JPH04318921A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法Info
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- JPH04318921A JPH04318921A JP8524991A JP8524991A JPH04318921A JP H04318921 A JPH04318921 A JP H04318921A JP 8524991 A JP8524991 A JP 8524991A JP 8524991 A JP8524991 A JP 8524991A JP H04318921 A JPH04318921 A JP H04318921A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜トランジスタ等の半
導体素子に応用できる多結晶シリコン薄膜の製造方法に
関し、特に低温で低融点ガラス等の基板上に形成できる
多結晶シリコン薄膜の製造方法に関する。
導体素子に応用できる多結晶シリコン薄膜の製造方法に
関し、特に低温で低融点ガラス等の基板上に形成できる
多結晶シリコン薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】低融点ガラス基板上に、微結晶または多
結晶Ｓｉ（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を素子材とした高性能な薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）を作成する試みが活発化して
いる。特に、基板としてコーニング社製７０５９基板等
の低融点ガラス基板を用い、プロセスの最高温度４５０
℃程度以下で、高易動度、高ＯＮ／ＯＦＦ比のＴＦＴを
作成するプロセスの実用化が待望されている。
結晶Ｓｉ（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を素子材とした高性能な薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）を作成する試みが活発化して
いる。特に、基板としてコーニング社製７０５９基板等
の低融点ガラス基板を用い、プロセスの最高温度４５０
℃程度以下で、高易動度、高ＯＮ／ＯＦＦ比のＴＦＴを
作成するプロセスの実用化が待望されている。
【０００３】従来ｐｏｌｙ−Ｓｉをガラス基板上に成膜
するには、減圧ＣＶＤ法を用いて基板温度６００℃程度
でモノシランガスを熱分解する方法が知られている。ま
た高性能なｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴを作成する従来の方法
は、非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）を固相成長法によって大粒
径化したｐｏｌｙ−Ｓｉを形成し、ＴＦＴを作成する方
法や、ａ−Ｓｉやｐｏｌｙ−Ｓｉをレーザーアニーリン
グによって溶融再結晶化し、ＴＦＴを作成する方法等が
あった。
するには、減圧ＣＶＤ法を用いて基板温度６００℃程度
でモノシランガスを熱分解する方法が知られている。ま
た高性能なｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴを作成する従来の方法
は、非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）を固相成長法によって大粒
径化したｐｏｌｙ−Ｓｉを形成し、ＴＦＴを作成する方
法や、ａ−Ｓｉやｐｏｌｙ−Ｓｉをレーザーアニーリン
グによって溶融再結晶化し、ＴＦＴを作成する方法等が
あった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】減圧ＣＶＤ法でｐｏｌ
ｙ−Ｓｉを成膜する方法では、成膜温度上の要求から低
融点ガラスを基板に用いることはできない。また固相成
長法によって大粒径ｐｏｌｙ−Ｓｉを得るためには、６
００℃程度の温度で４〜７０時間という長時間アニール
をしなければならず、低融点ガラスを基板に用いること
はできない。レーザーアニーリングは、レーザービーム
の不均一特性による素子特性ばらつきや、スループット
が低い等の問題点があった。
ｙ−Ｓｉを成膜する方法では、成膜温度上の要求から低
融点ガラスを基板に用いることはできない。また固相成
長法によって大粒径ｐｏｌｙ−Ｓｉを得るためには、６
００℃程度の温度で４〜７０時間という長時間アニール
をしなければならず、低融点ガラスを基板に用いること
はできない。レーザーアニーリングは、レーザービーム
の不均一特性による素子特性ばらつきや、スループット
が低い等の問題点があった。
【０００５】このため、特開昭６３−１７５４１７、特
開平２−１７７３６８、特開平２−２０２０１８、Ｍａ
ｔｅｒｉａｌｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｓｏｃｉｅｔｙ
Ｓｉｍｐｏｓｉａ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ， Ｖｏ
ｌｕｍｅ９５， ｐ．２２５ （１９８７）等に見られ
るように、プラズマ化学気相成長法（ＰＣＶＤ）で、シ
ランガスと弗素、フロロシラン等のエッチング性ガスの
混合ガスをグロー放電分解することにより、低温で多結
晶シリコンを製造することのできる方法が注目されてい
る。
開平２−１７７３６８、特開平２−２０２０１８、Ｍａ
ｔｅｒｉａｌｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｓｏｃｉｅｔｙ
Ｓｉｍｐｏｓｉａ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ， Ｖｏ
ｌｕｍｅ９５， ｐ．２２５ （１９８７）等に見られ
るように、プラズマ化学気相成長法（ＰＣＶＤ）で、シ
ランガスと弗素、フロロシラン等のエッチング性ガスの
混合ガスをグロー放電分解することにより、低温で多結
晶シリコンを製造することのできる方法が注目されてい
る。
【０００６】これらの成膜方法で得られたｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ薄膜は、エッチング性ガスとして弗素ガス等のハロゲ
ンガスやフロロシラン、ジクロルシラン等のハロゲン化
物を含むため、得られたｐｏｌｙ−Ｓｉ中には弗素や塩
素などのハロゲン原子が不純物として含まれる。ｐｏｌ
ｙ−ＳｉＴＦＴを作製するとき、これらの不純物は結晶
欠陥の原因となり、ＴＦＴのリーク電流の増大を引き起
こすので大きな問題となる。
ｉ薄膜は、エッチング性ガスとして弗素ガス等のハロゲ
ンガスやフロロシラン、ジクロルシラン等のハロゲン化
物を含むため、得られたｐｏｌｙ−Ｓｉ中には弗素や塩
素などのハロゲン原子が不純物として含まれる。ｐｏｌ
ｙ−ＳｉＴＦＴを作製するとき、これらの不純物は結晶
欠陥の原因となり、ＴＦＴのリーク電流の増大を引き起
こすので大きな問題となる。
【０００７】特開平２−２４８０３８に見られる多結晶
シリコン薄膜の製造方法は、エッチングガスとして水素
を用いているので、前述の不純物混入の問題はない。し
かし、水素の活性化状態を反応ガスとは別個の活性化室
を設けて制御しているため、装置が複雑化するという問
題点があった。また特公平３−８１０２に見られる半導
体薄膜の製造方法は、上記の問題点に加え、得られる薄
膜が非晶質シリコンと多結晶シリコンの混在状態であり
、ＴＦＴに応用するには適さないという問題点もあった
。
シリコン薄膜の製造方法は、エッチングガスとして水素
を用いているので、前述の不純物混入の問題はない。し
かし、水素の活性化状態を反応ガスとは別個の活性化室
を設けて制御しているため、装置が複雑化するという問
題点があった。また特公平３−８１０２に見られる半導
体薄膜の製造方法は、上記の問題点に加え、得られる薄
膜が非晶質シリコンと多結晶シリコンの混在状態であり
、ＴＦＴに応用するには適さないという問題点もあった
。
【０００８】本発明は以上の問題点を解決するものでそ
の目的は、ハロゲンガス等の不純物を含まない高品質の
ｐｏｌｙ−Ｓｉを、簡易な装置で、低温で成膜できる方
法を提供することにある。
の目的は、ハロゲンガス等の不純物を含まない高品質の
ｐｏｌｙ−Ｓｉを、簡易な装置で、低温で成膜できる方
法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の多結晶シリコン
薄膜の製造方法は、シリコンを含有するガスをプラズマ
励起によりグロー放電分解し、基板上に多結晶シリコン
を形成させる方法において、基板上における水素の活性
状態を、グロー放電用電極間の距離を調整することによ
って制御することを特徴とする。
薄膜の製造方法は、シリコンを含有するガスをプラズマ
励起によりグロー放電分解し、基板上に多結晶シリコン
を形成させる方法において、基板上における水素の活性
状態を、グロー放電用電極間の距離を調整することによ
って制御することを特徴とする。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の製造方法について詳述する。
使用する基板は単結晶Ｓｉ以外の基板なら、低融点ガラ
スでもセラミック基板等でも、石英基板でもよい。単結
晶Ｓｉを基板に使用するとｐｏｌｙ−Ｓｉではなくエピ
タキシャルＳｉ膜が得られる。本実施例ではコーニング
社製７０５９基板を使用した。ＰＣＶＤ装置は、平行平
板型電極を持つアネルバ社製ＰＥＤ−３０２型を使用し
た。図１に本発明で用いたＰＣＶＤ装置の概略図を示す
。１は反応室、２は排気管、３は対抗電極、４はガス吹
き出し孔、５はガス導入部、６は高周波印加電極、７は
基板加熱ヒータ、８は基板、９は高周波電源である。 図１中のＷは電極間距離を表す。成膜ガスにはＳｉＨ４
、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８等と、Ｈ２の混合ガスを用い
る。本実施例ではシラン（ＳｉＨ４）とＨ２の、混合ガ
スを用いた。
スでもセラミック基板等でも、石英基板でもよい。単結
晶Ｓｉを基板に使用するとｐｏｌｙ−Ｓｉではなくエピ
タキシャルＳｉ膜が得られる。本実施例ではコーニング
社製７０５９基板を使用した。ＰＣＶＤ装置は、平行平
板型電極を持つアネルバ社製ＰＥＤ−３０２型を使用し
た。図１に本発明で用いたＰＣＶＤ装置の概略図を示す
。１は反応室、２は排気管、３は対抗電極、４はガス吹
き出し孔、５はガス導入部、６は高周波印加電極、７は
基板加熱ヒータ、８は基板、９は高周波電源である。 図１中のＷは電極間距離を表す。成膜ガスにはＳｉＨ４
、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８等と、Ｈ２の混合ガスを用い
る。本実施例ではシラン（ＳｉＨ４）とＨ２の、混合ガ
スを用いた。
【００１１】基本的な反応機構は次に示す式１に従う。
式１の反応において、Ｒ１が成膜反応で、Ｒ２がエッチ
ング反応である。
ング反応である。
【００１２】
【化１】
（ｎは無次元数）式１において、水素濃度を増して行く
とＲ２の反応が優勢となるので、結合エネルギーの弱い
Ｓｉ−Ｈ結合はＲ２のエッチング反応により選択的に切
られる。このためＳｉ−Ｓｉ結合だけが残ることになり
、このような条件のもとでは基板上にはｐｏｌｙ−Ｓｉ
が成膜される。一方、シランガス濃度が増えると式１に
おけるＲ１の成膜反応が優勢となり、基板上には水素濃
度の大きい非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が成膜される。 このようなＲ１とＲ２の競合関係は、水素ガス濃度に対
するシランガス濃度の比を変えることによって容易に調
整することができる。
とＲ２の反応が優勢となるので、結合エネルギーの弱い
Ｓｉ−Ｈ結合はＲ２のエッチング反応により選択的に切
られる。このためＳｉ−Ｓｉ結合だけが残ることになり
、このような条件のもとでは基板上にはｐｏｌｙ−Ｓｉ
が成膜される。一方、シランガス濃度が増えると式１に
おけるＲ１の成膜反応が優勢となり、基板上には水素濃
度の大きい非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が成膜される。 このようなＲ１とＲ２の競合関係は、水素ガス濃度に対
するシランガス濃度の比を変えることによって容易に調
整することができる。
【００１３】従ってｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜を形成するには
、シランガスを大流量の水素ガスで希釈し、シラン濃度
／水素濃度比を少なくとも０．１以下にすることが必要
となる。実際にｐｏｌｙ−Ｓｉを成膜する場合、シラン
／水素ガス濃度比はガス流量比でＳｉＨ４／Ｈ２＝０．
５〜５．０％、特に１．０〜３．０％が望ましい。０．
５％より小さいと水素ガスによるエッチング反応が優勢
になりすぎ、デポレートが極端に小さくなり、粒径も小
さいｐｏｌｙ−Ｓｉしか成膜されない。５．０％を越え
ると成膜反応が優勢となり、ａ−Ｓｉしか成膜されない
。
、シランガスを大流量の水素ガスで希釈し、シラン濃度
／水素濃度比を少なくとも０．１以下にすることが必要
となる。実際にｐｏｌｙ−Ｓｉを成膜する場合、シラン
／水素ガス濃度比はガス流量比でＳｉＨ４／Ｈ２＝０．
５〜５．０％、特に１．０〜３．０％が望ましい。０．
５％より小さいと水素ガスによるエッチング反応が優勢
になりすぎ、デポレートが極端に小さくなり、粒径も小
さいｐｏｌｙ−Ｓｉしか成膜されない。５．０％を越え
ると成膜反応が優勢となり、ａ−Ｓｉしか成膜されない
。
【００１４】反応室内の圧力は０．１〜１０．０Ｔｏｒ
ｒで、特に０．３〜１．５Ｔｏｒｒが好ましい。プラズ
マを発生させる高周波電力は、電力密度０．０１〜５．
０Ｗ／ｃｍ２、好ましくは０．０３〜０．０６Ｗ／ｃｍ
２とする。 ０．０１Ｗ／ｃｍ２より小さいと、エッチング反応が弱
くなりすぎ、５Ｗ／ｃｍ２を越えると薄膜がプラズマダ
メージを受け、高品質の膜を形成できない。基板温度は
１００〜６００℃である。好ましくは２００℃〜４００
℃とする。基板温度が１００℃より低いとａ−Ｓｉが成
膜され、６００℃より高いと低温成膜ＰＣＶＤの利点を
生かせなくなる。
ｒで、特に０．３〜１．５Ｔｏｒｒが好ましい。プラズ
マを発生させる高周波電力は、電力密度０．０１〜５．
０Ｗ／ｃｍ２、好ましくは０．０３〜０．０６Ｗ／ｃｍ
２とする。 ０．０１Ｗ／ｃｍ２より小さいと、エッチング反応が弱
くなりすぎ、５Ｗ／ｃｍ２を越えると薄膜がプラズマダ
メージを受け、高品質の膜を形成できない。基板温度は
１００〜６００℃である。好ましくは２００℃〜４００
℃とする。基板温度が１００℃より低いとａ−Ｓｉが成
膜され、６００℃より高いと低温成膜ＰＣＶＤの利点を
生かせなくなる。
【００１５】ｐｏｌｙ−Ｓｉを成膜するための重要な条
件は、平行平板型ＰＣＶＤ装置の対向電極間距離（以下
、電極間距離；図１のＷ）である。エッチング反応が進
むためには、電極間距離が十分に短く、水素が活性状態
で基板上に到達しなければならない。電極間距離が長い
と、エッチング反応は気相中で起こり、基板上には非晶
質シリコンが成膜される。このため、電極間距離Ｗは高
周波電力と圧力によって規定される。高周波電力が０．
０３Ｗ／ｃｍ２で、圧力が１．２Ｔｏｒｒの場合は、電
極間距離Ｗは４５ｍｍ未満、好ましくは２７ｍｍ以下、
更に好ましくは２０ｍｍ以下である必要がある。成膜前
に１×１０−６Ｔｏｒｒ以下の真空にした反応室内にＳ
ｉＨ４：Ｈ２＝１．８：９８．２の混合ガスを総流量２
００ＳＣＣＭで供給し、内圧を表１に示す圧力に調整し
た。基板温度を表１に示した温度に設定した後、基板温
度が安定するまで約２０分間成膜ガスを流した。次いで
１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いて、放電電力０．
０３Ｗ／ｃｍ２で１２０分間放電し、ガラス基板上にシ
リコン薄膜を成長させた。成長速度は９〜２２Å／分で
あった。得られたｐｏｌｙ−Ｓｉの平均粒径はＸ線回折
によって測定した。
件は、平行平板型ＰＣＶＤ装置の対向電極間距離（以下
、電極間距離；図１のＷ）である。エッチング反応が進
むためには、電極間距離が十分に短く、水素が活性状態
で基板上に到達しなければならない。電極間距離が長い
と、エッチング反応は気相中で起こり、基板上には非晶
質シリコンが成膜される。このため、電極間距離Ｗは高
周波電力と圧力によって規定される。高周波電力が０．
０３Ｗ／ｃｍ２で、圧力が１．２Ｔｏｒｒの場合は、電
極間距離Ｗは４５ｍｍ未満、好ましくは２７ｍｍ以下、
更に好ましくは２０ｍｍ以下である必要がある。成膜前
に１×１０−６Ｔｏｒｒ以下の真空にした反応室内にＳ
ｉＨ４：Ｈ２＝１．８：９８．２の混合ガスを総流量２
００ＳＣＣＭで供給し、内圧を表１に示す圧力に調整し
た。基板温度を表１に示した温度に設定した後、基板温
度が安定するまで約２０分間成膜ガスを流した。次いで
１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いて、放電電力０．
０３Ｗ／ｃｍ２で１２０分間放電し、ガラス基板上にシ
リコン薄膜を成長させた。成長速度は９〜２２Å／分で
あった。得られたｐｏｌｙ−Ｓｉの平均粒径はＸ線回折
によって測定した。
【００１６】表１に本発明の製造方法によって作成した
ｐｏｌｙ−Ｓｉの諸特性を示す。表１に明らかなように
、膜厚が１０００Åという比較的薄い膜厚でも、結晶粒
径が１０００Å程度のｐｏｌｙ−Ｓｉが成膜されている
。また結晶方位は表１に示す全ての膜で（１１１）、（
２２０）方位のＸ線回折ピークを観測しており、特にＮ
ｏ．３、Ｎｏ．４の膜では（２２０）方位が優先配向と
なるｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜が得られている。エッチングガ
スにハロゲン系のガスを用いる場合は、膜厚が２５００
Å以上から多結晶化が始まることが知られており、薄膜
化が困難だったが、本発明の製造方法によれば、ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉの薄膜化も可能となるためＴＦＴの応用に際し
効果は大きい。
ｐｏｌｙ−Ｓｉの諸特性を示す。表１に明らかなように
、膜厚が１０００Åという比較的薄い膜厚でも、結晶粒
径が１０００Å程度のｐｏｌｙ−Ｓｉが成膜されている
。また結晶方位は表１に示す全ての膜で（１１１）、（
２２０）方位のＸ線回折ピークを観測しており、特にＮ
ｏ．３、Ｎｏ．４の膜では（２２０）方位が優先配向と
なるｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜が得られている。エッチングガ
スにハロゲン系のガスを用いる場合は、膜厚が２５００
Å以上から多結晶化が始まることが知られており、薄膜
化が困難だったが、本発明の製造方法によれば、ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉの薄膜化も可能となるためＴＦＴの応用に際し
効果は大きい。
【００１７】
【表１】
【００１８】表２に比較例として、電極間距離を４５ｍ
ｍとした場合に、表１と同様にして成膜したＳｉ薄膜の
諸特性を示す。表２に明らかなように、比較例に示した
条件ではｐｏｌｙ−Ｓｉが得られず、ａ−Ｓｉが成膜さ
れる。
ｍとした場合に、表１と同様にして成膜したＳｉ薄膜の
諸特性を示す。表２に明らかなように、比較例に示した
条件ではｐｏｌｙ−Ｓｉが得られず、ａ−Ｓｉが成膜さ
れる。
【００１９】
【表２】
【００２０】本発明において、成膜ガスに元素周期律表
第ＩＩＩ族または第Ｖ族のドーピングガスを混入するこ
とにより、ｐ型またはｎ型のｐｏｌｙ−Ｓｉを成膜する
ことができる。ドーピングガスには例えばジボラン、ホ
スフィン、アルシン等が挙げられる。
第ＩＩＩ族または第Ｖ族のドーピングガスを混入するこ
とにより、ｐ型またはｎ型のｐｏｌｙ−Ｓｉを成膜する
ことができる。ドーピングガスには例えばジボラン、ホ
スフィン、アルシン等が挙げられる。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば高品
質のｐｏｌｙ−Ｓｉを２００℃程度の低温で成膜するこ
とができる。このため基板ガラスに低融点のガラス基板
を用いることができ、ＴＦＴ製造プロセスの低温化が可
能となる。従って本発明を用いれば、低価格のガラス基
板を用いることができるので、液晶ディスプレイ、密着
型イメージセンサ、太陽電池等のデバイスの低コスト化
に大きな効果がある。しかも必要な装置は通常のプラズ
マＣＶＤ装置で良く、水素ガスを活性化するための付加
的な装置は必要ない。
質のｐｏｌｙ−Ｓｉを２００℃程度の低温で成膜するこ
とができる。このため基板ガラスに低融点のガラス基板
を用いることができ、ＴＦＴ製造プロセスの低温化が可
能となる。従って本発明を用いれば、低価格のガラス基
板を用いることができるので、液晶ディスプレイ、密着
型イメージセンサ、太陽電池等のデバイスの低コスト化
に大きな効果がある。しかも必要な装置は通常のプラズ
マＣＶＤ装置で良く、水素ガスを活性化するための付加
的な装置は必要ない。
【００２２】また本発明はハロゲン系のガスを全く用い
ていないため、弗素のようなＴＦＴの特性に悪影響を及
ぼす不純物元素がｐｏｌｙ−Ｓｉ膜中に混入することが
無いという大きな利点がある。
ていないため、弗素のようなＴＦＴの特性に悪影響を及
ぼす不純物元素がｐｏｌｙ−Ｓｉ膜中に混入することが
無いという大きな利点がある。
【００２３】またＬＰＣＶＤ法、固相成長法、レーザー
アニーリング法等で得られたｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜は、そ
の結晶粒界にダングリングボンドがあるため電気的特性
が劣化するという問題点があり、これを解決するために
ｐｏｌｙ−Ｓｉを成膜後、水素プラズマ等の手段によっ
てダングリングボンドをパッシベートする必要があった
。ところが本発明の方法では、ｐｏｌｙ−Ｓｉ成膜時に
水素プラズマにさらされているので、水素パッシベーシ
ョンを後から施す必要はないという長所もある。
アニーリング法等で得られたｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜は、そ
の結晶粒界にダングリングボンドがあるため電気的特性
が劣化するという問題点があり、これを解決するために
ｐｏｌｙ−Ｓｉを成膜後、水素プラズマ等の手段によっ
てダングリングボンドをパッシベートする必要があった
。ところが本発明の方法では、ｐｏｌｙ−Ｓｉ成膜時に
水素プラズマにさらされているので、水素パッシベーシ
ョンを後から施す必要はないという長所もある。
【００２４】更に、ＬＰＣＶＤ法、固相成長法、レーザ
ーアニーリング法等で得られるｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜は｛
１１１｝の優先配向になるのに対し、本発明の方法で得
られたｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜は｛１１０｝の優先配向とな
る。ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜の面内方向（水平方向）に対す
る電子移動度は、｛１１１｝配位よりも｛１１０｝配位
のｐｏｌｙ−Ｓｉの方が大きいことが知られている。 従って、本発明の方法で得られたｐｏｌｙ−Ｓｉを使え
ば、高電子移動度の高性能ＴＦＴを容易に作成できるよ
うになるという大きな長所も合わせもつ。また本発明は
４Ｍビット以上の高集積化ＳＲＡＭの負荷素子用ＴＦＴ
に代表される、ＩＣ、ＬＳＩ、３次元ＳＯＩ素子等の半
導体素子一般への応用にも効果は大きい。
ーアニーリング法等で得られるｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜は｛
１１１｝の優先配向になるのに対し、本発明の方法で得
られたｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜は｛１１０｝の優先配向とな
る。ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜の面内方向（水平方向）に対す
る電子移動度は、｛１１１｝配位よりも｛１１０｝配位
のｐｏｌｙ−Ｓｉの方が大きいことが知られている。 従って、本発明の方法で得られたｐｏｌｙ−Ｓｉを使え
ば、高電子移動度の高性能ＴＦＴを容易に作成できるよ
うになるという大きな長所も合わせもつ。また本発明は
４Ｍビット以上の高集積化ＳＲＡＭの負荷素子用ＴＦＴ
に代表される、ＩＣ、ＬＳＩ、３次元ＳＯＩ素子等の半
導体素子一般への応用にも効果は大きい。
【図１】 本発明で用いたＰＣＶＤ装置の概略図。
１………反応室
２………排気管
３………対抗電極
４………ガス吹き出し孔
５………ガス導入部
６………高周波印加電極
７………基板加熱ヒータ
８………基板
９………高周波電源
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコンを含有するガスをプラズマ励
起によりグロー放電分解し、基板上に多結晶シリコンを
形成させる方法において、基板上における水素の活性状
態を、グロー放電用電極間の距離を調整することによっ
て制御することを特徴とする多結晶シリコン薄膜の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03085249A JP3116403B2 (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03085249A JP3116403B2 (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04318921A true JPH04318921A (ja) | 1992-11-10 |
| JP3116403B2 JP3116403B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=13853298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03085249A Expired - Lifetime JP3116403B2 (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3116403B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0641018A1 (en) * | 1993-08-23 | 1995-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device and thin film transistor with a recrystallized thin semiconductor film |
| JPH07153702A (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Nec Corp | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
| EP0933451A1 (en) * | 1998-01-29 | 1999-08-04 | Nissin Electric Co., Ltd. | Film forming apparatus and method of forming a crystalline silicon film |
| EP1172457A1 (en) * | 2000-07-11 | 2002-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film formation method |
-
1991
- 1991-04-17 JP JP03085249A patent/JP3116403B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0641018A1 (en) * | 1993-08-23 | 1995-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device and thin film transistor with a recrystallized thin semiconductor film |
| JPH07153702A (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Nec Corp | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
| EP0933451A1 (en) * | 1998-01-29 | 1999-08-04 | Nissin Electric Co., Ltd. | Film forming apparatus and method of forming a crystalline silicon film |
| EP1172457A1 (en) * | 2000-07-11 | 2002-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film formation method |
| JP2002030437A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-31 | Canon Inc | 薄膜形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3116403B2 (ja) | 2000-12-11 |
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