JPH0431827A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH0431827A JPH0431827A JP2138724A JP13872490A JPH0431827A JP H0431827 A JPH0431827 A JP H0431827A JP 2138724 A JP2138724 A JP 2138724A JP 13872490 A JP13872490 A JP 13872490A JP H0431827 A JPH0431827 A JP H0431827A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野心
この発明は、薄膜トランジスタにより駆動される液晶表
示素子に関する。
示素子に関する。
「従来の技術」
第5図は従来の薄膜トランジスタ付液晶表示素子の例を
示すしので、この液晶表示素子は、主として2株の透明
ガラス基板1.2と、それらの間に封入された液晶3と
、一方の基板lの内面に形成された薄膜トランジスタ4
から構成されている。
示すしので、この液晶表示素子は、主として2株の透明
ガラス基板1.2と、それらの間に封入された液晶3と
、一方の基板lの内面に形成された薄膜トランジスタ4
から構成されている。
この薄膜トランジスタ4は、一方の基板l上にゲート電
極5、ゲート酸化層6、ゲート絶縁層7、半導体層8を
順次積層し、この半導体層8上に所定のチャンネル幅を
あけて二つのn中層9.9を形成し、さらに、これらn
+層9,9上にそれぞれソース電極10及びドレイン電
極11を設けて構成されている。またゲート絶縁層7上
には透明電極12が設けられている。さらにこの薄膜ト
ランジスタ4上には配向膜13が設けられている。
極5、ゲート酸化層6、ゲート絶縁層7、半導体層8を
順次積層し、この半導体層8上に所定のチャンネル幅を
あけて二つのn中層9.9を形成し、さらに、これらn
+層9,9上にそれぞれソース電極10及びドレイン電
極11を設けて構成されている。またゲート絶縁層7上
には透明電極12が設けられている。さらにこの薄膜ト
ランジスタ4上には配向膜13が設けられている。
また他方の基板2の内面側には、透明電極14と配向膜
15が積層されている。
15が積層されている。
また双方の基板1.2の外面には、偏光板2122が段
目られている。
目られている。
この液晶表示素子を作成するには、基板1]−に薄膜ト
ランジスタ4を形成し、その上に配向膜13を積層し、
この配向膜13をラビング処理する一方、透明電極14
及び配向膜15を基板2に形成し、配向膜15をラビン
グ処理し、前記基板lと基板2を所定のギャップを確保
しつつ接着させる。この際、2枚の基板1,2間に所定
のギャップを確保するた約、スペーサと称する微小粒子
を間にはさんでいる。具体的には、このスペーサを一方
の基板l上にふりかけ、この上に他方の基板2をのせて
重ねる。このように所定のギャップを確保した状怨で2
枚の基板1.2を重ね、これらを接合した後、基板間に
液晶3を封入する。
ランジスタ4を形成し、その上に配向膜13を積層し、
この配向膜13をラビング処理する一方、透明電極14
及び配向膜15を基板2に形成し、配向膜15をラビン
グ処理し、前記基板lと基板2を所定のギャップを確保
しつつ接着させる。この際、2枚の基板1,2間に所定
のギャップを確保するた約、スペーサと称する微小粒子
を間にはさんでいる。具体的には、このスペーサを一方
の基板l上にふりかけ、この上に他方の基板2をのせて
重ねる。このように所定のギャップを確保した状怨で2
枚の基板1.2を重ね、これらを接合した後、基板間に
液晶3を封入する。
「発明が解決しようとする課題」
しかしながら、上記の液晶表示素子にあっては、偏光板
を2枚使用したツイストネマチック液晶(以下、TNと
略記する)であるため、表示コントラストか低く、この
ために照光手段を具備せざるをえない問題かある。さら
には、偏光板を2枚使用する必要があるので、経済的に
も不利であった。
を2枚使用したツイストネマチック液晶(以下、TNと
略記する)であるため、表示コントラストか低く、この
ために照光手段を具備せざるをえない問題かある。さら
には、偏光板を2枚使用する必要があるので、経済的に
も不利であった。
また、静電気対策として、ラビング処理をする困難さも
あった。さらにまた、薄膜トランジスタ七には透明電極
を形成てきないために、開口率は50〜70%と低く、
これもみかけ上のコントラストが低下する要因であった
。
あった。さらにまた、薄膜トランジスタ七には透明電極
を形成てきないために、開口率は50〜70%と低く、
これもみかけ上のコントラストが低下する要因であった
。
本発明は前記課題を解決するためになされたもので、配
向膜に撥水性を有する垂直配向膜を用い、また、誘電異
方性が負で、黒色に調整した二色性色素を添加したネマ
チック液晶を使用することにより、偏光板を不必要もし
くは1枚使用とした。
向膜に撥水性を有する垂直配向膜を用い、また、誘電異
方性が負で、黒色に調整した二色性色素を添加したネマ
チック液晶を使用することにより、偏光板を不必要もし
くは1枚使用とした。
よって、表示コントラストを高めるとともに、ラビング
処理を省略するなど経済効果を高めた。また、レベリン
グ層を形成することにより、開口率をも高めた。
処理を省略するなど経済効果を高めた。また、レベリン
グ層を形成することにより、開口率をも高めた。
「課題を解決するための手段」
請求項1に記載の発明では、前記課題を解決するために
、薄膜トランジスタと配向膜を積層した方の基板と、他
の配向膜を形成した他方の基板との間に液晶が封入され
てなる薄膜l・ランノスク付液晶表示素子において、上
記配向膜に撥水性を有する垂直配向膜を用い、また、誘
電異方性か負で、黒色に調整した二色性色素を添加した
ネマチック液晶を使用することを特徴とする液晶表示素
j′としたものである。
、薄膜トランジスタと配向膜を積層した方の基板と、他
の配向膜を形成した他方の基板との間に液晶が封入され
てなる薄膜l・ランノスク付液晶表示素子において、上
記配向膜に撥水性を有する垂直配向膜を用い、また、誘
電異方性か負で、黒色に調整した二色性色素を添加した
ネマチック液晶を使用することを特徴とする液晶表示素
j′としたものである。
請求項2に記載の発明では、前記課題を解決するために
、薄膜トランジスタと配向膜を積層した一方の基板と、
他の配向膜を形成した他方の基板との間に液晶が封入さ
れてなる薄膜トラノジスタ付液晶表示素子において、上
記配向膜に撥水性を有する垂直配向膜を用い、また、誘
電異方性が負で、黒色に調整した二色性色素を添加した
ネマチック液晶を使用し、偏光板を前記他方の基板上に
配置したことを特徴とする液晶表示素子としたものであ
る。
、薄膜トランジスタと配向膜を積層した一方の基板と、
他の配向膜を形成した他方の基板との間に液晶が封入さ
れてなる薄膜トラノジスタ付液晶表示素子において、上
記配向膜に撥水性を有する垂直配向膜を用い、また、誘
電異方性が負で、黒色に調整した二色性色素を添加した
ネマチック液晶を使用し、偏光板を前記他方の基板上に
配置したことを特徴とする液晶表示素子としたものであ
る。
請求項3に記載の発明では、前記課題を解決するために
、薄膜トランジスタと配向膜を積層した一方の基板と、
他の配向膜を形成した他方の基板との間に液晶が封入さ
れてなる薄膜トランジスタ付液晶表示素子において、上
記配向膜に撥水性を有する垂直配向膜を用い、また、誘
電異方性が負で、黒色、に調整した二色性色素を添加し
たネマチック液晶を使用し、さらに、薄膜トランジスタ
と上記液晶との間に薄膜トランジスタを覆って平坦化す
るレベリング層を形成したことを特徴とする液晶表示素
子としたものである。
、薄膜トランジスタと配向膜を積層した一方の基板と、
他の配向膜を形成した他方の基板との間に液晶が封入さ
れてなる薄膜トランジスタ付液晶表示素子において、上
記配向膜に撥水性を有する垂直配向膜を用い、また、誘
電異方性が負で、黒色、に調整した二色性色素を添加し
たネマチック液晶を使用し、さらに、薄膜トランジスタ
と上記液晶との間に薄膜トランジスタを覆って平坦化す
るレベリング層を形成したことを特徴とする液晶表示素
子としたものである。
請求項4に記載の発明では、前記課題を解決するために
、薄膜トランジスタと配向膜を積層した一方の基板と、
他の配向膜を形成した他方の基板との間に液晶が封入さ
れてなる薄膜トランジスタ付液晶表示素子において、上
記配向膜に撥水性を有する垂直配向膜を用い、また、誘
電異方性が負で、黒色に調整した二色性色素を添加した
ネマチック液晶を使用し、偏光板を前記他方の基板上に
配置し、さらに、薄膜トランジスタと上記液晶との間に
薄膜トランジスタを覆って平坦化するレベリング層を形
成したことを特徴とする液晶表示素子としたものである
。
、薄膜トランジスタと配向膜を積層した一方の基板と、
他の配向膜を形成した他方の基板との間に液晶が封入さ
れてなる薄膜トランジスタ付液晶表示素子において、上
記配向膜に撥水性を有する垂直配向膜を用い、また、誘
電異方性が負で、黒色に調整した二色性色素を添加した
ネマチック液晶を使用し、偏光板を前記他方の基板上に
配置し、さらに、薄膜トランジスタと上記液晶との間に
薄膜トランジスタを覆って平坦化するレベリング層を形
成したことを特徴とする液晶表示素子としたものである
。
(実施例1)
第1図は実施例1を示す断面図である。
基板l上にゲート電極5、ゲート酸化層6、ゲート絶縁
層7、半導体層8を順次積層し、この半導体層8上に所
定のチャンネル幅をあけて二つのn+層9.9を形成し
、さらに、これらn+層9,9上にそれぞれソース電極
10及びドレイン電極11を設けて構成されている。ま
たゲート絶縁層7上には透明電極12が設けられている
。さらにこの薄膜トランジスタ4上には配向膜13が設
けられている。
層7、半導体層8を順次積層し、この半導体層8上に所
定のチャンネル幅をあけて二つのn+層9.9を形成し
、さらに、これらn+層9,9上にそれぞれソース電極
10及びドレイン電極11を設けて構成されている。ま
たゲート絶縁層7上には透明電極12が設けられている
。さらにこの薄膜トランジスタ4上には配向膜13が設
けられている。
また、基板2の内面側には、透明電極14と配向膜15
が積層されている。
が積層されている。
さらに、基板2の外面には、偏光板22が設けられてい
る。
る。
この液晶表示素子を作成するには、パターン化された透
明電極付薄膜トランジスタ4を形成し、その上に配向膜
13を形成した基板lと、透明電極14及び配向膜15
を形成した基板2とを所定のギャップを確保しつつ接着
させる。この際、配向膜は、撥水性能のある一般的な垂
直配向剤であるDMOAP(N N−dimethyl
−N−octadecy13−aminopropox
yl trimethoxysilyl chlo
ride)をキシレンに1%溶解し、120°Cに加熱
して浸漬法により作成した。さらに、2枚の基板l。
明電極付薄膜トランジスタ4を形成し、その上に配向膜
13を形成した基板lと、透明電極14及び配向膜15
を形成した基板2とを所定のギャップを確保しつつ接着
させる。この際、配向膜は、撥水性能のある一般的な垂
直配向剤であるDMOAP(N N−dimethyl
−N−octadecy13−aminopropox
yl trimethoxysilyl chlo
ride)をキシレンに1%溶解し、120°Cに加熱
して浸漬法により作成した。さらに、2枚の基板l。
2間に所定のギャップを確保するため、スペーサ粒子を
ふりかけた。このように所定のギャップを確保した状態
で2枚の基板1.2を重ね、これらを接合した。
ふりかけた。このように所定のギャップを確保した状態
で2枚の基板1.2を重ね、これらを接合した。
次に、黄色色素(G 232 (日本感光色素(株)製
)):赤色色素(LSR405(三菱化成(株)製))
:青色色素(LMBO40(三菱化成(株)製))−1
:1:lの重量比で混合して黒色色素を調製し、誘電異
方性が負のネマチック液晶EN30(チッソ(株)製)
に合計2%添加したものを上記基板間に封入した。
)):赤色色素(LSR405(三菱化成(株)製))
:青色色素(LMBO40(三菱化成(株)製))−1
:1:lの重量比で混合して黒色色素を調製し、誘電異
方性が負のネマチック液晶EN30(チッソ(株)製)
に合計2%添加したものを上記基板間に封入した。
そして、基板2上に偏光板22を設けた。
こうして、通電状態が黒で非通電状態が白のポジ表示の
液晶表示素子を作成した。
液晶表示素子を作成した。
得られた液晶表示素子において、スポイト径30μm、
5Vrmsでコントラスト測定を行った。
5Vrmsでコントラスト測定を行った。
コントラスト比はIOであった。
(実施例2)
第2図は実施例2を示す断面図である。
基板2の外面に偏光板22を設けていないこと以外は実
施例1と同様のものである。
施例1と同様のものである。
この偏光板の無い液晶表示素子におけるコントラスト測
定を行った。条件は実施例1と同様である。
定を行った。条件は実施例1と同様である。
コントラスト比は7であった。
また、この液晶表示素子の開口率は65%であった。
(実施例3)
第3図は実施例3を示す断面図である。
この液晶表示素子ては、基板1上の薄膜トランジスタ4
上に、薄膜トランジスタ4を覆って平坦化するレベリン
グ層16か形成されている。さらに、この平坦なレベリ
ング層16の面上に、透明電極I7と撥水性能のある配
向膜18か積層されている。また、薄膜トランジスタ4
のソース電極1〇七には、コンタクトホール19か設け
られ、その中を通って透明電極材料がソース電極lOに
達し、ソース電極lOが透明電極17に導通している。
上に、薄膜トランジスタ4を覆って平坦化するレベリン
グ層16か形成されている。さらに、この平坦なレベリ
ング層16の面上に、透明電極I7と撥水性能のある配
向膜18か積層されている。また、薄膜トランジスタ4
のソース電極1〇七には、コンタクトホール19か設け
られ、その中を通って透明電極材料がソース電極lOに
達し、ソース電極lOが透明電極17に導通している。
前記レベリング層16の厚さは、薄膜トランジスタ4よ
りも厚くなるように形成され、例えば、薄膜トランジス
タ4カ< l μJlであれば、レベリング層16は少
なくとも1μR以上、好ましくは、1.5〜2μ貢程度
の厚さに形成される。
りも厚くなるように形成され、例えば、薄膜トランジス
タ4カ< l μJlであれば、レベリング層16は少
なくとも1μR以上、好ましくは、1.5〜2μ貢程度
の厚さに形成される。
このレベリング層16の形成方法としては、薄膜トラン
ジスタ4を形成した基板1にオルガノシリカゾル(例え
ば、東京応化製オルガノンリカゾルや、日本コルコート
社製S 10 !系コルコートなと)をスピンナーて塗
布し、次に、温度200〜300℃で加熱硬化して、略
5iOzのレベリング層16を形成する方法が好適に用
いられる。また、スピンナーによる塗布の代わりに、オ
フセット印刷を用いてレベリング層16を形成すること
もてきる。
ジスタ4を形成した基板1にオルガノシリカゾル(例え
ば、東京応化製オルガノンリカゾルや、日本コルコート
社製S 10 !系コルコートなと)をスピンナーて塗
布し、次に、温度200〜300℃で加熱硬化して、略
5iOzのレベリング層16を形成する方法が好適に用
いられる。また、スピンナーによる塗布の代わりに、オ
フセット印刷を用いてレベリング層16を形成すること
もてきる。
また、薄膜トランジスタ4上に、例えば、窒化ケイ素や
ンリカ(S+Ot)をCVDて積層して保護層を形成し
た後、上記方法にてレベリング層16を形成してもよい
。
ンリカ(S+Ot)をCVDて積層して保護層を形成し
た後、上記方法にてレベリング層16を形成してもよい
。
またコンタクトホール19は、レベリング層16を形成
後、レベリング層16を部分的にエツチングしてソース
電極IOに達するコンタクトホール19を形成し、次に
、レベリング層16上に透明電極17を成膜する際に、
コンタクトホール19内に透明電極材料を入れ、ソース
電極IOと透明電極17が導通するように構成されてい
る。
後、レベリング層16を部分的にエツチングしてソース
電極IOに達するコンタクトホール19を形成し、次に
、レベリング層16上に透明電極17を成膜する際に、
コンタクトホール19内に透明電極材料を入れ、ソース
電極IOと透明電極17が導通するように構成されてい
る。
基板1.2間には、実施例1と同様に、黄色色素(G2
32):赤色色素(LSR405):青色色素(LMB
O40)= 1 :l :1の重量比で混合して黒色
色素を調製し、誘電異方性が負のネマチック液晶EN3
0に合計2%添加したものを封入した。
32):赤色色素(LSR405):青色色素(LMB
O40)= 1 :l :1の重量比で混合して黒色
色素を調製し、誘電異方性が負のネマチック液晶EN3
0に合計2%添加したものを封入した。
そして、基板2上には、偏光板22が設けられている。
この液晶表示素子は、薄膜トランジスタ形成側の基板上
に、薄膜トランジスタを覆って平坦化するレベリング層
16を形成して構成したので、薄膜トランジスタ部での
ギャップ(d、)と表示部のギヤノブ(d、)との差(
ld、−d、l)がほとんどなくなり(Q、l、u1以
下)、スペーサ粒子を介して2枚の基板1.2を接合し
た際に薄膜トランジスタ4力\破損するおそれがなく、
基板間のギヤ・ツブを均一化することができる。またさ
らに、表示面のコントラストを均一にすることもできる
。
に、薄膜トランジスタを覆って平坦化するレベリング層
16を形成して構成したので、薄膜トランジスタ部での
ギャップ(d、)と表示部のギヤノブ(d、)との差(
ld、−d、l)がほとんどなくなり(Q、l、u1以
下)、スペーサ粒子を介して2枚の基板1.2を接合し
た際に薄膜トランジスタ4力\破損するおそれがなく、
基板間のギヤ・ツブを均一化することができる。またさ
らに、表示面のコントラストを均一にすることもできる
。
また、この液晶表示素子は透過型でも反射型でもよいが
、反射型においては、開口率を大きくすることができる
。尚、反射膜はT i 02なとからなり、レベリング
層16と透明電極17の間に設ける。さらに、透明電極
の画素電極はAl膜(反射膜兼用)としてしよい。
、反射型においては、開口率を大きくすることができる
。尚、反射膜はT i 02なとからなり、レベリング
層16と透明電極17の間に設ける。さらに、透明電極
の画素電極はAl膜(反射膜兼用)としてしよい。
得られた液晶表示素子において、スポイト径3071m
、5Vrmsてコントラスト測定を行った結果、コント
ラスト比は18であった。
、5Vrmsてコントラスト測定を行った結果、コント
ラスト比は18であった。
(実施例4)
第4図は実施例4を示す断面図である。
基板2の外面に偏光板22を設けていないこと以外は実
施例3と同様のものである。
施例3と同様のものである。
この偏光板の無い液晶表示素子において、スポイトi3
0 l1g、5 Vrmsてコントラスト測定を行つj
二。
0 l1g、5 Vrmsてコントラスト測定を行つj
二。
コントラスト結果は15であり、実施例1または実施例
2よりも向上した。また、開口率は95%てあった。
2よりも向上した。また、開口率は95%てあった。
(実施例5)
液晶20以外は実施例1と同様の液晶表示素子を作成し
た。
た。
液晶には、黄色色素(LSYll、6):赤色色素(L
SR405):青色色素(L M B O39)= 1
:1:0.8の重量比で混合して黒色色素を調製し、誘
電異方性が負のネマチック液晶EN30に合計3%添加
したものを使用した。
SR405):青色色素(L M B O39)= 1
:1:0.8の重量比で混合して黒色色素を調製し、誘
電異方性が負のネマチック液晶EN30に合計3%添加
したものを使用した。
この液晶表示素子は実施例1の液晶表示素子と同等の効
果が得られた。
果が得られた。
(実施例6)
液晶20以外は実施例2と同様の液晶表示素子を作成し
た。
た。
液晶には、黄色色素(LSYl、16):赤色色素(L
SR405)青色色素(L MB 039 )−1+1
:0.8の重量比で混合して黒色色素を調製し、誘電異
方性が負のネマチック液晶EN30に合計3%添加した
ものを使用した。
SR405)青色色素(L MB 039 )−1+1
:0.8の重量比で混合して黒色色素を調製し、誘電異
方性が負のネマチック液晶EN30に合計3%添加した
ものを使用した。
この液晶表示素子は実施例2の液晶表示素子と同等の効
果が得られた。
果が得られた。
(実施例7)
液晶20以外は実施例3と同様の液晶表示素子を作成し
た。
た。
液晶には、黄色色素(LSY116):赤色色素(LS
R405):青色色素(L M E3039 )= 1
:1:0.8の重量比で混合して黒色色素を調製し、誘
電異方性が負のネマチック液晶EN30に合計3%添加
したものを使用した。
R405):青色色素(L M E3039 )= 1
:1:0.8の重量比で混合して黒色色素を調製し、誘
電異方性が負のネマチック液晶EN30に合計3%添加
したものを使用した。
この液晶表示素子は実施例3の液晶表示素子と同等の効
果が得られた。
果が得られた。
(実施例8)
液晶20以外は実施例4と同様の液晶表示素子を作成し
た。
た。
液晶には、黄色色素(LSY116):赤色色素(LS
R405)青色色素(L M B O39)−1:1:
0.8の重量比で混合して黒色色素を調製し、誘電異方
性が負のネマチック液晶EN30に合計3%添加したも
のを使用した。
R405)青色色素(L M B O39)−1:1:
0.8の重量比で混合して黒色色素を調製し、誘電異方
性が負のネマチック液晶EN30に合計3%添加したも
のを使用した。
この液晶表示素子は実施例4の液晶表示素子と同等の効
果が得られた。
果が得られた。
(実施例9)
液晶20以外は実施例4と同様の液晶表示素子を作成し
た。
た。
液晶には、黄色色素(G232)・赤色色素(LSR4
05):青色色素(LMBo 40)= 1・1・Iの
重量比で混合して黒色色素を調製し、誘電異方性が負の
ネマチック液晶EN2B(チッソ(株)製)に合計2%
添加したものを使用した。
05):青色色素(LMBo 40)= 1・1・Iの
重量比で混合して黒色色素を調製し、誘電異方性が負の
ネマチック液晶EN2B(チッソ(株)製)に合計2%
添加したものを使用した。
この液晶表示素子は実施例4の液晶表示素子と同等の効
果が得られた。
果が得られた。
(実施例10)
液晶20以外は実施例4と同様の液晶表示素子を作成し
た。
た。
液晶には、黄色色素(G232):赤色色素(LSR4
05辷青色色素(LMB O40)−1:1 :1の重
量比で混合して黒色色素を調製し、誘電異方性が負のネ
マチック液晶EN32(チッソ(株)製)に合計2%添
加したものを使用した。
05辷青色色素(LMB O40)−1:1 :1の重
量比で混合して黒色色素を調製し、誘電異方性が負のネ
マチック液晶EN32(チッソ(株)製)に合計2%添
加したものを使用した。
この液晶表示素子は実施例4の液晶表示素子と同等の効
果が得られた。
果が得られた。
「発明の効果」
以上説明したように請求項1に記載の発明では、偏光板
を使用していないために、または、請求項2に記載の発
明では、偏光板を1枚しか使用していないために、表示
コントラストが高く、また、ラビング処理をする必要も
なく、製造工程を削減し、経済的にも非常に有利な液晶
表示素子となった。
を使用していないために、または、請求項2に記載の発
明では、偏光板を1枚しか使用していないために、表示
コントラストが高く、また、ラビング処理をする必要も
なく、製造工程を削減し、経済的にも非常に有利な液晶
表示素子となった。
また、請求項3および請求項4に記載の発明では、先の
効果の他に、薄膜トランジスタを覆って平坦化するレベ
リング層を形成しであるので、コントラストの向上を実
現しただけでなく、開口率を高め、また、基板を接合し
た際の薄膜トランジスタの破損を起こりに<<シた。
効果の他に、薄膜トランジスタを覆って平坦化するレベ
リング層を形成しであるので、コントラストの向上を実
現しただけでなく、開口率を高め、また、基板を接合し
た際の薄膜トランジスタの破損を起こりに<<シた。
第1図は本発明の実施例1を示す断面図、第2図は実施
例2を示す断面図、第3図は実施例3を示す断面図、第
4図は実施例4を示す断面図、第5図は従来の液晶表示
素子を示す断面図である。 1.2・・・・・・基板、 3.20・・・・・・液
晶、4・・・・・・薄膜トランジスタ、 5・・・・
・・ケート電極、 6・・・・・・ゲート酸化層、
7・・・・・・ケート絶縁層、 8・・・・・・半
導体層、 9・・・・・・n+層、 10・・・・
・・ソース電極、 11・・・・・・ドレイン電極、
12.14.17・・・・・・透明電極、 13
,15.18・・・・・・配向膜、 16・・・・・
・レベリング層、 19・・・・・・コンタクトホー
ル、 21.22・・・・・・偏光板。
例2を示す断面図、第3図は実施例3を示す断面図、第
4図は実施例4を示す断面図、第5図は従来の液晶表示
素子を示す断面図である。 1.2・・・・・・基板、 3.20・・・・・・液
晶、4・・・・・・薄膜トランジスタ、 5・・・・
・・ケート電極、 6・・・・・・ゲート酸化層、
7・・・・・・ケート絶縁層、 8・・・・・・半
導体層、 9・・・・・・n+層、 10・・・・
・・ソース電極、 11・・・・・・ドレイン電極、
12.14.17・・・・・・透明電極、 13
,15.18・・・・・・配向膜、 16・・・・・
・レベリング層、 19・・・・・・コンタクトホー
ル、 21.22・・・・・・偏光板。
Claims (4)
- (1)薄膜トランジスタと配向膜を積層した一方の基板
と、他の配向膜を形成した他方の基板との間に液晶が封
入されてなる薄膜トランジスタ付液晶表示素子において
、上記配向膜に撥水性を有する垂直配向膜を用い、また
、誘電異方性が負で、黒色に調整した二色性色素を添加
したネマチック液晶を使用することを特徴とする液晶表
示素子。 - (2)薄膜トランジスタと配向膜を積層した一方の基板
と、他の配向膜を形成した他方の基板との間に液晶が封
入されてなる薄膜トランジスタ付液晶表示素子において
、上記配向膜に撥水性を有する垂直配向膜を用い、また
、誘電異方性が負で、黒色に調整した二色性色素を添加
したネマチック液晶を使用し、偏光板を前記他方の基板
上に配置したことを特徴とする液晶表示素子。 - (3)薄膜トランジスタと配向膜を積層した一方の基板
と、他の配向膜を形成した他方の基板との間に液晶が封
入されてなる薄膜トランジスタ付液晶表示素子において
、上記配向膜に撥水性を有する垂直配向膜を用い、また
、誘電異方性が負で、黒色に調整した二色性色素を添加
したネマチック液晶を使用し、さらに、薄膜トランジス
タと上記液晶との間に薄膜トランジスタを覆って平坦化
するレベリング層を形成したことを特徴とする液晶表示
素子。 - (4)薄膜トランジスタと配向膜を積層した一方の基板
と、他の配向膜を形成した他方の基板との間に液晶が封
入されてなる薄膜トランジスタ付液晶表示素子において
、上記配向膜に撥水性を有する垂直配向膜を用い、また
、誘電異方性が負で、黒色に調整した二色性色素を添加
したネマチック液晶を使用し、偏光板を前記他方の基板
上に配置し、さらに、薄膜トランジスタと上記液晶との
間に薄膜トランジスタを覆って平坦化するレベリング層
を形成したことを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2138724A JPH0431827A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2138724A JPH0431827A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0431827A true JPH0431827A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15228671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2138724A Pending JPH0431827A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0431827A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10268340A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JPH11149076A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2007017824A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置、及び電子機器 |
| JP2013190813A (ja) * | 2013-05-17 | 2013-09-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6388522A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Nippon Denso Co Ltd | 垂直配向型液晶セルの製造方法 |
| JPS63189841A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-08-05 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH01156725A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| JPH0253028A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP2138724A patent/JPH0431827A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6388522A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Nippon Denso Co Ltd | 垂直配向型液晶セルの製造方法 |
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| JP2013190813A (ja) * | 2013-05-17 | 2013-09-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
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