JPH0432087A - ダイナミックram回路モジュール - Google Patents
ダイナミックram回路モジュールInfo
- Publication number
- JPH0432087A JPH0432087A JP2138972A JP13897290A JPH0432087A JP H0432087 A JPH0432087 A JP H0432087A JP 2138972 A JP2138972 A JP 2138972A JP 13897290 A JP13897290 A JP 13897290A JP H0432087 A JPH0432087 A JP H0432087A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- dram
- circuit
- refresh
- circuit module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 102100020800 DNA damage-regulated autophagy modulator protein 1 Human genes 0.000 description 19
- 101000931929 Homo sapiens DNA damage-regulated autophagy modulator protein 1 Proteins 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Dram (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、メモリモジュールのうちDRAM回路モジュ
ールに関するものである。
ールに関するものである。
第3図は、−成約に使用されるCPUとDRAMの回路
図である。第4図は、第3図のインタフェース回路9を
具体的に示した回路図である。
図である。第4図は、第3図のインタフェース回路9を
具体的に示した回路図である。
通常、CPUから自動的に出力されるリフレッシュ信号
5は、インターフェース回路9内の制御回路18により
、RASIO,CASII、マルチプレクサ19をコン
トロールして、D RAM 12のリフレッシュ動作を
行う。
5は、インターフェース回路9内の制御回路18により
、RASIO,CASII、マルチプレクサ19をコン
トロールして、D RAM 12のリフレッシュ動作を
行う。
上記の様な従来のDRAM回路モジュールにおいては、
CPU1からのリフレッシュ信号5が出力される毎に、
リフレッシュ動作をしなければならず、また回路設計者
もリフレッシュ信号5の度にリフレッシュ動作をする必
要があると考えていた。一方、リフレッシュ動作では、
数10mA〜数100nAの大電流が流れるため、1次
や2次電池駆動での機器では、あまり使用されることは
なかった。又、リフレッシュ動作により大電流が流れる
瞬間プリント基板上の電源ラインに影響を及ぼすため、
それが匍の信号ラインにも伝わり、−DRAMや周りの
素子の動作にも影響を及ぼすという問題があった。
CPU1からのリフレッシュ信号5が出力される毎に、
リフレッシュ動作をしなければならず、また回路設計者
もリフレッシュ信号5の度にリフレッシュ動作をする必
要があると考えていた。一方、リフレッシュ動作では、
数10mA〜数100nAの大電流が流れるため、1次
や2次電池駆動での機器では、あまり使用されることは
なかった。又、リフレッシュ動作により大電流が流れる
瞬間プリント基板上の電源ラインに影響を及ぼすため、
それが匍の信号ラインにも伝わり、−DRAMや周りの
素子の動作にも影響を及ぼすという問題があった。
本発明は、上記の問題を解決すべくなされたもので、電
池駆動機器などにおいては外部からの信号によりDRA
Mがデータを保持するために必要最小なリフレッシュサ
イクルとし、リフレッシュ動作にかかつていた全消費電
流値を減らし、その結果、電源ラインのノイズも減らす
DRAM回路モジュールを得ることを目的としたもので
ある。
池駆動機器などにおいては外部からの信号によりDRA
Mがデータを保持するために必要最小なリフレッシュサ
イクルとし、リフレッシュ動作にかかつていた全消費電
流値を減らし、その結果、電源ラインのノイズも減らす
DRAM回路モジュールを得ることを目的としたもので
ある。
本発明に係るDRAM回路モジュールは、DRAMに必
要な最小リフレッシュ動作回数を、データ等の信号によ
り設定する事により、リフレッシュ動作で流れる全消費
電流値を少なくする事を特徴とする。
要な最小リフレッシュ動作回数を、データ等の信号によ
り設定する事により、リフレッシュ動作で流れる全消費
電流値を少なくする事を特徴とする。
第1図は、本発明の実施例を示したDRAM回路モジュ
ール図である。第2図は、第1図のインタフェース回路
9を具体的に書いた回路図である。
ール図である。第2図は、第1図のインタフェース回路
9を具体的に書いた回路図である。
本発明は、インタフェース回路9にはCPUIから、ア
ドレス2、リフレッシュ信号5、データ6、読み出し制
御信号(RD)3、書き込み制御信号(WR)4、メモ
リリクエスト信号(MRQ)7、I10リクエスト信号
(IloREQ)8がつながっている。これらの信号を
、インタフェース回路9では処理し、DRAM12に必
要な信号アドレス2a、RASIO,CASIIを出力
する。尚、データ6については、CPUIとDRAM1
2を直接つなぐ方法とした。では、本発明のインタフェ
ース回路9の具体的内容について、図2に従って説明す
る。
ドレス2、リフレッシュ信号5、データ6、読み出し制
御信号(RD)3、書き込み制御信号(WR)4、メモ
リリクエスト信号(MRQ)7、I10リクエスト信号
(IloREQ)8がつながっている。これらの信号を
、インタフェース回路9では処理し、DRAM12に必
要な信号アドレス2a、RASIO,CASIIを出力
する。尚、データ6については、CPUIとDRAM1
2を直接つなぐ方法とした。では、本発明のインタフェ
ース回路9の具体的内容について、図2に従って説明す
る。
アドレス2は、マルチプレクサ19でDRAM12のロ
ーアドレス用とカラムアドレス用のアドレスに切り換え
られる。この切り換え信号は、制御回路18から出力さ
れるものであるが、切り換え信号とRASIO,CAS
llとはDRAMI2に規定されているタイミングで制
御される。リフレッシュ信号5は、ANDゲート160
とカウンタ14aとにつながっている。カウンタでは所
定のカウントを行う毎に結果を出力するが、カウンタ1
4aは、その結果をANDゲートの16aとカウンタ1
4bのクロック端子につながっている0次々にカウンタ
をつなげることにより、源振(リフレッシュ信号5)を
分周した信号がANDゲート(160〜16n)に入力
される。一方、インターフェース回路9につながってい
るデータ6は、フリップフロップ(FF)回路15の入
力端子につながる。FF回路の出力信号(150〜15
n)は、ANDゲート (16o 〜16n)のもう一
方の入力につながっている。このため、ANDゲートを
制御するのは、FF回路の出力信号である。このFF回
路の出力信号(150〜15n)のいずれかが“1”の
時、そのANDゲートの信号(リフレッシュ信号5又は
それを分周した信号)が次のORI 7を介して、制御
回路18へとつながる。制御回路18では、MRQ信号
7、RD信号3、WR信号4により、DRAMを読み・
書きする動作か、又はデータ保持のためのリフレッシュ
動作かを判断し、制御する。リフレッシュ動作では、F
F回路の出力信号により選択された、リフレッシュに必
要な信号により行なわれる。
ーアドレス用とカラムアドレス用のアドレスに切り換え
られる。この切り換え信号は、制御回路18から出力さ
れるものであるが、切り換え信号とRASIO,CAS
llとはDRAMI2に規定されているタイミングで制
御される。リフレッシュ信号5は、ANDゲート160
とカウンタ14aとにつながっている。カウンタでは所
定のカウントを行う毎に結果を出力するが、カウンタ1
4aは、その結果をANDゲートの16aとカウンタ1
4bのクロック端子につながっている0次々にカウンタ
をつなげることにより、源振(リフレッシュ信号5)を
分周した信号がANDゲート(160〜16n)に入力
される。一方、インターフェース回路9につながってい
るデータ6は、フリップフロップ(FF)回路15の入
力端子につながる。FF回路の出力信号(150〜15
n)は、ANDゲート (16o 〜16n)のもう一
方の入力につながっている。このため、ANDゲートを
制御するのは、FF回路の出力信号である。このFF回
路の出力信号(150〜15n)のいずれかが“1”の
時、そのANDゲートの信号(リフレッシュ信号5又は
それを分周した信号)が次のORI 7を介して、制御
回路18へとつながる。制御回路18では、MRQ信号
7、RD信号3、WR信号4により、DRAMを読み・
書きする動作か、又はデータ保持のためのリフレッシュ
動作かを判断し、制御する。リフレッシュ動作では、F
F回路の出力信号により選択された、リフレッシュに必
要な信号により行なわれる。
FF回路の出力データ(150〜15n)の設定は、本
実施例では、アドレスの一部とl10REQ信号8を、
デユード回路13により行なわれるものである。
実施例では、アドレスの一部とl10REQ信号8を、
デユード回路13により行なわれるものである。
以上の説明から明らかなように、DRAM回路モジュー
ルにおい、て、DRAMのリフレッシュ回数を信号によ
りコントロールできることにより、次のような効果を得
ることができる。
ルにおい、て、DRAMのリフレッシュ回数を信号によ
りコントロールできることにより、次のような効果を得
ることができる。
■ リフレッシュ回数が減ることにより、リフレッシュ
時必要だった消費電流が少なくなる6■ リフレッシュ
動作を少なくすることにより、電源ラインを中心にノイ
ズの発生が少なくなり、DRAM及び周辺素子への影響
が少ない。
時必要だった消費電流が少なくなる6■ リフレッシュ
動作を少なくすることにより、電源ラインを中心にノイ
ズの発生が少なくなり、DRAM及び周辺素子への影響
が少ない。
■ ■の効果により1次又は2次電池駆動の機器内にも
大容量DRAMモジュールが使用可能。
大容量DRAMモジュールが使用可能。
■ 信号により、リフレッシュ回数が制御できるので、
組立後でも容易に変更可能。
組立後でも容易に変更可能。
第1図は、本発明のDRAM回路モジュール図。
第2図は、本発明のインターフェース回路図。
第3図は、従来のDRAM回路モジュール図。
第4図は、従来のインターフェース回路図。
1・・・CPU
2・・・アドレス
3・・・RD
4・・・WR
5・・・リフレッシュ
6・・・データ
7・・・MRQ
8・・・I/○REQ
9−・・インターフェース回路
10・・・RAS
11・・・CAS
12・・・DRAM
以
上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人 弁理士 鈴木 喜三部 化1名19、マルチプ
レクサ 第2図 第1閃 第3叉 第4履
レクサ 第2図 第1閃 第3叉 第4履
Claims (1)
- リフレッシュ動作を必要とするダイナミックRAM(D
RAM)において、リフレッシュサイクル時間を、信号
により変更できる事を特徴とする、ダイナミックRAM
回路モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2138972A JPH0432087A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | ダイナミックram回路モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2138972A JPH0432087A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | ダイナミックram回路モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432087A true JPH0432087A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15234480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2138972A Pending JPH0432087A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | ダイナミックram回路モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0432087A (ja) |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP2138972A patent/JPH0432087A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7778099B2 (en) | Semiconductor memory, memory system, and memory access control method | |
| KR100768729B1 (ko) | 클록 동기형 다이나믹 메모리 및 클록 동기형 집적 회로 | |
| JP4000206B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| US8572292B2 (en) | Command interface systems and methods | |
| US9042195B2 (en) | Control of inputs to a memory device | |
| KR930011352B1 (ko) | 가상형 스태틱 반도체 기억장치 | |
| JP4310544B2 (ja) | 低電力・高ライトレイテンシモードおよび高電力・低ライトレイテンシモードならびに/あるいは独立して選択可能なライトレイテンシを備える記憶装置および方法 | |
| JP2002074952A (ja) | 同期型半導体記憶装置及びその入力回路の制御方法 | |
| US6249473B1 (en) | Power down system for regulated internal voltage supply in DRAM | |
| JPH10162576A (ja) | 半導体メモリ装置のカラム選択ラインイネーブル回路 | |
| JPS6171494A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPH0432087A (ja) | ダイナミックram回路モジュール | |
| US5812482A (en) | Wordline wakeup circuit for use in a pulsed wordline design | |
| US7889570B2 (en) | Memory device input buffer, related memory device, controller and system | |
| CN101425330A (zh) | 一种同步动态存储器的刷新控制模块 | |
| US8171210B2 (en) | Semiconductor memory, operating method of semiconductor memory, and system | |
| US20080181023A1 (en) | Semiconductor memory device | |
| JPH0421992A (ja) | ダイナミックram回路モジュール | |
| KR100252060B1 (ko) | 디램 반도체 장치의 셀프 리프레쉬 모드 제어기 | |
| TW533427B (en) | Power down system of DRAM internal power supply | |
| KR100422812B1 (ko) | 라이트시 정전류를 최소화하는 반도체 메모리 장치 | |
| JPH04111295A (ja) | メモリ制御回路 | |
| JPH07130167A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPH03225695A (ja) | メモリカード | |
| JP2009266286A (ja) | 半導体メモリおよびメモリコントローラ |