JPH02247647A - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
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- JPH02247647A JPH02247647A JP1068071A JP6807189A JPH02247647A JP H02247647 A JPH02247647 A JP H02247647A JP 1068071 A JP1068071 A JP 1068071A JP 6807189 A JP6807189 A JP 6807189A JP H02247647 A JPH02247647 A JP H02247647A
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- JP
- Japan
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- shifter
- phase shift
- light
- pattern
- mask
- Prior art date
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- Pending
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
フォトマスクのうちの位相シフトマスクの製造方法に関
し、 位相シフトマスクを容易に、且つ、安定して収率良く形
成することを目的とし、 遮光パターンを設けた透明基板の表面に感光性樹脂膜を
塗布し、前記透明基板の裏面から全面露光して、前記感
光性樹脂膜からなるシフターを形成する工程が含まれて
なることを特徴とする。
し、 位相シフトマスクを容易に、且つ、安定して収率良く形
成することを目的とし、 遮光パターンを設けた透明基板の表面に感光性樹脂膜を
塗布し、前記透明基板の裏面から全面露光して、前記感
光性樹脂膜からなるシフターを形成する工程が含まれて
なることを特徴とする。
本発明は半導体装置の製造方法などに用いられるフォト
マスクのうち、位相シフトマスクの製造方法に関する。
マスクのうち、位相シフトマスクの製造方法に関する。
半導体装置の製造方法においては、フォトリソグラフィ
技術は必須の工程で、そのフォトリソグラフィ技術に用
いられるフォトマスクは一層の高品質化が要望されてい
る。
技術は必須の工程で、そのフォトリソグラフィ技術に用
いられるフォトマスクは一層の高品質化が要望されてい
る。
フォトリソグラフィ技術に用いられるフォトマスクには
２種類があり、半導体ウェハー（以下にウェハーと略称
する）上に転写するデバイスパターンと同一寸法のパタ
ーンを設けて等倍に転写するマスク（狭義）と、５〜１
０倍に拡大したパターン設けて、転写時に縮小投影する
レチクルとがあり、本発明に関わりある位相シフトマス
クはレチクルが主であるが、マスクにも適用可能であり
、従って、レチクルを単にマスク（広義）と称して以下
に説明する。
２種類があり、半導体ウェハー（以下にウェハーと略称
する）上に転写するデバイスパターンと同一寸法のパタ
ーンを設けて等倍に転写するマスク（狭義）と、５〜１
０倍に拡大したパターン設けて、転写時に縮小投影する
レチクルとがあり、本発明に関わりある位相シフトマス
クはレチクルが主であるが、マスクにも適用可能であり
、従って、レチクルを単にマスク（広義）と称して以下
に説明する。
近年、紫外線露光法による解像度の限界から、微細化に
適した電子ビーム露光法が重用されているが、この電子
ビーム露光法はビームで描画する等の露光処理で必要で
、スルーブツトの向上が難しい問題がある。
適した電子ビーム露光法が重用されているが、この電子
ビーム露光法はビームで描画する等の露光処理で必要で
、スルーブツトの向上が難しい問題がある。
従って、紫外線露光法、遠紫外線露光法などのフォトリ
ソグラフィ技術が見直されて、先年、位相シフトマスク
（Ｐｈａｓｅ−５ｈｉｆｔｉｎｇ Ｍａｓｋ ）による
露光法が提案された。
ソグラフィ技術が見直されて、先年、位相シフトマスク
（Ｐｈａｓｅ−５ｈｉｆｔｉｎｇ Ｍａｓｋ ）による
露光法が提案された。
参考文献： ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ Ｏｎ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ、 Ｖｏｌ、ＨＤ
−２９，Ｎｏ、１２． ＤＥＣＥＭＢｔ！Ｒ１９８２、
ｐｐ、１８２８〜１８３６ その方法は、所定のパターン部分を他のパターン部分と
は異なる光路長にして、ウェハー上で光の位相を両パタ
ーン間で１８０゛ シフトさせることによって、ウェハ
ー上での光のコントラストを向上させ、従来のフォト露
光装置を用いて解像度を大幅に改善しようというもので
ある。
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ、 Ｖｏｌ、ＨＤ
−２９，Ｎｏ、１２． ＤＥＣＥＭＢｔ！Ｒ１９８２、
ｐｐ、１８２８〜１８３６ その方法は、所定のパターン部分を他のパターン部分と
は異なる光路長にして、ウェハー上で光の位相を両パタ
ーン間で１８０゛ シフトさせることによって、ウェハ
ー上での光のコントラストを向上させ、従来のフォト露
光装置を用いて解像度を大幅に改善しようというもので
ある。
第３図（ａ）、 （ｂ）はその位相シフトの原理を説明
する図で、同図（ａ）は通常のマスクによるウェハー上
における光の強度分布を説明する図、同図（ｂ）は位相
シフトマスクによるウェハー上における光の強度分布を
説明する図である。まず、第３図（ａ）を説明すると、
（ａ−１）は通常のマスクの断面を示しており、ガラス
基板に遮光パターンが設けてあり、上面より光（矢印）
を照射した図である。（ａ−２）から（ａ−４）までは
ウェハー上の光照射による電場の強さＥを示し、（ａ−
５）はウェハー上の光の強度Ｉを示している。即ち、マ
スクに設けた左側の光透過部による電場の強さＥを（ａ
−２）に示し、右側の光透過部による電場の強さＥを（
ａ−３）に示し、（ａ−４）は合計した電場の強さΣＥ
である。光の強度■は電場の強さの自乗に比例するから
、それを（ａ−５）に示している。これから判るように
、通常のマスクでは隣接パターンが影響して、近接した
露光間隙の遮光パターンは回折光に影響される。
する図で、同図（ａ）は通常のマスクによるウェハー上
における光の強度分布を説明する図、同図（ｂ）は位相
シフトマスクによるウェハー上における光の強度分布を
説明する図である。まず、第３図（ａ）を説明すると、
（ａ−１）は通常のマスクの断面を示しており、ガラス
基板に遮光パターンが設けてあり、上面より光（矢印）
を照射した図である。（ａ−２）から（ａ−４）までは
ウェハー上の光照射による電場の強さＥを示し、（ａ−
５）はウェハー上の光の強度Ｉを示している。即ち、マ
スクに設けた左側の光透過部による電場の強さＥを（ａ
−２）に示し、右側の光透過部による電場の強さＥを（
ａ−３）に示し、（ａ−４）は合計した電場の強さΣＥ
である。光の強度■は電場の強さの自乗に比例するから
、それを（ａ−５）に示している。これから判るように
、通常のマスクでは隣接パターンが影響して、近接した
露光間隙の遮光パターンは回折光に影響される。
従って、コントラストが悪くなって、これが解像限界に
なる。
なる。
次に、位相シフトマスクの原理を第３図［有］）によっ
て説明すると、（ｂ−１）は位相シフトマスクの断面を
示し、ガラス基板に遮光パターンとシフター（Ｓｈ ｉ
、 ｆ ｔｏｒ）が設けられており、上面より光（矢印
）を照射した図である。次の（ｂ−２）から（ｂ−４）
まではウェハー上の光照射による電場の強さＥ、（ｂ−
５）はウェハー上の光の強度Ｉを示し、（ｂ−２）はマ
スクに設けた左側の光透過部による電場の強さＥ、（ｂ
、、３）は右側の光透過部による電場の強さＥを示して
、（ｂ−４）は合計した電場の強さΣＥでし ある。且つ、（ｍ−５）は電場の強さの自乗に比例した
光の強度Ｉを示す図である０図のように、シフターを設
けると位相が１８０°シフトして狭い間隙の遮蔽パター
ンは回折光による電場の影響が打ち消されて、コントラ
ストが良くなり、解像度が向上する。
て説明すると、（ｂ−１）は位相シフトマスクの断面を
示し、ガラス基板に遮光パターンとシフター（Ｓｈ ｉ
、 ｆ ｔｏｒ）が設けられており、上面より光（矢印
）を照射した図である。次の（ｂ−２）から（ｂ−４）
まではウェハー上の光照射による電場の強さＥ、（ｂ−
５）はウェハー上の光の強度Ｉを示し、（ｂ−２）はマ
スクに設けた左側の光透過部による電場の強さＥ、（ｂ
、、３）は右側の光透過部による電場の強さＥを示して
、（ｂ−４）は合計した電場の強さΣＥでし ある。且つ、（ｍ−５）は電場の強さの自乗に比例した
光の強度Ｉを示す図である０図のように、シフターを設
けると位相が１８０°シフトして狭い間隙の遮蔽パター
ンは回折光による電場の影響が打ち消されて、コントラ
ストが良くなり、解像度が向上する。
次の第４図（ａ）、 （ｂ）は位相シフトマスクの効果
を示す図で、同図（ａ）は通常のマスクによってレジス
ト膜パターンを形成した図、同図（６）は位相シフトマ
スクによってレジスト膜パターンを形成した図である８
通常のマスクの状態を第４図（ａ）で説明すると、（ａ
−１）は通常のマスクの平面図、（ａ−２）は断面図で
ある０次の（ａ−３）は光照射による光の強度Ｉを示し
、（ａ−４）はこのような照射光によってポジ型レジス
トをパターンニングしても窓あけできないことを図示し
ている０次の位相シフトマスクを第４図（ロ）で説明す
ると、（ｂ−１）は位相シフトマスクの平面図、（ｂ−
２）は断面図である。次の（ｂ−３）は照射光による光
の強度■を示し、（ｂ−４）はこのような照射光によっ
てポジ型レジストをパターンニングすれば窓あけができ
ることを図示している。以上の説明から判るように、通
常のマスクでは窓あけが不可能なパターンも位相シフト
マスクでは窓あけすることが可能になる。
を示す図で、同図（ａ）は通常のマスクによってレジス
ト膜パターンを形成した図、同図（６）は位相シフトマ
スクによってレジスト膜パターンを形成した図である８
通常のマスクの状態を第４図（ａ）で説明すると、（ａ
−１）は通常のマスクの平面図、（ａ−２）は断面図で
ある０次の（ａ−３）は光照射による光の強度Ｉを示し
、（ａ−４）はこのような照射光によってポジ型レジス
トをパターンニングしても窓あけできないことを図示し
ている０次の位相シフトマスクを第４図（ロ）で説明す
ると、（ｂ−１）は位相シフトマスクの平面図、（ｂ−
２）は断面図である。次の（ｂ−３）は照射光による光
の強度■を示し、（ｂ−４）はこのような照射光によっ
てポジ型レジストをパターンニングすれば窓あけができ
ることを図示している。以上の説明から判るように、通
常のマスクでは窓あけが不可能なパターンも位相シフト
マスクでは窓あけすることが可能になる。
例えば、位相シフトマスクを用いると、縮小率１１５の
レチクルに最小幅２．５μｍの遮光パターンを設けて、
０．５μｍ幅のパターンを設けることができ、また、照
射光にエキシマレーザ光を用いれば、０．２μｍ幅のパ
ターンも作製できると言われている。
レチクルに最小幅２．５μｍの遮光パターンを設けて、
０．５μｍ幅のパターンを設けることができ、また、照
射光にエキシマレーザ光を用いれば、０．２μｍ幅のパ
ターンも作製できると言われている。
第５図（ａ）、Φ）は位相シフトマスクの例を示してお
り、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。
り、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。
同図（ａ）は同図の）のＡＡ断面であるが、図中の１は
ガラス基板、２はクロム（Ｃｒ）からなる遮光パターン
、３はシフター（ｓｈｉｆｔｅｒ ；位相反転層）で
ある、このシフターにはフェノール・ノボラック系ポジ
型レジストのようなレジストが使用されて、その厚さＤ
を Ｄ−λ／２（ｎ−１） ここに、λは照射光の波長、ｎはシフターの屈折率 の式に一致させることが条件になる。
ガラス基板、２はクロム（Ｃｒ）からなる遮光パターン
、３はシフター（ｓｈｉｆｔｅｒ ；位相反転層）で
ある、このシフターにはフェノール・ノボラック系ポジ
型レジストのようなレジストが使用されて、その厚さＤ
を Ｄ−λ／２（ｎ−１） ここに、λは照射光の波長、ｎはシフターの屈折率 の式に一致させることが条件になる。
また、本例は第５図（ｂ）の平面図に示すように、窓パ
ターンを図示しており、窓パターンｐの大きさは１μｍ
角、シフターを設けた補助パターンＳの幅は０．２μｍ
、補助パターンと窓パターンの間隔は０．２〜０．３μ
ｍ程度のものである。
ターンを図示しており、窓パターンｐの大きさは１μｍ
角、シフターを設けた補助パターンＳの幅は０．２μｍ
、補助パターンと窓パターンの間隔は０．２〜０．３μ
ｍ程度のものである。
次に、第６図（ａ） ７ （Ｃ）は位相シフトマスクの
従来の形成方法の工程順断面図を示し、本例は第５図に
示すパターン部分であるが、その形成概要を順を追って
説明する。
従来の形成方法の工程順断面図を示し、本例は第５図に
示すパターン部分であるが、その形成概要を順を追って
説明する。
第６図（ａ）参照；本図は公知の形成法によって作製し
た通常のマスクで、ガラス基板１上にＣｒからなる遮光
パターン２を設けた断面図である。
た通常のマスクで、ガラス基板１上にＣｒからなる遮光
パターン２を設けた断面図である。
第６図（ｂ）参照：次いで、シフターとなるポジ型レジ
スト３を上記の厚さＤに塗布し、プリベークした後、所
定パターンをもったマスクを用いて、シフタ一部分を除
いた他の部分を選択的に露光する。
スト３を上記の厚さＤに塗布し、プリベークした後、所
定パターンをもったマスクを用いて、シフタ一部分を除
いた他の部分を選択的に露光する。
第６図（Ｃ：）参照；次いで、現像して露光部分を除去
して未露光部分を残存させ、更に、再露光、熱処理を加
えて未露光部分（シフター）を安定化する。そうすると
、位相シフトマスクが完成する。
して未露光部分を残存させ、更に、再露光、熱処理を加
えて未露光部分（シフター）を安定化する。そうすると
、位相シフトマスクが完成する。
ところで、上記した従来の位相シフトマスクの形成方法
は、シフターを設けるパターンが極めて他のパターンに
近接した微細なパターンになるために、マスク合わせの
僅かのズレによってシフターがズレを起こして他のシフ
タを設けないパターンにシフタ一部分がはみだす不具合
が生じ易く、そのようなシフターの位置ズレのための不
良が多く発生するという問題がある。
は、シフターを設けるパターンが極めて他のパターンに
近接した微細なパターンになるために、マスク合わせの
僅かのズレによってシフターがズレを起こして他のシフ
タを設けないパターンにシフタ一部分がはみだす不具合
が生じ易く、そのようなシフターの位置ズレのための不
良が多く発生するという問題がある。
本発明はこの問題点を解消させ、位相シフトマスクを容
易に、且つ、安定して収率（歩留）良く形成することを
目的とした位相シフトマスクの製造方法を提案するもの
である。
易に、且つ、安定して収率（歩留）良く形成することを
目的とした位相シフトマスクの製造方法を提案するもの
である。
その課題は、遮光パターンを設けた透明基板の表面に感
光性樹脂膜を塗布し、前記透明基板の裏面から全面露光
して、前記感光性樹脂膜からなるシフターを形成する工
程が含まれる位相シフトマスクの製造方法によって解決
される。
光性樹脂膜を塗布し、前記透明基板の裏面から全面露光
して、前記感光性樹脂膜からなるシフターを形成する工
程が含まれる位相シフトマスクの製造方法によって解決
される。
本発明はシフターとして感光性樹脂膜を用い、既に形成
した遮光パターンをマスクにして透明基板の裏面から全
面露光して感光性樹脂膜をパターン部分グする。
した遮光パターンをマスクにして透明基板の裏面から全
面露光して感光性樹脂膜をパターン部分グする。
そうすれば、位相シフトマスクを容易に形成できて、安
定して収率も良くなる。
定して収率も良くなる。
以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明にかかる位相シフトマス
クの形成方法（Ｉ）の工程順断面図を示している。
クの形成方法（Ｉ）の工程順断面図を示している。
本断面は第５図に示すパターン部分を形成する実施例で
、以下に順次に説明すると、 第１図（ａ）参照；まず、通常マスクのＣｒからなる遮
光パターン１２（膜厚６００〜１０００人）を設けたガ
ラス基板１１（厚さ２〜３＋ｗｎ＋）上に、ナフトキノ
ンジアジドスルフォニルクロライドとヒドロキシベンゾ
フェノンとのエステル化物を感光剤として含有するフェ
ノールノボラック系ポジ型レジスト１３を均一にスピン
ナーで塗布する。その膜厚は上記の式により計算された
厚さＤに一致させることが必要で、例えば、ｇ線（λ＝
４３６ｎｍ）の照射光を用いる場合、レジストの屈折
率ｎ＝１．６であり、Ｄ＝ ３６５２人になる。塗布膜
厚はスピナーの回転数と溶媒量を調節することによって
所定厚さに形成できる。
、以下に順次に説明すると、 第１図（ａ）参照；まず、通常マスクのＣｒからなる遮
光パターン１２（膜厚６００〜１０００人）を設けたガ
ラス基板１１（厚さ２〜３＋ｗｎ＋）上に、ナフトキノ
ンジアジドスルフォニルクロライドとヒドロキシベンゾ
フェノンとのエステル化物を感光剤として含有するフェ
ノールノボラック系ポジ型レジスト１３を均一にスピン
ナーで塗布する。その膜厚は上記の式により計算された
厚さＤに一致させることが必要で、例えば、ｇ線（λ＝
４３６ｎｍ）の照射光を用いる場合、レジストの屈折
率ｎ＝１．６であり、Ｄ＝ ３６５２人になる。塗布膜
厚はスピナーの回転数と溶媒量を調節することによって
所定厚さに形成できる。
第１図℃）参照；次いで、１００°Ｃ，１００秒間のプ
リベータをおこなった後、ｇ線またはｉ線の照射光によ
ってガラス基板１１の裏面から全面露光する。
リベータをおこなった後、ｇ線またはｉ線の照射光によ
ってガラス基板１１の裏面から全面露光する。
露光量は５０〜ｂ
の露光時間を調整する。
第１図（Ｃ）参照；次いで、テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド水溶液２〜３％からなる現像液に浸
して現像し、露光部分を溶解除去してシフター１３とな
る未露光部分のみを残存させる。
ハイドロオキサイド水溶液２〜３％からなる現像液に浸
して現像し、露光部分を溶解除去してシフター１３とな
る未露光部分のみを残存させる。
次に、表面より再び全面露光してシフター１３部分の光
透過率を高め、更に、１３０〜１５０″Ｃでボストベー
クして熱硬化させて安定な透過率をもったシフター１３
を形成する。ここに、再露光はブリージング（ｂｌｅａ
ｃｈｉｎｇ；漂白）と呼ばれる処理である。
透過率を高め、更に、１３０〜１５０″Ｃでボストベー
クして熱硬化させて安定な透過率をもったシフター１３
を形成する。ここに、再露光はブリージング（ｂｌｅａ
ｃｈｉｎｇ；漂白）と呼ばれる処理である。
このようにして形成する位相シフトマスクは、窓パター
ンｐのみ露光されて、微細な補助パターンＳは露光され
難いために補助パターンの上面にはシフターが残存し、
且つ、遮光パターンで照射光が遮蔽された部分もシフタ
ーが残存して、窓パターンｐのみシフター１３のないパ
ターン（第１図（Ｃ）参照）に形成される。しかし、遮
光パターンの上にシフター１３が存在しても、このよう
な位相シフトマスクの使用には影響がなく、逆に窓パタ
ーンｐが高精度に形成できる利点があり、上記のような
形成方法によればシフターズレを解消して、収率良く作
製することができる。
ンｐのみ露光されて、微細な補助パターンＳは露光され
難いために補助パターンの上面にはシフターが残存し、
且つ、遮光パターンで照射光が遮蔽された部分もシフタ
ーが残存して、窓パターンｐのみシフター１３のないパ
ターン（第１図（Ｃ）参照）に形成される。しかし、遮
光パターンの上にシフター１３が存在しても、このよう
な位相シフトマスクの使用には影響がなく、逆に窓パタ
ーンｐが高精度に形成できる利点があり、上記のような
形成方法によればシフターズレを解消して、収率良く作
製することができる。
次に、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明にかかる位相シフ
トマスクの形成方法（ＩＩ）の工程順断面図を示してい
る。同様に第５図に示すパターン部分を例としており、
順次に説明すると、 第２図（ａ）参照；まず、通常マスクの遮光パターン１
２を設けたガラス基板ｌｌ上に、ネガ型レジスト２３を
均一にスピンナーで塗布する。その膜厚は上記の式によ
り計算された厚さＤであり、その塗布膜厚はスピナーの
回転数と溶媒量を調節して所定厚さに形成する。
トマスクの形成方法（ＩＩ）の工程順断面図を示してい
る。同様に第５図に示すパターン部分を例としており、
順次に説明すると、 第２図（ａ）参照；まず、通常マスクの遮光パターン１
２を設けたガラス基板ｌｌ上に、ネガ型レジスト２３を
均一にスピンナーで塗布する。その膜厚は上記の式によ
り計算された厚さＤであり、その塗布膜厚はスピナーの
回転数と溶媒量を調節して所定厚さに形成する。
第２図（ｂ）参照；次いで、プリベータをおこなった後
、ｇ線またはｉ線の波長をもった照射光によってガラス
基Ｆｉ１１の裏面から全面露光する。
、ｇ線またはｉ線の波長をもった照射光によってガラス
基Ｆｉ１１の裏面から全面露光する。
第２図（Ｃ）参照；次いで、現像して未露光部分を除去
してシフター２３となる露光部分を残存させる。
してシフター２３となる露光部分を残存させる。
次に、表面から再び全面露光してシフター２３部分の光
透過率を高め、更に、ポストベークして熱硬化させて安
定な透過率をもったシフター２３を形成する。
透過率を高め、更に、ポストベークして熱硬化させて安
定な透過率をもったシフター２３を形成する。
このようにして形成した位相シフトマスクは、第１図に
よって形成したシフターパターンとは逆の窓パターンｐ
上にシフター２３を設けたマスクとなるが、補助パター
ンにはシフター２３がなく、窓パターンと補助パターン
とは１８０°シフトさせることができ、第１図で形成し
た位相シフトマスクと同じく、位相シフトマスクとして
役立てることができ、且つ、窓パターンｐ上のシフター
２３を高精度に形成することができるため、パターンズ
レが解消できて、収率良く作製できる。
よって形成したシフターパターンとは逆の窓パターンｐ
上にシフター２３を設けたマスクとなるが、補助パター
ンにはシフター２３がなく、窓パターンと補助パターン
とは１８０°シフトさせることができ、第１図で形成し
た位相シフトマスクと同じく、位相シフトマスクとして
役立てることができ、且つ、窓パターンｐ上のシフター
２３を高精度に形成することができるため、パターンズ
レが解消できて、収率良く作製できる。
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる位相シ
フトマスクの形成方法はシフター（位相反転層）を形成
するマスクが不要になって容易に形成することができ、
且つ、シフターを高精度に収率良く形成することができ
る大きな効果のあるものである。
フトマスクの形成方法はシフター（位相反転層）を形成
するマスクが不要になって容易に形成することができ、
且つ、シフターを高精度に収率良く形成することができ
る大きな効果のあるものである。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明にかかる位相シフトマス
クの形成方法（１）の工程順断面図、 第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明にかかる位相シフトマス
クの形成方法（ｎ）の工程順断面図、 第３図（ａ）、 （ｂ）は位相シフトマスクの原理を説
明する図、 第４図（ａ）、 （ｂ）は位相シフトマスクの効果を示
す図、 第５図（ａ）、［有］）は位相シフトマスクの例を示す
図、第６図（ａ）〜（Ｃ）は従来の位相シフトマスクの
形成方法の工程順断面図である。 図において、 １．１１はガラス基板、 ２．１２は遮光パターン、 ３．１３はポジ型レジスト、または、シフター２３はネ
ガ型レジスト、または、シフターｐは窓パターン、 Ｓは補助パターン を示している。 ↑↑↑↑令乎千すｔ乎↑Ｕ＋ 卆茫ＥｊＡ＋−，η・ｖ−３乃八゛録（π）岡Ｉ君傾断
面図第２図 ４２Ｆ６８ｇ ＋−ｙｙ・ｐ・Ｓ ％Ｆ５ニアｔ’！
（り／ｌ ＸＪｉ’／ｉ ＠ｆｇ ｆｌＪ第１図 ２）−の恒 ３） −ハユ （ｂ−２）−ハ込 （ｂ−３） ？ ）Ｊｔ得−７スフ （ｂンイｔ−１４ゴシ７ぼズ７ ４ｔＪ＠シフ！−ｔＪ’ｊ！ｆ＊をｔ乏９η０図第３図
クの形成方法（１）の工程順断面図、 第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明にかかる位相シフトマス
クの形成方法（ｎ）の工程順断面図、 第３図（ａ）、 （ｂ）は位相シフトマスクの原理を説
明する図、 第４図（ａ）、 （ｂ）は位相シフトマスクの効果を示
す図、 第５図（ａ）、［有］）は位相シフトマスクの例を示す
図、第６図（ａ）〜（Ｃ）は従来の位相シフトマスクの
形成方法の工程順断面図である。 図において、 １．１１はガラス基板、 ２．１２は遮光パターン、 ３．１３はポジ型レジスト、または、シフター２３はネ
ガ型レジスト、または、シフターｐは窓パターン、 Ｓは補助パターン を示している。 ↑↑↑↑令乎千すｔ乎↑Ｕ＋ 卆茫ＥｊＡ＋−，η・ｖ−３乃八゛録（π）岡Ｉ君傾断
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Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明基板上に光を遮断する遮光パターンと光の位相を１
８０°シフトさせるシフターとを設ける位相シフトマス
クの製造方法において、 遮光パターンを設けた透明基板の表面に感光性樹脂膜を
塗布し、前記透明基板の裏面から全面露光して、前記感
光性樹脂膜からなるシフターを形成する工程が含まれて
なることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068071A JPH02247647A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068071A JPH02247647A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02247647A true JPH02247647A (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=13363174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1068071A Pending JPH02247647A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02247647A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291303A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | ネガ型レジストパターンの形成方法 |
| US5382483A (en) * | 1992-01-13 | 1995-01-17 | International Business Machines Corporation | Self-aligned phase-shifting mask |
| US5691115A (en) * | 1992-06-10 | 1997-11-25 | Hitachi, Ltd. | Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices |
| US6677107B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-01-13 | Hitacji, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| US8395726B2 (en) | 2009-09-29 | 2013-03-12 | Nlt Technologies, Ltd. | Optical element manufacturing method, optical element exposure device, optical element, lighting optical device, display device, and electronic apparatus |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP1068071A patent/JPH02247647A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5382483A (en) * | 1992-01-13 | 1995-01-17 | International Business Machines Corporation | Self-aligned phase-shifting mask |
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| US5932395A (en) * | 1992-06-10 | 1999-08-03 | Hitachi, Ltd. | Exposure method, aligner, and method manufacturing semiconductor integrated circuit devices |
| US6020109A (en) * | 1992-06-10 | 2000-02-01 | Hitachi, Ltd. | Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices |
| US6677107B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-01-13 | Hitacji, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| US7125651B2 (en) | 1999-06-30 | 2006-10-24 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device optical mask therefor, its manufacturing method, and mask blanks |
| US8395726B2 (en) | 2009-09-29 | 2013-03-12 | Nlt Technologies, Ltd. | Optical element manufacturing method, optical element exposure device, optical element, lighting optical device, display device, and electronic apparatus |
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