JPH0431858A - マスクの製作方法 - Google Patents
マスクの製作方法Info
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- JPH0431858A JPH0431858A JP2248344A JP24834490A JPH0431858A JP H0431858 A JPH0431858 A JP H0431858A JP 2248344 A JP2248344 A JP 2248344A JP 24834490 A JP24834490 A JP 24834490A JP H0431858 A JPH0431858 A JP H0431858A
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- Japan
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- mask
- phase inversion
- photoresist film
- etching
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスクの製作方法に関し、特に、パターン（ｐ
ａｔｔｅｒｎ）の解像力を向上させる位相反転領域を有
するマスクの製作方法に関するものである。
ａｔｔｅｒｎ）の解像力を向上させる位相反転領域を有
するマスクの製作方法に関するものである。
一般的に、半導体装置の製造において、フォトリソグラ
フィ（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）方法を利用
してウェーハ（Ｗａｆｅｒ）の表面に集積回路のパター
ンを形成する。
フィ（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）方法を利用
してウェーハ（Ｗａｆｅｒ）の表面に集積回路のパター
ンを形成する。
フォトリソグラフィ一方法は、マスク（Ｍａｓｋ）に紫
外線（ＬｌｌｔｒＩＩＶｉｏｌｅｔ ；以下、ＵＶと称
する）などを照射してウェーハの表面に塗布されている
感光膜（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）に所望のパターンを
選択的に複写する露光（Ｅｘｐｏｓｅ）工程を含む。
外線（ＬｌｌｔｒＩＩＶｉｏｌｅｔ ；以下、ＵＶと称
する）などを照射してウェーハの表面に塗布されている
感光膜（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）に所望のパターンを
選択的に複写する露光（Ｅｘｐｏｓｅ）工程を含む。
露光方法にはコンタクト（Ｃｏｎｔａｃｔ）方法、近接
（Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ）方法、及び、プロジェクション
（Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ）方法などがあったが、近年、
半導体装置の超高集積化が進むにつれて、回路の線幅が
微細になり、前述した方法の利用は限界がある。
（Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ）方法、及び、プロジェクション
（Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ）方法などがあったが、近年、
半導体装置の超高集積化が進むにつれて、回路の線幅が
微細になり、前述した方法の利用は限界がある。
また、他の露光方法として、ウェーハステッピング（Ｗ
ａｆｅｒ Ｓｔｅｐｐｉｎｇ）方法がある。前記ウェー
ハステッピング方法はチップ（ｃｈ ｉ ｐ）パターン
の５〜１０倍程度の大きさを有するマスクを使用してス
テップアンドリピート（Ｓｔｅｐ−ａｎｄ−ｒｅｐｅａ
ｔ）方法で露光するもので、微細な線幅が得られる。
ａｆｅｒ Ｓｔｅｐｐｉｎｇ）方法がある。前記ウェー
ハステッピング方法はチップ（ｃｈ ｉ ｐ）パターン
の５〜１０倍程度の大きさを有するマスクを使用してス
テップアンドリピート（Ｓｔｅｐ−ａｎｄ−ｒｅｐｅａ
ｔ）方法で露光するもので、微細な線幅が得られる。
ところが、ウェーハステッピング方法は照射されるＵＶ
などがマスクパターンを通過する際に回折（ｄｔｆｆｒ
ａｃｔｉｏｎ）され、感光膜に複写されるパターンの解
像力（Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）を低下させるので、１６
Ｍ ＤＲＡＭ以上の集積度を有する半導体装置の製造に
適用できなかった。
などがマスクパターンを通過する際に回折（ｄｔｆｆｒ
ａｃｔｉｏｎ）され、感光膜に複写されるパターンの解
像力（Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）を低下させるので、１６
Ｍ ＤＲＡＭ以上の集積度を有する半導体装置の製造に
適用できなかった。
このため、マスクに光が照射されて所定パターンを通過
する際に隣接パターンを通過する光を１８０°位相反転
（Ｐｈａｓｅ ５ｈｉｆｔ）させて光の回折を防止する
ことにより、パターンの解像力を向上させる方法が提示
されている。すなわち、位相反転層（或いは領域）を有
するマスクは所定パターンの形成された部分以外の部分
に照射される光を１８０°位相反転させるので、光の明
るさ（Ｉｎｔｅｎｓｆｔｙ）がゼロ（Ｚｅｒｏ）の点を
得ることができる。
する際に隣接パターンを通過する光を１８０°位相反転
（Ｐｈａｓｅ ５ｈｉｆｔ）させて光の回折を防止する
ことにより、パターンの解像力を向上させる方法が提示
されている。すなわち、位相反転層（或いは領域）を有
するマスクは所定パターンの形成された部分以外の部分
に照射される光を１８０°位相反転させるので、光の明
るさ（Ｉｎｔｅｎｓｆｔｙ）がゼロ（Ｚｅｒｏ）の点を
得ることができる。
第５図Ａから第５図りは、従来の位相反転層を有するマ
スクの製作工程図である。
スクの製作工程図である。
第５図Ａに示すように、ガラス基板１上にマスク平板（
Ｍａｓｋ ｐｌａｔｅ） ３と、感光Ｍ５を順次に形成
する。前記マスク平板３はＣｒ、エマルジョン（Ｅｍｕ
ｌｓｉｏｎ）または酸化鉄などより形成されている。
Ｍａｓｋ ｐｌａｔｅ） ３と、感光Ｍ５を順次に形成
する。前記マスク平板３はＣｒ、エマルジョン（Ｅｍｕ
ｌｓｉｏｎ）または酸化鉄などより形成されている。
第５図Ｂに示すように、ＵＶを利用して感光膜５に焦点
板（Ｒｅｔｉｃｌｅ）のパターンを複写（露光）する。
板（Ｒｅｔｉｃｌｅ）のパターンを複写（露光）する。
その後、感光膜５を現像（ＤｅｖｅｌｏｐＩｌｅｎｔ）
Ｌ、この感光膜５の露光された部分を除去する。そし
て、蝕刻マスクとして前記感光膜５を利用して前記マス
ク平板３の露出された部分を蝕刻してパターンを形成す
る。
Ｌ、この感光膜５の露光された部分を除去する。そし
て、蝕刻マスクとして前記感光膜５を利用して前記マス
ク平板３の露出された部分を蝕刻してパターンを形成す
る。
第５図Ｃに示すように、前記感光膜５を除去してマスク
平板３を露出させた後、ガラス基板に形成されたマスク
平板３を検査して欠陥を修理（ｒｅｐａｔｒ）する、続
いて、前記ガラス基板１の露出された部分とマスク平板
３０表面に感光膜７を塗布する。
平板３を露出させた後、ガラス基板に形成されたマスク
平板３を検査して欠陥を修理（ｒｅｐａｔｒ）する、続
いて、前記ガラス基板１の露出された部分とマスク平板
３０表面に感光膜７を塗布する。
第５図りに示すように、焦点板（Ｒｅｔｉｃｌｅ）を使
用することなく前記ガラス基板１の下部表面を通じてＵ
Ｖを照射する。この際、前記マスク平板３が不透明なの
で、前記ガラス基板１の表面上に形成された感光膜７の
み露光される。続いて、前記感光膜７を現像し、露光さ
れた部分を除去する。その後、蝕刻マスクとして前記感
光膜７を利用してマスク平板３を水平にオーバーエッチ
（Ｏｖｅｒｅｔｃｈ）する、前記感光膜７は除去されな
いで、マスクの位相反転層で利用される。
用することなく前記ガラス基板１の下部表面を通じてＵ
Ｖを照射する。この際、前記マスク平板３が不透明なの
で、前記ガラス基板１の表面上に形成された感光膜７の
み露光される。続いて、前記感光膜７を現像し、露光さ
れた部分を除去する。その後、蝕刻マスクとして前記感
光膜７を利用してマスク平板３を水平にオーバーエッチ
（Ｏｖｅｒｅｔｃｈ）する、前記感光膜７は除去されな
いで、マスクの位相反転層で利用される。
前述した方法で製作したマスクでは位相反転層で利用さ
れる感光膜の厚さがとても重要であり、二の感光膜の厚
さはスパッタリング方法として感光溶液の粘度と感光溶
液を塗布するときのスパッタリング装置の回転速度によ
り制御される。
れる感光膜の厚さがとても重要であり、二の感光膜の厚
さはスパッタリング方法として感光溶液の粘度と感光溶
液を塗布するときのスパッタリング装置の回転速度によ
り制御される。
半導体素子のフォトマスク工程で照射される光を１８０
°位相反転させるための感光膜の厚さは、λ （ｄ＋；感光膜の厚さ、λ；照射される光の波長、ｎＩ
；感光膜の屈折率） である。したがって、位相反転層で利用される感光膜の
厚さが前記式を充足すると、感光膜の表面に入射される
光を位相反転させて光の明るさ（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）
のゼロポイントが得られてパターンの解像力は良好にな
る。
°位相反転させるための感光膜の厚さは、λ （ｄ＋；感光膜の厚さ、λ；照射される光の波長、ｎＩ
；感光膜の屈折率） である。したがって、位相反転層で利用される感光膜の
厚さが前記式を充足すると、感光膜の表面に入射される
光を位相反転させて光の明るさ（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）
のゼロポイントが得られてパターンの解像力は良好にな
る。
しかしながら、従来のマスクの製作方法によれば、検査
及び修理後に再びフォトマスキングとマスク平板をオー
バーエツチングするため、その工程が非常に複雑になる
という問題点があった。
及び修理後に再びフォトマスキングとマスク平板をオー
バーエツチングするため、その工程が非常に複雑になる
という問題点があった。
また、感光溶液の粘度と感光溶液塗布時の回転速度を制
御することにより、位相反転層の厚さを調整するため、
位相反転層の厚さが調整しにくく、ガラス基板とマスク
平板との段差によって感光膜のトポグラフィ−（ｔｏｐ
ｏｇｒａｐｈｙ）が不良になり、位相反転層の厚さが不
均一になるという問題点もあった。
御することにより、位相反転層の厚さを調整するため、
位相反転層の厚さが調整しにくく、ガラス基板とマスク
平板との段差によって感光膜のトポグラフィ−（ｔｏｐ
ｏｇｒａｐｈｙ）が不良になり、位相反転層の厚さが不
均一になるという問題点もあった。
更に、位相反転層を感光膜で形成するため、マスクが損
傷し易く、マスクが損なわれた時に位相反転層を再び形
成して使えないという不都合もあった。
傷し易く、マスクが損なわれた時に位相反転層を再び形
成して使えないという不都合もあった。
本発明は上記に鑑みてなされたものであって、簡単な工
程で位相反転領域を有するマスクを製作し得ることを第
１の目的とする。
程で位相反転領域を有するマスクを製作し得ることを第
１の目的とする。
また、半永久的な位相反転領域を有するマスクを製作し
得ることを第２の目的とする。
得ることを第２の目的とする。
本発明は上記の目的を達成するために、位相反転領域を
有するマスクの製作方法において、透明な基板表面に不
透明なマスクプレートと感光膜を塗布する工程と、感光
膜の所定部分を露光及び現像して、マスクプレートの所
定部分を露出させる工程と、マスクプレートの露出され
た部分を蝕刻して前記基板の所定部分を露出させる工程
と、基板を所定厚さで蝕刻してパターン領域を形成する
工程と、マスクプレートを側面蝕刻して位相反転領域を
形成する工程と、感光膜を除去する工程から成るマスク
の製作方法を提供するものである。
有するマスクの製作方法において、透明な基板表面に不
透明なマスクプレートと感光膜を塗布する工程と、感光
膜の所定部分を露光及び現像して、マスクプレートの所
定部分を露出させる工程と、マスクプレートの露出され
た部分を蝕刻して前記基板の所定部分を露出させる工程
と、基板を所定厚さで蝕刻してパターン領域を形成する
工程と、マスクプレートを側面蝕刻して位相反転領域を
形成する工程と、感光膜を除去する工程から成るマスク
の製作方法を提供するものである。
本発明のマスクの製作方法は、透明な基板表面に不透明
なマスクプレートと感光膜を塗布し、感光膜の所定部分
を露光及び現像して、マスクプレートの所定部分を露出
させ、基板を所定厚さで蝕刻してパターン領域を形成し
、マスクプレートを側面蝕刻して位相反転領域を形成し
、その後、感光膜を除去する。
なマスクプレートと感光膜を塗布し、感光膜の所定部分
を露光及び現像して、マスクプレートの所定部分を露出
させ、基板を所定厚さで蝕刻してパターン領域を形成し
、マスクプレートを側面蝕刻して位相反転領域を形成し
、その後、感光膜を除去する。
以下、添付した図面を参照して本発明の詳細な説明する
。
。
第１図Ａから第１図りは本発明によるマスク製作の一実
施例を示した工程図である。
施例を示した工程図である。
第１図Ａに示すように、−船釣なガラスよりなる基板１
１の表面にマスク平板１３と感光膜１５を順次に形成す
る。前記マスク平板１３はＣｒ、酸化鉄またはエマルシ
ヨンなどを用いて約１０００人の厚さで形成される。
１の表面にマスク平板１３と感光膜１５を順次に形成す
る。前記マスク平板１３はＣｒ、酸化鉄またはエマルシ
ヨンなどを用いて約１０００人の厚さで形成される。
第１図Ｂに示すように、前記感光膜１５にＵＶなどで焦
点板（Ｒｅｔｉｃｌｅ）のパターンを露光させる。
点板（Ｒｅｔｉｃｌｅ）のパターンを露光させる。
次に、前記感光膜１５の露光された部分を現像してマス
ク平板１３の所定部分を露出させる。その後、前記感光
膜１５の除去されていない部分を蝕刻マスクとして前記
マスク平板１３の露出された部分を蝕刻する。前記マス
ク平板１３がＣｒより形成される場合には蝕刻溶液とし
て塩酸または硝酸などが用いられる。また、前記マスク
平板１３の厚さが１０００人程度色情いので、側面蝕刻
は無視できる。
ク平板１３の所定部分を露出させる。その後、前記感光
膜１５の除去されていない部分を蝕刻マスクとして前記
マスク平板１３の露出された部分を蝕刻する。前記マス
ク平板１３がＣｒより形成される場合には蝕刻溶液とし
て塩酸または硝酸などが用いられる。また、前記マスク
平板１３の厚さが１０００人程度色情いので、側面蝕刻
は無視できる。
第１図Ｃに示すように、前記感光膜１５を蝕刻マスクと
してガラスエツチング液（Ｇｌａｓｓ ｅｔｃｂａｎｔ
）などで基板１１の露出された部分を所定の深さで蝕刻
する。前記で基板１１の蝕刻された部分と蝕刻されてい
ない部分との厚さの差ｄは、λ とならなければならない。
してガラスエツチング液（Ｇｌａｓｓ ｅｔｃｂａｎｔ
）などで基板１１の露出された部分を所定の深さで蝕刻
する。前記で基板１１の蝕刻された部分と蝕刻されてい
ない部分との厚さの差ｄは、λ とならなければならない。
第１図りに示すように、前記感光膜１５を蝕刻マスクで
利用して塩酸または硝酸などで前記マスク平板１３を側
面蝕刻する。上記の工程で露出された基板１工は位相反
転領域工９となり、この位相反転領域１９０幅Ｗは０．
２〜０．３μ−の範囲が適当である。また、基板１工の
蝕刻された部分はパターン領域１７となる。次に、前記
感光膜１５を除去してマスクを完成する。
利用して塩酸または硝酸などで前記マスク平板１３を側
面蝕刻する。上記の工程で露出された基板１工は位相反
転領域工９となり、この位相反転領域１９０幅Ｗは０．
２〜０．３μ−の範囲が適当である。また、基板１工の
蝕刻された部分はパターン領域１７となる。次に、前記
感光膜１５を除去してマスクを完成する。
第２図と第３図は、前記マスクにＵＶなどの光を照射す
る時にパターン領域エフと位相反転領域１９を通過する
光の位相状態との光の強さをそれぞれ示す図面である。
る時にパターン領域エフと位相反転領域１９を通過する
光の位相状態との光の強さをそれぞれ示す図面である。
前記第２図で放物線ａはパターン領域１７を、放物線す
は位相反転領域１９を通過する光の位相を示している。
は位相反転領域１９を通過する光の位相を示している。
位相反転領域１９を通過する光はパターン領域１７を通
過する光と１８０°位相反転される。
過する光と１８０°位相反転される。
また、前記第３図で放物線ａ′はパターン領域１７を、
放物線ｂ′は位相反転領域１９を通過する光の強さを示
している。図示の如く、放物線ａ゛とｂｏは光の強さが
ゼロ（Ｚｅｒｏ）点で合う。すなわち、パターン領域１
７と位相反転領域１９との間に光の強さがゼロであるゼ
ロ点（Ｚｅｒｏ Ｐｏ１ｎｔ）がある。
放物線ｂ′は位相反転領域１９を通過する光の強さを示
している。図示の如く、放物線ａ゛とｂｏは光の強さが
ゼロ（Ｚｅｒｏ）点で合う。すなわち、パターン領域１
７と位相反転領域１９との間に光の強さがゼロであるゼ
ロ点（Ｚｅｒｏ Ｐｏ１ｎｔ）がある。
第４図は、本発明により製作されたマスクを半導体装置
の製造工程に使った結果の一例を示した図面である。
の製造工程に使った結果の一例を示した図面である。
２１は半導体基板を、２３は感光膜を示す。前記図面で
２５は位相位相領域１９を通過した光により露光及び現
像された部分である。
２５は位相位相領域１９を通過した光により露光及び現
像された部分である。
また、２７は露光時にパターン領域１７と位相反転領域
１９との間の光の強さがゼロであるところと対応される
ところで、感光膜２３のパターンの解像力が良好である
ことを示す。
１９との間の光の強さがゼロであるところと対応される
ところで、感光膜２３のパターンの解像力が良好である
ことを示す。
以上説明したように、本発明のマスクの製作方法は、基
板に同一の感光膜を蝕刻マスクとして利用してパターン
領域と位相反転領域を形成するため、製作工程が簡単で
あり、またパターン領域と位相反転領域との厚さの差を
調整しやすい。したがって、本発明は、位相反転領域と
パターン領域との厚さの差を蝕刻により正確に調整でき
、この位相反転領域を基板の一部分で形成するため、寿
命が半永久的なマスクを手軽く製作することができる。
板に同一の感光膜を蝕刻マスクとして利用してパターン
領域と位相反転領域を形成するため、製作工程が簡単で
あり、またパターン領域と位相反転領域との厚さの差を
調整しやすい。したがって、本発明は、位相反転領域と
パターン領域との厚さの差を蝕刻により正確に調整でき
、この位相反転領域を基板の一部分で形成するため、寿
命が半永久的なマスクを手軽く製作することができる。
第１図Ａ〜第１図りは本発明のマスクの製作方法を示す
説明図、第２図及び第３図は光を照射する時にマスクを
通過した光の状態を示す説明図、第４図は本発明により
製作されるマスクを半導体装置の製造工程に使用した結
果の一例を示す説明図、第５図Ａ〜第５図りは従来のマ
スクの製作方法を示す説明図である。 符号の説明 １１−〜−−−−−−基板 １３−・〜−−−−・
マスクプレート１５−・・−−−一感光膜 １７−−
−−−−−−パターン領域１９−・・・−位相反転領域
説明図、第２図及び第３図は光を照射する時にマスクを
通過した光の状態を示す説明図、第４図は本発明により
製作されるマスクを半導体装置の製造工程に使用した結
果の一例を示す説明図、第５図Ａ〜第５図りは従来のマ
スクの製作方法を示す説明図である。 符号の説明 １１−〜−−−−−−基板 １３−・〜−−−−・
マスクプレート１５−・・−−−一感光膜 １７−−
−−−−−−パターン領域１９−・・・−位相反転領域
Claims (3)
- （１）位相反転領域を有するマスクの製作方法において
、 透明な基板表面に不透明なマスクプレートと感光膜を塗
布する工程と、 前記感光膜の所定部分を露光及び現像して、前記マスク
プレートの所定部分を露出させる工程と、前記マスクプ
レートの露出された部分を蝕刻して前記基板の所定部分
を露出させる工程と、前記基板を所定厚さで蝕刻してパ
ターン領域を形成する工程と、 前記マスクプレートを側面蝕刻して位相反転領域を形成
する工程と、 前記感光膜を除去する工程から成ることを特徴とするマ
スクの製作方法。 - （２）前記請求項１において、 前記パターン領域を形成する工程で、このパターン領域
と位相反転領域をそれぞれ通過する光が位相反転される
ように蝕刻することを特徴とするマスクの製作方法。 - （３）前記請求項２において、 前記位相反転領域を０．２〜０．３μｍ程度の幅で形成
することを特徴とするマスクの製作方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900007607A KR920009369B1 (ko) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 마스크의 제작방법 |
| KR90-7607 | 1990-05-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0431858A true JPH0431858A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=19299430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2248344A Pending JPH0431858A (ja) | 1990-05-25 | 1990-09-18 | マスクの製作方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0431858A (ja) |
| KR (1) | KR920009369B1 (ja) |
| DE (1) | DE4031413A1 (ja) |
| FR (1) | FR2662518A1 (ja) |
| GB (1) | GB2244349A (ja) |
| IT (1) | IT9021589A1 (ja) |
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| KR100532382B1 (ko) * | 1998-05-26 | 2006-01-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 림형 위상 반전 마스크 및그 제조방법 |
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