JPH04320217A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置とその製造方法Info
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- JPH04320217A JPH04320217A JP3113877A JP11387791A JPH04320217A JP H04320217 A JPH04320217 A JP H04320217A JP 3113877 A JP3113877 A JP 3113877A JP 11387791 A JP11387791 A JP 11387791A JP H04320217 A JPH04320217 A JP H04320217A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マトリクス状に配置し
た薄膜ダイオードを制御することにより液晶を駆動して
画像表示を行う液晶表示装置と、その製造方法とに関す
る。
た薄膜ダイオードを制御することにより液晶を駆動して
画像表示を行う液晶表示装置と、その製造方法とに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】３枚のフォトマスクを用いて形成する薄
膜ダイオードを、液晶駆動スイッチング素子として使用
したものが、たとえば「テレビジョン学会技術報告」ｖ
ｏｌ．１０，Ｎｏ．４７，ｐｐ．７〜１２に記載されて
いる。これを図３の素子断面図と、図４の回路図とを用
いて説明する。
膜ダイオードを、液晶駆動スイッチング素子として使用
したものが、たとえば「テレビジョン学会技術報告」ｖ
ｏｌ．１０，Ｎｏ．４７，ｐｐ．７〜１２に記載されて
いる。これを図３の素子断面図と、図４の回路図とを用
いて説明する。
【０００３】これは図３、図４に示すように、一方の基
板１２上に行電極１３及び画素電極１５を形成し、複数
のダイオード３２を配置し、他方の基板上に走査電極３
１を形成し、両基板間に液晶３３を注入して、各スイッ
チング素子であるダイオード３２を制御して画像表示を
行う。
板１２上に行電極１３及び画素電極１５を形成し、複数
のダイオード３２を配置し、他方の基板上に走査電極３
１を形成し、両基板間に液晶３３を注入して、各スイッ
チング素子であるダイオード３２を制御して画像表示を
行う。
【０００４】この従来構造を、素子断面図を示す図３と
、素子平面図を示す図５とを用いて説明する。ガラスか
らなる基板１２上に、スパッタリング法により酸化イン
ジウムスズからなる透明導電膜を膜厚１００ｎｍ形成す
る。その後、第１のフォトレジストを用いてこの透明導
電膜のエッチングを行い、行電極１３及び画素電極１５
を形成する。この行電極１３の平面パターン形状は、図
５の実線３８に示し、画素電極１５の平面パターン形状
は、図５の実線３５に示す。
、素子平面図を示す図５とを用いて説明する。ガラスか
らなる基板１２上に、スパッタリング法により酸化イン
ジウムスズからなる透明導電膜を膜厚１００ｎｍ形成す
る。その後、第１のフォトレジストを用いてこの透明導
電膜のエッチングを行い、行電極１３及び画素電極１５
を形成する。この行電極１３の平面パターン形状は、図
５の実線３８に示し、画素電極１５の平面パターン形状
は、図５の実線３５に示す。
【０００５】その後、全面に半導体層１７を形成し、第
２のフォトレジストを用いてパターンニングを行い半導
体層１７を形成する。この半導体層１７の平面パターン
形状は、図５の破線３７に示す。
２のフォトレジストを用いてパターンニングを行い半導
体層１７を形成する。この半導体層１７の平面パターン
形状は、図５の破線３７に示す。
【０００６】さらに、配線電極層１９として、全面にス
パッタリング法によりモリブデンを２００〜４００ｎｍ
の厚さに形成する。その後、第３のフォトレジストを用
いて、配線電極層１９及び半導体層１７のパターンニン
グを行う。この配線電極層１９の平面パターン形状は、
図５の一点鎖線３９で示す。半導体層１７は図５の斜線
部４０に形成する。
パッタリング法によりモリブデンを２００〜４００ｎｍ
の厚さに形成する。その後、第３のフォトレジストを用
いて、配線電極層１９及び半導体層１７のパターンニン
グを行う。この配線電極層１９の平面パターン形状は、
図５の一点鎖線３９で示す。半導体層１７は図５の斜線
部４０に形成する。
【０００７】このようにしてスイッチング素子である薄
膜ダイオードを３枚のマスクにより形成する。また配線
電極層１９材料としては、モリブデン以外に、タンタル
、チタン、アルミニュウムを使用しても有効である。
膜ダイオードを３枚のマスクにより形成する。また配線
電極層１９材料としては、モリブデン以外に、タンタル
、チタン、アルミニュウムを使用しても有効である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来の配線電極層１９は、図５の平面図に示すように、
行電極１３及び画素電極１５上に形成される。この行電
極１３及び画素電極１５と、配線電極層１９との重なる
領域は、図５の交差線部３６に示す。配線電極層１９の
材料であるモリブデン、タンタル、チタン、アルミニュ
ウムは、化学的活性度が高い。このため、透明導電層で
ある酸化インジウム及び酸化スズから酸素を奪い、配線
電極層１９と行電極１３、および配線電極層１９と画素
電極１５との界面に、還元されたメタル状のインジウム
、およびメタル状のスズからなる還元層１６を形成する
。この結果、還元層１６が形成されることにより、配線
電極層１９と行電極１３との間、および配線電極層１９
と画素電極１５との間の付着強度が著しく低下して、極
端な場合は配線電極層１９が剥離することもあり、スイ
ッチング素子としての信頼性が損なわれる。この結果、
液晶表示装置の信頼性が低下する。
従来の配線電極層１９は、図５の平面図に示すように、
行電極１３及び画素電極１５上に形成される。この行電
極１３及び画素電極１５と、配線電極層１９との重なる
領域は、図５の交差線部３６に示す。配線電極層１９の
材料であるモリブデン、タンタル、チタン、アルミニュ
ウムは、化学的活性度が高い。このため、透明導電層で
ある酸化インジウム及び酸化スズから酸素を奪い、配線
電極層１９と行電極１３、および配線電極層１９と画素
電極１５との界面に、還元されたメタル状のインジウム
、およびメタル状のスズからなる還元層１６を形成する
。この結果、還元層１６が形成されることにより、配線
電極層１９と行電極１３との間、および配線電極層１９
と画素電極１５との間の付着強度が著しく低下して、極
端な場合は配線電極層１９が剥離することもあり、スイ
ッチング素子としての信頼性が損なわれる。この結果、
液晶表示装置の信頼性が低下する。
【０００９】本発明の目的は、上記課題を解決して、配
線電極層と透明電極層との間の付着強度を高くして、信
頼性の高い液晶表示装置と、その製造方法とを提供する
ことである。
線電極層と透明電極層との間の付着強度を高くして、信
頼性の高い液晶表示装置と、その製造方法とを提供する
ことである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明おいては、下記記載の薄膜ダイオード素子構造
と、その製造方法とを採用する。
に本発明おいては、下記記載の薄膜ダイオード素子構造
と、その製造方法とを採用する。
【００１１】基板上に透明電極層と、半導体層と、配線
電極層とを形成してなる薄膜ダイオードを用いた液晶表
示装置の配線電極層は、この配線電極層の下層に酸化層
あるいは窒化層からなる中間層を有する。
電極層とを形成してなる薄膜ダイオードを用いた液晶表
示装置の配線電極層は、この配線電極層の下層に酸化層
あるいは窒化層からなる中間層を有する。
【００１２】基板上に透明電極層と、半導体層と、配線
電極層とを形成してなる薄膜ダイオードを用いた液晶表
示装置の配線電極層は、窒化層あるいは酸化層からなる
。
電極層とを形成してなる薄膜ダイオードを用いた液晶表
示装置の配線電極層は、窒化層あるいは酸化層からなる
。
【００１３】基板上の全面に透明電極層を形成し、この
透明電極層上に第１のフォトレジストを形成し、この第
１のフォトレジストをマスクにして透明電極層をエッチ
ングして行電極と画素電極とを形成し、第１のフォトレ
ジストを除去する工程と、全面に半導体層を形成し、こ
の半導体層上に第２のフォトレジストを形成し、この第
２のフォトレジストをマスクとして半導体層をエッチン
グし、第２のフォトレジストを除去する工程と、酸化層
あるいは窒化層からなる中間層と配線電極層とを順次形
成する工程と、この配線電極層上に第３のフォトレジス
トを形成し、この第３のフォトレジストをマスクにして
配線電極層と中間層とをエッチングし、さらに半導体層
をエッチングし、第３のフォトレジストを除去する工程
とを有する。
透明電極層上に第１のフォトレジストを形成し、この第
１のフォトレジストをマスクにして透明電極層をエッチ
ングして行電極と画素電極とを形成し、第１のフォトレ
ジストを除去する工程と、全面に半導体層を形成し、こ
の半導体層上に第２のフォトレジストを形成し、この第
２のフォトレジストをマスクとして半導体層をエッチン
グし、第２のフォトレジストを除去する工程と、酸化層
あるいは窒化層からなる中間層と配線電極層とを順次形
成する工程と、この配線電極層上に第３のフォトレジス
トを形成し、この第３のフォトレジストをマスクにして
配線電極層と中間層とをエッチングし、さらに半導体層
をエッチングし、第３のフォトレジストを除去する工程
とを有する。
【００１４】基板上の全面に透明電極層を形成し、この
透明電極層上に第１のフォトレジストを形成し、この第
１のフォトレジストをマスクにして透明電極層をエッチ
ングして行電極と画素電極とを形成し、第１のフォトレ
ジストを除去する工程と、全面に半導体層を形成し、こ
の半導体層上に第２のフォトレジストを形成し、この第
２のフォトレジストをマスクにして半導体層をエッチン
グし、第２のフォトレジストを除去する工程と、酸化層
あるいは窒化層からなる配線電極層を形成する工程と、
第３のフォトレジストを形成し、この第３のフォトレジ
ストをマスクにして配線電極層をエッチングし、さらに
半導体層をエッチングし、第３のフォトレジストを除去
する工程とを有する。
透明電極層上に第１のフォトレジストを形成し、この第
１のフォトレジストをマスクにして透明電極層をエッチ
ングして行電極と画素電極とを形成し、第１のフォトレ
ジストを除去する工程と、全面に半導体層を形成し、こ
の半導体層上に第２のフォトレジストを形成し、この第
２のフォトレジストをマスクにして半導体層をエッチン
グし、第２のフォトレジストを除去する工程と、酸化層
あるいは窒化層からなる配線電極層を形成する工程と、
第３のフォトレジストを形成し、この第３のフォトレジ
ストをマスクにして配線電極層をエッチングし、さらに
半導体層をエッチングし、第３のフォトレジストを除去
する工程とを有する。
【００１５】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１は本発明の薄膜ダイオードを示す断面図であり
、図２は本発明の薄膜ダイオードを示す平面図である。 なお図１の断面図は図２におけるＡーＡ線での断面を示
す。はじめに本発明の薄膜ダイオード構造を図１（ｅ）
を用いて説明する。
る。図１は本発明の薄膜ダイオードを示す断面図であり
、図２は本発明の薄膜ダイオードを示す平面図である。 なお図１の断面図は図２におけるＡーＡ線での断面を示
す。はじめに本発明の薄膜ダイオード構造を図１（ｅ）
を用いて説明する。
【００１６】本発明における薄膜ダイオードは、基板１
２上に透明導電膜からなる画素電極１５と行電極１３と
を設け、さらに半導体層１７を設け、配線電極層１９の
下層に密着層である中間層２０を設ける構造である。
２上に透明導電膜からなる画素電極１５と行電極１３と
を設け、さらに半導体層１７を設け、配線電極層１９の
下層に密着層である中間層２０を設ける構造である。
【００１７】次に本発明の薄膜ダイオードの製造方法を
、図１（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。まず図１（ａ
）に示すように、ガラスからなる基板１２の上に透明電
極層として、たとえば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を
スパッタリング法により、５０〜１００ｎｍの厚さで形
成する。その後、フォトレジストを全面に塗布し、第１
のフォトマスクを用いて露光、現像を行ってフォトレジ
ストのパターニングを行い、第１のフォトレジスト１４
を形成する。その後、この第１のフォトレジスト１４を
マスクにして、透明電極層のエッチングを行い、画素電
極１５及び行電極１３をパターニングする。 透明電極層のエッチングは、塩化第二鉄と塩酸との混合
溶液を用いる。この画素電極１５と行電極１３との平面
パターン形状を、図２の実線３５に示す。その後、第１
のフォトレジスト１４を除去する。
、図１（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。まず図１（ａ
）に示すように、ガラスからなる基板１２の上に透明電
極層として、たとえば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を
スパッタリング法により、５０〜１００ｎｍの厚さで形
成する。その後、フォトレジストを全面に塗布し、第１
のフォトマスクを用いて露光、現像を行ってフォトレジ
ストのパターニングを行い、第１のフォトレジスト１４
を形成する。その後、この第１のフォトレジスト１４を
マスクにして、透明電極層のエッチングを行い、画素電
極１５及び行電極１３をパターニングする。 透明電極層のエッチングは、塩化第二鉄と塩酸との混合
溶液を用いる。この画素電極１５と行電極１３との平面
パターン形状を、図２の実線３５に示す。その後、第１
のフォトレジスト１４を除去する。
【００１８】次に図１（ｂ）に示すように、アモルファ
スシリコンからなる半導体層１７をプラズマ気相成長法
により、３００〜４００ｎｍ厚さで形成する。この半導
体層１７には、基板１２側から導電型が、ｐ型、ｉ型す
なわち真性半導体、ｎ型のダイオード構造になるように
、半導体層１７にｎ型、ｐ型の不純物をそれぞれ導入す
る。その後フォトレジストを全面に塗布し、第２のフォ
トマスクを用いて露光、現像を行い、第２のフォトレジ
スト１８を形成する。第２のフォトレジスト１８の平面
パターン形状は図２の破線３７に示す。
スシリコンからなる半導体層１７をプラズマ気相成長法
により、３００〜４００ｎｍ厚さで形成する。この半導
体層１７には、基板１２側から導電型が、ｐ型、ｉ型す
なわち真性半導体、ｎ型のダイオード構造になるように
、半導体層１７にｎ型、ｐ型の不純物をそれぞれ導入す
る。その後フォトレジストを全面に塗布し、第２のフォ
トマスクを用いて露光、現像を行い、第２のフォトレジ
スト１８を形成する。第２のフォトレジスト１８の平面
パターン形状は図２の破線３７に示す。
【００１９】次に図１（ｃ）に示すように、第２のフォ
トレジスト１８をマスクにして乾式エッチング装置を用
いて、半導体層１７をエッチングする。この半導体層１
７のエッチングは、反応性イオンエッチング装置を使用
し、四フッ化炭素と酸素との混合ガスをエッチングガス
として用いる。その後、第２のフォトレジスト１８の除
去を行う。
トレジスト１８をマスクにして乾式エッチング装置を用
いて、半導体層１７をエッチングする。この半導体層１
７のエッチングは、反応性イオンエッチング装置を使用
し、四フッ化炭素と酸素との混合ガスをエッチングガス
として用いる。その後、第２のフォトレジスト１８の除
去を行う。
【００２０】次に図１（ｄ）に示すように、スパッタリ
ング装置の反応室内に酸素を０．２〜２．０％含む不活
性ガス、たとえばアルゴンガスを導入して、モリブデン
の反応性スパッタリングを行い、中間層２０である酸化
モリブデンを１０〜３０ｎｍの厚さに形成する。その後
、アルゴンガスをスパッタリングガスとして、配線電極
層１９であるモリブデンを２００〜４００ｎｍの厚さに
形成する。その後、フォトレジストを塗布し、第３のフ
ォトマスクを用いて露光、現像を行い、第３のフォトレ
ジスト２１を形成する。
ング装置の反応室内に酸素を０．２〜２．０％含む不活
性ガス、たとえばアルゴンガスを導入して、モリブデン
の反応性スパッタリングを行い、中間層２０である酸化
モリブデンを１０〜３０ｎｍの厚さに形成する。その後
、アルゴンガスをスパッタリングガスとして、配線電極
層１９であるモリブデンを２００〜４００ｎｍの厚さに
形成する。その後、フォトレジストを塗布し、第３のフ
ォトマスクを用いて露光、現像を行い、第３のフォトレ
ジスト２１を形成する。
【００２１】次に図１（ｅ）に示すように、リン酸／酢
酸／硝酸＝１０／３０／１の組成比のエッチング液によ
り、配線電極層１９と中間層２０とのパターンニングを
同時に行う。この配線電極層１９と中間層２０との平面
パターン形状は、図２の一点鎖線３９で示す。このとき
画素電極１５上には、まだ半導体層１７は残存している
。
酸／硝酸＝１０／３０／１の組成比のエッチング液によ
り、配線電極層１９と中間層２０とのパターンニングを
同時に行う。この配線電極層１９と中間層２０との平面
パターン形状は、図２の一点鎖線３９で示す。このとき
画素電極１５上には、まだ半導体層１７は残存している
。
【００２２】次に、乾式エッチング装置を使用して、第
３のフォトレジスト２１をマスクにして、半導体層１７
をパターニングする。半導体層１７のエッチングは、反
応性イオンエッチング装置を使用し、エッチングガスと
して四フッ化炭素と酸素との混合ガスを用いる。半導体
層１７は、図２の斜線部４０に形成されている。その後
、第３のフォトレジスト２１の除去を行い、スイッチン
グ素子である薄膜ダイオードを３枚のフォトマスクによ
り形成する。
３のフォトレジスト２１をマスクにして、半導体層１７
をパターニングする。半導体層１７のエッチングは、反
応性イオンエッチング装置を使用し、エッチングガスと
して四フッ化炭素と酸素との混合ガスを用いる。半導体
層１７は、図２の斜線部４０に形成されている。その後
、第３のフォトレジスト２１の除去を行い、スイッチン
グ素子である薄膜ダイオードを３枚のフォトマスクによ
り形成する。
【００２３】本発明において形成した透明電極層上の配
線電極層の付着強度を、レスカ株式会社製ＣＳＲ−０２
スクラッチ試験器により測定した。この結果、本発明に
よる配線電極層１９の下層に中間層２０を形成したとき
の付着強度は、４．８０ｇｆであった。これに対して、
従来法で形成した付着強度は２．４５ｇｆであり、本発
明は従来法に対して約２倍付着強度が向上していた。
線電極層の付着強度を、レスカ株式会社製ＣＳＲ−０２
スクラッチ試験器により測定した。この結果、本発明に
よる配線電極層１９の下層に中間層２０を形成したとき
の付着強度は、４．８０ｇｆであった。これに対して、
従来法で形成した付着強度は２．４５ｇｆであり、本発
明は従来法に対して約２倍付着強度が向上していた。
【００２４】また以上説明した本発明の実施例では、中
間層２０にモリブデンの酸化層を形成した例で説明した
が、中間層２０としては、不活性ガスに添加する反応性
ガスとして窒素を反応室内に導入して形成する窒化層を
使用しても、同様な効果が得られ有効である。さらに配
線電極層材料として、モリブデン以外にも、アルミニュ
ウム、タンタル、チタン、タングステンも適用できる。
間層２０にモリブデンの酸化層を形成した例で説明した
が、中間層２０としては、不活性ガスに添加する反応性
ガスとして窒素を反応室内に導入して形成する窒化層を
使用しても、同様な効果が得られ有効である。さらに配
線電極層材料として、モリブデン以外にも、アルミニュ
ウム、タンタル、チタン、タングステンも適用できる。
【００２５】さらに本発明の配線電極層１９は、物理気
相成長法である真空蒸着法、イオンプレーティング法、
スパッタリング法で形成することが可能であり、さらに
化学気相成長法で形成することもできる。
相成長法である真空蒸着法、イオンプレーティング法、
スパッタリング法で形成することが可能であり、さらに
化学気相成長法で形成することもできる。
【００２６】さらに中間層２０である酸化層あるいは窒
化層を配線電極層としても有効である。すなわち、配線
電極層をすべて酸化層、あるいは窒化層で構成する。こ
のように配線電極層を酸化層、あるいは窒化層で構成す
ると、特に現在一般的に使用されているインライン型ス
パッタリング装置において、異種のスパッタリングガス
をスパッタリング装置内に導入して、中間層及び配線電
極層を形成することは、工業生産上不利である。このた
め酸化層、あるいは窒化層のみを配線電極層とする構造
は、工業生産上の大きな利点となる。以上のように、本
発明における透明電極層上の配線電極層の付着強度は、
従来法に比べはるかに向上し、薄膜ダイオード素子の信
頼性も高くなる。
化層を配線電極層としても有効である。すなわち、配線
電極層をすべて酸化層、あるいは窒化層で構成する。こ
のように配線電極層を酸化層、あるいは窒化層で構成す
ると、特に現在一般的に使用されているインライン型ス
パッタリング装置において、異種のスパッタリングガス
をスパッタリング装置内に導入して、中間層及び配線電
極層を形成することは、工業生産上不利である。このた
め酸化層、あるいは窒化層のみを配線電極層とする構造
は、工業生産上の大きな利点となる。以上のように、本
発明における透明電極層上の配線電極層の付着強度は、
従来法に比べはるかに向上し、薄膜ダイオード素子の信
頼性も高くなる。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、配線電極
層と透明導電膜の間に、中間密着層である酸化層あるい
は窒化層を形成することにより、配線電極層と透明導電
膜間の付着強度が向上し、液晶表示装置の信頼性がはる
かに改善され、信頼性が向上する。
層と透明導電膜の間に、中間密着層である酸化層あるい
は窒化層を形成することにより、配線電極層と透明導電
膜間の付着強度が向上し、液晶表示装置の信頼性がはる
かに改善され、信頼性が向上する。
【図１】本発明の薄膜ダイオードの構造と製造方法とを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明における薄膜ダイオードの平面パターン
形状を示す平面図である。
形状を示す平面図である。
【図３】従来の薄膜ダイオード素子を示す断面図である
。
。
【図４】薄膜ダイオード素子を用いた液晶表示装置を示
す回路図である。
す回路図である。
【図５】従来の薄膜ダイオードの平面パターン形状を示
す平面図である。
す平面図である。
１２ 基板
１３ 行電極
１５ 画素電極
１７ 半導体層
１９ 配線電極層
２０ 中間層
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に透明電極層と半導体層と配線
電極層とを形成する薄膜ダイオードを用いた液晶表示装
置の該配線電極層は、前記配線電極層の下層に中間層を
有することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 基板上に透明電極層と半導体層と配線
電極層とを形成する薄膜ダイオードを用いた液晶表示装
置の該配線電極層は、酸化層あるいは窒化層であること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 基板上の全面に透明電極層を形成し、
該透明電極層上に第１のフォトレジストを形成し、該第
１のフォトレジストをマスクとして前記透明電極層をエ
ッチングして行電極と画素電極とを形成し、前記第１の
フォトレジストを除去する工程と、全面に半導体層を形
成し、該半導体層上に第２のフォトレジストを形成し、
該第２のフォトレジストをマスクとして前記半導体層を
エッチングし、前記第２のフォトレジストを除去する工
程と、物理気相成長装置あるいは化学気相成長装置の反
応室内に不活性ガスと反応性ガスとを、あるいは該反応
室内に反応性ガスを導入して中間層である酸化層あるい
は窒化層を形成し、さらに配線電極層を形成し、該配線
電極層上に第３のフォトレジストを形成し、該第３のフ
ォトレジストをマスクとして前記配線電極層と中間層と
をエッチングし、さらに前記半導体層をエッチングし、
前記第３のフォトレジストを除去する工程とを有するこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 基板上の全面に透明電極層を形成し、
該透明電極層上に第１のフォトレジストを形成し、該第
１のフォトレジストをマスクとして前記透明電極層をエ
ッチングして行電極と画素電極とを形成し、前記第１の
フォトレジストを除去する工程と、全面に半導体層を形
成し、該半導体層上に第２のフォトレジストを形成し、
該第２のフォトレジストをマスクとして前記半導体層を
エッチングし、前記第２のフォトレジストを除去する工
程と、物理気相成長装置あるいは化学気相成長装置の反
応室内に不活性ガスと反応性ガスとを、あるいは該反応
室内に反応性ガスを導入して配線電極層を形成し、該配
線電極層上に第３のフォトレジストを形成し、該第３の
フォトレジストをマスクとして前記配線電極層をエッチ
ングし、さらに前記半導体層をエッチングし、前記第３
のフォトレジストを除去する工程とを有することを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3113877A JPH04320217A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3113877A JPH04320217A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04320217A true JPH04320217A (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=14623359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3113877A Pending JPH04320217A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04320217A (ja) |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP3113877A patent/JPH04320217A/ja active Pending
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