JPH04321773A - 自動車用パワー集積回路 - Google Patents
自動車用パワー集積回路Info
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- JPH04321773A JPH04321773A JP3087119A JP8711991A JPH04321773A JP H04321773 A JPH04321773 A JP H04321773A JP 3087119 A JP3087119 A JP 3087119A JP 8711991 A JP8711991 A JP 8711991A JP H04321773 A JPH04321773 A JP H04321773A
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- Japan
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- Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車の誘電性負荷等
に対するスイッチングのためのパワー半導体スイッチン
グ素子とその制御回路， 駆動回路等を一つの半導体基
板中および上に構成した自動車用パワー集積回路に関す
る。
に対するスイッチングのためのパワー半導体スイッチン
グ素子とその制御回路， 駆動回路等を一つの半導体基
板中および上に構成した自動車用パワー集積回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】自動車に搭載されている各種電気装置は
バッテリを電源としている。そしてバッテリと負荷であ
る電気装置の間に半導体スイッチング素子が接続される
。図２は、半導体スイッチング素子と同一半導体基板中
および上に制御回路， 駆動回路等を集積したインテリ
ジェントパワー半導体スイッチを用いた例を示し、バッ
テリ２０の正端子と一方の端子が接地される負荷３との
間にインテリジェントパワー半導体ハイサイドスイッチ
２１が接続される場合と一方の端子がバッテリ２０の正
端子に接続される負荷３の他方の端子にインテリジェン
トパワー半導体ローサイドスイッチ２２が接続される場
合とがある。
バッテリを電源としている。そしてバッテリと負荷であ
る電気装置の間に半導体スイッチング素子が接続される
。図２は、半導体スイッチング素子と同一半導体基板中
および上に制御回路， 駆動回路等を集積したインテリ
ジェントパワー半導体スイッチを用いた例を示し、バッ
テリ２０の正端子と一方の端子が接地される負荷３との
間にインテリジェントパワー半導体ハイサイドスイッチ
２１が接続される場合と一方の端子がバッテリ２０の正
端子に接続される負荷３の他方の端子にインテリジェン
トパワー半導体ローサイドスイッチ２２が接続される場
合とがある。
【０００３】図３はインテリジェントパワー半導体ハイ
サイドスイッチを示し、スイッチング素子としてのパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１のゲートに抵抗Ｒｇ を介して接続さ
れる駆動回路， 制御回路等の付属回路１１， ＭＯＳ
ＦＥＴ１２， ツエナダイオード１３などを同一半導体
基板に備えている。そして、特にパワーＭＯＳＦＥＴの
ソースに接続される出力端子 （ＯＵＴ） に誘導性の
負荷を接続してスイッチングを行った場合にターンオフ
時にＯＵＴ端子が大きな負の電位になった際、その電位
が接続点１４の電位に対してツエナダイオード１３のツ
エナ電圧を越えて負に深くなると、接続点１４からＭＯ
ＳＦＥＴ１２を経て電流が流れ、Ｒｇ を介してパワー
ＭＯＳＦＥＴ１にゲート電圧を印加することにより、パ
ワーＭＯＳＦＥＴ１自身が出力オンしてターンオフ時の
エネルギーを吸収する。図４は、インテリジェントパワ
ー半導体ローサイドスイッチを示し、パワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１のドレイン端子が出力端子 （ＯＵＴ） となり、
ＭＯＳＦＥＴ１２等も含む付属回路１５をＭＯＳＦＥＴ
と同一半導体基板に備え、ＭＯＳＦＥＴ１のゲートと抵
抗Ｒｇ を介して接続されている。
サイドスイッチを示し、スイッチング素子としてのパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１のゲートに抵抗Ｒｇ を介して接続さ
れる駆動回路， 制御回路等の付属回路１１， ＭＯＳ
ＦＥＴ１２， ツエナダイオード１３などを同一半導体
基板に備えている。そして、特にパワーＭＯＳＦＥＴの
ソースに接続される出力端子 （ＯＵＴ） に誘導性の
負荷を接続してスイッチングを行った場合にターンオフ
時にＯＵＴ端子が大きな負の電位になった際、その電位
が接続点１４の電位に対してツエナダイオード１３のツ
エナ電圧を越えて負に深くなると、接続点１４からＭＯ
ＳＦＥＴ１２を経て電流が流れ、Ｒｇ を介してパワー
ＭＯＳＦＥＴ１にゲート電圧を印加することにより、パ
ワーＭＯＳＦＥＴ１自身が出力オンしてターンオフ時の
エネルギーを吸収する。図４は、インテリジェントパワ
ー半導体ローサイドスイッチを示し、パワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１のドレイン端子が出力端子 （ＯＵＴ） となり、
ＭＯＳＦＥＴ１２等も含む付属回路１５をＭＯＳＦＥＴ
と同一半導体基板に備え、ＭＯＳＦＥＴ１のゲートと抵
抗Ｒｇ を介して接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】バッテリが誤って逆接
続されたときには、図３のハイサイドスイッチでは、接
地端子 （ＧＮＤ） から電流Ｉ１ が付属回路１１に
流入し、図４のローサイドスイッチには付属回路１５か
らバッテリに向けて電流Ｉ２ が流出することにより、
付属回路１１あるいは１５が破壊してしまう。これを防
止するために、図５に示すようにハイサイドスイッチ２
１にはＧＮＤ端子に直列に電流流入制限用ダイオード４
１を、ローサイドスイッチ２２には電源端子 （Ｖｃｃ
） に直列に電流流出制限用ダイオード４２を接続する
必要がある。従来このようなダイオードは外付けで接続
していたが、そのような外部接続を省略できることが望
ましい。しかし、図６に示すように自己分離技術を用い
てパワーＭＯＳＦＥＴとダイオードを同一基板中に作成
した場合にも問題がある。図の右側はパワーＭＯＳＦＥ
Ｔの部分で、ｎ＋ シリコン基板５１に積層されたｎ−
シリコン層５２の表面層内にｐ＋ 領域５３が選択的
に形成されｐ＋ 領域５３の表面層内にさらにｎ＋ ソ
ース領域５４が選択的に形成されている。ｐ＋領域５３
のｎ− 層５２とｎ＋ 領域５４にはさまれた部分がチ
ャネル部で、その上にゲート酸化膜となるシリコン酸化
膜５５を介して低抵抗のｎ＋ 多結晶Ｓｉからなりゲー
ト端子Ｇに接続されたゲート電極５６が備えられており
、ゲート電極５６とＰＳＧ膜５７により絶縁され、ソー
ス端子Ｓに接続されたＡｌ−Ｓｉ合金よりなるソース電
極５８はｐ＋ 領域５３およびｎ＋ 領域５４に共通に
接触している。一方、ｎ＋ 層５１にはドレイン電極５
９が接触している。図の左側はパワーＭＯＳＦＥＴと分
離された集積ダイオードで、ｎ− 層５２の表面層内に
選択的に形成されたｐ＋ アノード領域６１とその表面
層内に選択的に形成されたｎ＋ カソード領域６２より
なり、アノード領域６１にはアノード端子Ａに接続され
たアノード電極６３が、またカソード領域６２にはカソ
ード端子Ｋに接続されたカソード電極６４が接触してい
る。
続されたときには、図３のハイサイドスイッチでは、接
地端子 （ＧＮＤ） から電流Ｉ１ が付属回路１１に
流入し、図４のローサイドスイッチには付属回路１５か
らバッテリに向けて電流Ｉ２ が流出することにより、
付属回路１１あるいは１５が破壊してしまう。これを防
止するために、図５に示すようにハイサイドスイッチ２
１にはＧＮＤ端子に直列に電流流入制限用ダイオード４
１を、ローサイドスイッチ２２には電源端子 （Ｖｃｃ
） に直列に電流流出制限用ダイオード４２を接続する
必要がある。従来このようなダイオードは外付けで接続
していたが、そのような外部接続を省略できることが望
ましい。しかし、図６に示すように自己分離技術を用い
てパワーＭＯＳＦＥＴとダイオードを同一基板中に作成
した場合にも問題がある。図の右側はパワーＭＯＳＦＥ
Ｔの部分で、ｎ＋ シリコン基板５１に積層されたｎ−
シリコン層５２の表面層内にｐ＋ 領域５３が選択的
に形成されｐ＋ 領域５３の表面層内にさらにｎ＋ ソ
ース領域５４が選択的に形成されている。ｐ＋領域５３
のｎ− 層５２とｎ＋ 領域５４にはさまれた部分がチ
ャネル部で、その上にゲート酸化膜となるシリコン酸化
膜５５を介して低抵抗のｎ＋ 多結晶Ｓｉからなりゲー
ト端子Ｇに接続されたゲート電極５６が備えられており
、ゲート電極５６とＰＳＧ膜５７により絶縁され、ソー
ス端子Ｓに接続されたＡｌ−Ｓｉ合金よりなるソース電
極５８はｐ＋ 領域５３およびｎ＋ 領域５４に共通に
接触している。一方、ｎ＋ 層５１にはドレイン電極５
９が接触している。図の左側はパワーＭＯＳＦＥＴと分
離された集積ダイオードで、ｎ− 層５２の表面層内に
選択的に形成されたｐ＋ アノード領域６１とその表面
層内に選択的に形成されたｎ＋ カソード領域６２より
なり、アノード領域６１にはアノード端子Ａに接続され
たアノード電極６３が、またカソード領域６２にはカソ
ード端子Ｋに接続されたカソード電極６４が接触してい
る。
【０００５】図６のような半導体素体中には、ｎ− 層
５２， ｐ＋ 領域６１， ｎ＋ 領域６２よりなるｎ
ｐｎトランジスタ構造が生ずるため、この寄生トランジ
スタがオンすることにより大きな電流が流れて破壊に至
りやすい。それ故、寄生トランジスタの電流増幅率の増
大を招くダイオードの逆耐電圧を高くすることは望めな
いという欠点があった。
５２， ｐ＋ 領域６１， ｎ＋ 領域６２よりなるｎ
ｐｎトランジスタ構造が生ずるため、この寄生トランジ
スタがオンすることにより大きな電流が流れて破壊に至
りやすい。それ故、寄生トランジスタの電流増幅率の増
大を招くダイオードの逆耐電圧を高くすることは望めな
いという欠点があった。
【０００６】本発明の目的は、バッテリ逆接続時の付属
回路の破壊を防ぐための直列接続ダイオードの逆耐電圧
を自由に選ぶことのできるパワー集積回路を提供するこ
とにある。
回路の破壊を防ぐための直列接続ダイオードの逆耐電圧
を自由に選ぶことのできるパワー集積回路を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の自動車用パワー集積回路は、一つの半導
体素体に形成されたＭＯＳ型スイッチング素子およびそ
の付属回路と、その半導体素体の表面上に絶縁膜を介し
て設けられた半導体層にＰ領域およびＮ領域を隣接して
形成してなり、Ｐ領域が前記付属回路と接続されたダイ
オードと、前記スイッチング素子の一つの主電極に接続
された出力端子と、他の主電極に接続された電源端子と
、ダイオードのＮ領域に接続された接地端子を備えたも
のとする。そして、出力端子に一方が接地される負荷を
、電源端子にバッテリの正端子をそれぞれ接続し、接地
端子を接地して用いる。さらに電源端子とダイオードの
Ｐ領域との間に定電流源が接続されたことも有効である
。また、本発明の別の自動車用パワー集積回路は、一つ
の半導体素体に形成されたＭＯＳ型スイッチング素子お
よびその付属回路と、その半導体素体の表面上に絶縁膜
を介して設けられた半導体層にＰ領域およびＮ領域を隣
接して形成してなり、Ｎ領域が前記付属回路と接続され
たダイオードと、前記スイッチング素子の一つの主電極
に接続された出力端子と、ダイオードのＰ領域に接続さ
れた電源端子と、付属回路に接続された接地端子とを備
えたものとする。そして、出力端子とバッテリの正端子
の間に負荷を、電源端子にバッテリの正端子をそれぞれ
接続し、接地端子を接地して用いる。
めに、本発明の自動車用パワー集積回路は、一つの半導
体素体に形成されたＭＯＳ型スイッチング素子およびそ
の付属回路と、その半導体素体の表面上に絶縁膜を介し
て設けられた半導体層にＰ領域およびＮ領域を隣接して
形成してなり、Ｐ領域が前記付属回路と接続されたダイ
オードと、前記スイッチング素子の一つの主電極に接続
された出力端子と、他の主電極に接続された電源端子と
、ダイオードのＮ領域に接続された接地端子を備えたも
のとする。そして、出力端子に一方が接地される負荷を
、電源端子にバッテリの正端子をそれぞれ接続し、接地
端子を接地して用いる。さらに電源端子とダイオードの
Ｐ領域との間に定電流源が接続されたことも有効である
。また、本発明の別の自動車用パワー集積回路は、一つ
の半導体素体に形成されたＭＯＳ型スイッチング素子お
よびその付属回路と、その半導体素体の表面上に絶縁膜
を介して設けられた半導体層にＰ領域およびＮ領域を隣
接して形成してなり、Ｎ領域が前記付属回路と接続され
たダイオードと、前記スイッチング素子の一つの主電極
に接続された出力端子と、ダイオードのＰ領域に接続さ
れた電源端子と、付属回路に接続された接地端子とを備
えたものとする。そして、出力端子とバッテリの正端子
の間に負荷を、電源端子にバッテリの正端子をそれぞれ
接続し、接地端子を接地して用いる。
【０００８】
【作用】ＭＯＳ型スイッチング素子とその付属回路を形
成した半導体素体の表面上に絶縁して設けたダイオード
を、ハイサイドスイッチでは付属回路と接地端子との間
に、ローサイドスイッチでは付属回路と電源端子の間に
挿入することにより、バッテリが逆接続されたときに付
属回路に流入したり、付属回路からバッテリに流出する
電流を阻止するため、付属回路の破壊が防止される。そ
して、このダイオードが半導体素体外にあるため寄生効
果が生ずることがない。また、付属回路の接地側端子と
接地端子の間にダイオードを接続した場合にその付属回
路の接地側端子が地電位に対して負になることによる誤
動作は、ダイオードに向けて電流を流す定電流源を備え
ることにより防止できる。
成した半導体素体の表面上に絶縁して設けたダイオード
を、ハイサイドスイッチでは付属回路と接地端子との間
に、ローサイドスイッチでは付属回路と電源端子の間に
挿入することにより、バッテリが逆接続されたときに付
属回路に流入したり、付属回路からバッテリに流出する
電流を阻止するため、付属回路の破壊が防止される。そ
して、このダイオードが半導体素体外にあるため寄生効
果が生ずることがない。また、付属回路の接地側端子と
接地端子の間にダイオードを接続した場合にその付属回
路の接地側端子が地電位に対して負になることによる誤
動作は、ダイオードに向けて電流を流す定電流源を備え
ることにより防止できる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の一実施例の自動車用パワー集
積回路を示し、図３に示したインテリジェントパワー半
導体ハイサイドスイッチにＧＮＤ端子側にダイオード４
を挿入したもので、このダイオード４は、図６と共通の
部分に同一の符号を付した図７に示すように、図６と同
様パワーＭＯＳＦＥＴを形成したｎ＋ 層５１， ｎ−
層５２よりなる半導体基板の表面のシリコン酸化膜５
５の上に堆積した多結晶シリコン層２のｐ＋ 領域７１
とｎ＋ 領域７２とよりなる。すなわち、ｐ＋ 多結晶
シリコン層を堆積したのち、その一部に不純物を拡散し
てｎ＋ 領域７２を形成し、ＰＳＧ膜５７に開けたコン
タクトホールでｐ＋ 領域７１にアノード電極６３を、
ｎ＋ 領域７２にカソード電極６４を接触させる。この
ダイオードは、バッテリの電圧１２Ｖより高い１６〜２
０Ｖの逆耐圧をもつようにする。１個のダイオードでそ
のような耐圧が得られないときには、酸化膜５５の上に
複数個のダイオードを形成し、直列接続する。これによ
りバッテリ逆接続時に図３に示したようなＧＮＤ端子か
ら付属回路１１へ流入する電流Ｉ１ を阻止することが
できる。
積回路を示し、図３に示したインテリジェントパワー半
導体ハイサイドスイッチにＧＮＤ端子側にダイオード４
を挿入したもので、このダイオード４は、図６と共通の
部分に同一の符号を付した図７に示すように、図６と同
様パワーＭＯＳＦＥＴを形成したｎ＋ 層５１， ｎ−
層５２よりなる半導体基板の表面のシリコン酸化膜５
５の上に堆積した多結晶シリコン層２のｐ＋ 領域７１
とｎ＋ 領域７２とよりなる。すなわち、ｐ＋ 多結晶
シリコン層を堆積したのち、その一部に不純物を拡散し
てｎ＋ 領域７２を形成し、ＰＳＧ膜５７に開けたコン
タクトホールでｐ＋ 領域７１にアノード電極６３を、
ｎ＋ 領域７２にカソード電極６４を接触させる。この
ダイオードは、バッテリの電圧１２Ｖより高い１６〜２
０Ｖの逆耐圧をもつようにする。１個のダイオードでそ
のような耐圧が得られないときには、酸化膜５５の上に
複数個のダイオードを形成し、直列接続する。これによ
りバッテリ逆接続時に図３に示したようなＧＮＤ端子か
ら付属回路１１へ流入する電流Ｉ１ を阻止することが
できる。
【００１０】図１に示したパワーＩＣにおいては図８に
示すような問題点がある。図８は、図１に示したＩＣの
ＯＵＴ端子に誘導負荷８を接続した場合で、多結晶シリ
コンダイオード４を接続したことにより、ターンオフ時
にＯＵＴ端子電位がクランプ用ツエナダイオード１３の
ツエナ電位を越える負電位になってツエナダイオード１
３からＭＯＳＦＥＴに流れる電流Ｉ４ が付属回路１１
から流れ出る電流Ｉ３ に比して大きくなった場合にダ
イオード４を流れる電流Ｉ５ が負になり、接続点１４
の電位が地電位を下まわる状態が生じる。これにより付
属回路１１の駆動回路， 制御回路が誤動作を起こす可
能性が生じる。従っていかなる動作状態においても電流
Ｉ４が電流Ｉ３ を越えてはならないという制約が課せ
られる。
示すような問題点がある。図８は、図１に示したＩＣの
ＯＵＴ端子に誘導負荷８を接続した場合で、多結晶シリ
コンダイオード４を接続したことにより、ターンオフ時
にＯＵＴ端子電位がクランプ用ツエナダイオード１３の
ツエナ電位を越える負電位になってツエナダイオード１
３からＭＯＳＦＥＴに流れる電流Ｉ４ が付属回路１１
から流れ出る電流Ｉ３ に比して大きくなった場合にダ
イオード４を流れる電流Ｉ５ が負になり、接続点１４
の電位が地電位を下まわる状態が生じる。これにより付
属回路１１の駆動回路， 制御回路が誤動作を起こす可
能性が生じる。従っていかなる動作状態においても電流
Ｉ４が電流Ｉ３ を越えてはならないという制約が課せ
られる。
【００１１】図９はこれに対する対策を考慮した実施例
で、電源端子 （Ｖｃｃ） と接続点１４の間に定電流
源１６を接続し、Ｉ４ ＜Ｉ３ ＋Ｉ６ となるような
電流Ｉ６ を常に流すことにより、Ｉ５ ＞０は維持さ
れ、接続点１４が負の電位になることはなく、誤動作が
防げる。
で、電源端子 （Ｖｃｃ） と接続点１４の間に定電流
源１６を接続し、Ｉ４ ＜Ｉ３ ＋Ｉ６ となるような
電流Ｉ６ を常に流すことにより、Ｉ５ ＞０は維持さ
れ、接続点１４が負の電位になることはなく、誤動作が
防げる。
【００１２】図１０はインテリジェントパワー半導体ロ
ーサイドスイッチを含むパワー集積回路における実施例
で、ローサイドスイッチの電源端子側に図７に示した多
結晶シリコンダイオード４を挿入したものである。これ
により、バッテリ逆接続時に図４に示したような付属回
路１５からＶｃｃ端子に流出する電流Ｉ２ を阻止する
ことができる。
ーサイドスイッチを含むパワー集積回路における実施例
で、ローサイドスイッチの電源端子側に図７に示した多
結晶シリコンダイオード４を挿入したものである。これ
により、バッテリ逆接続時に図４に示したような付属回
路１５からＶｃｃ端子に流出する電流Ｉ２ を阻止する
ことができる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、バッテリ逆接続時にハ
イサイドスイッチの場合付属回路に流入する電流、ロー
サイドスイッチの場合付属回路から流出する電流を阻止
する保護用ダイオードを半導体基板内でなく基板表面上
に絶縁膜を介して形成することにより、寄生トランジス
タの駆動による破壊のおそれがなく、またダイオードの
外付けの必要もないので、半導体スイッチを含む自動車
用パワー集積回路の信頼性と付加価値を向上させること
ができた。そして、保護用ダイオードの接続が誤動作を
招くおそれのあるハイサイドスイッチの場合も、定電流
源を配置し、適正な電流を付加することにより、誤動作
を回避することができる。
イサイドスイッチの場合付属回路に流入する電流、ロー
サイドスイッチの場合付属回路から流出する電流を阻止
する保護用ダイオードを半導体基板内でなく基板表面上
に絶縁膜を介して形成することにより、寄生トランジス
タの駆動による破壊のおそれがなく、またダイオードの
外付けの必要もないので、半導体スイッチを含む自動車
用パワー集積回路の信頼性と付加価値を向上させること
ができた。そして、保護用ダイオードの接続が誤動作を
招くおそれのあるハイサイドスイッチの場合も、定電流
源を配置し、適正な電流を付加することにより、誤動作
を回避することができる。
【図１】本発明の一実施例のハイサイドスイッチを含む
自動車用パワー集積回路の回路図
自動車用パワー集積回路の回路図
【図２】インテリジェントパワー半導体ハイサイドおよ
びローサイドスイッチへのバッテリ正接続時の回路図
びローサイドスイッチへのバッテリ正接続時の回路図
【
図３】インテリジェントパワー半導体ハイサイドスイッ
チの回路図
図３】インテリジェントパワー半導体ハイサイドスイッ
チの回路図
【図４】インテリジェントパワー半導体ローサイドスイ
ッチの回路図
ッチの回路図
【図５】インテリジェントパワー半導体スイッチへのバ
ッテリ逆接続時に対する保護機能を備えた場合の回路図
ッテリ逆接続時に対する保護機能を備えた場合の回路図
【図６】パワーＭＯＳＦＥＴの半導体基板にダイオード
を集積した場合の断面図
を集積した場合の断面図
【図７】本発明による多結晶シリコンダイオードを備え
たパワーＭＯＳＦＥＴ半導体基板の断面図
たパワーＭＯＳＦＥＴ半導体基板の断面図
【図８】図１
に示す集積回路における誤動作を説明する回路図
に示す集積回路における誤動作を説明する回路図
【図９】図８に示した誤動作に対する対策を施した本発
明の実施例の自動車用パワー集積回路の回路図
明の実施例の自動車用パワー集積回路の回路図
【図１０
】本発明の別の実施例のローサイドスイッチを含む自動
車用パワー集積回路の回路図
】本発明の別の実施例のローサイドスイッチを含む自動
車用パワー集積回路の回路図
１ パワーＭＯＳＦＥＴ
２ 多結晶シリコン層
３ 負荷
４ ダイオード
１１ 付属回路
１５ 付属回路
１６ 定電流源
２０ バッテリ
５１ ｎ＋ シリコン基板
５２ ｎ− シリコン層
５８ ソース電極
５９ ドレイン電極
６３ アノード電極
６４ カソード電極
７１ ｐ＋ 領域
７２ ｎ＋ 領域
Claims (5)
- 【請求項１】一つの半導体素体に形成されたＭＯＳ型ス
イッチング素子およびその付属回路と、その半導体素体
の表面上に絶縁膜を介して設けられた半導体層にＰ領域
およびＮ領域を隣接して形成してなり、Ｐ領域が前記付
属回路と接続されたダイオードと、前記スイッチング素
子の一つの主電極に接続された出力端子と、他の主電極
に接続された電源端子と、ダイオードのＮ領域に接続さ
れた接地端子を備えたことを特徴とする自動車用パワー
集積回路。 - 【請求項２】出力端子に一方が接地される負荷を、電源
端子にバッテリの正端子をそれぞれ接続し、接地端子を
接地して用いる請求項１記載の自動車用パワー集積回路
。 - 【請求項３】電源端子とダイオードのＰ領域との間に定
電流源が接続された請求項１あるいは２記載の自動車用
パワー集積回路。 - 【請求項４】一つの半導体素体に形成されたＭＯＳ型ス
イッチング素子およびその付属回路と、その半導体素体
の表面上に絶縁膜を介して設けられた半導体層にＰ領域
およびＮ領域を隣接して形成してなり、Ｎ領域が前記付
属回路と接続されたダイオードと、前記スイッチング素
子の一つの主電極に接続された出力端子と、ダイオード
のＰ領域に接続された電源端子と、付属回路に接続され
た接地端子を備えたことを特徴とする自動車用パワー集
積回路。 - 【請求項５】出力端子とバッテリの正端子の間に負荷を
、電源端子にバッテリの正端子をそれぞれ接続し、接地
端子を接地して用いる請求項４記載の自動車用パワー集
積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3087119A JP2870558B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 自動車用パワー集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3087119A JP2870558B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 自動車用パワー集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04321773A true JPH04321773A (ja) | 1992-11-11 |
| JP2870558B2 JP2870558B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=13906070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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