JPH04320420A - ポリカーボネート及びその製造方法並びにこれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真感光体、ＥＬ
素子、太陽電池等、とりわけ電子写真感光体の電荷輸送
層における電荷移動物質等として好適に使用することが
できる新規なポリマーであるポリカーボネートとその好
適な製造方法に関する。本発明は、また、該ポリカーボ
ネートを電荷移動物質として用いた電子写真感光体に関
する。

【０００２】

【従来の技術】最近の電子写真感光体は、感光層が少な
くとも、露光により電荷を発生させる電荷発生層（ＣＧ
Ｌ）と電荷を輸送する電荷輸送層（ＣＴＬ）とを有する
２層以上の積層型の有機電子写真感光体（ＯＰＣ）が主
流となってきている。この種の有機電子写真感光体にお
ける電荷輸送層には、電荷移動物質（ＣＴＭ）をバイン
ダー樹脂、とりわけバインダー樹脂としてのポリカーボ
ネート（ＰＣ）に分散溶解キャストしたものが使用され
ている。このバインダー樹脂としてのポリカーボネート
に溶解分散させている電荷移動物質は、現在、光導電作
用を向上させるため、重量基準で４〜５割を占めており
、このため、従来のこの種の電子写真感光体においては
、耐刷性等の向上を目的としたバインダー樹脂としての
ポリカーボネートの本来の特性（例えば、表面硬度、耐
剥離性、密着性、耐摩耗性等の機械的強度を十分に付与
若しくは向上させ、十分な耐久性を与える特性）が十分
に発揮されていないという問題点がある。そこで、この
問題点を解決することを目的として、従来、種々の試み
がなされてきてはいるが、いずれの従来技術によっても
、この問題点は十分に解消されているとは言い難い。

【０００３】ともあれ、これらの従来技術の中でも、バ
インダー樹脂若しくはその成分としての作用をも具備し
ているポリマー系の電子写真感光体を用いる技術は特に
注目にあたいする。例えば、特開平１−７７６４号公報
に開示されているポリアリールアミン化合物は、それ自
体が電荷移動物質であるアリールアミン系低分子化合物
をアルキルクロロホルメート化合物と共重合させて得ら
れた光導電作用を有するポリカーボネートであり、これ
を有機電子写真感光体の電荷輸送層に、電荷移動物質及
びバインダー樹脂若しくはその成分を兼用する形で用い
る技術は、前記問題点の解決を目的とした一手段として
特に注目される。しかしながら、この従来の光導電性ポ
リカーボネートによっても、十分な耐刷性の改善には至
っていない。また、電荷輸送層の電気的特性についても
、この従来の光導電性ポリカーボネートを電荷輸送層に
使用すると従来の分散系の場合に比べて幾分向上するこ
とが認められるものの、大幅な改善には至っていない。 このように、この従来の光導電性ポリカーボネートの使
用によって、電気的特性及び耐刷性等の特性を十分に改
善しえない理由として、種々の点があろうが、該光導電
性ポリカーボネートが、アリールアミン系低分子電荷移
動物質とアルキルクロロホルメート化合物とが必然的に
１：１のモル比で共重合したポリマーでありそのモル比
の調整ができない点、また、アリールアミン単位がポリ
マーの主鎖部に有する点などを指摘することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の事情
を鑑みてなされたものである。本発明の目的は、前記問
題点を解決し、有機電子写真感光体の感光層、特に電荷
輸送層の電荷移動物質又は電荷移動物質兼バインダー樹
脂として好適に利用することができ、特に耐刷性及び電
気的特性に優れた高性能（高感度、高画質、耐久性等）
の電子写真感光体を容易に実現することができる新規な
構造の光導電性ポリマーであるポリカーボネートを提供
することにある。また、本発明の他の目的は、本発明の
ポリカーボネートの製造方法として好適に使用すること
ができる実用上有利な製造方法を提供することにある。 更に、本発明の他の目的は、本発明のポリカーボネート
を少なくとも電荷輸送層の電荷移動物質として用いるこ
とにより、前記問題点が解決されており、耐刷性及び電
気的性質に著しく優れ、長時間の使用にわたって優れた
表面硬度等の機械的強度（耐刷性等）及び優れた電子写
真特性（高感度、高画質等）を維持するなど実用上の性
能が著しく改善された電子写真感光体を提供することに
ある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、有機電子
写真感光体の電荷輸送層の電荷移動物質兼バインダー樹
脂として好適に使用することができ、該電荷輸送層の耐
刷性及び電気的特性を共に十分に向上させることが可能
な新しい光導電性ポリカーボネートを開発すべく鋭意研
究を行った。その結果、側鎖にアリールアミン型の構造
単位を有する特定の構造の繰り返し単位あるいはこれと
従来の芳香族ポリカーボネート等に見られる各種のビス
フェノール系の繰り返し単位とからなる新規な構造のポ
リカーボネート（単独重合及び共重合体）が、上記の目
的を満足する光導電性ポリカーボネートであることを見
出した。また、この光導電性ポリカーボネートを有機電
子写真感光体の電荷輸送層の電荷移動物質又は電荷移動
物質兼バインダー樹脂として用いることによって、優れ
た電気的特性及び耐刷性を示す電荷輸送層を有するなど
優れた性能の電子写真感光体を得ることができることを
見出した。

【０００６】また、本発明のポリカーボネートの製造方
法について種々検討を行った結果、側鎖にアリールアミ
ン型の構造単位を有する特定の構造のジヒドロキシアリ
ールアミン化合物あるいはこれと各種のビスフェノール
系ポリカーボネートの原料として用いられる二価フェノ
ール化合物（ビスフェノール化合物）とを炭酸エステル
形成性化合物と反応させることによって、本発明のポリ
カーボネートを有利にに製造することができることを見
出した。

【０００７】本発明者らは、主として以上の知見に基づ
いて、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は
、下記の一般式［Ｉ］で表される繰り返し単位［Ｉ］あ
るいは該繰り返し単位［Ｉ］及び下記の一般式［ＩＩ］
で表される繰り返し単位［ＩＩ］

【化１６】 ｛但し、式［Ｉ］中、Ｒ１　は、各々独立に、水素原子
又は炭素数１〜５のアルキル基を示し、Ｘ１　は水素原
子、炭素数１〜５のアルキル基、式［ＩＩＩ］で表され
る芳香族アミノ基又は式［ＩＶ］で表される芳香族アミ
ノ基

【化１７】 ［但し、Ｒ２　は、各々独立に、水素原子又は炭素数１
〜５のアルキル基であり、Ｙは、水素原子、式［Ｖ］で
表される芳香族アミノ基又は式［ＶＩ］で表される芳香
族アミノ基

【化１８】 （Ｒ３　は、各々独立に、水素原子又は炭素数１〜５の
アルキル基である。）である。］を示し、Ｘ２　は前記
式［ＩＩＩ］で表される芳香族アミノ基又は前記式［Ｉ
Ｖ］で表される芳香族アミノ基を示し、Ｘ１　とＸ２　
は互いに同じでもよく、相違していてもよく、Ｚは、直
接結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−（ＣＨ２）ｐ
−（但し、ｐは２〜１０の整数である。）、次の式［Ｖ
ＩＩ］

【化１９】 （但し、ｑは、４〜１０の整数である。）で表されるシ
クロヘキシリデン基又は次の式［ＶＩＩＩ］

【化２０】 （但し、Ｒ４は、各々独立に、水素原子、−ＣＦ３、炭
素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール
基である。）で表される基を示す。また、式［ＩＩ］中
、Ｗ１　は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭
素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール
基を示し、Ｑは、直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−
、−ＳＯ２　−、−（ＣＨ２　）ｎ　−（但し、ｎは２
〜１０の整数である。）、次の式［ＩＸ］

【化２１】 （但し、ｍは４〜１０の整数である。）で表されるシク
ロアルキリデン基又は次の式［Ｘ］

【化２２】 （但し、Ｗ２　は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜
６のアルキル基若しくはハロゲン置換アルキル基、又は
炭素数６〜１２のアリール基である。）で表される基を
示し、ｋは１〜４の整数を示す。｝からなり、前記繰り
返し単位［Ｉ］の含有割合がモル比で、０＜｛［Ｉ］／
（［Ｉ］＋［ＩＩ］）｝≦１の関係を満足するとともに
、塩化メチレンを溶媒とする濃度０．５ｇ／ｄｌの溶液
の２０℃における還元粘度［ηｓｐ／Ｃ］が０．１ｄｌ
／ｇ以上であることを特徴とするポリカーボネートを提
供するものである。

【０００８】また、本発明は、下記の一般式［ＸＩ］

【
化２３】 （但し、式中、Ｒ１　、Ｘ１　、Ｘ２　及びＺは、それ
ぞれ、前記同様の意味を有する。）で表されるジヒドロ
キシアリールアミン化合物を、あるいは、該ジヒドロキ
シアリールアミン化合物と下記の一般式［ＸＩＩ］

【化
２４】 （但し、式中、Ｗ１　、Ｑ及びｋは、それぞれ、前記同
様の意味を有する。）で表される二価フェノール化合物
とを、炭酸エステル形成性化合物と反応させることを特
徴とするポリカーボネートの製造方法を提供するもので
ある。更に本発明は、本発明のポリカーボネートの特に
好適な利用例として、該ポリカーボネートを電荷移動物
質として用いたことを特徴とする電子写真感光体を併せ
て提供するものである。

【０００９】前記一般式［Ｉ］の繰り返し単位［Ｉ］に
おいて、Ｒ１　は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル
基を示すが、このアルキル基としては、例えば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ
−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ
−ペンチル基などを挙げることができる。これらの中で
も、水素原子、メチル基等のより低級のアルキル基が好
ましく、特に水素原子が好ましい。

【００１０】　　前記一般式［Ｉ］において、Ｘ１は水
素原子、炭素数１〜５のアルキル基、式［ＩＩＩ］で表
される芳香族アミノ基又は式［ＩＶ］で表される芳香族
アミノ基であり、一方、Ｘ２　は式［ＩＩＩ］で表され
る芳香族アミノ基又は式［ＩＶ］で表される芳香族アミ
ノ基である。Ｘ１　とＸ２　は互いに同じであってもよ
いし、相違していてもよい。すなわち、本発明のヒドロ
キシアリールアミン化合物は、そのビスフェノール型骨
格の少なくとも一方のフェニレン基が、式［ＩＩＩ］又
は［ＩＶ］で表される芳香族アミノ基を置換基として有
する。 Ｘ１　がアルキル基の場合、そのアルキル基としては、
Ｒ１　に関し例示した前記各種のアルキル基を挙げるこ
とができ、中でも、立体障害の小さいものが好ましく、
特にメチル基が好ましい。水素原子もＸ１　として特に
好ましいもののひとつとして挙げることができる。

【００１１】前記式［ＩＩＩ］又は式［ＩＶ］で表され
る芳香族アミノ基において、Ｒ２　は水素原子又は炭素
数１〜５のアルキル基を示すが、そのアルキル基として
は、Ｒ１　に関し例示した前記各種のアルキル基を挙げ
ることができる。Ｒ２　としては、水素原子、メチル基
などが好ましい。一方、Ｙは水素原子、前記式［Ｖ］で
表される芳香族アミノ基又は前記式［ＶＩ］で表される
芳香族アミノ基を示す。ここで、これらの芳香族アミノ
基におけるＲ３　は水素原子又は炭素数１〜５のアルキ
ル基を示すが、該アルキル基としては、Ｒ１　に関して
例示した前記各種のアルキル基を挙げることができる。 Ｒ３　としては、水素原子、メチル基などが好ましい。

【００１２】前記式［Ｖ］で表される芳香族アミノ基す
なわちジアリールアミノ基において、Ｒ３　が結合して
いる一対のフェニル基は、各々独立に、未置換のフェニ
ル基又は前記アルキル基が置換しているアルキルフェニ
ル基とすることができる。これらの中でもフェニル基、
メチルフェニル基などが好ましく、特にフェニル基、ｐ
−メチルフェニル基などが好ましい。該芳香族アミノ基
［Ｖ］の具体例としては、例えば、ジフェニルアミノ基
、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル
−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（３−メ
チルフェニル）アミノ基、ビス（４−エチルフェニル）
アミノ基、ビス（４−プロピルフェニル）アミノ基、ビ
ス（４−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ペンチ
ルフェニル）アミノ基などを挙げることができる。これ
らの中でも、特に、ジフェニルアミノ基、ビス（４−メ
チルフェニル）アミノ基などが好ましい。

【００１３】前記式［ＶＩ］で表される芳香族アミノ基
すなわちカルバゾール型アミノ基中にはＲ３　が結合し
ている一対の１，２−フェニレン基があるが、それらの
フェニレン基は、各々独立に、未置換の１，２−フェニ
レン基又は前記アルキル基が置換している１，２−フェ
ニレン基すなわちアルキル−１，２−フェニレン基とす
ることができる。これらの中でも、１，２−フェニレン
基、メチル−１，２−フェニレン基等のアルキル−１，
２−フェニレン基などが好ましく、特に、１，２−フェ
ニレン基、４−メチル−１，２−フェニレン基などが好
ましい。該芳香族アミノ基［ＶＩ］としては、カルバゾ
ール中のアミノ基（＞Ｎ−Ｈ）から水素原子を引き抜い
てなる残基（以下、９−カルバゾリル基又は９−カルバ
ゾリルと呼ぶことがある。）及びカルバゾールに前記各
種のアルキル基が１又は２個置換してなる各種のアルキ
ルカルバゾールのアミノ基（＞Ｎ−Ｈ）から水素原子を
引き抜いてなるそれぞれの残基（以下、アルキル−９−
カルバゾリル基又はアルキル−９−カルバゾリルという
ように呼ぶことがある。）がある。これら芳香族アミノ
基［ＶＩ］の典型的なものをいくつか例示すると、例え
ば、２−メチル−９−カルバゾリル基、３−メチル−９
−カルバゾリル基、４−メチル−９−カルバゾリル基、
３−エチル−９−カルバゾリル基、３−プロピル−９−
カルバゾリル基、３−ブチル−９−カルバゾリル基、３
−ペンチル−９−カルバゾリル基、３，６−ジメチル−
９−カルバゾリル基、３，５−ジメチル−９−カルバゾ
リル基、４，５−ジメチル−９−カルバゾリル基、３，
６−ジエチル−９−カルバゾリル基、３，６−ジプロピ
ル−９−カルバゾリル基、３，６−ジブチル−９−カル
バゾリル基、３，６−ジペンチル−９−カルバゾリル基
などを挙げることができる。これらの中でも特に好まし
い芳香族アミノ基［ＶＩ］の例として、例えば、次の式
［ＶＩａ］で示される９−カルバゾリル基、式［ＶＩｂ
］で示される３，６−ジメチル−９−カルバゾリル基な
どを挙げることができる。

【００１４】

【化２５】

【００１５】したがって、前記式［ＩＩＩ］又は式［Ｉ
Ｖ］中のＹの具体例としては、水素原子、前記例示の各
種の芳香族アミノ基［Ｖ］及び［ＶＩ］を挙げることが
できる。これらの中でも、特に、水素原子、ジフェニル
アミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、９−
カルバゾリル基（式［ＶＩａ］）、３，６−ジメチル−
９−カルバゾリル基（式［ＶＩｂ］）などが好ましい。

【００１６】前記式［ＩＩＩ］で表される芳香族アミノ
基において、Ｒ２　及びＹが結合している一対のフェニ
ル基は、各々独立に、未置換のフェニル基、Ｒ２　とし
て例示した前記アルキル基で置換されたアルキルフェニ
ル基あるいはフェニル基又はそれらのアルキルフェニル
基にＹとして例示した前記芳香族アミノ基［Ｖ］又は芳
香族アミノ基［ＶＩ］が置換してなる各種の芳香族アミ
ノ基置換フェニル基又は芳香族アミノ基置換アルキルフ
ェニル基等とすることができる。なお、該アルキルフェ
ニル基の具体例としては、前記例示の各種のアルキルフ
ェニル基を挙げることができ、その好ましいもの及び特
に好ましいものも前記同様である。

【００１７】前記Ｘ１　及びＸ２　とすることができる
前記芳香族アミノ基［ＩＩＩ］の具体例としては、前記
したようにＲ２　及びＹ更にはＲ３　の選択及び組合せ
等に応じた各種のものがあるが、そのうちの典型的なも
のを例示すると例えば、ジフェニルアミノ基；ビス（４
−メチルフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４
−メチルフェニル）アミノ基、ビス（３−メチルフェニ
ル）アミノ基、ビス（４−エチルフェニル）アミノ基、
ビス（４−プロピルフェニル）アミノ基、ビス（４−ブ
チルフェニル）アミノ基、ビス（４−ペンチルフェニル
）アミノ基等の各種のアルキル置換ジフェニルアミノ基
；ビス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］アミノ基
、ビス［３−（ジフェニルアミノ）フェニル］アミノ基
、ビス［４−（ジフェニルアミノ）−３−メチルフェニ
ル］アミノ基、ビス｛４−［ビス（４−メチルフェニル
）アミノ］フェニル｝アミノ基、ビス｛４−［ビス（４
−エチルフェニル）アミノ］フェニル｝アミノ基、ビス
｛４−［ビス（４−プロピルフェニル）アミノ］フェニ
ル｝アミノ基、ビス｛４−［ビス（４−ブチルフェニル
）アミノ］フェニル｝アミノ基、ビス｛４−［Ｎ−（４
−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝
アミノ基、４−｛Ｎ−［４−（ジフェニルアミノ）フェ
ニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝フェニル基、４−｛Ｎ−
［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］−Ｎ−［４−メ
チルフェニル］アミノ｝フェニル基等の各種の（ジフェ
ニルアミノ基若しくはアルキル置換ジフェニルアミノ基
）置換ジフェニルアミノ基及び下記の式［ＩＩＩａ］（
但し、式中のＲ３　は、各々独立に、前記同様であり、
好ましくは水素原子又はメチル基である。）で表される
基等の各種の、未置換又はアルキル置換９−カルバゾリ
ル基を有するジフェニルアミノ基などを挙げることがで
きる。

【００１８】

【化２６】

【００１９】一方、前記Ｘ１　及びＸ２　とすることが
できる前記芳香族アミノ基［ＩＶ］の具体例としては、
前記したようにＲ２　及びＹ更にはＲ３　の選択及び組
合せ等に応じた各種のものがあるが、このうちＹが水素
原子であるものの具体例としては、例えば、９−カルバ
ゾリル基、２−メチル−９−カルバゾリル基、３−メチ
ル−９−カルバゾリル基、４−メチル−９−カルバゾリ
ル基、３−エチル−９−カルバゾリル基、３−プロピル
−９−カルバゾリル基、３−ブチル−９−カルバゾリル
基、３−ペンチル−９−カルバゾリル基、３，６−ジメ
チル−９−カルバゾリル基、３，５−ジメチル−９−カ
ルバゾリル基、４，５−ジメチル−９−カルバゾリル基
、３，６−ジエチル−９−カルバゾリル基、３，６−ジ
プロピル−９−カルバゾリル基、３，６−ジブチル−９
−カルバゾリル基、３，６−ジペンチル−９−カルバゾ
リル基などを挙げることができる。また、Ｙが水素原子
でないものの具体例としては、上記例示の各種のカルバ
ゾリルフェニル基のカルバゾール環に前記例示の各種の
芳香族アミノ基［Ｖ］及び［ＶＩ］が置換してなる各種
の芳香族アミノ基［ＩＶ］を挙げることができる。一方
、前記芳香族アミノ基［ＩＶ］を構造上の点から分類す
ると、その典型的なものとして、例えば、下記の式［Ｉ
Ｖａ］（但し、式中のＥは、各々独立に、前記Ｒ２　及
びＹから選ばれる基を表す。）で表される未置換又は各
種置換４−（９−カルバゾリル）フェニル基を挙げるこ
とができる。

【００２０】

【化２７】

【００２１】Ｘ１　及びＸ２　として特に好ましい基を
例示すると、例えば、ジフェニルアミノ基、ビス（４−
メチルフェニル）アミノ基、ビス［４−（ジフェニルア
ミノ）フェニル］アミノ基、ビス［４−（ビス（４−メ
チルフェニル）アミノ）フェニル］アミノ基、ビス［４
−（９−カルバゾリル）フェニル］アミノ基すなわちＲ
３が水素原子の場合の式［ＩＩＩａ］で表される基、ビ
ス［４−（３，６−ジメチル−９−カルバゾリル）フェ
ニル］アミノ基すなわちＲ３　がメチル基の場合の式［
ＩＩＩａ］で表される基、下記の式［ＩＶａ−１］、式
［ＩＶａ−２］又は式［ＩＶａ−３］

【００２２】

【化２８】

【００２３】（但し、式中のＥは水素原子又はメチル基
を表す。）で表される各種の基｛すなわち、９−カルバ
ゾリル基、３，６−ジメチル−９−カルバゾリル基、３
，６−ビス（９−カルバゾリル）−９−カルバゾリル基
、３，６−ビス（３，６−ジメチル−９−カルバゾリル
）−９−カルバゾリル基、３，６−ビス（ジフェニルア
ミノ）−９−カルバゾリル基、３，６−ビス［ビス（４
−メチルフェニル）アミノ］−９−カルバゾリル等｝な
どを挙げることができ、また、Ｘ１　として特に好まし
い基としては、上記のほかにさらに水素原子及びメチル
基などを挙げることができる。

【００２４】前記式［Ｉ］で表される繰り返し単位［Ｉ
］において、Ｚは、直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ
−、−ＳＯ２−、−（ＣＨ２）ｐ−（但し、ｐは２〜１
０の整数である。）、前記式［ＶＩＩ］（但し、ｑは４
〜１０の整数である。）で表されるシクロアルキリデン
基又は前記式［ＶＩＩＩ］（但し、Ｒ４は、各々独立に
、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、−ＣＦ３、又
は炭素数６〜１２のアリール基である。）で表される基
を示す。ここで、前記−（ＣＨ２）ｐ−で表されるポリ
メチレン基としては、ジメチレン基［−ＣＨ２ＣＨ２−
］、トリメチレン基、テトラメチレン基、ヘキサメチレ
ン基、オクタメチレン基、デカメチレン基などの炭素数
２〜１０の各種のポリメチレン基を挙げることができる
。これらの中でも、通常は、ｐが２〜４程度のものが好
ましい。また、前記式［ＶＩＩ］で表されるシクロアル
キリデン基としては、例えば、１，１−シクロペンチリ
デン基、１，１−シクロヘキシリデン基、１，１−シク
ロオクチリデン基等のｑが４〜１０（好ましくは４〜７
程度）の各種の１，１−シクロアルキリデン基を挙げる
ことができる。これらの中でも、１，１−シクロペンチ
リデン基（ｑ＝４）及び１，１−シクロヘキシリデン基
（ｑ＝５）等が好ましく、中でも１，１−シクロヘキシ
リデン基を特に好ましいものの例として挙げることがで
きる。

【００２５】前記式［ＶＩＩＩ］で表される基において
、Ｒ４は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜６のアル
キル基、−ＣＦ３又は炭素数６〜１２のアリール基を示
す。該アルキル基の具体例としては、前記Ｒ１に関して
例示した各種の炭素数１〜５のアルキル基及びｎ−ヘキ
シル基、イソヘキシル基等の直鎖状及び分岐状のヘキシ
ル基、更にはシクロペンチル基、メチルシクロペンチル
基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシル基等の脂
環式アルキル基などを挙げることができる。中でも、例
えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｎ−ヘプチル基など好ましく、特に、メチル基な
どが好ましい。

【００２６】また、Ｒ４に関し、前記アリール基として
は、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、トリ
メチルフェニル基等の各種メチルフェニル基、各種エチ
ルフェニル基、各種プロピルフェニル基、各種ブチルフ
ェニル基、各種ペンチルフェニル基、各種ヘキシルフェ
ニル基、各種シクロヘキシルフェニル基等の種々のアル
キルフェニル基、４−ビフェニリル基等の各種ビフェニ
リル基、メチルビフェニリル基等の各種アルキルビフェ
ニリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、メチルナ
フチル基、エチルナフチル基、ジメチルナフチル基等の
各種アルキルナフチル基、１−、２−又は９−アントリ
ル基、メチルアントリル基等の各種のアルキルアントリ
ル基、各種インデニル基、メチルインデニル基等の各種
のアルキルインデニル基、各種フェナントリル基、各種
フルオレニル基等の各種の狭義のアリール基、更にはベ
ンジル基、フェネチル基等で代表される各種のアラルキ
ル基（すなわち広義の各種のアリール基）を挙げること
ができる。これらの各種のアリール基の中でも、通常は
、炭素数６〜８程度のものが好ましく、特に、フェニル
基などが好ましい。水素原子もＲ４として好ましい例の
ひとつである。

【００２７】前記式［ＶＩＩＩ］で表される基の中でも
、特に好ましいものの具体例としては、例えば式［ＶＩ
ＩＩａ］〜式［ＶＩＩＩｋ］

【００２８】

【化２９】 で表されるそれぞれの基などを挙げることができる。

【００２９】前記Ｚについて、好ましい基の具体例とし
ては、例えば、１，１−シクロヘキシリデン基（式［Ｖ
ＩＩＩｅ］）、−Ｃ（ＣＨ３）２−（式［ＶＩＩＩａ］
、−Ｃ（ＣＨ３）Ｐｈ−（式［ＶＩＩＩｂ］）、−Ｃ（
Ｐｈ）２−（式［ＶＩＩＩｄ］）などを挙げることがで
き、中でも特に好ましいものとして、例えば、−Ｃ（Ｃ
Ｈ３）２−（式［ＶＩＩＩａ］、−Ｃ（Ｐｈ）２−（式
［ＶＩＩＩｄ］）などを例示することができる。Ｐｈは
フェニル基を示す。

【００３０】前記式［Ｉ］で表される繰り返し単位［Ｉ
］は、前記したようにＲ１　、Ｘ１　、Ｘ２　及びＺの
選択、組合せ等に応じて種々の構造のものがあるが、中
でもＲ１　の種類及び置換位置について言えば下記の式
［Ｉ′］（但し、式中のＲ１、Ｘ１　、Ｘ２　及びＺは
前記同様の意味を表す。）で表される繰り返し単位がポ
リカーボネートの製造の容易さ、電子写真感光体の電荷
移動物質としての特性等の点から好ましく、中でも特に
Ｒ１　が水素原子であるものが好ましい。なお、Ｘ１　
及びＸ２について特に好ましい基は前記した通りである
。

【００３１】

【化３０】 以上のように、前記一般式［Ｉ］で表される繰り返し単
位［Ｉ］は、前記Ｒ１、Ｘ１　、Ｘ２　及びＺの選定に
応じて決定される種々の構造のものとすることができる
。

【００３２】前記一般式［ＩＩ］で表される繰り返し単
位［ＩＩ］において、Ｗ１　は、各々独立に、水素原子
、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数
６〜１２のアリール基を示す。該アルキル基の具体例と
しては、前記Ｒ４　に関して例示した各種のアルキル基
などを挙げることができる。中でも、通常、メチル基、
エチル基、シクロヘキシル基等が好ましく、特に、メチ
ルが好ましい。前記Ｗ１　について、ハロゲン原子とし
ては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子
を挙げることができる。これらの中でも、通常、フッ素
原子、塩素原子等が好ましく、特に塩素原子が好ましい
。また、Ｗ１　に関し、前記アリール基としては、例え
ば、前記Ｒ４に関して例示したものが挙げられる。中で
も、通常は、炭素数６〜８程度のものが好ましく、特に
、フェニル基などが好ましい。前記Ｗ１　として、特に
好ましい具体例としては、例えば、水素原子、メチル基
、シクロヘキシル基、フェニル基、フッ素原子、塩素原
子などを挙げることができる。中でもＷ１　の全てが水
素原子である場合は、最も好ましい例である。

【００３３】前記式［ＩＩ］におけるｋは、各々独立に
、１〜４の整数である。このことは該式［ＩＩ］中に示
されている一対のｐ−フェニレン基は、各々独立に、Ｗ
１　が水素原子の場合の未置換のｐ−フェニレン又は水
素原子以外の前記Ｗ１　として例した各種の基を置換基
として１〜４個有する置換ｐ−フェニレン基であってよ
いことを意味している。これらの各種のｐ−フェニレン
基の中でも、通常、ｋが１又は２であるもの、すなわち
、未置換のｐ−フェニレン基及び１置換又は２置換のｐ
−フェニレン基が好ましく、特に未置換のｐ−フェニレ
ン基などが好ましい。

【００３４】前記式［ＩＩ］で表される繰り返し単位［
ＩＩ］において、Ｑは、直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−
ＳＯ−、−ＳＯ２　−、−（ＣＨ２　）ｎ　−（但し、
ｎは２〜１０の整数である。）、前記式［ＩＸ］（但し
、ｍは４〜１０の整数である。）で表されるシクロアル
キリデン基又は前記式［Ｘ］（但し、Ｗ２　は、各々独
立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基若しくはハ
ロゲン置換アルキル基、又は炭素数６〜１２のアリール
基である。）で表される基を示す。

【００３５】ここで、前記−（ＣＨ２　）ｎ　−で表さ
れるポリメチレン基としては、前記−（ＣＨ２）ｐ−に
関して例示した各種のポリメチレン基を挙げることがで
きる。 これらの中でも、通常は、ｎが２〜４程度のものが好ま
しい。また、前記式［ＩＸ］で表されるシクロアルキリ
デン基としては、前記式［ＸＩＩ］で表されるシクロヘ
キシリデン基に関して例示した各種の１，１−シクロア
ルキリデン基を挙げることができる。これらの中でも、
１，１−シクロペンチリデン基（ｍ＝４）及び１，１−
シクロヘキシリデン基（ｍ＝５）等が好ましく、中でも
１，１−シクロヘキシリデン基を特に好ましいものの例
として挙げることができる。

【００３６】前記式［Ｘ］で表される基において、Ｗ２
　は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数１〜６のハロゲン置換アルキル基又は炭素数
６〜１２のアリール基を示す。このアルキル基としては
、前記Ｗ１　について例示した各種のアルキル基を挙げ
ることができる。Ｗ２　については、前記アルキル基の
中でも、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基
、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘプチル基など好ましく、特に、
メチル基などが好ましい。また、Ｗ２　について、前記
ハロゲン置換アルキル基としては、上記のアルキル基に
１個乃至可能な限りのハロゲン原子（このハロゲン原子
としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素
原子を挙げることができ、好ましくはフッ素原子、塩素
原子、特に好ましくはフッ素原子である。）で置換され
てなる各種のハロアルキル基を挙げることができる。こ
れらのハロゲン置換アルキル基の中でも、特に好ましい
ものとして、例えば、ＣＦ３　−などを挙げることがで
きる。また、Ｗ２　としての前記アリール基としては、
前記Ｗ１　として例示した各種のアリール基を挙げるこ
とができる。Ｗ２　について、特に好ましいアリール基
としては、例えば、フェニル基などを挙げることができ
る。水素原子も、Ｗ２　として好ましい例のひとつであ
る。前記式［Ｘ］で表される基の中でも、特に好ましい
ものの具体例としては、例えば、先に式［ＶＩＩＩ］で
表される基について例示した前記式［ＶＩＩＩａ］〜式
［ＶＩＩＩｋ］で表される基などを挙げることができ、
これらの中でも、さらに、式［ＶＩＩＩａ］〜式［ＶＩ
ＩＩｆ］で表されるそれぞれの基などが好ましく、特に
式［ＶＩＩＩａ］で表される基などが好ましい。前記Ｑ
について、好ましい基の具体例としては、例えば、直接
結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２　−、−ＣＨ２　−（
式［ＶＩＩＩｋ］）、−ＣＨ２　ＣＨ２　−、１，１−
シクロペンチリデン基（式［ＶＩＩＩｆ］）、１，１−
シクロヘキシリデン基（式［ＶＩＩＩｅ］）、−Ｃ（Ｃ
Ｈ３　）２　−（式［ＶＩＩＩａ］）、−Ｃ（ＣＨ３　
）Ｐｈ−（式［ＶＩＩＩｂ］）、−Ｃ（ＣＦ３　）２　
−（式［ＶＩＩＩｃ］）、−Ｃ（Ｐｈ）２−（式［ＶＩ
ＩＩｄ］）などを挙げることができ、中でも特に好まし
いものとして、例えば、１，１−シクロヘキシリデン基
（式［ＶＩＩＩｅ］）、−Ｃ（ＣＨ３　）２　−（式［
ＶＩＩＩａ］）、−Ｃ（Ｐｈ）２−（式［ＶＩＩＩｄ］
）などを例示することができる。なお、Ｐｈはフェニル
基を表している。

【００３７】本発明のポリカーボネートは、前記一般式
［Ｉ］で表される繰り返し単位（すなわち繰り返し単位
［Ｉ］）の１種又は２種以上、又は繰り返し単位［Ｉ］
の１種又は２種以上と前記一般式［ＩＩ］で表される繰
り返し単位（すなわち、繰り返し単位［ＩＩ］）の１種
又は２種以上とからなる。すなわち、本発明のポリカー
ボネートにおける前記繰り返し単位［Ｉ］の含有割合は
、繰り返し単位［Ｉ］と繰り返し単位［ＩＩ］との合計
に対して、モル比で下記の式 ０＜｛［Ｉ］／（［Ｉ］＋［ＩＩ］）｝≦１で表される
範囲で任意の割合に選定することができる。 ここで、この割合が０、すなわち繰り返し単位［Ｉ］を
含まないポリカーボネートの場合には、そのままでは光
導電性を示さず、たとえ、これに低分子の電荷移動物質
を分散溶解させて電子写真感光体の感光層の電荷輸送層
として用いたとしても、電気的特性及び耐刷性をともに
十分に満足させることができず、本発明の目的を達成す
ることができない。すなわち、本発明において重要な点
のひとつは、特定の側鎖型アリールアミン型構造を有す
る繰り返し単位［Ｉ］を有することである。

【００３８】本発明のポリカーボネートを電子写真感光
体の電荷輸送層の電荷移動物質として使用する場合など
、高い光導電性を要求する用途分野に利用する場合には
、繰り返し単位［Ｉ］の含有割合をモル比で、通常、０
．０１≦｛［Ｉ］／（［Ｉ］＋［ＩＩ］）｝≦１の関係
を満足する範囲に選定するのが好ましく、特に、０．１
≦｛［Ｉ］／（［Ｉ］＋［ＩＩ］）｝≦１の関係を満足
する範囲に選定するのが好ましい。

【００３９】本発明のポリカーボネートにおいて、いま
ひとつ重要な点は、塩化メチレンを溶媒とする濃度０．
５ｇ／ｄｌの溶液の２０℃における還元粘度［ηｓｐ／
Ｃ］が０．１ｄｌ／ｇ以上である点である。この還元粘
度［ηｓｐ／Ｃ］が、０．１ｄｌ／ｇ未満では、ポリカ
ーボネートとしての本来の機械的強度等の特性、特に電
子写真感光体の電荷輸送層に用いた際に耐刷性が十分に
得られない。好ましい還元粘度［ηｓｐ／Ｃ］の範囲は
、０．１〜５ｄｌ／ｇ、特に好ましくは０．３〜３ｄｌ
／ｇである。

【００４０】以上のように特定の構造及び特定の還元粘
度を有する本発明のポリカーボネートは、光導電性を有
するポリカーボネートであり、種々の用途に利用するこ
とができるが、特に後述のように電子写真感光体の電荷
移動物質兼バインダー樹脂として有利に利用することが
できる。

【００４１】本発明のポリカーボネートは、その一般的
な製造方法としては特に制限はなく、適当なモノマ−を
用いた公知の方法に準じて各種の方法によって製造する
ことができるが、特に次に示す本発明の方法によって有
利の製造することができる。すなわち、本発明のポリカ
ーボネートを実用上有利に製造する方法は、下記の一般
式［ＸＩ］

【化３１】 （但し、式中、Ｒ１　、Ｘ１、Ｘ２及びＺは、それぞれ
、前記式［Ｉ］中のものと同様の意味を有する。）で表
されるジヒドロキシアリールアミン化合物を単独で、あ
るいは、該ジヒドロキシアリールアミン化合物と下記の
一般式［ＸＩＩ］

【化３２】 （但し、式中、Ｗ１　、Ｑ及びｋは、それぞれ、前記式
［ＩＩ］中のものと同様の意味を有する。）で表される
二価フェノール化合物とを、炭酸エステル形成性化合物
と反応させることによって行われる。

【００４２】前記一般式［ＸＩ］におけるＲ１　、Ｘ１
　、Ｘ２　及びＺ（更にはＸ１　及びＸ２　に関するＹ
、Ｒ２　及びＲ３　等）の説明は前記した通りであり、
これらの具体例、好ましい例、特に好ましい例等も、そ
れぞれ、前記同様である。また、前記一般式［ＸＩＩ］
におけるＷ１　、Ｑ及びｋの説明は前記した通りであり
、これらの具体例、好ましい例、特に好ましい例等も、
それぞれ、前記同様である。

【００４３】一般式［ＸＩ］で表される化合物、すなわ
ち、ジヒドロキシアリールアミン化合物の代表例として
は、例えば、下記の［ＸＩ−１］〜［ＸＩ−１２］で表
されるそれぞれの化合物を挙げることができる。

【００４４】

【化３３】

【化３４】

【化３５】

【化３６】

【００４５】前記一般式［ＸＩＩ］で表される化合物、
すなわち二価フェノール化合物［ＸＩＩ］の代表例とし
ては、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン
、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１
，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、４，４
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジフェニル
メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１
−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ス
ルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キサン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン、２−（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１−フ
ェニルエタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）スルフィド、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）スルホン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）メタン、１，１−ビス（３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、４，４′−ジヒ
ドロキシビフェニル、２，２−ビス（２−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ブ
チル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、
１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
−３−メチルフェニル）エタン、１，１−ビス（２−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル
）プロパン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４
−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−
ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メ
チルフェニル）イソブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ヘ
プタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシ−５−メチルフェニル）−１−フェニルメタン
、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−アミル−４−ヒドロキ
シ−５−メチルフェニル）ブタン、ビス（３−クロロ−
４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジブ
ロモ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス
（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２
，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（
３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（
３−ブロモ−４−ヒドロキシ−５−クロロフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロ
キシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジブロ
モ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１−フェニル−
１，１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル
）エタン、ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニ
ル）エーテル、３，３′−ジフルオロ−４，４′−ジヒ
ドロキシビフェニル、１，１−ビス（３−シクロヘキシ
ル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、ビス（
４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−１−フェニル−２，２，２−トリフル
オロエタンなどを挙げることができる。これらの中でも
、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１
−ジフェニルメタンなどが好適に使用される。前記炭酸
エステル形成性化合物としては、通常のポリカーボネー
トの製造分野において使用される各種のものを使用する
ことができる。その代表的な例としては、例えば、ホス
ゲンをはじめとする各種のジハロゲン化カルボニル、あ
るいはクロロホルメート化合物等のハロホルメート類、
炭酸エステル化合物などを挙げることができる。これら
の中でも、特に、ホスゲンが好適に使用される。

【００４６】本発明の方法においては、前記ジヒドロキ
シアリールアミン化合物［ＸＩ］の１種又は２種以上と
前記炭酸エステル形成性化合物の少なくとも１種とを反
応させて、あるいは、前記ジヒドロキシアリールアミン
化合物［ＸＩ］の１種又は２種以上と前記二価フェノー
ル化合物［ＸＩＩ］の１種又は２種以上と前記炭酸エス
テル形成性化合物の少なくとも１種とを反応させて重縮
合反応あるいは、エステル交換による重合反応を行うこ
とにより本発明のポリカーボネートを製造する。

【００４７】使用するジヒドロキシアリールアミン化合
物［ＸＩ］と二価フェノール化合物［Ｘ］の割合を適宜
選定することによって前記繰り返し単位［Ｉ］と繰り返
し単位［ＩＩ］の割合を随意に調節することができる。 この反応の手法（反応雰囲気、条件、反応方法及び操作
法など）としては、特に制限はなく、通常は、公知のポ
リカーボネートの製造において使用される手法を適宜充
当すればよい。例えば、炭酸エステル形成性化合物とし
て、ホスゲン等のジハロゲン化カルボニル又はクロロホ
ルメート等のハロホルメート類を用いる場合、この反応
は、適当な溶媒中で、酸受容体の存在下で行うことがで
きる。

【００４８】前記酸受容体としては、例えば、ピリジン
、ピコリン、ルチジン等の有機塩基化合物、アルカリ金
属水酸化物やアルカリ金属炭酸塩等の塩基性アルカリ金
属化合物等を挙げることができる。有機塩基化合物とし
ては、上記のほかに各種のものが使用可能であるが、主
として経済的な面から通常、ピリジンが特に好適に使用
される。また、アルカリ金属水酸化物及びアルカリ金属
炭酸塩としては、各種のものが使用可能であるが、経済
的な面から、通常、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等が好適に使用される
。これらの各種の酸受容体の中でも、通常は、ピリジン
が特に好適に使用される。

【００４９】前記炭酸エステル形成性化合物の使用割合
は、反応の化学量論比（当量）を考慮して適宜選定すれ
ばよい。また、ホスゲン等のガス状の炭酸エステル形成
性化合物を使用する場合、これを反応系に吹き込む方法
が好適に採用できる。酸受容体の使用割合も、同様に反
応の化学量論比（当量）を考慮して適宜定めればよい。 具体的には、使用するジヒドロキシアリールアミン化合
物［ＸＩ］と二価フェノール化合物［ＸＩＩ］の合計モ
ル数（通常、１モルは２当量に相当）に対して２当量若
しくは若干過剰量の酸受容体を用いることが好ましい。

【００５０】前記溶媒としては、公知のポリカーボネー
トの製造の際に使用されるものなど各種の溶媒を１種単
独であるいは混合溶媒として使用すればよい。この溶媒
の代表的な例としては、例えば、キシレン等の炭化水素
溶媒、ピリジン等の第三級芳香族アミン系溶媒、塩化メ
チレン、クロロベンゼンをはじめとするハロゲン化炭化
水素溶媒などが好適に使用される。これらの中でも、特
に、ピリジンなどが好適に使用される。なお、ピリジン
等の第三級芳香族アミン系溶媒は、この反応における溶
媒と前記酸受容体の作用を兼ねることができる。また、
前記重縮合反応を促進するために、トリエチルアミン、
ピリジンのような第三級アミン又は第四級アンモニウム
塩などの触媒を、また、重合度を調整するために、ｐ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェノールやフェニルフェノールなど
の分子量調節剤を添加して反応を行うことができる。

【００５１】なお、この重縮合反応において、例えばピ
リジンのように、酸受容体、溶媒及び触媒としての作用
を兼ねることができるものは、それらを兼用させる形で
好適に使用することができる。この点からも、ピリジン
は特に好適に使用される。また、所望に応じて、亜硫酸
ナトリウム、ハイドロサルファイドなどの酸化防止剤な
どの添加物を少量添加してもよい。反応は、通常０〜１
５０℃、好ましくは５〜５０℃の範囲の温度で好適に行
うことができる。反応圧力は、減圧、常圧、加圧のいず
れでも可能であるが、通常は、常圧若しくは反応系の自
圧程度で好適に行いうる。反応時間は、通常０．５分間
〜１０時間、好ましくは１分間〜２時間程度である。反
応方式としては、連続法、半連続法、回分法等のいずれ
も採用可能である。

【００５２】なお、得れるポリマーの還元粘度［ηｓｐ
／Ｃ］を前記の範囲にするには、例えば、前記反応条件
の選択、分子量調節剤の使用量など各種の方法によって
なすことができる。また、場合により、得られたポリマ
ーに適宜物理的処理（混合、架橋処理、部分溶解処理な
ど）を施して所定の還元粘度［ηｓｐ／Ｃ］のポリカー
ボネートとして取得することもできる。得られた反応生
成物（粗生成物）は、公知の分離・精製法等の各種の後
処理を施して、所望の純度（精製度）のポリカーボネー
トとして回収することができる。以上のようにして、本
発明のポリカーボネートを簡単な操作で効率よく、しか
も良質なポリカーボネートとして製造することができる
。

【００５３】次に、本発明の電子写真感光体について説
明する。本発明の電子写真感光体は、前記本発明のポリ
カーボネートを電荷移動物質として用いることを特徴と
する。すなわち、本発明の電子写真感光体は、本発明の
ポリカーボネートを電荷移動物質として利用する限り、
公知の種々の形式の電子写真感光体はもとより、どのよ
うなものとしてもよいが、導電性基板上に少なくとも１
層の電荷発生層（ＣＧＬ）と少なくとも１層の電荷輸送
層（ＣＴＬ）を有する感光層を設けた有機電子写真感光
体（ＯＰＣ）とするのが好ましい。

【００５４】本発明のポリカーボネートは、電荷移動物
質として使用する限り電子写真感光体のどの部分にも使
用してもよいが、通常、少なくとも１層の電荷輸送層に
電荷移動物質好ましくは電荷移動物質兼バインダー樹脂
として使用される。なお、電荷輸送層を２層以上有する
さらに多層型の電子写真感光体の場合には、その１層又
は２層以上の任意の電荷輸送層に使用することができる
が、特に指定のない限り、通常は、その全ての電荷輸送
層に使用することが望ましい。

【００５５】本発明の電子写真感光体において、前記本
発明のポリカーボネートは、１種単独で使用してもよい
し、２種以上を組合せて用いてもよい。また、所望に応
じて本発明の目的を阻害しない範囲で、他のポリカーボ
ネート（例えば、前記一般式［ＸＩＩ］で表される二価
フェノール化合物［ＸＩＩ］等の従来の二価フェノール
類と炭酸エステル形成性化合物との反応によって得られ
る従来のポリカーボネートなど）等の従来この種の電子
写真感光体のバインダー樹脂成分として提案されている
ものを含有させてもよく、さらに、必要に応じて、この
種の電子写真感光体の電荷輸送層に使用される添加剤等
の各種の添加成分を含有させてもよく、さらにまた、他
の低分子又は高分子の電荷移動物質を添加してもよい。 なお、そのような添加剤として、例えば、酸化防止剤、
安定剤、分散性向上剤、紫外線吸収剤、充填剤、粘度調
整剤、接着（密着）剤、電気的特性向上剤などを挙げる
ことができる。

【００５６】なお、本発明の電子写真感光体の電荷輸送
層の形成に際して使用する塗工液には、電荷移動物質好
ましくは電荷移動物質兼バインダー樹脂成分としての本
発明のポリカーボネート（あるいはこれと必要に応じて
添加される前記他のバインダー樹脂成分や前記ほかの添
加剤等の各種の成分）及びこれを溶解又は分散させる適
当な溶剤若しくは分散溶剤のほかに、ゲル化防止剤等を
適宜含有させることもできる。

【００５７】本発明の電子写真感光体の構成は、公知の
この種の電子写真感光体の構成と同様の構成とすること
ができるし、あるいは、必要に応じて、種々の変形を行
うことができる。例えば、導電性基板上の感光層が電荷
発生層と電荷輸送層を有する場合、電荷発生層上に電荷
輸送層が積層されていてもよく、また電荷輸送層上に電
荷発生層が積層されていてもよい。また、必要に応じて
、表面層に導電性又は絶縁性の保護膜が形成されていて
もよい。さらに各層間の接着性を向上させるための接着
層あるいは電荷のブロッキングの役目を果たすブロッキ
ング層等の中間層などが形成されているものであっても
よい。また、本発明の電子写真感光体の作製は、公知の
方法等の各種の方法によって行うことができる。

【００５８】以下に、本発明の電子写真感光体の構成の
代表的な例である導電性基板上に電荷発生層及び電荷輸
送層が順次設けられている電子写真感光体並びにその作
製法の好適な例について説明する。本発明の電子写真感
光体に用いられる導電性基板材料としては、公知のもの
など各種のものを使用することができ、具体的には、例
えば、アルミニウム、真ちゅう、銅、ニッケル、鋼等の
金属板若しくは金属シート、ブラックシート上にアルミ
ニウム、ニッケル、クロム、パラジウム、グラファイト
等の導電性物質を蒸着、スパッタリング、塗布等により
コーティングするなどして導電化処理を施したもの、あ
るいは、ガラス、プラスチック板、布、紙等の基板に導
電化処理を施したものなどを使用することができる。

【００５９】前記電荷発生層は少なくとも電荷発生材料
を有するものであり、この電荷発生層はその下地となる
基板上に電荷発生材料をバインダー樹脂を用いて結着し
てなる層を形成せしめることによって得られる。電荷発
生層の形成方法としては公知の方法等の各種の方法を使
用することができるが、通常、例えば、電荷発生材料を
バインダー樹脂とともに適当な溶剤により分散若しくは
溶解した塗工液を、所定の下地となる基板上に塗布し、
乾燥せしめる方法等を好適に使用することができる。

【００６０】電荷発生層における電荷発生材料としては
公知のものなど各種のものを使用することができ、具体
的には、例えば、非晶質セレン、三方晶セレン、セレン
−テルル等のセレンの合金、Ａｓ２　Ｓｅ３　等のセレ
ン化物若しくはセレン含有組成物、酸化亜鉛、ＣｄＳ−
Ｓｅ等の周期表第ＩＩ族及び第ＩＶ族元素からなる無機
材料、酸化チタン等の酸化物系半導体、アモルファスシ
リコンなどのシリコン系材料等の各種の無機材料、金属
若しくは無金属フタロシアニン、アントラセン、ピレン
、ペリレン、ピリリウム塩、チアピリリウム塩、ポリビ
ニルカルバゾール、スクェアリウム顔料等の各種の有機
材料等を挙げることができる。なお、これらは１種単独
で用いてもよく、２種以上を混合するなどして、併用す
ることもできる。

【００６１】前記電荷発生層におけるバインダー樹脂と
しては、特に制限はなく、公知のものなど各種のものを
使用でき、具体的には例えば、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩ビ−酢ビ共重合体、ポリビ
ニルアセタール、アルキッド樹脂、アクリル樹脂、ポリ
アクリロニトリル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポ
リケトン、ポリアクリルアミド、ブチラール樹脂、ポリ
エステルなどの熱可塑性樹脂、ポリウレタン、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂等を使用する
ことができる。なお、上記の電荷発生層におけるバイン
ダー樹脂として、本発明のポリカーボネートを使用する
こともできる。これらのバインダー樹脂は、１種単独で
使用してもよく、２種以上を混合物等として併用しても
よい。前記電荷輸送層は、通常、その下地となる基板上
に本発明のポリカーボネートの層（あるいは本発明ポリ
カーボネートを主成分とする層）を形成することによっ
て得ることができる。

【００６２】この電荷輸送層の形成方法としては、公知
の方法等各種の方式を使用することができるが、通常、
本発明のポリカーボネートを単独で、又は他のバインダ
ー樹脂等とともに適当な溶媒に分散若しくは溶解した塗
工液を所定の下地となる基板上に塗布し、乾燥する方式
などを好適に使用することができる。この電荷輸送層に
おいて、本発明のポリカーボネートは１種単独で用いる
こともできるし、２種以上を混合するなどして併用する
こともできる。また、本発明の目的を阻害しない範囲で
、他の電荷移動物質を本発明のポリカーボネートと併用
することも可能である。

【００６３】本発明の電子写真感光体において使用する
ことができる本発明のポリカーボネート以外の電荷移動
物質としては、例えば、従来用いられている電子輸送性
物質や正孔輸送性物質がある。この電子輸送性物質の具
体的としては、例えば、クロロアニル、ブロモアニル、
テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２
，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５
，７−テトラニトロ−９−フレオレノン、２，４，７−
トリニトロ−９−ジシアノメチレンフレオレノン、２，
４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，９−ト
リニトロチオキサントン等の電子吸引性物質やこれらの
電子吸引性物質を高分子化したもの等を挙げることがで
き、これらは、１種単独で使用してもよく、あるいは、
２種以上を混合するなどして併用してもよい。

【００６４】前記正孔輸送性物質の具体的としては、例
えば、ピレン、Ｎ−エチルカルバゾール、Ｎ−イソプロ
ピルカルバゾール、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルヒドラジ
ノ−３−メチリデン−９−エチルカルバゾール、Ｎ，Ｎ
−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチル
カルバゾール、Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メ
チリデン−１０−エチルフェノチアジン、Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルヒドラジノ−３−メチリデン−１０−エチルフェ
ノキサジン、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ
，Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ジエチルアミノベン
ズアルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェニルヒドラ
ゾン、ｐ−ピロリジノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルヒドラゾン、１，３，３−トリメチルインドレニ
ン−ω−アルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、
ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−３−メチルベン
ズチアゾリノン−２−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、２
，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，
４−オキサジアゾール、１−フェニル−３−（ｐ−ジエ
チルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−［キノリル（２）］−３−（ｐ
−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）ピラゾリン、１−［レピジル（２）］−３
−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチ
ルアミノフェニル）ピラゾリン、１−［６−メトキシ−
ピリジル（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル
）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、
１−［ピリジル（５）］−３−（ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル）ピラゾリン、１−［ピリジル（２）］−３−（
ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルア
ミノフェニル）ピラゾリン、１−［ピリジル（２）］−
３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチル−５
−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−［
ピリジル（２）］−３−（α−メチル−ｐ−ジエチルア
ミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）
ピラゾリン、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノ
スチリル）−４−メチル−５−（ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（α−ベンジ
ル−ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチ
ルアミノフェニル）ピラゾリン、スピロピラゾリン等の
ピラゾリン類、２−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−
δ−エチルアミノベンズオキサゾール、２−（ｐ−ジエ
チルアミノフェニル）−４−（ｐ−ジメチルアミノフェ
ニル）−５−（２−クロロフェニル）オキサゾール等の
オキサゾール系化合物、２−（ｐ−ジエチルアミノスチ
リル）−６−ジエチルアミノベンゾチアゾール等のチア
ゾール系化合物、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチ
ルフェニル）−フェニルメタン等のトリアリールメタン
系化合物、１，１−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ
−２−メチルフェニル）ヘプタン、１，１，２，２−テ
トラキス（４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−２−メチルフ
ェニル）エタン等のポリアリールアミン類、Ｎ，Ｎ′−
ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（メチルフェニル）ベンジ
ジン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（エチル
フェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ
′−ビス（プロピルフェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ′−
ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（ブチルフェニル）ベンジ
ジン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（イソプ
ロピルフェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ′−ビス（ｓｅｃ−ブチルフェニル）ベンジジン
、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ′−ビス（クロロフェニル）ベンジジン等のベン
ジジン系化合物、トリフェニルアミン、ポリビニルカル
バゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン
、ポリビニルアクリジン、ポリ−９−ビニルフェニルア
ントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカ
ルバゾール−ホルムアルデヒド樹脂などを挙げることが
でき、これらは、１種単独で使用してもよく、あるいは
、２種以上を混合するなどして併用してもよい。

【００６５】前記電荷発生層及び電荷輸送層の形成の際
に使用する前記溶媒の具体例としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族系
溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン等のケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール等のアルコール、酢酸エチル、エチルセロソルブ等
のエステル、四塩化炭素、四臭化炭素、クロロホルム、
ジクロロメタン、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭
化水素、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル
、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキ
シド（ＤＭＳＯ）、ジエチルホルムアミドなどを挙げる
ことができる。これらの溶媒は、１種単独で使用しても
よいし、あるいは、２種以上を混合溶媒等として併用し
てもよい。

【００６６】各層の塗布は公知のものなど各種の塗装装
置を用いて行うことができ、具体的には、例えば、アプ
リケーター、スプレーコーター、バーコーター、ディッ
プコーター、ロールコーター、スピンコーター、ドクタ
ブレード等を用いて行うことができる。以上のようにし
て、本発明の電子写真感光体を好適に得ることができる
。本発明の電子写真感光体は、従来のポリカーボネート
樹脂等をバインダー樹脂として用い、これに従来の電荷
移動物質を分散溶解するタイプの従来型の電子写真感光
体はもとより、その改良型である前記従来のポリアリー
ルアミン（従来の光導電性ポリカーボネート）を電荷移
動物質若しくは電荷移動物質兼バインダー樹脂として用
いてなる電子写真感光体と比べて、特に耐刷性及び電気
的特性が共に優れているなどの優れた性能を有する電子
写真感光体であり、各種の電子写真感光体利用分野に有
利に利用することができる。

【実施例】次に、本発明を実施例及び比較例によって更
に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるのもではなく、本発明の思想を逸脱しない範囲で
種々の変形及び応用が可能である。

【００６７】実施例１機械的攪拌機、ガス導入管及び温
度計を取り付けたフラスコに、式［ＸＩ−７］

【化３７
】 で表されるジヒドロキシアリールアミン化合物（化合物
［ＸＩ−７］）すなわちジフェニルビス［３−（９−カ
ルバゾリル）−４−ヒドロキシフェニル］メタン（６．
４ｇ；０．００９４ｍｏｌ）及びピリジン（５０ｍｌ）
を導入し、攪拌下で反応系を３０〜４０℃に保ちながら
、５ｍｌ／ｍｉｎの供給速度で反応系にホスゲンガスを
導入した。１時間程経過すると反応液は高粘稠になった
。さらに、３０分間、ホスゲンガスの導入を続けた後、
ピリジンに溶解したｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール（
１．５ｇ，０．０１ｍｏｌ）を添加した。反応終了後、
反応混合液を水に少量づつ添加すると、繊維状の固体が
得られた。得られた固体を濾過により分離し、次いで乾
燥した。こうして得られた固体生成物ついて、塩化メチ
レンを溶媒とする濃度０．５ｇ／ｄｌの溶液の２０℃に
おける還元粘度［ηｓｐ／Ｃ］を測定したところ、０．
５０ｄｌ／ｇであった。また、この固体生成物は、１Ｈ
　−ＮＭＲスペクトル分析等より、下記の式［Ｉ−７］

【化３８】 で表される繰り返し単位からなるポリカーボネートであ
ることが分かった。次に、電荷輸送層の形成用塗工液と
して、上記で得たポリカーボネートを濃度１０重量％で
含有する塩化メチレン溶液を調製した。アルミニウム製
導電性基板上に、オキソチタニウムフタロシアニンを電
荷発生材料として用いた厚さ約０．５μｍの電荷発生層
を設け、次いで、その電荷発生層上に、上記の塗工液を
浸漬塗工法により塗布し、乾燥することによって厚さ２
０μｍの電荷輸送層を形成せしめ、所望の積層型電子写
真感光体を作製した。次に、この電子写真感光体の電子
写真特性を静電気耐電試験装置［ＥＰＡ−８１００；（
株）川口電機製作所製）を用いて次のようにして測定し
た。すなわち、−６ｋＶのコロナ放電を行い、コロナ放
電直後の受容電位、暗所５秒後の表面電位すなわち初期
表面電位（Ｖ０　）、光照射（１０ＬｕＸ）後の残留電
位（ＶＲ）及び半減露光量（Ｅ１／２　）を測定した。 結果を表１に示す。また、この電子写真感光体について
、感光体表面（電荷輸送層）の摩耗特性を、スガ摩耗試
験機を用いて、以下の条件で調べた。その結果を表２に
示す。上記の電子写真特性に関する評価試験の結果（例
えば、表１）から、上記の本発明のポリカーボネートを
電荷移動物質（兼バインダー樹脂）として用いた電子写
真感光体（すなわち、本発明の電子写真感光体の例であ
る電子写真感光体）は、上記の本発明のポリカーボネー
トに代えて従来のヒドロキシアリールアミン化合物とジ
エチレングリコールビスクロロホルメートとを共重合さ
せて得られた従来型のポリカーボネートを同様にして用
いて作製した従来型の電子写真感光体（比較例１）及び
従来の低分子電荷移動物質（スチルベン化合物）を従来
のバインダー樹脂成分（ビスフェノールＡ系ポリカーボ
ネート）に分散溶解させる形で用いて同様にして作製し
た従来型の電子写真感光体（比較例２）と比較して、コ
ロナ放電直後の受容電位、暗所５秒後の表面電位（初期
表面電位）、光照射後の残留電位、半減露光量等の電子
写真特性値が良好な値を示し、優れた電子写真特性を有
することが判明した。また、この本発明の電子写真感光
体は、その摩耗特性試験結果（例えば、表２）から、上
記の従来型の電子写真感光体（比較例１及び２）に比べ
て摩耗量が少なく耐刷性に優れていることが判明した。

【００６８】実施例２ モノマーとして式［ＸＩ−１］

【化３９】 で表されるジヒドロキシアリールアミン化合物（化合物
［ＸＩ−１］）すなわち２，２−ビス［３−（ジフェニ
ルアミノ）−４−ヒドロキシフェニル］プロパン（４．
５１ｇ，０．００８０ｍｏｌ）と１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）−１、１−ジフェニルメタン（０．
７０ｇ，０．００２０ｍｏｌ）とを用いた以外は実施例
１と同様にして、下記の構造単位及び組成からなるポリ
カーボネートを得た。

【化４０】 なお、このポリカーボネートの実施例１の場合と同様の
条件で測定した還元粘度［ηｓｐ／Ｃ］は、０．６１ｄ
ｌ／ｇであった。このポリカーボネートを用いて実施例
１と同様にして電子写真感光体を作製し、同様にして評
価した。この電子写真感光体の電子写真特性に関する結
果及びその電荷輸送層の摩耗特性についての結果を、そ
れぞれ、表１及び表２に示す。

【００６９】実施例３ モノマーとして式［ＸＩ−６］

【化４１】 で表されるジヒドロキシアリールアミン化合物（化合物
［ＸＩ−６］）すなわち２，２−ビス｛３−［３，６−
ビス（ジフェニルアミノ）−９−カルバゾリル］−４−
ヒドロキシフェニル｝プロパン（６．１１ｇ，０．００
５ｍｏｌ）と１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキサン（１．３４ｇ，０．００５ｍｏｌ）とを
用いた以外は実施例１と同様にして、下記の構造単位及
び組成からなるポリカーボネートを得た。

【化４２】 なお、このポリカーボネートの実施例１の場合と同様の
条件で測定した還元粘度［ηｓｐ／Ｃ］は、０．５８ｄ
ｌ／ｇであった。このポリカーボネートを用いて実施例
１と同様にして電子写真感光体を作製し、同様にして評
価した。この電子写真感光体の電子写真特性に関する結
果及びその電荷輸送層の摩耗特性についての結果を、そ
れぞれ、表１及び表２に示す。

【００７０】比較例１ 特開平１−９９６４号公報の実施例３を参考にして、Ｎ
，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−［１，１′−ビフェニル］−４，４′−ジ
アミン（６５ｇ，０．１２５ｍｏｌ）とジエチレングリ
コールビスクロロホルメート（２３．３８ｇ，０．１２
５ｍｏｌ）とから下記の繰り返し単位からなるポリカー
ボネート（還元粘度［ηｓｐ／Ｃ］＝０．４２ｄｌ／ｇ
）を得た。

【化４３】 この主鎖型アリールアミン構造を有する従来のポリカー
ボネートを用いて実施例１と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様にして評価した。この従来型の電子写真
感光体の電子写真特性に関する結果及びその電荷輸送層
の摩耗特性についての結果を、それぞれ、表１及び表２
に示す。

【００７１】比較例２ バインダー樹脂成分としての従来型のビスフェノールＡ
系ポリカーボネートに５０重量％の割合で電荷移動物質
として、次式

【化４４】 で表されるスチルベン化合物を含有させた混合物の１０
重量％塩化メチレン溶液を調製し、これを塗工液として
用いた以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を
作製し、同様にして評価した。この従来型の電子写真感
光体の電子写真特性に関する結果及びその電荷輸送層の
摩耗特性についての結果を、それぞれ、表１及び表２に
示す。

【００７２】

【表１】　　電子写真特性

【００７３】

【表２】　　摩耗特性 ＊　荷重１００ｇ、往復回数３００回

【００７４】

【発明の効果】本発明によると、側鎖（ペンダント）型
のアリールアミン構造を持った特定の構造単位を有する
という新規なポリカーボネート（光導電性ポリカーボネ
ート）を提供することができる。該光導電性ポリカーボ
ネートは、特に、有機電子写真感光体の電荷輸送層の電
荷移動物質特に電荷移動物質兼バインダー樹脂として好
適に利用することができ、これによって、電子写真感光
体の電荷輸送層の電気的特性及び耐刷性等の性能を十分
に向上させることができ、したがって、電子写真特性に
優れ、しかも耐刷寿命が長く、損傷が生じ難いなど耐久
性にも優れた高品質の電子写真感光体を容易に実現する
ことができる。また、本発明によると、本発明のポリカ
ーボネートの繰り返し単位に対応する特定の構造のモノ
マーを炭酸エステル形成性化合物と反応させるという簡
潔な方法を用いているので、上記本発明のポリカーボネ
ートの製造方法として好適に使用することができる実用
上有利な製造方法を提供することができる。更に、本発
明によると、本発明のポリカーボネートを少なくとも電
荷輸送層の電荷移動物質特に電荷移動物質兼バインダー
樹脂として用いることにより、電荷輸送層の電気的特性
及び耐刷性等の性能が十分に改善されて、長時間に使用
にわたって優れた表面硬度等の機械的強度（耐刷性等）
及び優れた電子写真特性（高感度、残留電位の防止等）
を維持するなど実用上の性能が著しく改善された電子写
真感光体を提供することができる。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　下記の一般式［Ｉ］で表される繰り返
   し単位［Ｉ］あるいは該繰り返し単位［Ｉ］及び下記の
   一般式［ＩＩ］で表される繰り返し単位［ＩＩ］【化１
   】 ｛但し、式［Ｉ］中、Ｒ１　は、各々独立に、水素原子
   又は炭素数１〜５のアルキル基を示し、Ｘ１　は水素原
   子、炭素数１〜５のアルキル基、式［ＩＩＩ］で表され
   る芳香族アミノ基又は式［ＩＶ］で表される芳香族アミ
   ノ基【化２】 ［但し、Ｒ２　は、各々独立に、水素原子又は炭素数１
   〜５のアルキル基であり、Ｙは、水素原子、式［Ｖ］で
   表される芳香族アミノ基又は式［ＶＩ］で表される芳香
   族アミノ基 【化３】 （Ｒ３　は、各々独立に、水素原子又は炭素数１〜５の
   アルキル基である。）である。］を示し、Ｘ２　は前記
   式［ＩＩＩ］で表される芳香族アミノ基又は前記式［Ｉ
   Ｖ］で表される芳香族アミノ基を示し、Ｘ１　とＸ２　
   は互いに同じでもよく、相違していてもよく、Ｚは、直
   接結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−（ＣＨ２）ｐ
   −（但し、ｐは２〜１０の整数である。）、次の式［Ｖ
   ＩＩ］【化４】 （但し、ｑは４〜１０の整数である。）で表されるシク
   ロヘキシリデン基又は次の式［ＶＩＩＩ］【化５】 （但し、Ｒ４は、各々独立に、水素原子、−ＣＦ３、炭
   素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール
   基である。）で表される基を示す。また、式［ＩＩ］中
   、Ｗ１　は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭
   素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール
   基を示し、Ｑは、直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−
   、−ＳＯ２　−、−（ＣＨ２　）ｎ　−（但し、ｎは２
   〜１０の整数である。）、次の式［ＩＸ］ 【化６】 （但し、ｍは４〜１０の整数である。）で表されるシク
   ロアルキリデン基又は次の式［Ｘ］ 【化７】 （但し、Ｗ２　は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜
   ６のアルキル基若しくはハロゲン置換アルキル基、又は
   炭素数６〜１２のアリール基である。）で表される基を
   示し、ｋは１〜４の整数を示す。｝からなり、前記繰り
   返し単位［Ｉ］の含有割合がモル比で、０＜｛［Ｉ］／
   （［Ｉ］＋［ＩＩ］）｝≦１の関係を満足するとともに
   、塩化メチレンを溶媒とする濃度０．５ｇ／ｄｌの溶液
   の２０℃における還元粘度［ηｓｐ／Ｃ］が０．１ｄｌ
   ／ｇ以上であることを特徴とするポリカーボネート。
2. 【請求項２】　　下記の一般式［ＸＩ］【化８】 ｛但し、式中、Ｒ１　は各々独立に、水素原子又は炭素
   数１〜５のアルキル基を示し、Ｘ１　は水素原子、炭素
   数１〜５のアルキル基、式［ＩＩＩ］で表される芳香族
   アミノ基又は式［ＩＶ］で表される芳香族アミノ基【化
   ９】 ［但し、Ｒ２は、各々独立に、水素原子又は炭素数１〜
   ５のアルキル基であり、Ｙは、水素原子、式［Ｖ］で表
   される芳香族アミノ基又は式［ＶＩ］で表される芳香族
   アミノ基 【化１０】 （Ｒ３は、各々独立に、水素原子又は炭素数１〜５のア
   ルキル基である。）である。］を示し、Ｘ２　は前記式
   ［ＩＩＩ］で表される芳香族アミノ基又は前記式［ＩＶ
   ］で表される芳香族アミノ基を示し、Ｘ１とＸ２　は互
   いに同じでもよく、相違していてもよく、Ｚは、直接結
   合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−（ＣＨ２）ｐ−（
   但し、ｐは２〜１０の整数である。）、次の式［ＶＩＩ
   ］【化１１】 （但し、ｑは４〜１０の整数である。）で表されるシク
   ロヘキシリデン基又は次の式［ＶＩＩＩ］【化１２】 （但し、Ｒ４は、各々独立に、水素原子、−ＣＦ３、炭
   素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール
   基である。）で表される基を示す。｝で表されるジヒド
   ロキシアリールアミン化合物を、あるいは、該ジヒドロ
   キシアリールアミン化合物と下記の一般式［ＸＩＩ］【
   化１３】 ［但し、式中、Ｗ１　は、各々独立に、水素原子、ハロ
   ゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１
   ２のアリール基を示し、Ｑは、直接結合、−Ｏ−、−Ｓ
   −、−ＳＯ−、−ＳＯ２　−、−（ＣＨ２　）ｎ　−（
   但し、ｎは２〜１０の整数である。）、次の式［ＩＸ］
   【化１４】 （但し、ｍは４〜１０の整数である。）で表されるシク
   ロアルキリデン基又は次の式［Ｘ］ 【化１５】 （但し、Ｗ２　は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜
   ６のアルキル基若しくはハロゲン置換アルキル基、又は
   炭素数６〜１２のアリール基である。）で表される基を
   示し、ｋは１〜４の整数を示す。）］で表される二価フ
   ェノール化合物とを、炭酸エステル形成性化合物と反応
   させることを特徴とする請求項１記載のポリカーボネー
   トの製造方法。
3. 【請求項３】　　請求項１に記載のポリカーボネートを
   電荷移動物質として用いたことを特徴とする電子写真感
   光体。