォトレジスト４３を除去し、熱酸
化処理を行い、窒化シリコン膜４２、酸化シリコン膜４
１を除去することにより図６（Ｃ）に示すように、半導
体基板４０に素子分離領域４４が完成する。
【０００５】窒化シリコン膜４２をドライエッチングす
るときに用いられるエッチングガスとしては、従来か
ら、フルオロカーボンガスを含むガス系、例えばＣＨＦ
3／Ｏ2、ＣＦ4／ＣＨＦ3、特開平５−２５１３９９号公
報に開示されているＳＦ6／ＣＨＦ3、特開昭５６−１２
２１２９号公報に開示されているＣＦ4／Ｈ2、特開平１
−２１４０２５号公報に開示されているＣＦ4／Ｎ2、特
開昭６３ー４１９８７号公報に開示されているＣＦ4／
Ｏ2等が用いられている。
るときに用いられるエッチングガスとしては、従来か
ら、フルオロカーボンガスを含むガス系、例えばＣＨＦ
3／Ｏ2、ＣＦ4／ＣＨＦ3、特開平５−２５１３９９号公
報に開示されているＳＦ6／ＣＨＦ3、特開昭５６−１２
２１２９号公報に開示されているＣＦ4／Ｈ2、特開平１
−２１４０２５号公報に開示されているＣＦ4／Ｎ2、特
開昭６３ー４１９８７号公報に開示されているＣＦ4／
Ｏ2等が用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のドライエッチン
グ装置及びドライエッチング方法には、次のような問題
があった。 （１）ＣＨＦ3／Ｏ2、ＣＦ4／ＣＨＦ3、ＳＦ6／ＣＨＦ3
を用いた場合、デポ性を有するＣＨＦ3ガスをエッチン
グに用いているので、半導体基板面内のエッチングとデ
ポの釣り合いにばらつきが生じてしまい、良好なエッチ
ング均一性が得られない。本出願の発明者の実験結果に
よれば、これらＣＨＦ3を用いたガス系でのエッチング
では８インチシリコン基板において±１０％以下の均一
性（周辺３mm）を得ることができなかった。 （２）窒化シリコン膜のドライエッチングに、ＣＦ4／
Ｎ2、ＣＦ4／Ｏ2を用いた場合、Ｎ2、Ｏ2を添加したた
めフォトレジスト２３との選択比が低下してしまい、所
望の寸法を得ることが難しく、寸法調整が困難になる。 （３）従来のドライエッチング装置のエッチング室内の
ガス供給板等はＡｌ、アルマイト等で作られている。そ
のため、ガス供給板等がプラズマにさらされることによ
りエッチングガスに含まれるフッ素とＡｌが反応してパ
ーティクルが発生するという不都合がある。本出願の発
明者の実験結果によれば、例えばガス供給板の材質とし
てＡｌ、アルマイトを適用してエッチングを行った場
合、ある程度の枚数を処理した時点、例えばＳＦ6／Ｃ
ＨＦ3系では累積の放電時間で４０時間程度でパーティ
クルが急激に増加した。 （４）窒化シリコン膜のドライエッチングにおいては、
下地膜である酸化シリコン膜を残す工程（以下、この工
程をＬＯＣＯＳプロセスという。）と、窒化シリコン
膜、酸化シリコン膜、さらにはその下の半導体基板（シ
リコン基板）を数十nm（５０〜７０nm）エッチングする
工程（以下、この工程をＲＥＣＥＳＳプロセスとい
う。）とがあるが、従来のドライエッチング方法では、
両工程を１つのガス系で兼用することが困難である。
グ装置及びドライエッチング方法には、次のような問題
があった。 （１）ＣＨＦ3／Ｏ2、ＣＦ4／ＣＨＦ3、ＳＦ6／ＣＨＦ3
を用いた場合、デポ性を有するＣＨＦ3ガスをエッチン
グに用いているので、半導体基板面内のエッチングとデ
ポの釣り合いにばらつきが生じてしまい、良好なエッチ
ング均一性が得られない。本出願の発明者の実験結果に
よれば、これらＣＨＦ3を用いたガス系でのエッチング
では８インチシリコン基板において±１０％以下の均一
性（周辺３mm）を得ることができなかった。 （２）窒化シリコン膜のドライエッチングに、ＣＦ4／
Ｎ2、ＣＦ4／Ｏ2を用いた場合、Ｎ2、Ｏ2を添加したた
めフォトレジスト２３との選択比が低下してしまい、所
望の寸法を得ることが難しく、寸法調整が困難になる。 （３）従来のドライエッチング装置のエッチング室内の
ガス供給板等はＡｌ、アルマイト等で作られている。そ
のため、ガス供給板等がプラズマにさらされることによ
りエッチングガスに含まれるフッ素とＡｌが反応してパ
ーティクルが発生するという不都合がある。本出願の発
明者の実験結果によれば、例えばガス供給板の材質とし
てＡｌ、アルマイトを適用してエッチングを行った場
合、ある程度の枚数を処理した時点、例えばＳＦ6／Ｃ
ＨＦ3系では累積の放電時間で４０時間程度でパーティ
クルが急激に増加した。 （４）窒化シリコン膜のドライエッチングにおいては、
下地膜である酸化シリコン膜を残す工程（以下、この工
程をＬＯＣＯＳプロセスという。）と、窒化シリコン
膜、酸化シリコン膜、さらにはその下の半導体基板（シ
リコン基板）を数十nm（５０〜７０nm）エッチングする
工程（以下、この工程をＲＥＣＥＳＳプロセスとい
う。）とがあるが、従来のドライエッチング方法では、
両工程を１つのガス系で兼用することが困難である。
【０００７】例えばＣＨＦ3／Ｏ2、ＣＦ4／Ｈ2を用いた
場合、ＲＥＣＥＳＳプロセスにおいてＳｉのエッチレー
トが得られないため量産性に問題がある。ＣＦ4／ＣＨ
Ｆ3をＬＯＣＯＳプロセスに用いた場合、エッチング均
一性が悪いために窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との
界面でのエッチング終点検出が劣るために酸化シリコン
膜を残すことが困難になる。ＳＦ6／ＣＨＦ3を用いた場
合、ＲＥＣＥＳＳプロセスにおいて半導体基板（シリコ
ン基板）のエッチレートが数百nm／minと非常に高いた
めに、半導体基板（シリコン基板）を数十nmエッチング
するような場合、制御性、再現性が乏しいという問題が
ある。ＣＦ4／Ｎ2、ＣＦ4／Ｏ2を用いた場合、両工程に
おいて量産性、再現性は問題ないが、前述したように、
寸法調整の点で問題がある。
場合、ＲＥＣＥＳＳプロセスにおいてＳｉのエッチレー
トが得られないため量産性に問題がある。ＣＦ4／ＣＨ
Ｆ3をＬＯＣＯＳプロセスに用いた場合、エッチング均
一性が悪いために窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との
界面でのエッチング終点検出が劣るために酸化シリコン
膜を残すことが困難になる。ＳＦ6／ＣＨＦ3を用いた場
合、ＲＥＣＥＳＳプロセスにおいて半導体基板（シリコ
ン基板）のエッチレートが数百nm／minと非常に高いた
めに、半導体基板（シリコン基板）を数十nmエッチング
するような場合、制御性、再現性が乏しいという問題が
ある。ＣＦ4／Ｎ2、ＣＦ4／Ｏ2を用いた場合、両工程に
おいて量産性、再現性は問題ないが、前述したように、
寸法調整の点で問題がある。
【０００８】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
であり、ＬＯＣＯＳプロセスとＲＥＣＥＳＳプロセスの
両プロセスにおいて、良好なエッチング均一性、エッチ
ング形状及びエッチング再現性を得ることができ、かつ
パーティクルの発生を防止でき、量産性に優れたドライ
エッチング装置及びドライエッチング方法を提供するこ
とを目的とする。
であり、ＬＯＣＯＳプロセスとＲＥＣＥＳＳプロセスの
両プロセスにおいて、良好なエッチング均一性、エッチ
ング形状及びエッチング再現性を得ることができ、かつ
パーティクルの発生を防止でき、量産性に優れたドライ
エッチング装置及びドライエッチング方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ装置は、所定間隔を隔てて対向して配置された電極を
備え、反応性ガスを導入して電極間にプラズマを発生さ
せ、被エッチング材をドライエッチングする装置であっ
て、プラズマにさらされる領域は、Ａｌを含まない材科
で作られ、かつ、反応性ガスとしてＣＦ4のガスだけを
用いることを特徴とするものである。
グ装置は、所定間隔を隔てて対向して配置された電極を
備え、反応性ガスを導入して電極間にプラズマを発生さ
せ、被エッチング材をドライエッチングする装置であっ
て、プラズマにさらされる領域は、Ａｌを含まない材科
で作られ、かつ、反応性ガスとしてＣＦ4のガスだけを
用いることを特徴とするものである。
【００１０】本発明によれば、反応性ガスとしてＣＦ4
のガスだけを用いているので、良好なエッチング均一
性、エッチング形状及びエッチング再現性を得ることが
でき、量産性に優れたエッチングを行うことができる。
のガスだけを用いているので、良好なエッチング均一
性、エッチング形状及びエッチング再現性を得ることが
でき、量産性に優れたエッチングを行うことができる。
【００１１】また、プラズマにさらされる領域はＡｌを
含まない材科で作られているので、パーティクルの発生
を防止できる。
含まない材科で作られているので、パーティクルの発生
を防止できる。
【００１２】本発明は又、電極間にプラズマを閉じこめ
るためのカバーが設けられているのが好ましい。この場
合には、被エッチング材以外でプラズマにさらされる領
域が極力少なくなり、パーティクル対策としてより有効
である。カバーは、一方の電極に設けられ、他方の電極
の周囲を覆うようにリング状に形成される。
るためのカバーが設けられているのが好ましい。この場
合には、被エッチング材以外でプラズマにさらされる領
域が極力少なくなり、パーティクル対策としてより有効
である。カバーは、一方の電極に設けられ、他方の電極
の周囲を覆うようにリング状に形成される。
【００１３】カバーはボリイミド等の有機系材料で作ら
れ、ガス供給板はＳｉで作られるのが好ましい。
れ、ガス供給板はＳｉで作られるのが好ましい。
【００１４】被エッチング材が載置される電極に接続さ
れる高周波電源の周波数は、１３．５６ＭＨｚである。
れる高周波電源の周波数は、１３．５６ＭＨｚである。
【００１５】本発明のドライエッチング方法は、所定間
隔を隔てて対向して配置された電極を備え、反応性ガス
を導入して電極間にプラズマを発生させ、プラズマにさ
らされる領域にＡｌを含まないドライエッチング装置に
よって、ＣＦ4の反応性ガスだけを用いて被エッチング
材をエッチングすることを特徴とするものである。
隔を隔てて対向して配置された電極を備え、反応性ガス
を導入して電極間にプラズマを発生させ、プラズマにさ
らされる領域にＡｌを含まないドライエッチング装置に
よって、ＣＦ4の反応性ガスだけを用いて被エッチング
材をエッチングすることを特徴とするものである。
【００１６】プラズマの発光波長３８８nmの発光強度を
モニターしながらエッチングの終点を検出し、エッチン
グ制御を行う場合には、波長３８８nmの発光強度の変化
量は大きいので、エッチングの終点を高精度に検出する
ことができる。
モニターしながらエッチングの終点を検出し、エッチン
グ制御を行う場合には、波長３８８nmの発光強度の変化
量は大きいので、エッチングの終点を高精度に検出する
ことができる。
【００１７】電極温度については、窒化シリコン膜のエ
ッチング形状を垂直に維持すること、エッチング室内に
生ずるデポ物の抑制、カバーの耐熱性等を考慮すると、
電極温度が３０〜５０℃の範囲であり、かつ各電極の電
極温度が同一であることが好ましい。
ッチング形状を垂直に維持すること、エッチング室内に
生ずるデポ物の抑制、カバーの耐熱性等を考慮すると、
電極温度が３０〜５０℃の範囲であり、かつ各電極の電
極温度が同一であることが好ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態に係る
ドライエッチング装置及びドライエッチング方法を図面
を参照しながら説明する。
ドライエッチング装置及びドライエッチング方法を図面
を参照しながら説明する。
【００１９】図１に示すように、本発明のドライエッチ
ング装置は、被エッチング材１を収納するエッチング室
２を有する。エッチング室２の内部には、上部電極３と
下部電極４が所定間隔を隔てて上下に対向して配置され
る。上部電極３にはエッチング室２内にガスを供給する
ためのガス供給板５と、電極３、４間にプラズマを閉じ
こめるためのアノード（陽極）カバー６が取り付けられ
ている。ガス供給板５には多数のガス供給孔５ａが形成
される。アノードカバー６は、上部電極３の周縁部に設
けられ、かつ、下部電極４の周囲を覆うようにリング状
に形成されている。
ング装置は、被エッチング材１を収納するエッチング室
２を有する。エッチング室２の内部には、上部電極３と
下部電極４が所定間隔を隔てて上下に対向して配置され
る。上部電極３にはエッチング室２内にガスを供給する
ためのガス供給板５と、電極３、４間にプラズマを閉じ
こめるためのアノード（陽極）カバー６が取り付けられ
ている。ガス供給板５には多数のガス供給孔５ａが形成
される。アノードカバー６は、上部電極３の周縁部に設
けられ、かつ、下部電極４の周囲を覆うようにリング状
に形成されている。
【００２０】下部電極４にはマッチングボックス７を介
して高周波電源８が接続されている。高周波電源８の周
波数は、１３．５６ＭＨｚである。被エッチング材１
は、下部電極４上に載置される。また上部電極３及び下
部電極４の温度制御は各電極に接続されているチラー
９、１０で行われる。
して高周波電源８が接続されている。高周波電源８の周
波数は、１３．５６ＭＨｚである。被エッチング材１
は、下部電極４上に載置される。また上部電極３及び下
部電極４の温度制御は各電極に接続されているチラー
９、１０で行われる。
【００２１】本発明のドライエッチング装置では、プラ
ズマにさらされる領域は、Ａｌを含まない材科で作られ
ている。例えば、上記ガス供給板５はＳｉで作られ、ア
ノードカバー６はポリイミド等の有機材料で作られてい
る。また、反応性ガスとしては、ＣＦ4のガスだけを単
独で用いられ、ガス供給装置１１からガス供給孔５ａを
介してエッチング室１に導入される。
ズマにさらされる領域は、Ａｌを含まない材科で作られ
ている。例えば、上記ガス供給板５はＳｉで作られ、ア
ノードカバー６はポリイミド等の有機材料で作られてい
る。また、反応性ガスとしては、ＣＦ4のガスだけを単
独で用いられ、ガス供給装置１１からガス供給孔５ａを
介してエッチング室１に導入される。
【００２２】本発明のドライエッチング装置は又、図４
に示すように、プラズマの発光のうちＣＮの波長３８８
nmのスペクトルの発光強度を光センサ１２からの検出信
号に基づき、エッチングの終点を検出するエッチング制
御装置１３が設けられている。波長３８８nmの発光強度
の変化量は大きいので、エッチングの終点を高精度に検
出することができ、信頼性の高いエッチングが可能とな
る。
に示すように、プラズマの発光のうちＣＮの波長３８８
nmのスペクトルの発光強度を光センサ１２からの検出信
号に基づき、エッチングの終点を検出するエッチング制
御装置１３が設けられている。波長３８８nmの発光強度
の変化量は大きいので、エッチングの終点を高精度に検
出することができ、信頼性の高いエッチングが可能とな
る。
【００２３】図２は、ＬＯＣＯＳプロセスにおける本発
明のドライエッチング方法を説明するための説明図であ
る。図２（Ａ）に示すように、被エッチング材１は、半
導体基板２０を熱酸化処理して約４０nmの酸化シリコン
膜２１を形成し、その酸化シリコン膜２１上に約１２０
nmの窒化シリコン膜２２を被覆し、その窒化シリコン膜
２２上にフォトレジスト２３を塗布した後、周知のリソ
グラフィ技術によりレジストパターンを形成して、作ら
れている。
明のドライエッチング方法を説明するための説明図であ
る。図２（Ａ）に示すように、被エッチング材１は、半
導体基板２０を熱酸化処理して約４０nmの酸化シリコン
膜２１を形成し、その酸化シリコン膜２１上に約１２０
nmの窒化シリコン膜２２を被覆し、その窒化シリコン膜
２２上にフォトレジスト２３を塗布した後、周知のリソ
グラフィ技術によりレジストパターンを形成して、作ら
れている。
【００２４】この被エッチング材１を図１に示す本発明
のドライエッチング装置を用いてドライエッチングを行
う。エッチング条件は ＣＦ4：５０〜１００sccm 圧力：１０〜２０Ｐａ ＲＦパワー密度：１.２３〜１.８５W／ｃm2 の条件の範囲の適当な組み合わせで行われる。
のドライエッチング装置を用いてドライエッチングを行
う。エッチング条件は ＣＦ4：５０〜１００sccm 圧力：１０〜２０Ｐａ ＲＦパワー密度：１.２３〜１.８５W／ｃm2 の条件の範囲の適当な組み合わせで行われる。
【００２５】まず、図２（Ｂ）に示すように窒化シリコ
ン膜２２をドライエッチングする。この時、発光波長３
８８nmをモニターすることにより図２（Ｂ）に示すよう
に窒化シリコン膜２２と酸化シリコン膜２１の界面でエ
ッチングを止めることが可能である。次いで、フォトレ
ジスト２３を除去し、熱酸化処理を行い、窒化シリコン
膜２２、酸化シリコン膜２１を除去することにより図２
（Ｃ）に示すように、半導体基板２０に素子分離領域２
４が完成する。
ン膜２２をドライエッチングする。この時、発光波長３
８８nmをモニターすることにより図２（Ｂ）に示すよう
に窒化シリコン膜２２と酸化シリコン膜２１の界面でエ
ッチングを止めることが可能である。次いで、フォトレ
ジスト２３を除去し、熱酸化処理を行い、窒化シリコン
膜２２、酸化シリコン膜２１を除去することにより図２
（Ｃ）に示すように、半導体基板２０に素子分離領域２
４が完成する。
【００２６】窒化シリコン膜２２のエッチングに関し、
更に第２段階として、 ＣＦ4：５０〜１００sccm 圧力：１０〜２０Ｐａ ＲＦパワー密度：０.３１〜０.６２ W／ｃm2 の条件の範囲の適当な組合せで２０〜３０secエッチン
グを行えば、窒化シリコン膜２２の残部を生じることの
ない信頼性の高いエッチングが可能となる。
更に第２段階として、 ＣＦ4：５０〜１００sccm 圧力：１０〜２０Ｐａ ＲＦパワー密度：０.３１〜０.６２ W／ｃm2 の条件の範囲の適当な組合せで２０〜３０secエッチン
グを行えば、窒化シリコン膜２２の残部を生じることの
ない信頼性の高いエッチングが可能となる。
【００２７】また、電極温度については、窒化シリコン
膜２２のエッチング形状を垂直に維持すること、エッチ
ング室２内に生ずるデポ物の抑制、アノードカバー６の
耐熱性等を考慮すると、電極温度が３０〜５０℃の範囲
であり、かつ２枚の各電極３、４の電極温度が同一であ
ることが好ましい。
膜２２のエッチング形状を垂直に維持すること、エッチ
ング室２内に生ずるデポ物の抑制、アノードカバー６の
耐熱性等を考慮すると、電極温度が３０〜５０℃の範囲
であり、かつ２枚の各電極３、４の電極温度が同一であ
ることが好ましい。
【００２８】図３は、ＲＥＣＥＳＳプロセスにおける本
発明のドライエッチング方法を説明するための説明図で
ある。図３（Ａ）に示すように、被エッチング材は、半
導体基板３０を熱酸化処理して約４０nmの酸化シリコン
膜３１を形成し、その酸化シリコン膜３１上に約１２０
nmの窒化シリコン膜３２を被覆し、その窒化シリコン膜
３２上にフォトレジスト３３を塗布した後、周知のリソ
グラフィ技術によりレジストパターンを形成して、作ら
れている。
発明のドライエッチング方法を説明するための説明図で
ある。図３（Ａ）に示すように、被エッチング材は、半
導体基板３０を熱酸化処理して約４０nmの酸化シリコン
膜３１を形成し、その酸化シリコン膜３１上に約１２０
nmの窒化シリコン膜３２を被覆し、その窒化シリコン膜
３２上にフォトレジスト３３を塗布した後、周知のリソ
グラフィ技術によりレジストパターンを形成して、作ら
れている。
【００２９】この被エッチング材を図１に示す本発明の
ドライエッチング装置を用いてドライエッチングを行
う。エッチング条件は ＣＦ4：５０〜１００sccm 圧力：１０〜２０Ｐａ ＲＦパワー密度：１．２３〜１.８５W／ｃm2 の範囲の適当な細み合わせでエッチングを行う。
ドライエッチング装置を用いてドライエッチングを行
う。エッチング条件は ＣＦ4：５０〜１００sccm 圧力：１０〜２０Ｐａ ＲＦパワー密度：１．２３〜１.８５W／ｃm2 の範囲の適当な細み合わせでエッチングを行う。
【００３０】図５は上述したエッチング条件でエッチン
グを行い、発光波長３８８nmの発光強度の経時変化を示
すグラフである。図５からわかるように、発光強度が２
度急激に減少しており、１度目は窒化シリコン膜３２と
酸化シリコン膜３１の界面、２度目は酸化シリコン膜３
１と半導体基板３０の界面で変化していることがわか
る。この２度の発光強度の変化のモニターを前述したエ
ッチング制御装置１３によって行えば所望のエッチング
が可能である。
グを行い、発光波長３８８nmの発光強度の経時変化を示
すグラフである。図５からわかるように、発光強度が２
度急激に減少しており、１度目は窒化シリコン膜３２と
酸化シリコン膜３１の界面、２度目は酸化シリコン膜３
１と半導体基板３０の界面で変化していることがわか
る。この２度の発光強度の変化のモニターを前述したエ
ッチング制御装置１３によって行えば所望のエッチング
が可能である。
【００３１】例えば、エッチング条件として、ＣＦ4：
７５sccm 、圧力：１０Ｐａ、ＲＦパワー密度：１.２３
W／cm2 でのＳｉのエッチングレートは約８０nm／minで
あることから、本実施の形態では発光強度が２度変化し
た後、４５secエッチングを行うと図３（Ｂ）に示すよ
うに半導体基板３０は６０nmエッチングされる。
７５sccm 、圧力：１０Ｐａ、ＲＦパワー密度：１.２３
W／cm2 でのＳｉのエッチングレートは約８０nm／minで
あることから、本実施の形態では発光強度が２度変化し
た後、４５secエッチングを行うと図３（Ｂ）に示すよ
うに半導体基板３０は６０nmエッチングされる。
【００３２】その後、図３（Ｃ）に示すようにフォトレ
ジスト３３を除去し熱酸化処理を行い、窒化シリコン膜
３２、酸化シリコン膜３１を除去することにより半導体
基板３０に素子分離領域３４が完成する。
ジスト３３を除去し熱酸化処理を行い、窒化シリコン膜
３２、酸化シリコン膜３１を除去することにより半導体
基板３０に素子分離領域３４が完成する。
【００３３】また電極温度については、窒化シリコン膜
３２のエッチング形状を垂直に維持すること、エッチン
グ室３内に生ずるデポ物の抑制、アノードカバー６の耐
熱性等を考慮すると電極温度が３０〜５０℃の範囲であ
り、かつ２枚の電極３、４の温度が同一であるのが好ま
しい。
３２のエッチング形状を垂直に維持すること、エッチン
グ室３内に生ずるデポ物の抑制、アノードカバー６の耐
熱性等を考慮すると電極温度が３０〜５０℃の範囲であ
り、かつ２枚の電極３、４の温度が同一であるのが好ま
しい。
【００３４】本発明によるドライエッチング装置及びド
ライエッチング方法によれば、反応性ガスとしてＣＦ4
のガスだけを用いているので、良好なエッチング均一性
が得られる。本出願の発明者が行った実験によれば、８
インチシリコン基板で周辺３mmまでで土３％程度という
良好な結果が得られた。
ライエッチング方法によれば、反応性ガスとしてＣＦ4
のガスだけを用いているので、良好なエッチング均一性
が得られる。本出願の発明者が行った実験によれば、８
インチシリコン基板で周辺３mmまでで土３％程度という
良好な結果が得られた。
【００３５】また、ＬＯＣＯＳプロセス、ＲＥＣＥＳＳ
プロセスの両プロセスにおいても、従来技術に比べ良好
なエッチング形状及びエッチング再現性を得ることがで
き、量産性にも優れている。
プロセスの両プロセスにおいても、従来技術に比べ良好
なエッチング形状及びエッチング再現性を得ることがで
き、量産性にも優れている。
【００３６】さらに、プラズマにさらされる領域はＡｌ
を含まない材科で作られているので、パーティクルの発
生を防止できる。本出願の発明者が行った実験によれ
ば、８インチシリコン基板について累積放電時間で１０
０時間以上、量産に問題ない状態であることが判明して
おり、パーティクルの抑制に非常に有効である。
を含まない材科で作られているので、パーティクルの発
生を防止できる。本出願の発明者が行った実験によれ
ば、８インチシリコン基板について累積放電時間で１０
０時間以上、量産に問題ない状態であることが判明して
おり、パーティクルの抑制に非常に有効である。
【００３７】なお本発明は、上記実施の形態に限定され
ることはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項
の範囲内において、種々の変更が可能である。
ることはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項
の範囲内において、種々の変更が可能である。
【００３８】
【発明の効果】本発明によるドライエッチング装置及び
ドライエッチング方法によれば、次のような優れた効果
を奏する。 （１）反応性ガスとしてＣＦ4のガスだけを用いている
ので、良好なエッチング均一性が得られる。 （２）ＬＯＣＯＳプロセス、ＲＥＣＥＳＳプロセスの両
プロセスにおいても、従来技術に比べ良好なエッチング
形状及びエッチング再現性を得ることができ、量産性に
も優れている。 （３）プラズマにさらされる領域はＡｌを含まない材科
で作られているので、パーティクルの発生を防止でき
る。
ドライエッチング方法によれば、次のような優れた効果
を奏する。 （１）反応性ガスとしてＣＦ4のガスだけを用いている
ので、良好なエッチング均一性が得られる。 （２）ＬＯＣＯＳプロセス、ＲＥＣＥＳＳプロセスの両
プロセスにおいても、従来技術に比べ良好なエッチング
形状及びエッチング再現性を得ることができ、量産性に
も優れている。 （３）プラズマにさらされる領域はＡｌを含まない材科
で作られているので、パーティクルの発生を防止でき
る。
【図１】本発明のドライエッチング装置の構成を示す構
成図である。
成図である。
【図２】ＬＯＣＯＳプロセスにおける本発明のドライエ
ッチング方法を説明するための説明図である。
ッチング方法を説明するための説明図である。
【図３】ＲＥＣＥＳＳプロセスにおける本発明のドライ
エッチング方法を説明するための説明図である。
エッチング方法を説明するための説明図である。
【図４】エッチングの終点を制御するための制御装置を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図５】本発明の発光強度の経時変化を示すグラフであ
る。
る。
【図６】従来のドライエッチング方法を説明するための
説明図である。
説明図である。
１：被エッチング材 ２：エッチング室 ３：上部電極 ４：下部電極 ５：ガス供給板 ６：アノードカバー ８：高周波電源 １１：ガス供給装置 ２０：半導体基板 ２１：酸化シリコン膜 ２２：窒化シリコン膜 ２３：フォトレジスト ２４：素子分離領域
Claims (8)
- 【請求項１】所定間隔を隔てて対向して配置された電極
を備え、反応性ガスを導入して前記電極間にプラズマを
発生させ、被エッチング材をドライエッチングする装置
であって、 前記プラズマにさらされる領域は、Ａｌを含まない材科
で作られ、かつ、反応性ガスとしてＣＦ4のガスだけを
用いることを特徴とするドライエッチング装置。 - 【請求項２】前記電極間にプラズマを閉じこめるための
カバーが設けられていることを特徴とする請求項１に記
載のドライエッチング装置。 - 【請求項３】前記カバーは、一方の電極に設けられ、か
つ、他方の電極の周囲を覆うようにリング状に形成され
ることを特徴とする請求項２に記載のドライエッチング
装置。 - 【請求項４】前記カバーは、有機系材料で作られ、か
つ、ガス供給板はＳｉで作られていることを特徴とする
請求項２又は３に記載のドライエッチング装置。 - 【請求項５】被エッチング材が載置される電極に接続さ
れる高周波電源の周波数が１３．５６ＭＨｚであること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つの項に記載
のドライエッチング装置。 - 【請求項６】所定間隔を隔てて対向して配置された電極
を備え、反応性ガスを導入して前記電極間にプラズマを
発生させ、プラズマにさらされる領域にＡｌを含まない
ドライエッチング装置によって、ＣＦ4の反応性ガスだ
けを用いて被エッチング材をエッチングすることを特徴
とするドライエッチング方法。 - 【請求項７】プラズマの発光波長３８８nmの発光強度を
モニターしながらエッチングの終点を検出し、エッチン
グ制御を行うことを特徴とする請求項６に記載のドライ
エッチング方法。 - 【請求項８】前記電極の電極温度が３０乃至５０℃の範
囲であり、かつ各電極の温度が同一であることを特徴と
する請求項６又は７に記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8249960A JP3019002B2 (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 |
| US08/924,282 US6143125A (en) | 1996-09-20 | 1997-09-05 | Apparatus and method for dry etching |
| GB9719067A GB2317494B (en) | 1996-09-20 | 1997-09-08 | Apparatus and method for dry etching |
| KR1019970046755A KR100308590B1 (ko) | 1996-09-20 | 1997-09-11 | 건식에칭장치및건식에칭방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8249960A JP3019002B2 (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098022A true JPH1098022A (ja) | 1998-04-14 |
| JP3019002B2 JP3019002B2 (ja) | 2000-03-13 |
Family
ID=17200757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8249960A Expired - Fee Related JP3019002B2 (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6143125A (ja) |
| JP (1) | JP3019002B2 (ja) |
| KR (1) | KR100308590B1 (ja) |
| GB (1) | GB2317494B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6596551B1 (en) | 1998-12-01 | 2003-07-22 | Hitachi, Ltd. | Etching end point judging method, etching end point judging device, and insulating film etching method using these methods |
| US7771561B2 (en) | 2001-09-05 | 2010-08-10 | Panasonic Corporation | Apparatus and method for surface treatment to substrate |
| JP2012054590A (ja) * | 2000-12-29 | 2012-03-15 | Lam Res Corp | 低汚染プラズマチャンバ構成部品とその製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6492186B1 (en) * | 1999-08-05 | 2002-12-10 | Eaton Corporation | Method for detecting an endpoint for an oxygen free plasma process |
| US6527911B1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-03-04 | Lam Research Corporation | Configurable plasma volume etch chamber |
| US7316761B2 (en) * | 2003-02-03 | 2008-01-08 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for uniformly etching a dielectric layer |
| US9373551B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-06-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Moveable and adjustable gas injectors for an etching chamber |
| KR20150046966A (ko) * | 2013-10-23 | 2015-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
| DE102014211713A1 (de) * | 2014-06-18 | 2015-12-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Vorrichtung zur Plasmabeschichtung und Verfahren zum Beschichten einer Platine |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4038117A (en) * | 1975-09-04 | 1977-07-26 | Ilc Technology, Inc. | Process for gas polishing sapphire and the like |
| US4030967A (en) * | 1976-08-16 | 1977-06-21 | Northern Telecom Limited | Gaseous plasma etching of aluminum and aluminum oxide |
| US4339300A (en) * | 1977-07-25 | 1982-07-13 | Noble Lowell A | Process for smoothing surfaces of crystalline materials |
| JPS56122129A (en) * | 1980-02-28 | 1981-09-25 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| GB2073942A (en) * | 1980-03-21 | 1981-10-21 | Dobson C D | Vacuum treatment apparatus |
| US4357202A (en) * | 1981-06-12 | 1982-11-02 | International Business Machines Corporation | Refractory oxide fabrication |
| JPS58213427A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-12 | Hitachi Ltd | プラズマエツチング装置 |
| JPS59172236A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反応性イオンエツチング装置 |
| US4451349A (en) * | 1983-04-20 | 1984-05-29 | International Business Machines Corporation | Electrode treatment for plasma patterning of polymers |
| JPS6269620A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| JPH0816934B2 (ja) * | 1986-08-08 | 1996-02-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像編集装置 |
| JPS6355939A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-10 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPH01214025A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US4957583A (en) * | 1989-04-28 | 1990-09-18 | Analog Devices, Inc. | Apparatus for etching patterned substrates |
| JPH03241740A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0410208A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US5085727A (en) * | 1990-05-21 | 1992-02-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch apparatus with conductive coating on inner metal surfaces of chamber to provide protection from chemical corrosion |
| US5549780A (en) * | 1990-10-23 | 1996-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for plasma processing and apparatus for plasma processing |
| JP2657850B2 (ja) * | 1990-10-23 | 1997-09-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマ発生装置およびそれを用いたエッチング方法 |
| JPH05251399A (ja) * | 1992-03-06 | 1993-09-28 | Nec Corp | 枚葉式エッチャーによるシリコン窒化膜のエッチング方法 |
| JP3066673B2 (ja) * | 1992-03-18 | 2000-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | ドライエッチング方法 |
| US5221421A (en) * | 1992-03-25 | 1993-06-22 | Hewlett-Packard Company | Controlled etching process for forming fine-geometry circuit lines on a substrate |
| US5522932A (en) * | 1993-05-14 | 1996-06-04 | Applied Materials, Inc. | Corrosion-resistant apparatus |
| JP3312146B2 (ja) * | 1993-06-25 | 2002-08-05 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JP3343629B2 (ja) * | 1993-11-30 | 2002-11-11 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US5798016A (en) * | 1994-03-08 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| US5680013A (en) * | 1994-03-15 | 1997-10-21 | Applied Materials, Inc. | Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous environment therein and method of protecting such heated metal surfaces |
| JP2921499B2 (ja) * | 1996-07-30 | 1999-07-19 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
1996
- 1996-09-20 JP JP8249960A patent/JP3019002B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-09-05 US US08/924,282 patent/US6143125A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-08 GB GB9719067A patent/GB2317494B/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-09-11 KR KR1019970046755A patent/KR100308590B1/ko not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6596551B1 (en) | 1998-12-01 | 2003-07-22 | Hitachi, Ltd. | Etching end point judging method, etching end point judging device, and insulating film etching method using these methods |
| JP2012054590A (ja) * | 2000-12-29 | 2012-03-15 | Lam Res Corp | 低汚染プラズマチャンバ構成部品とその製造方法 |
| US7771561B2 (en) | 2001-09-05 | 2010-08-10 | Panasonic Corporation | Apparatus and method for surface treatment to substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3019002B2 (ja) | 2000-03-13 |
| GB9719067D0 (en) | 1997-11-12 |
| GB2317494A (en) | 1998-03-25 |
| US6143125A (en) | 2000-11-07 |
| KR100308590B1 (ko) | 2001-11-30 |
| KR19980024553A (ko) | 1998-07-06 |
| GB2317494B (en) | 1999-04-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5608384B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置 | |
| KR100465947B1 (ko) | 불화 가스 및 산소를 함유한 가스 혼합물을 사용하는텅스텐의 플라즈마 공정 | |
| KR20010030470A (ko) | 막 에칭을 위한 안정된 플라즈마 처리 | |
| US7585776B2 (en) | Dry etching method of insulating film | |
| US6919259B2 (en) | Method for STI etching using endpoint detection | |
| CN102254813A (zh) | 等离子体蚀刻方法 | |
| JP2913936B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6015148B2 (ja) | 被加工層内の凹みの側壁の傾斜を制御する方法 | |
| JP4351806B2 (ja) | フォトレジストマスクを使用してエッチングするための改良技術 | |
| JP3019002B2 (ja) | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 | |
| US7141510B2 (en) | Plasma processing method | |
| JP2628554B2 (ja) | 反応性イオン・エッチング装置 | |
| US6787475B2 (en) | Flash step preparatory to dielectric etch | |
| US20050269294A1 (en) | Etching method | |
| JPH11214356A (ja) | シリコン基板のドライエッチング方法 | |
| JP2003347279A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100519675B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마 장치를 사용하여 높은 포토레지스트선택비를 구현할 수 있는 식각 방법 | |
| JP3644013B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3661851B2 (ja) | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 | |
| JPH05166762A (ja) | エッチング方法 | |
| JP2639402B2 (ja) | 酸化物層のテーパーエッチング方法 | |
| JPH0220021A (ja) | 半導体装置の制造方法 | |
| JPH0353521A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3018345B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2989671B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080107 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090107 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100107 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110107 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110107 Year of fee payment: 11 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110107 Year of fee payment: 11 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110107 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120107 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130107 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130107 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |