JPH04321511A - 半導体用処理部材及びその製造方法 - Google Patents
半導体用処理部材及びその製造方法Info
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- JPH04321511A JPH04321511A JP3133736A JP13373691A JPH04321511A JP H04321511 A JPH04321511 A JP H04321511A JP 3133736 A JP3133736 A JP 3133736A JP 13373691 A JP13373691 A JP 13373691A JP H04321511 A JPH04321511 A JP H04321511A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、サセプタ等のごときＳ
ｉＣからなる半導体用処理部材及びその製造方法に関す
る。
ｉＣからなる半導体用処理部材及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、カーボン製基材の表面にＳｉやＳ
ｉＣを気相析出させた後、カーボン基材を焼き抜いて除
去し、ＳｉやＳｉＣからなる半導体用処理部材を製造す
る方法は公知である。
ｉＣを気相析出させた後、カーボン基材を焼き抜いて除
去し、ＳｉやＳｉＣからなる半導体用処理部材を製造す
る方法は公知である。
【０００３】たとえば、特開昭５７−１７１２６号公報
には、メチルクロルシラン、又は四塩化珪素とトルエン
、もしくはクロルシランとトルエンの原料を移動型高周
波加熱装置に導入しながら水素雰囲気中で１０００℃以
上の温度で分解させ、生成するＳｉＣを高純度化処理さ
れた黒鉛質パイプの内周面又は外周面に２ｍｍ以上の厚
みに蒸着した後、その黒鉛質パイプを焼き抜いて除去す
ることを特徴とする半導体炭化珪素質プロセスチューブ
の製造方法が開示されている。
には、メチルクロルシラン、又は四塩化珪素とトルエン
、もしくはクロルシランとトルエンの原料を移動型高周
波加熱装置に導入しながら水素雰囲気中で１０００℃以
上の温度で分解させ、生成するＳｉＣを高純度化処理さ
れた黒鉛質パイプの内周面又は外周面に２ｍｍ以上の厚
みに蒸着した後、その黒鉛質パイプを焼き抜いて除去す
ることを特徴とする半導体炭化珪素質プロセスチューブ
の製造方法が開示されている。
【０００４】また、特公昭６２−４３３３３号公報には
、形成すべき処理用受台形状をなす黒鉛製基材に半導体
材料を気相析出させ、更にその基材が存在する状態で半
導体材料の被膜にシリコン単結晶ウエハを保持するため
のスリットを切り込んだ後、前記黒鉛製基材を焼き抜く
ことを特徴とするシリコンウエハ処理用受台の製造方法
を開示している。
、形成すべき処理用受台形状をなす黒鉛製基材に半導体
材料を気相析出させ、更にその基材が存在する状態で半
導体材料の被膜にシリコン単結晶ウエハを保持するため
のスリットを切り込んだ後、前記黒鉛製基材を焼き抜く
ことを特徴とするシリコンウエハ処理用受台の製造方法
を開示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＳｉＣ製品の製
造方法では、いずれの場合も、ＳｉＣ製品の内表面がカ
ーボン基材の外表面に直接固着した状態になっていて、
カーボン基材を除去するとき、カーボン基材を焼き抜く
必要があるため、長時間を要する。
造方法では、いずれの場合も、ＳｉＣ製品の内表面がカ
ーボン基材の外表面に直接固着した状態になっていて、
カーボン基材を除去するとき、カーボン基材を焼き抜く
必要があるため、長時間を要する。
【０００６】カーボン基材から微量のカーボンがＳｉＣ
製品の内表面に不純物として混人する欠点がある。
製品の内表面に不純物として混人する欠点がある。
【０００７】また、カーボン基材を焼き抜いて除去する
と、カーボン基材の再利用が不可能である。
と、カーボン基材の再利用が不可能である。
【０００８】本発明の目的は、ＳｉＣ処理部材の内表面
が耐熱基材の外表面に直接固着した状態になることを回
避してＳｉＣ処理部材を製造できる方法と、そのように
して製造された半導体用ＳｉＣ処理部材を提供すること
である。
が耐熱基材の外表面に直接固着した状態になることを回
避してＳｉＣ処理部材を製造できる方法と、そのように
して製造された半導体用ＳｉＣ処理部材を提供すること
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１発明の要旨は、耐熱
基材の所定形状表面にＳｉを気相析出させてＳｉ層を形
成する工程と、そのＳｉ層の表面にＳｉＣを気相析出さ
せてＳｉＣ層を形成する工程と、Ｓｉ層をエッチング処
理で除去してＳｉＣ層をＳｉＣ処理部材として取り出す
工程を含む半導体用処理部材の製造方法である。
基材の所定形状表面にＳｉを気相析出させてＳｉ層を形
成する工程と、そのＳｉ層の表面にＳｉＣを気相析出さ
せてＳｉＣ層を形成する工程と、Ｓｉ層をエッチング処
理で除去してＳｉＣ層をＳｉＣ処理部材として取り出す
工程を含む半導体用処理部材の製造方法である。
【００１０】第１発明には、カーボン基材の所定形状表
面にＳｉＣを気相析出させて第１ＳｉＣ層を形成する工
程と、第１ＳｉＣ層の表面にＳｉを気相析出させてＳｉ
層を形成する工程と、そのＳｉ層の表面にＳｉＣを気相
析出させて第２ＳｉＣ層を形成する工程と、Ｓｉ層をエ
ッチング処理で除去して第２ＳｉＣ層をＳｉＣ処理部材
として取り出す工程を含む半導体用処理部材の製造方法
が含まれる。
面にＳｉＣを気相析出させて第１ＳｉＣ層を形成する工
程と、第１ＳｉＣ層の表面にＳｉを気相析出させてＳｉ
層を形成する工程と、そのＳｉ層の表面にＳｉＣを気相
析出させて第２ＳｉＣ層を形成する工程と、Ｓｉ層をエ
ッチング処理で除去して第２ＳｉＣ層をＳｉＣ処理部材
として取り出す工程を含む半導体用処理部材の製造方法
が含まれる。
【００１１】第２発明の要旨は、全体が気相析出で形成
されたＳｉＣからなり、気相析出されたＳｉＣ外表面と
、Ｓｉ層をエッチング処理で除去してできたＳｉＣ内表
面を有することを特徴とする半導体用処理部材である。
されたＳｉＣからなり、気相析出されたＳｉＣ外表面と
、Ｓｉ層をエッチング処理で除去してできたＳｉＣ内表
面を有することを特徴とする半導体用処理部材である。
【００１２】
【作用】第１発明において、Ｓｉ層を介在させて、Ｓｉ
層をエッチング処理で除去することによりＳｉＣ処理部
材を取り出す。製造途中にＳｉＣ処理部材の内表面はカ
ーボン基材の外表面でなくＳｉ層と接していて、そのＳ
ｉ層を除去してＳｉＣ処理部材を取り出すのである。
層をエッチング処理で除去することによりＳｉＣ処理部
材を取り出す。製造途中にＳｉＣ処理部材の内表面はカ
ーボン基材の外表面でなくＳｉ層と接していて、そのＳ
ｉ層を除去してＳｉＣ処理部材を取り出すのである。
【００１３】第２発明においては、ＳｉＣ処理部材の内
表面がエッチング処理面になっている。
表面がエッチング処理面になっている。
【００１４】
【発明の効果】第１発明においては、Ｓｉ層を介在させ
ていて、そのＳｉ層をエッチング処理で除去するので、
カーボン基材の焼き抜きによる除去に比較して除去が簡
単であり、しかも時間を短縮できる。
ていて、そのＳｉ層をエッチング処理で除去するので、
カーボン基材の焼き抜きによる除去に比較して除去が簡
単であり、しかも時間を短縮できる。
【００１５】カーボン基材がＳｉＣ処理部材と接してい
ないので、製造時に微量カーボンがＳｉＣ処理部材の内
表面に混入しない。
ないので、製造時に微量カーボンがＳｉＣ処理部材の内
表面に混入しない。
【００１６】Ｓｉ層をエッチング処理で除去するので、
ＳｉＣ処理部材を取り出したあと、カーボン基材はその
ままの形で残り、再利用が可能である。
ＳｉＣ処理部材を取り出したあと、カーボン基材はその
ままの形で残り、再利用が可能である。
【００１７】第２発明においては、ＳｉＣ処理部材の内
表面がエッチング処理面になっているので、従来のカー
ボン基材の焼き抜き面に比較して平滑で高純度である。
表面がエッチング処理面になっているので、従来のカー
ボン基材の焼き抜き面に比較して平滑で高純度である。
【００１８】この平滑性により、ＣＶＤ−ＳｉＣ基材の
肉厚が均一となり、温度ムラがなくなり、均一な半導体
基材の熱処理が可能となる。この充分な効果を得るため
には、Ｒａ＝１０μｍ以下が好ましく、更にはＲａ＝１
μｍ以下がより好ましい。
肉厚が均一となり、温度ムラがなくなり、均一な半導体
基材の熱処理が可能となる。この充分な効果を得るため
には、Ｒａ＝１０μｍ以下が好ましく、更にはＲａ＝１
μｍ以下がより好ましい。
【００１９】
【実施例】耐熱基材とは、ＳｉやＳｉＣの気相析出温度
に耐える固体物質であり、例えば、耐熱金属、カーボン
、セラミック等である。エッチング液に侵されず、かつ
エッチング液が浸透しない耐熱基材は、ガラス状Ｃ、自
焼結ＳｉＣ、気相合成Ｓｉ３Ｎ４等である。エッチング
液に侵され、かつエッチング液が浸透する耐熱基材は、
Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｃ、ＳｉＯ２再結晶ＳｉＣ、反応焼結
ＳｉＣ、焼結Ｓｉ３Ｎ４焼結ＢＮなどである。
に耐える固体物質であり、例えば、耐熱金属、カーボン
、セラミック等である。エッチング液に侵されず、かつ
エッチング液が浸透しない耐熱基材は、ガラス状Ｃ、自
焼結ＳｉＣ、気相合成Ｓｉ３Ｎ４等である。エッチング
液に侵され、かつエッチング液が浸透する耐熱基材は、
Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｃ、ＳｉＯ２再結晶ＳｉＣ、反応焼結
ＳｉＣ、焼結Ｓｉ３Ｎ４焼結ＢＮなどである。
【００２０】図１に誇張して示してあるように、サセプ
タの受台形状にカーボン基材１を加工する。
タの受台形状にカーボン基材１を加工する。
【００２１】続いて、図２に示すように、カーボン基材
１の外表面の上面及び側面の全体に気相成長法により５
〜１００μｍの均一の厚みになるようにＳｉ層２を析出
させて形成する。Ｓｉ層２の好適な厚みは２０〜５０μ
ｍである。Ｓｉ層の厚さは、基本的に被覆を行う基材の
最大表面粗さを超える厚さであればよい。何故なら、被
覆後も、基材の凸部がコートされていないと、前述の効
果が得られないからである。上限については、これを超
えると製造時間が多大となり、コストが大となる。さら
には、Ｓｉ層表面部分の表面粗さが大となり、最終製品
に悪影響を及ぼす。
１の外表面の上面及び側面の全体に気相成長法により５
〜１００μｍの均一の厚みになるようにＳｉ層２を析出
させて形成する。Ｓｉ層２の好適な厚みは２０〜５０μ
ｍである。Ｓｉ層の厚さは、基本的に被覆を行う基材の
最大表面粗さを超える厚さであればよい。何故なら、被
覆後も、基材の凸部がコートされていないと、前述の効
果が得られないからである。上限については、これを超
えると製造時間が多大となり、コストが大となる。さら
には、Ｓｉ層表面部分の表面粗さが大となり、最終製品
に悪影響を及ぼす。
【００２２】そのあと、図３に示すように、Ｓｉ層２の
全表面に気相成長法により５０〜１０００μｍの均一の
厚みになるようにＳｉＣ層３を析出させて形成する。Ｓ
ｉＣ層３の好ましい厚みは１００〜５００μｍである。 ＳｉＣ層３の厚さが５０μｍ未満では、半導体用処理部
材として充分な強度が得られず、また、５００μｍを超
えると、表面粗さが粗くなり、また被覆時間が過剰にか
かってしまう。
全表面に気相成長法により５０〜１０００μｍの均一の
厚みになるようにＳｉＣ層３を析出させて形成する。Ｓ
ｉＣ層３の好ましい厚みは１００〜５００μｍである。 ＳｉＣ層３の厚さが５０μｍ未満では、半導体用処理部
材として充分な強度が得られず、また、５００μｍを超
えると、表面粗さが粗くなり、また被覆時間が過剰にか
かってしまう。
【００２３】次に、カーボン基材１、Ｓｉ層２及びＳｉ
Ｃ層３の全体をエッチング液に浸漬し、Ｓｉ層３をエッ
チング処理で除去する。これにより、図４に示すように
、ＳｉＣ層３がカーボン基材１から分離され、ＳｉＣ処
理部材となる。この場合、カーボン基材１は元の形のま
ま残る。
Ｃ層３の全体をエッチング液に浸漬し、Ｓｉ層３をエッ
チング処理で除去する。これにより、図４に示すように
、ＳｉＣ層３がカーボン基材１から分離され、ＳｉＣ処
理部材となる。この場合、カーボン基材１は元の形のま
ま残る。
【００２４】なお、必要に応じて、カーボン基材１を焼
き抜いてから、Ｓｉ層２をエッチング処理で除去して、
ＳｉＣ層３をＳｉＣ処理部材として取り出すことも可能
である。
き抜いてから、Ｓｉ層２をエッチング処理で除去して、
ＳｉＣ層３をＳｉＣ処理部材として取り出すことも可能
である。
【００２５】本発明の別の実施例を説明する。
【００２６】図１に示すように、サセプタの受台形状に
カーボン基材１を加工したあと、図５に示すように、カ
ーボン基材１の外表面の全体に気相成長法により５〜１
００μｍの均一な厚みになるようにＳｉＣ層４を析出さ
せて形成する。ＳｉＣ層４の好適な厚みは１０〜５０μ
ｍである。ＳｉＣ層の厚さが５μｍ未満では、被覆する
効果が得られず、１００μｍを超えると表面粗さが粗く
なり、最終製品サセプタの裏面粗さの要因となり、さら
には、均熱性が得られない。
カーボン基材１を加工したあと、図５に示すように、カ
ーボン基材１の外表面の全体に気相成長法により５〜１
００μｍの均一な厚みになるようにＳｉＣ層４を析出さ
せて形成する。ＳｉＣ層４の好適な厚みは１０〜５０μ
ｍである。ＳｉＣ層の厚さが５μｍ未満では、被覆する
効果が得られず、１００μｍを超えると表面粗さが粗く
なり、最終製品サセプタの裏面粗さの要因となり、さら
には、均熱性が得られない。
【００２７】続いて、図６に示すように、ＳｉＣ層４の
全表面に気相成長法によって５〜１００μｍの均一の厚
みになるようにＳｉ層５を析出させて形成する。Ｓｉ層
５の好適な厚みは２０〜５０μｍである。Ｓｉ層の厚さ
は、基本的に被覆を行う基材の最大表面粗さを超える厚
さであればよい。何故なら、被覆後も、基材の凸部がコ
ートされていないと、前述の効果が得られないからであ
る。上限については、これを超えると製造時間が多大と
なり、コストが大となる。さらには、Ｓｉ層表面部分の
表面粗さが大となり、最終製品に悪影響を及ぼす。
全表面に気相成長法によって５〜１００μｍの均一の厚
みになるようにＳｉ層５を析出させて形成する。Ｓｉ層
５の好適な厚みは２０〜５０μｍである。Ｓｉ層の厚さ
は、基本的に被覆を行う基材の最大表面粗さを超える厚
さであればよい。何故なら、被覆後も、基材の凸部がコ
ートされていないと、前述の効果が得られないからであ
る。上限については、これを超えると製造時間が多大と
なり、コストが大となる。さらには、Ｓｉ層表面部分の
表面粗さが大となり、最終製品に悪影響を及ぼす。
【００２８】そのあと、図７に示すように、Ｓｉ層５の
全表面に気相成長法により５０〜１０００μｍの均一の
厚みになるようにＳｉＣ層６を析出させて形成する。Ｓ
ｉＣ層６の好ましい厚みは１００〜５００μｍである。 ＳｉＣ層の厚さが５μｍ未満では、被覆する効果が得ら
れず、１００μｍを超えると表面粗さが粗くなり、最終
製品サセプタの裏面粗さの要因となり、さらには、均熱
性が得られない。
全表面に気相成長法により５０〜１０００μｍの均一の
厚みになるようにＳｉＣ層６を析出させて形成する。Ｓ
ｉＣ層６の好ましい厚みは１００〜５００μｍである。 ＳｉＣ層の厚さが５μｍ未満では、被覆する効果が得ら
れず、１００μｍを超えると表面粗さが粗くなり、最終
製品サセプタの裏面粗さの要因となり、さらには、均熱
性が得られない。
【００２９】次に、カーボン基材１、Ｓｉ層５及び２つ
のＳｉＣ層４、６の全体をエッチング液に浸漬し、Ｓｉ
層５をエッチング処理で除去する。これにより、図８に
示すように、ＳｉＣ層６が、カーボン基材１にコートし
たＳｉＣ層４から分離され、ＳｉＣ処理部材となる。こ
の場合、ＳｉＣ層４でコートされたカーボン基材１及び
ＳｉＣ層４は元の形のまま残り、図５の状態になって、
くり返し再使用ができる。
のＳｉＣ層４、６の全体をエッチング液に浸漬し、Ｓｉ
層５をエッチング処理で除去する。これにより、図８に
示すように、ＳｉＣ層６が、カーボン基材１にコートし
たＳｉＣ層４から分離され、ＳｉＣ処理部材となる。こ
の場合、ＳｉＣ層４でコートされたカーボン基材１及び
ＳｉＣ層４は元の形のまま残り、図５の状態になって、
くり返し再使用ができる。
【００３０】いずれの実施例においてもエッチング処理
前にカーボン基材１と一緒にＳｉＣ層にスリットその他
を形成する加工工程を入れることができる。
前にカーボン基材１と一緒にＳｉＣ層にスリットその他
を形成する加工工程を入れることができる。
【００３１】サセプタを例にとって、さらに具体的に本
発明の実施例１及び２と比較例１及び２を説明する。
発明の実施例１及び２と比較例１及び２を説明する。
【００３２】実施例１
サセプタの受台形状に加工したカーボン基材の上面およ
び側面の全体に２０分間にわたってＳｉＣｌ４ガスを２
ｌ／ｍｉｎの速度で流すと同時にＨ２を１５０ｌ／ｍｉ
ｎの速度で流した。その時の基材温度は１１５０℃であ
った。その結果、厚さ２０μｍの均一なＳｉ層がカーボ
ン基材の上面及び側面の全体に形成された。
び側面の全体に２０分間にわたってＳｉＣｌ４ガスを２
ｌ／ｍｉｎの速度で流すと同時にＨ２を１５０ｌ／ｍｉ
ｎの速度で流した。その時の基材温度は１１５０℃であ
った。その結果、厚さ２０μｍの均一なＳｉ層がカーボ
ン基材の上面及び側面の全体に形成された。
【００３３】さらに、そのＳｉ層の全表面に１００分間
にわたって、それぞれＳｉＣｌ４ガスを１ｌ／ｍｉｎの
速度で、Ｃ３Ｈ２ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｈ２ガ
スを５０ｌ／ｍｉｎの速度で同時に流した。その時の雰
囲気温度は１２００℃であった。その結果、厚さ１００
μｍの均一なＳｉＣ層がＳｉ層の表面に形成された。
にわたって、それぞれＳｉＣｌ４ガスを１ｌ／ｍｉｎの
速度で、Ｃ３Ｈ２ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｈ２ガ
スを５０ｌ／ｍｉｎの速度で同時に流した。その時の雰
囲気温度は１２００℃であった。その結果、厚さ１００
μｍの均一なＳｉＣ層がＳｉ層の表面に形成された。
【００３４】そのあと、Ｓｉ層とＳｉＣ層がコートされ
た状態のままカーボン基材の全体をエッチング液の中に
２０℃で１０分間浸漬した。エッチング液は、ＨＦ：Ｈ
ＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝１：１：１の混合液であった。このエ
ッチング処理によってＳｉ層は完全に溶解して除去され
た。その結果、ＳｉＣ層がカーボン基材から分離され、
ＳｉＣサセプタとして取り出された。
た状態のままカーボン基材の全体をエッチング液の中に
２０℃で１０分間浸漬した。エッチング液は、ＨＦ：Ｈ
ＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝１：１：１の混合液であった。このエ
ッチング処理によってＳｉ層は完全に溶解して除去され
た。その結果、ＳｉＣ層がカーボン基材から分離され、
ＳｉＣサセプタとして取り出された。
【００３５】実施例１の製法で、表面粗さＲａが表１に
示すような５インチウエハ１０枚設置用のシリンダ型サ
セプタ（厚さ＝１０００μｍ）を作成し、それらについ
てウエハをおき、エピ温度１１４０℃の条件でエピ膜厚
＝２０μｍを作った。これを計５回（各々未使用品）行
った。この時のスリップ発生ウエハの枚数を数えた。
示すような５インチウエハ１０枚設置用のシリンダ型サ
セプタ（厚さ＝１０００μｍ）を作成し、それらについ
てウエハをおき、エピ温度１１４０℃の条件でエピ膜厚
＝２０μｍを作った。これを計５回（各々未使用品）行
った。この時のスリップ発生ウエハの枚数を数えた。
【００３６】実施例２
サセプタの受台形状に加工したカーボン基材の全体に５
０分間にわたってＳｉＣｌ４ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度
で、Ｃ３Ｈ８ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｈ２ガスを
５０ｌ／ｍｉｎの速度で同時に流した。そのときの雰囲
気温度は１２００℃であった。その結果、厚さ５０μｍ
の均一なＳｉＣ層がカーボン基材の外表面に形成された
。
０分間にわたってＳｉＣｌ４ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度
で、Ｃ３Ｈ８ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｈ２ガスを
５０ｌ／ｍｉｎの速度で同時に流した。そのときの雰囲
気温度は１２００℃であった。その結果、厚さ５０μｍ
の均一なＳｉＣ層がカーボン基材の外表面に形成された
。
【００３７】次に、ＳｉＣ層の上面及び側面の全体に２
０分間にわたってＳｉＣｌ４ガスを２ｌ／ｍｉｎの速度
で流すと同時にＨ２を１５０ｌ／ｍｉｎの速度で流した
。その時の基材温度は１１５０℃であった。その結果、
厚さ２０μｍの均一なＳｉ層がＳｉＣ層のカーボン基材
の上面及び側面の全体に形成された。
０分間にわたってＳｉＣｌ４ガスを２ｌ／ｍｉｎの速度
で流すと同時にＨ２を１５０ｌ／ｍｉｎの速度で流した
。その時の基材温度は１１５０℃であった。その結果、
厚さ２０μｍの均一なＳｉ層がＳｉＣ層のカーボン基材
の上面及び側面の全体に形成された。
【００３８】さらに、そのＳｉ層の全表面に１００分間
にわたって、それぞれＳｉＣｌ４ガスを１ｌ／ｍｉｎの
速度で、Ｃ３Ｈ２ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｈ２ガ
スを５０ｌ／ｍｉｎの速度で同時に流した。その時の基
材温度は１２００℃であった。その結果、厚さ１００μ
ｍの均一なＳｉＣ層がＳｉ層の表面に形成された。
にわたって、それぞれＳｉＣｌ４ガスを１ｌ／ｍｉｎの
速度で、Ｃ３Ｈ２ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｈ２ガ
スを５０ｌ／ｍｉｎの速度で同時に流した。その時の基
材温度は１２００℃であった。その結果、厚さ１００μ
ｍの均一なＳｉＣ層がＳｉ層の表面に形成された。
【００３９】そのあと、Ｓｉ層とＳｉＣ層がコートされ
た状態のままカーボン基材の全体をエッチング液の中に
２０℃で１０分間浸漬した。エッチング液は、ＨＦ：Ｈ
ＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝１：１：１の混合液であった。このエ
ッチング処理によってＳｉ層は完全に溶解して除去され
た。その結果、Ｓｉ層をコートしていたＳｉＣ層が、カ
ーボン基材にコートしたＳｉＣ層から分離され、ＳｉＣ
サセプタとして取り出された。
た状態のままカーボン基材の全体をエッチング液の中に
２０℃で１０分間浸漬した。エッチング液は、ＨＦ：Ｈ
ＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝１：１：１の混合液であった。このエ
ッチング処理によってＳｉ層は完全に溶解して除去され
た。その結果、Ｓｉ層をコートしていたＳｉＣ層が、カ
ーボン基材にコートしたＳｉＣ層から分離され、ＳｉＣ
サセプタとして取り出された。
【００４０】実施例３
サセプタの受台形状に加工した自焼結ＳｉＣ基材の上面
および側面の全体に２０分間にわたってＳｉＣｌ４ガス
を２ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｈ２ガスを１５０ｌ／ｍｉｎ
の速度で同時に流した。その時の基材温度は１１５０℃
であった。その結果、厚さ２０μｍの均一なＳｉ層がＳ
ｉＣ層の表面に形成された。
および側面の全体に２０分間にわたってＳｉＣｌ４ガス
を２ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｈ２ガスを１５０ｌ／ｍｉｎ
の速度で同時に流した。その時の基材温度は１１５０℃
であった。その結果、厚さ２０μｍの均一なＳｉ層がＳ
ｉＣ層の表面に形成された。
【００４１】さらに、そのＳｉ層の全表面に１００分間
にわたって、それぞれＳｉＣｌ４ガスを１ｌ／ｍｉｎの
速度で、Ｃ３Ｈ８ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｈ２ガ
スを５０ｌ／ｍｉｎの速度で同時に流した。その時の基
材温度は１２００℃であった。その結果、厚さ１００μ
ｍの均一なＳｉＣ層がＳｉ層の表面に形成された。
にわたって、それぞれＳｉＣｌ４ガスを１ｌ／ｍｉｎの
速度で、Ｃ３Ｈ８ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｈ２ガ
スを５０ｌ／ｍｉｎの速度で同時に流した。その時の基
材温度は１２００℃であった。その結果、厚さ１００μ
ｍの均一なＳｉＣ層がＳｉ層の表面に形成された。
【００４２】そのあと、Ｓｉ層とＳｉＣ層がコートされ
た状態のまま反応焼結ＳｉＣ基材の全体をエッチング液
の中に２０℃で１０分間浸漬した。エッチング液は、Ｈ
Ｆ：ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝１：１：１の混合液であった。 このエッチング処理によってＳｉ層は完全に溶解して除
去された。その結果、Ｓｉ層をコートしていたＳｉＣ層
が、自焼結ＳｉＣ基材から分離され、ＳｉＣサセプタと
して取り出された。
た状態のまま反応焼結ＳｉＣ基材の全体をエッチング液
の中に２０℃で１０分間浸漬した。エッチング液は、Ｈ
Ｆ：ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝１：１：１の混合液であった。 このエッチング処理によってＳｉ層は完全に溶解して除
去された。その結果、Ｓｉ層をコートしていたＳｉＣ層
が、自焼結ＳｉＣ基材から分離され、ＳｉＣサセプタと
して取り出された。
【００４３】実施例４
サセプタの受台形状に加工した自焼結ＳｉＣ基材の外表
面全体に、３０分間にわたってＳｉＣｌ４ガスを１ｌ／
ｍｉｎの速度で、Ｃ３Ｈ８ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で
、Ｈ２ガスを５０ｌ／ｍｉｎの速度で同時に流した。 そのときの基材温度は１２００℃であった。その結果、
厚さ３０μｍの均一なＳｉ層が反応焼結ＳｉＣ基材の外
表面全体に形成された。
面全体に、３０分間にわたってＳｉＣｌ４ガスを１ｌ／
ｍｉｎの速度で、Ｃ３Ｈ８ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で
、Ｈ２ガスを５０ｌ／ｍｉｎの速度で同時に流した。 そのときの基材温度は１２００℃であった。その結果、
厚さ３０μｍの均一なＳｉ層が反応焼結ＳｉＣ基材の外
表面全体に形成された。
【００４４】次に、ＳｉＣ層の上面及び側面の全体に２
０分間にわたってＳｉＣｌ４ガスを２ｌ／ｍｉｎの速度
で、Ｈ２ガスを１５０ｌ／ｍｉｎの速度で同時に流した
。そのときの基材温度は１１５０℃であった。その結果
、厚さ２０μｍの均一なＳｉ層がＳｉＣ層の上面および
側面の全体に形成された。
０分間にわたってＳｉＣｌ４ガスを２ｌ／ｍｉｎの速度
で、Ｈ２ガスを１５０ｌ／ｍｉｎの速度で同時に流した
。そのときの基材温度は１１５０℃であった。その結果
、厚さ２０μｍの均一なＳｉ層がＳｉＣ層の上面および
側面の全体に形成された。
【００４５】さらに、そのＳｉ層の全表面に１００分間
にわたってＳｉＣｌ４ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｃ
３Ｈ８ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｈ２ガスを５０ｌ
／ｍｉｎの速度で同時に流した。そのときの基材温度は
１２００℃であった。その結果、厚さ１００μｍの均一
なＳｉＣ層がＳｉ層の表面に形成された。
にわたってＳｉＣｌ４ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｃ
３Ｈ８ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｈ２ガスを５０ｌ
／ｍｉｎの速度で同時に流した。そのときの基材温度は
１２００℃であった。その結果、厚さ１００μｍの均一
なＳｉＣ層がＳｉ層の表面に形成された。
【００４６】そのあと、Ｓｉ層とＳｉＣ層がコートされ
た状態のまま反応焼結ＳｉＣ基材の全体をエッチング液
の中に２０℃で１０分間浸漬した。エッチング液は、Ｈ
Ｆ：ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝１：１：１の混合液であった。 このエッチング処理によってＳｉ層は完全に溶解して除
去された。その結果、Ｓｉ層をコートしていたＳｉＣ層
が、反応焼結ＳｉＣ基材にコートしたＳｉＣ層から分離
され、ＳｉＣサセプタとして取り出された。
た状態のまま反応焼結ＳｉＣ基材の全体をエッチング液
の中に２０℃で１０分間浸漬した。エッチング液は、Ｈ
Ｆ：ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝１：１：１の混合液であった。 このエッチング処理によってＳｉ層は完全に溶解して除
去された。その結果、Ｓｉ層をコートしていたＳｉＣ層
が、反応焼結ＳｉＣ基材にコートしたＳｉＣ層から分離
され、ＳｉＣサセプタとして取り出された。
【００４７】比較例１
サセプタの受台形状に加工したカーボン基材の上面およ
び側面の全体に１００分間にわたって、それぞれＳｉＣ
ｌ４ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｃ３Ｈ２ガスを１ｌ
／ｍｉｎの速度で、Ｈ２ガスを５０ｌ／ｍｉｎの速度で
同時に流した。その時の基材温度は１２００℃であった
。その結果、厚さ１００μｍの均一なＳｉＣ層がカーボ
ン基材の上面及び側面の全体に形成された。
び側面の全体に１００分間にわたって、それぞれＳｉＣ
ｌ４ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｃ３Ｈ２ガスを１ｌ
／ｍｉｎの速度で、Ｈ２ガスを５０ｌ／ｍｉｎの速度で
同時に流した。その時の基材温度は１２００℃であった
。その結果、厚さ１００μｍの均一なＳｉＣ層がカーボ
ン基材の上面及び側面の全体に形成された。
【００４８】そのあと、ＳｉＣ層がコートされた状態の
ままカーボン基材を空気中、８５０℃で２４時間かけて
焼き抜いた。その結果、ＳｉＣ層がＳｉＣサセプタとし
て取り出された。
ままカーボン基材を空気中、８５０℃で２４時間かけて
焼き抜いた。その結果、ＳｉＣ層がＳｉＣサセプタとし
て取り出された。
【００４９】このように、比較例１では、カーボン基材
の焼き抜きに１日を要した。また、カーボン基材の再利
用ができない。
の焼き抜きに１日を要した。また、カーボン基材の再利
用ができない。
【００５０】比較例２
サセプタの受台形状に加工したＳｉ基材の上面および側
面の全体に１００分間にわたって、それぞれＳｉＣｌ４
ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｃ３Ｈ２ガスを１ｌ／ｍ
ｉｎの速度で、Ｈ２ガスを５０ｌ／ｍｉｎの速度で同時
に流した。その時の基材温度は１２００℃であった。そ
の結果、厚さ１００μｍの均一なＳｉＣ層がＳｉ基材の
上面及び側面の全体に形成された。
面の全体に１００分間にわたって、それぞれＳｉＣｌ４
ガスを１ｌ／ｍｉｎの速度で、Ｃ３Ｈ２ガスを１ｌ／ｍ
ｉｎの速度で、Ｈ２ガスを５０ｌ／ｍｉｎの速度で同時
に流した。その時の基材温度は１２００℃であった。そ
の結果、厚さ１００μｍの均一なＳｉＣ層がＳｉ基材の
上面及び側面の全体に形成された。
【００５１】そのあと、ＳｉＣ層がコートされた状態の
ままＳｉ基材の全体をエッチング液の中に２０℃で６０
分間浸漬した。エッチング液は、ＨＦ：ＨＮＯ３：Ｈ２
Ｏ＝１：１：１の混合液であった。このエッチング処理
によってＳｉ基材は完全に溶解して除去された。その結
果、ＳｉＣ層がＳｉＣサセプタとして取り出された。
ままＳｉ基材の全体をエッチング液の中に２０℃で６０
分間浸漬した。エッチング液は、ＨＦ：ＨＮＯ３：Ｈ２
Ｏ＝１：１：１の混合液であった。このエッチング処理
によってＳｉ基材は完全に溶解して除去された。その結
果、ＳｉＣ層がＳｉＣサセプタとして取り出された。
【００５２】このように、比較例２では、Ｓｉ基材をエ
ッチング処理によって除去するに１時間を要した。また
、Ｓｉ基材の再利用は不可能である。
ッチング処理によって除去するに１時間を要した。また
、Ｓｉ基材の再利用は不可能である。
【図１】サセプタの受台形状に加工したカーボン基材を
示す断面図。
示す断面図。
【図２】図１のカーボン基材の表面にＳｉ層を形成した
状態を示す断面図。
状態を示す断面図。
【図３】図２のＳｉ層の表面にＳｉＣ層を形成した状態
を示す断面図。
を示す断面図。
【図４】図３のＳｉ層をエッチング処理で除去してＳｉ
Ｃ層をカーボン基材から分離した状態を示す断面図。
Ｃ層をカーボン基材から分離した状態を示す断面図。
【図５】図１のカーボン基材の表面に第１ＳｉＣ層を形
成した状態を示す断面図。
成した状態を示す断面図。
【図６】図５の第１ＳｉＣ層の表面にＳｉ層を形成した
状態を示す断面図。
状態を示す断面図。
【図７】図６のＳｉ層の表面に第２ＳｉＣ層を形成した
状態を示す断面図。
状態を示す断面図。
【図８】図７のＳｉ層をエッチング処理で除去して第２
ＳｉＣ層を取り出した状態を示す断面図。
ＳｉＣ層を取り出した状態を示す断面図。
１ カーボン基材
２ Ｓｉ層
３ ＳｉＣ層
４ 第１ＳｉＣ層
５ Ｓｉ層
６ 第２ＳｉＣ層
【表１】
Claims (2)
- 【請求項１】 耐熱基材の所定形状表面にＳｉを気相
析出させてＳｉ層を形成する工程と、そのＳｉ層の表面
にＳｉＣを気相析出させてＳｉＣ層を形成する工程と、
Ｓｉ層をエッチング処理で除去してＳｉＣ層をＳｉＣ処
理部材として取り出す工程を含む半導体用処理部材の製
造方法。 - 【請求項２】 全体が気相析出で形成されたＳｉＣか
らなり、気相析出されたＳｉＣ外表面と、Ｓｉ層をエッ
チング処理で除去してできたＳｉＣ内表面を有すること
を特徴とする半導体用処理部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3133736A JP2549030B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 半導体用処理部材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3133736A JP2549030B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 半導体用処理部材及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04321511A true JPH04321511A (ja) | 1992-11-11 |
| JP2549030B2 JP2549030B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=15111717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3133736A Expired - Fee Related JP2549030B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 半導体用処理部材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2549030B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004111686A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体処理用部材及び半導体処理用部材の洗浄方法 |
| JP2022068036A (ja) * | 2020-10-21 | 2022-05-09 | イビデン株式会社 | ＳｉＣの気相成長装置用部材及び気相成長装置用部材の再生方法 |
| JP2025523559A (ja) * | 2022-07-04 | 2025-07-23 | トーカイ カーボン コリア カンパニー．，リミテッド | 半導体製造装置用部品及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3133736A patent/JP2549030B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004111686A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体処理用部材及び半導体処理用部材の洗浄方法 |
| JP2022068036A (ja) * | 2020-10-21 | 2022-05-09 | イビデン株式会社 | ＳｉＣの気相成長装置用部材及び気相成長装置用部材の再生方法 |
| JP2025523559A (ja) * | 2022-07-04 | 2025-07-23 | トーカイ カーボン コリア カンパニー．，リミテッド | 半導体製造装置用部品及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2549030B2 (ja) | 1996-10-30 |
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