JPH02266712A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02266712A JPH02266712A JP1089035A JP8903589A JPH02266712A JP H02266712 A JPH02266712 A JP H02266712A JP 1089035 A JP1089035 A JP 1089035A JP 8903589 A JP8903589 A JP 8903589A JP H02266712 A JPH02266712 A JP H02266712A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- voltage
- semiconductor device
- igbt
- emitter
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0828—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明はモータ制御用インバータ装置などの電力変換装
置における主回路のスイッチング用に用いられる絶縁ゲ
ート素子（即ちゲート印加電圧の有無でオン、オフ駆動
されるパワーＭＯ３ＦＥＴなどの素子をいう、なおこの
主の絶縁ゲート素子としてはＩ ＧＢＴが代表的なもの
であり、従って以下では、ＩＧＢＴとも呼ぶ）を備えた
半導体装置に関するもので、 特に、主回路短絡時における短絡電流（素子電流）を低
抵抗値の抵抗を用いて検出し、その制訳を行い得る機能
を備えた半導体装置に関する。 なお以下各図において同一の符号は同一もしくは相当部
分を示す。また論理もしくはレベル旧ｇｈ。 Ｌｏｗは単に“Ｈ″゛、“Ｌ”と記すものとする。
置における主回路のスイッチング用に用いられる絶縁ゲ
ート素子（即ちゲート印加電圧の有無でオン、オフ駆動
されるパワーＭＯ３ＦＥＴなどの素子をいう、なおこの
主の絶縁ゲート素子としてはＩ ＧＢＴが代表的なもの
であり、従って以下では、ＩＧＢＴとも呼ぶ）を備えた
半導体装置に関するもので、 特に、主回路短絡時における短絡電流（素子電流）を低
抵抗値の抵抗を用いて検出し、その制訳を行い得る機能
を備えた半導体装置に関する。 なお以下各図において同一の符号は同一もしくは相当部
分を示す。また論理もしくはレベル旧ｇｈ。 Ｌｏｗは単に“Ｈ″゛、“Ｌ”と記すものとする。
半導体のスイッチングパワー素子を用いたインバータ装
置などの出力回路の短絡時には、スイッチングパワー素
子に過大な電力が印加され、パワー素子は破壊に至るこ
とがある。このようなパワ−素子の破壊耐量を向上させ
るため、従来、種々の工夫がなされており、このような
従来技術として、例えば本出願人の出願になる、特願昭
６３−１２９８６３号「絶縁ゲート素子の駆動回路」が
ある。 第４図は前記特願昭６３−１２９８６３号におけるスイ
ッチングパワー素子としてのＩＧＢＴの駆動回路の一例
を示す。同図において１０はＩＧＢＴＩのゲートＧを駆
動するための例えば１５Ｖの直流電源（以下ゲート駆動
電源という）、８．９はこのゲート駆動電源１０の電圧
を断続するための補助トランジスタ、ｅＤはＩＣ，ＢＴ
Ｉに対する駆動信号電圧である。 正常時、駆動信号電圧ｅＤが“Ｈ“のときは補助トラン
ジスタ８．９はそれぞれオフ、オンの状態となり、ゲー
ト駆動電源工０の電圧が補助トランジスタ９．抵抗７を
介してＩＧＢＴＩのゲートＣ・エミッタＥ間に印加され
、ＩＧＢＴＩはオン状態となり、そのコレクタＣ・エミ
ッタＥ間には図外の主回路電源と主回路負荷とを介して
コレクタ電流としての主回路電流１０が流れる。 また逆に駆動信号電圧ｅＤがＩＩ Ｌ”のときは補助ト
ランジスタ８．９はそれぞれオン、オフの状態となり、
ゲート駆動電源１０はＩＧＢＴＩのゲート回路から切離
されると同時に、ＩＧＢＴＩのゲートＧ・エミッタＥ間
は抵抗７．補助トランジスタ８を介して短絡され、ＩＧ
ＢＴＩはオフ状態となる。このようにして駆動信号電圧
ｅＤによりｆＧＢＴｌは繰返し断続され主回路負荷に必
要な電流１０が流れるようにする。 ところでＩＧＢＴ１のコレクタＣ・エミッタＥ間に挿入
された分圧抵抗２と３およびＩＧＢＴＩのゲートＧ・エ
ミッタＥ間に挿入されたツェナダイオード６と補助トラ
ンジスタ５は主回路短絡保護のために付加されたもので
ある。 即ち主回路電流１０が正常値であるときは、ＩＧＢＴＩ
のコレクタ・エミッタ間電圧ｅｃＥは小さく、この電圧
ｅｃＥを分圧抵抗２，３を介して分圧した該抵抗３間の
電圧、従って補助トランジスタ５のベースＢ、エミッタ
Ｅ間の電圧ｅＢＥも充分小さく補助トランジスタ５はオ
フのままである。 これによりツェナーダイオード６も不導通のままで、Ｉ
ＧＢＴＩのゲートＧ・エミッタ８間電圧（以下ゲート電
圧と略す）ｅｇはこのツェナダイオード６等によって何
等の影響も受けず、ＩＧＢＴｌはほぼゲート駆動電源１
０の電圧（この例では約１５Ｖ）に等しい充分大きいゲ
ート電圧ｅｇによって駆動され、そのコレクタ・エミッ
タ電圧ｅｃＥも充分小さい値になり得、る。 しかし主回路短絡により主回路電流１０が過大となった
ときは、ＩＧＢＴＩのコレクタ・エミッタ電圧ｅｃＥも
大になり、従って補助トランジスタ５のベース・エミッ
タ電圧ｅＢＥも大になってこのトランジスタ５がオン状
態に切換わる。これによりＩＧＢＴＩのゲート電圧ｅｇ
はツェナダイオード６のツェナ電圧（この例では約７Ｖ
）に制限される。これにより主回路の過大電流１０はＩ
ＧＢＴｌのゲート電圧ｅｇの低下に比例して低減され、
ＩＧＢＴＩの破壊に至るまでの時間を長くすることがで
きる。従って図外のさほど高速でないゲート電圧オフ回
路を用いても、充分、主回路短絡保護を行うことができ
る。
置などの出力回路の短絡時には、スイッチングパワー素
子に過大な電力が印加され、パワー素子は破壊に至るこ
とがある。このようなパワ−素子の破壊耐量を向上させ
るため、従来、種々の工夫がなされており、このような
従来技術として、例えば本出願人の出願になる、特願昭
６３−１２９８６３号「絶縁ゲート素子の駆動回路」が
ある。 第４図は前記特願昭６３−１２９８６３号におけるスイ
ッチングパワー素子としてのＩＧＢＴの駆動回路の一例
を示す。同図において１０はＩＧＢＴＩのゲートＧを駆
動するための例えば１５Ｖの直流電源（以下ゲート駆動
電源という）、８．９はこのゲート駆動電源１０の電圧
を断続するための補助トランジスタ、ｅＤはＩＣ，ＢＴ
Ｉに対する駆動信号電圧である。 正常時、駆動信号電圧ｅＤが“Ｈ“のときは補助トラン
ジスタ８．９はそれぞれオフ、オンの状態となり、ゲー
ト駆動電源工０の電圧が補助トランジスタ９．抵抗７を
介してＩＧＢＴＩのゲートＣ・エミッタＥ間に印加され
、ＩＧＢＴＩはオン状態となり、そのコレクタＣ・エミ
ッタＥ間には図外の主回路電源と主回路負荷とを介して
コレクタ電流としての主回路電流１０が流れる。 また逆に駆動信号電圧ｅＤがＩＩ Ｌ”のときは補助ト
ランジスタ８．９はそれぞれオン、オフの状態となり、
ゲート駆動電源１０はＩＧＢＴＩのゲート回路から切離
されると同時に、ＩＧＢＴＩのゲートＧ・エミッタＥ間
は抵抗７．補助トランジスタ８を介して短絡され、ＩＧ
ＢＴＩはオフ状態となる。このようにして駆動信号電圧
ｅＤによりｆＧＢＴｌは繰返し断続され主回路負荷に必
要な電流１０が流れるようにする。 ところでＩＧＢＴ１のコレクタＣ・エミッタＥ間に挿入
された分圧抵抗２と３およびＩＧＢＴＩのゲートＧ・エ
ミッタＥ間に挿入されたツェナダイオード６と補助トラ
ンジスタ５は主回路短絡保護のために付加されたもので
ある。 即ち主回路電流１０が正常値であるときは、ＩＧＢＴＩ
のコレクタ・エミッタ間電圧ｅｃＥは小さく、この電圧
ｅｃＥを分圧抵抗２，３を介して分圧した該抵抗３間の
電圧、従って補助トランジスタ５のベースＢ、エミッタ
Ｅ間の電圧ｅＢＥも充分小さく補助トランジスタ５はオ
フのままである。 これによりツェナーダイオード６も不導通のままで、Ｉ
ＧＢＴＩのゲートＧ・エミッタ８間電圧（以下ゲート電
圧と略す）ｅｇはこのツェナダイオード６等によって何
等の影響も受けず、ＩＧＢＴｌはほぼゲート駆動電源１
０の電圧（この例では約１５Ｖ）に等しい充分大きいゲ
ート電圧ｅｇによって駆動され、そのコレクタ・エミッ
タ電圧ｅｃＥも充分小さい値になり得、る。 しかし主回路短絡により主回路電流１０が過大となった
ときは、ＩＧＢＴＩのコレクタ・エミッタ電圧ｅｃＥも
大になり、従って補助トランジスタ５のベース・エミッ
タ電圧ｅＢＥも大になってこのトランジスタ５がオン状
態に切換わる。これによりＩＧＢＴＩのゲート電圧ｅｇ
はツェナダイオード６のツェナ電圧（この例では約７Ｖ
）に制限される。これにより主回路の過大電流１０はＩ
ＧＢＴｌのゲート電圧ｅｇの低下に比例して低減され、
ＩＧＢＴＩの破壊に至るまでの時間を長くすることがで
きる。従って図外のさほど高速でないゲート電圧オフ回
路を用いても、充分、主回路短絡保護を行うことができ
る。
前述した第４図の回路はインバータ装置の出力短絡時、
スイッチングパワー素子の主端子間電圧が、制御端子に
電圧が加わっているにもかかわらず上昇した場合に、制
御端子間電圧を下げて過大電流を抑制しようとするもの
であるが、この方法では、これらの回路を１チツプ内に
集積することは大変困難であった。その理由は特に第４
図の抵抗２の内蔵化のためにその抵抗値を（１００ＫΩ
程度に）高めることが困難なためである。そこで本発明
はｒＧＢＴと直列に主回路過電流検出用の抵抗を設け、
この抵抗の両端電圧を検出してＩ ＧＢＴのゲート制御
電圧を抑制する半導体装置を提供することにより前記の
問題を解消することを課題とする。
スイッチングパワー素子の主端子間電圧が、制御端子に
電圧が加わっているにもかかわらず上昇した場合に、制
御端子間電圧を下げて過大電流を抑制しようとするもの
であるが、この方法では、これらの回路を１チツプ内に
集積することは大変困難であった。その理由は特に第４
図の抵抗２の内蔵化のためにその抵抗値を（１００ＫΩ
程度に）高めることが困難なためである。そこで本発明
はｒＧＢＴと直列に主回路過電流検出用の抵抗を設け、
この抵抗の両端電圧を検出してＩ ＧＢＴのゲート制御
電圧を抑制する半導体装置を提供することにより前記の
問題を解消することを課題とする。
前記の課題を解決するために本発明の装置は、「電圧制
御信号（駆動信号電圧ｅＤなと）によって動作する絶縁
ゲート型半導体装置（ＩＧＢＴＩ。 ■八など）の主回路電流１０またはその一部の電流゛の
流出または流入する端子であって、かつ前記電圧制御信
号を加える端子（エミッタＥまたはＥｌなど）側に直列
に第１の抵抗（１１など）を接続し、この第１の抵抗の
両端に発生する電圧により動作するように前記絶縁ゲー
ト型半導体装置とは別の３端子型半導体装置（補助トラ
ンジスタ５など）を設け、さらにこの３端子型半導体装
置の前記第１の抵抗と接続されていない端子側に直列に
第２の抵抗（１２など）または前記絶縁ゲート型半導体
装置をオンする向きの電圧を阻止する向きのツェナダイ
オード（６など）を接続しこの第２の抵抗またはツェナ
ダイオードの前記３端子型半導体装置と接続されていな
い他方の端子が、少なくとも前記絶縁ゲート型半導体装
置の独立の制御端子（ゲートＧなど）側に接続されてい
るｊようにするものとする。
御信号（駆動信号電圧ｅＤなと）によって動作する絶縁
ゲート型半導体装置（ＩＧＢＴＩ。 ■八など）の主回路電流１０またはその一部の電流゛の
流出または流入する端子であって、かつ前記電圧制御信
号を加える端子（エミッタＥまたはＥｌなど）側に直列
に第１の抵抗（１１など）を接続し、この第１の抵抗の
両端に発生する電圧により動作するように前記絶縁ゲー
ト型半導体装置とは別の３端子型半導体装置（補助トラ
ンジスタ５など）を設け、さらにこの３端子型半導体装
置の前記第１の抵抗と接続されていない端子側に直列に
第２の抵抗（１２など）または前記絶縁ゲート型半導体
装置をオンする向きの電圧を阻止する向きのツェナダイ
オード（６など）を接続しこの第２の抵抗またはツェナ
ダイオードの前記３端子型半導体装置と接続されていな
い他方の端子が、少なくとも前記絶縁ゲート型半導体装
置の独立の制御端子（ゲートＧなど）側に接続されてい
るｊようにするものとする。
主回路電流が所定値以上になると３端子半導体装置がオ
ンし、第２の抵抗またはツェナダイオードが導通し、こ
れにより絶縁ゲート型半導体装置（ＩＧＢＴ）の制御端
子間に加わる電圧制御信号のレベルが制限され、主回路
過電流が抑制される。
ンし、第２の抵抗またはツェナダイオードが導通し、こ
れにより絶縁ゲート型半導体装置（ＩＧＢＴ）の制御端
子間に加わる電圧制御信号のレベルが制限され、主回路
過電流が抑制される。
以下第１図ないし第３図を用いてそれぞれ本発明の異な
る実施例を説明する。第１図は本発明の第１の実施例と
しての構成回路図で、第４図に対応するものである。第
１図においては第４図の分圧抵抗２，３を取除き２．こ
れに代り新たにＩＧＢＴｌのエミッタ已に直列に抵抗（
第１の抵抗）１１を挿入し、この抵抗１１の両端電圧を
補助トランジスタ５のベースＢ・エミッタ８間に加えて
いる。 第１図においてはＩＧＢＴＩＯ主回路電流１０が所定値
以下の正常値のときは補助トランジスタ５はオフのまま
でツェナダイオード６はＩ ＧＢＴｌの動作と無関係で
あり、ＩＧＢＴＩは第４図で述べた正常時の動作と同様
に動作する。 しかしＩＧＢＴＩに定格電流以上の過電流が流れて抵抗
１１の両端に、補助トランジスタ５のオン時のベース・
エミッタ間電圧ｅＢＥ嬌０．６Ｖよりも高い電圧を発生
すると、トランジスタがオンし、ＩＧＢＴＩのゲート電
圧ｅｇが、はぼツェナダイオード６のツェナ電圧にまで
下降する。これにより、ＩＧＢＴＩ自体で過電流を制限
することができる。この第１の回路では抵抗１１に大き
な電流が流れるので、その抵抗値は極めて小さなものと
なり集積回路化が容易となる。 第２図は本発明の第２図の実施例を示し、第１図のツェ
ナダイオード６に代って抵抗（第２の抵抗）１２を用い
たものである。 なお第２図ではさらに第１図のツェナダイオード６とは
逆向きのツェナダイオード１３が抵抗１２と直列に挿入
されているが、このツェナダイオード１３はＩＧＢＴＩ
のゲートＧ・エミッタ８間を逆バイアスするとき、この
逆バイアス電圧を制限するためのものである。 第２図においては主回路電流１０が過大となって補助ト
ランジスタ５がオンすると抵抗１２が導通して有効とな
り、駆動信号電圧ｅＤが抵抗７と１２とで分圧されてＩ
ＧＢＴＩのゲートＧに加わるようになり、ＩＧＢＴＩが
主回路過電流１０を制限する。 第３図は本発明の第３の実施例の要部構成を示す。同図
においては第１図のツェナダイオード６と直列に第２図
のツェナダイオード１３が設けられているほか、ＩＧＢ
ＴＩに代わり、電流センス端子付の絶縁ゲート素子（Ｉ
ＧＢＴ）ＩＡが用いられている。このＩ ＧＢＴＩＡに
おいては一方のエミッタ已に主回路電流１０の大部分が
流れ、他方のエミッタＥｌ（電流センス端子）には主回
路電流１０の残りの部分としての１０の所定割合の部分
電流が流れる。 この第３図においても主回路電流１０が所定値を越える
と抵抗１１の両端電圧によって補助トランジスタ５がオ
ンし、ツェナダイオード６が導通して第１図とほぼ同様
に過電流１０が制限される。 この第３図の回路では第１図、第２図の回路よりも抵抗
１１の損失が少く、この抵抗１１を小型化することがで
きる。
る実施例を説明する。第１図は本発明の第１の実施例と
しての構成回路図で、第４図に対応するものである。第
１図においては第４図の分圧抵抗２，３を取除き２．こ
れに代り新たにＩＧＢＴｌのエミッタ已に直列に抵抗（
第１の抵抗）１１を挿入し、この抵抗１１の両端電圧を
補助トランジスタ５のベースＢ・エミッタ８間に加えて
いる。 第１図においてはＩＧＢＴＩＯ主回路電流１０が所定値
以下の正常値のときは補助トランジスタ５はオフのまま
でツェナダイオード６はＩ ＧＢＴｌの動作と無関係で
あり、ＩＧＢＴＩは第４図で述べた正常時の動作と同様
に動作する。 しかしＩＧＢＴＩに定格電流以上の過電流が流れて抵抗
１１の両端に、補助トランジスタ５のオン時のベース・
エミッタ間電圧ｅＢＥ嬌０．６Ｖよりも高い電圧を発生
すると、トランジスタがオンし、ＩＧＢＴＩのゲート電
圧ｅｇが、はぼツェナダイオード６のツェナ電圧にまで
下降する。これにより、ＩＧＢＴＩ自体で過電流を制限
することができる。この第１の回路では抵抗１１に大き
な電流が流れるので、その抵抗値は極めて小さなものと
なり集積回路化が容易となる。 第２図は本発明の第２図の実施例を示し、第１図のツェ
ナダイオード６に代って抵抗（第２の抵抗）１２を用い
たものである。 なお第２図ではさらに第１図のツェナダイオード６とは
逆向きのツェナダイオード１３が抵抗１２と直列に挿入
されているが、このツェナダイオード１３はＩＧＢＴＩ
のゲートＧ・エミッタ８間を逆バイアスするとき、この
逆バイアス電圧を制限するためのものである。 第２図においては主回路電流１０が過大となって補助ト
ランジスタ５がオンすると抵抗１２が導通して有効とな
り、駆動信号電圧ｅＤが抵抗７と１２とで分圧されてＩ
ＧＢＴＩのゲートＧに加わるようになり、ＩＧＢＴＩが
主回路過電流１０を制限する。 第３図は本発明の第３の実施例の要部構成を示す。同図
においては第１図のツェナダイオード６と直列に第２図
のツェナダイオード１３が設けられているほか、ＩＧＢ
ＴＩに代わり、電流センス端子付の絶縁ゲート素子（Ｉ
ＧＢＴ）ＩＡが用いられている。このＩ ＧＢＴＩＡに
おいては一方のエミッタ已に主回路電流１０の大部分が
流れ、他方のエミッタＥｌ（電流センス端子）には主回
路電流１０の残りの部分としての１０の所定割合の部分
電流が流れる。 この第３図においても主回路電流１０が所定値を越える
と抵抗１１の両端電圧によって補助トランジスタ５がオ
ンし、ツェナダイオード６が導通して第１図とほぼ同様
に過電流１０が制限される。 この第３図の回路では第１図、第２図の回路よりも抵抗
１１の損失が少く、この抵抗１１を小型化することがで
きる。
本発明によればＩＧＢＴＩのエミッタ側に直列に抵抗Ｉ
Ｉを接続して、この直列抵抗１１に主回路電流１０また
はその部分電流を流すようにし、この直列抵抗１１の両
端電圧が所定値を越えたとき、補助トランジスタ５をオ
ンさせて［ＧＢＴｌの電圧制御信号を抑制し、ＩＧＢＴ
Ｉに主回路の過電流を抑制させるようにしたので、 主回路電流検出用の抵抗１１を低抵抗とすることができ
、ＩＣ；ＢＴＩの制御回路の１チツプ化が可能となり、
これらのスイッチングパワー素子（ＩＧＢＴＩ）を複数
内蔵したモジュール製品に関しては、内部構造が大変簡
単になる。また、制御回路をバラバラの個別部品で構成
させる場合に比べ、モジュールの組立工数低減２歩留向
上が期待できる。 なお補助トランジスタ５はＭＯ３型素子でも同様の効果
が期待できる。さらに絶縁ゲート素子（ＩＧＢＴ）１は
ＭＯＳＦＥＴであっても、他の素子でも構わない。
Ｉを接続して、この直列抵抗１１に主回路電流１０また
はその部分電流を流すようにし、この直列抵抗１１の両
端電圧が所定値を越えたとき、補助トランジスタ５をオ
ンさせて［ＧＢＴｌの電圧制御信号を抑制し、ＩＧＢＴ
Ｉに主回路の過電流を抑制させるようにしたので、 主回路電流検出用の抵抗１１を低抵抗とすることができ
、ＩＣ；ＢＴＩの制御回路の１チツプ化が可能となり、
これらのスイッチングパワー素子（ＩＧＢＴＩ）を複数
内蔵したモジュール製品に関しては、内部構造が大変簡
単になる。また、制御回路をバラバラの個別部品で構成
させる場合に比べ、モジュールの組立工数低減２歩留向
上が期待できる。 なお補助トランジスタ５はＭＯ３型素子でも同様の効果
が期待できる。さらに絶縁ゲート素子（ＩＧＢＴ）１は
ＭＯＳＦＥＴであっても、他の素子でも構わない。
第１図ないし第３図はそれぞれ本発明の異なる実施例を
示す構成回路図、 第４図は第１図に対応する従来の回路図である。 １：絶縁ゲート素子（ＩＧＢＴ）、１八 二重流センス
端子付絶縁素子、５，８，９：補助トランジスタ、６．
１３：ツェナダイオード、７．１１，１２：抵抗（１■
：第１の抵抗、１２：第２の抵抗）、１０：牙１図 第３図 第２図 −？４図
示す構成回路図、 第４図は第１図に対応する従来の回路図である。 １：絶縁ゲート素子（ＩＧＢＴ）、１八 二重流センス
端子付絶縁素子、５，８，９：補助トランジスタ、６．
１３：ツェナダイオード、７．１１，１２：抵抗（１■
：第１の抵抗、１２：第２の抵抗）、１０：牙１図 第３図 第２図 −？４図
Claims (1)
- １）電圧制御信号によって動作する絶縁ゲート型半導体
装置の主回路電流またはその一部の電流の流出または流
入する端子であって、かつ前記電圧制御信号を加える端
子側に直列に第１の抵抗を接続し、この第１の抵抗の両
端に発生する電圧により動作するように前記絶縁ゲート
型半導体装置とは別の３端子型半導体装置を設け、さら
にこの３端子型半導体装置の前記第１の抵抗と接続され
ていない端子側に直列に第２の抵抗または前記絶縁ゲー
ト型半導体装置をオンする向きの電圧を阻止する向きの
ツェナダイオードを接続し、この第２の抵抗またはツェ
ナダイオードの前記３端子型半導体装置と接続されてい
ない他方の端子が、少なくとも前記絶縁ゲート型半導体
装置の独立の制御端子側に接続されていることを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1089035A JPH02266712A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 半導体装置 |
| US07/482,896 US5091664A (en) | 1989-04-07 | 1990-02-22 | Insulated gate bipolar transistor circuit with overcurrent protection |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1089035A JPH02266712A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02266712A true JPH02266712A (ja) | 1990-10-31 |
Family
ID=13959641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1089035A Pending JPH02266712A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5091664A (ja) |
| JP (1) | JPH02266712A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766701A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-10 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US6104149A (en) * | 1997-02-28 | 2000-08-15 | International Rectifier Corp. | Circuit and method for improving short-circuit capability of IGBTs |
| JP2002026714A (ja) * | 1995-06-28 | 2002-01-25 | Fuji Electric Co Ltd | 高耐圧ｉｃの高耐圧レベルシフト回路 |
| JP2010034746A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Denso Corp | 電力変換回路の駆動回路 |
| JP2010246251A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Denso Corp | 電力変換回路の駆動回路 |
| JP2012134828A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Renesas Electronics Corp | 出力回路 |
| US8842405B2 (en) | 2010-09-24 | 2014-09-23 | Denso Corporation | Electronic device |
| WO2017175326A1 (ja) * | 2016-04-06 | 2017-10-12 | 新電元工業株式会社 | パワーモジュール |
| JP2019531687A (ja) * | 2016-10-06 | 2019-10-31 | 株式会社ヴァレオジャパン | 高電圧電気システムの放電回路 |
| WO2022059370A1 (ja) * | 2020-09-16 | 2022-03-24 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 駆動装置 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5500619A (en) * | 1992-03-18 | 1996-03-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP3084982B2 (ja) * | 1992-11-25 | 2000-09-04 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPH07146722A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-06-06 | Fuji Electric Co Ltd | トランジスタ用過電流保護装置 |
| EP0615342A3 (en) * | 1993-03-10 | 1995-03-22 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device. |
| US5424897A (en) * | 1993-04-05 | 1995-06-13 | Motorola, Inc. | Three leaded protected power device having voltage input |
| US5936454A (en) * | 1993-06-01 | 1999-08-10 | Motorola, Inc. | Lateral bipolar transistor operating with independent base and gate biasing |
| JP3243902B2 (ja) * | 1993-09-17 | 2002-01-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JP3125546B2 (ja) * | 1993-12-01 | 2001-01-22 | 富士電機株式会社 | 加速度センサ |
| GB9423076D0 (en) * | 1994-10-12 | 1995-01-04 | Philips Electronics Uk Ltd | A protected switch |
| CA2172890C (en) * | 1995-06-06 | 2005-02-22 | Harold R. Schnetzka | Switch driver circuit |
| JP3228093B2 (ja) * | 1995-06-28 | 2001-11-12 | 富士電機株式会社 | 高耐圧ｉｃ |
| US5798668A (en) * | 1995-11-28 | 1998-08-25 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Low-power transconductance driver amplifier |
| JPH1051285A (ja) * | 1996-05-28 | 1998-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 電圧制御型トランジスタの駆動回路 |
| DE19811297B4 (de) * | 1997-03-17 | 2009-03-19 | Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki | MOS-Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung |
| US5920452A (en) * | 1998-06-01 | 1999-07-06 | Harris Corporation | Circuit and method for protecting from overcurrent conditions and detecting an open electrical load |
| US7173474B1 (en) | 1999-09-15 | 2007-02-06 | Linear Technology Corporation | Load-generated drive, no quiescent current, techniques and circuits for high speed switching of transistors |
| US6531909B1 (en) * | 1999-09-15 | 2003-03-11 | Linear Technology Corporation | Load-generated drive, substantially no quiescent current, techniques and circuits for high speed switching of transistors |
| KR100528674B1 (ko) * | 2000-08-18 | 2005-11-15 | 현대중공업 주식회사 | 대용량 전원 스위칭 소자(ｉｇｂｔ) 구동 제어회로 |
| US20040239704A1 (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-02 | Soar Steve E. | Amplifier switching circuit with current hysteresis |
| US7280335B2 (en) * | 2004-06-22 | 2007-10-09 | Delphi Technologies, Inc. | Protection circuit and method for protecting a switch from a fault |
| JP4752811B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2011-08-17 | 日産自動車株式会社 | 電圧駆動型素子の駆動回路 |
| GB0812335D0 (en) * | 2008-07-05 | 2008-08-13 | Qinetiq Ltd | Circuit breaker |
| CN102684652B (zh) * | 2012-06-04 | 2015-11-18 | 浙江榆阳电子有限公司 | 防mcu或驱动ic故障的同步脉冲控制电路 |
| EP3570439A1 (de) * | 2018-05-16 | 2019-11-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Begrenzen eines elektrischen stroms in einem leistungshalbleiterschalter |
| US11463082B2 (en) * | 2020-01-22 | 2022-10-04 | Delta Electronics, Inc. | Waveform conversion circuit for gate-driving circuit |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6126321A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-02-05 | テレダイン インダストリ−ス，インコ−ポレ−テツド | 入出力端子を有する電子制御回路 |
| JPS6221631B2 (ja) * | 1979-05-23 | 1987-05-13 | Seikoo Epuson Kk | |
| JPS6395724A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-26 | Fuji Electric Co Ltd | Ｉｇｂｔのゲ−ト駆動回路 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR900008276B1 (ko) * | 1985-02-08 | 1990-11-10 | 가부시끼가이샤 도시바 | 2단계차단동작을이용한절연게이트바이폴라트랜지스터용보호회로 |
| JPS63105521A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-10 | Toshiba Corp | 静電誘導形自己消弧素子の駆動制御方法 |
| JPS63129863A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-06-02 | Toko Inc | スイツチング電源装置 |
| US4841166A (en) * | 1987-07-17 | 1989-06-20 | Siliconix Incorporated | Limiting shoot-through current in a power MOSFET half-bridge during intrinsic diode recovery |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP1089035A patent/JPH02266712A/ja active Pending
-
1990
- 1990-02-22 US US07/482,896 patent/US5091664A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6221631B2 (ja) * | 1979-05-23 | 1987-05-13 | Seikoo Epuson Kk | |
| JPS6126321A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-02-05 | テレダイン インダストリ−ス，インコ−ポレ−テツド | 入出力端子を有する電子制御回路 |
| JPS6395724A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-26 | Fuji Electric Co Ltd | Ｉｇｂｔのゲ−ト駆動回路 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766701A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-10 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2002026714A (ja) * | 1995-06-28 | 2002-01-25 | Fuji Electric Co Ltd | 高耐圧ｉｃの高耐圧レベルシフト回路 |
| US6104149A (en) * | 1997-02-28 | 2000-08-15 | International Rectifier Corp. | Circuit and method for improving short-circuit capability of IGBTs |
| JP2010034746A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Denso Corp | 電力変換回路の駆動回路 |
| JP2010246251A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Denso Corp | 電力変換回路の駆動回路 |
| US8842405B2 (en) | 2010-09-24 | 2014-09-23 | Denso Corporation | Electronic device |
| JP2012134828A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Renesas Electronics Corp | 出力回路 |
| WO2017175326A1 (ja) * | 2016-04-06 | 2017-10-12 | 新電元工業株式会社 | パワーモジュール |
| US10770882B2 (en) | 2016-04-06 | 2020-09-08 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Power module |
| JP2019531687A (ja) * | 2016-10-06 | 2019-10-31 | 株式会社ヴァレオジャパン | 高電圧電気システムの放電回路 |
| WO2022059370A1 (ja) * | 2020-09-16 | 2022-03-24 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 駆動装置 |
| JP2022049209A (ja) * | 2020-09-16 | 2022-03-29 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 駆動装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5091664A (en) | 1992-02-25 |
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