JPH0432534B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0432534B2 JPH0432534B2 JP57182181A JP18218182A JPH0432534B2 JP H0432534 B2 JPH0432534 B2 JP H0432534B2 JP 57182181 A JP57182181 A JP 57182181A JP 18218182 A JP18218182 A JP 18218182A JP H0432534 B2 JPH0432534 B2 JP H0432534B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- containing metal
- metal film
- tungsten
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、半導体装置製造プロセスに於るシリ
コン含有金属の選択的形成に関する。
コン含有金属の選択的形成に関する。
半導体装置、例えば集積回路装置は近年ますま
す高集積化、高速化が図られているが、これを阻
害する要因としてマスク合わせによる変換差、及
び配線抵抗による信号の遅延がある。この二つに
極めて有効な手段として金属の選択的形成技術が
ある。しかし、選択成長法による金属膜は膜厚の
薄いものしか得られず、スパツタ蒸着法などによ
る金属膜に比べ、抵抗値は数倍高いものになつて
しまい、実用化への障害となつている。また、膜
厚が薄い為に、コンタクトホールを埋め込むこと
は全く可能となつている。
す高集積化、高速化が図られているが、これを阻
害する要因としてマスク合わせによる変換差、及
び配線抵抗による信号の遅延がある。この二つに
極めて有効な手段として金属の選択的形成技術が
ある。しかし、選択成長法による金属膜は膜厚の
薄いものしか得られず、スパツタ蒸着法などによ
る金属膜に比べ、抵抗値は数倍高いものになつて
しまい、実用化への障害となつている。また、膜
厚が薄い為に、コンタクトホールを埋め込むこと
は全く可能となつている。
本発明は、この様な従来の金属の選択的形成法
の欠点を除去し、更に所望の組成のシリコン含有
金属膜にて、簡単な方法で必要なだけの厚さの膜
を選択的に形成する事のできるものである。
の欠点を除去し、更に所望の組成のシリコン含有
金属膜にて、簡単な方法で必要なだけの厚さの膜
を選択的に形成する事のできるものである。
本発明は上述した従来の金属の選択的形成法の
問題点及び欠点を除去したもので、必要なだけの
厚さのシリコン含有金属膜を選択的に形成するこ
とのできる方法を提供する事を目的とする。
問題点及び欠点を除去したもので、必要なだけの
厚さのシリコン含有金属膜を選択的に形成するこ
とのできる方法を提供する事を目的とする。
例えばタングステンをシリコン上に選択的に厚
くつける場合に、ソースガスとして例えば六弗化
タングステンとモノシランをそれぞれ分圧で１×
10-4Torr，３×10-4Torrとし、ヘリウムをキヤ
リアとして通常のCVD装置で450℃でで成長させ
る。この場合成長速度は毎分20〜30Aとなる。こ
の方法により所望の膜厚のタングステンを得るこ
とが可能である。
くつける場合に、ソースガスとして例えば六弗化
タングステンとモノシランをそれぞれ分圧で１×
10-4Torr，３×10-4Torrとし、ヘリウムをキヤ
リアとして通常のCVD装置で450℃でで成長させ
る。この場合成長速度は毎分20〜30Aとなる。こ
の方法により所望の膜厚のタングステンを得るこ
とが可能である。
［発明の効果］
本発明による選択成長法により、ソースガスを
変えることなく、基板温度を200℃〜500℃の範囲
内に選ぶだけで、金属から金属シリサイド間の所
望の組成のシリコン含有金属膜を選択形成でき
る。
変えることなく、基板温度を200℃〜500℃の範囲
内に選ぶだけで、金属から金属シリサイド間の所
望の組成のシリコン含有金属膜を選択形成でき
る。
また、絶縁膜上へのつきのない優れた選択性を
得ることが出来る。
得ることが出来る。
しかもゲートやソース，ドレインへの金属のは
りつけ技術も、所定の膜厚を得る事で十分な低抵
抗化がなされ大きな改善をみた。
りつけ技術も、所定の膜厚を得る事で十分な低抵
抗化がなされ大きな改善をみた。
さらに、コンタクトホール等の埋め込みは従来
不可能であつたものが、本発明による方法により
完全な選択的埋め込みが可能となつた。
不可能であつたものが、本発明による方法により
完全な選択的埋め込みが可能となつた。
［発明の実施例］
本発明の一実施例を第１図〜第３図を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
例えばコンタクトホールの埋め込みは下記の方
法によつて達成された。まず、通常のプロセスに
より、シリコン基板２のソース，ドレイン領域に
二酸化硅素膜１のコンタクトホールを形成する
（第１図）。次にホツトウオールタイプの減圧
CVD装置を用いて、基板温度450℃、全圧
0.2Torr、六弗化タングステン流量毎分１c.c.、モ
ノシラン流量毎分３c.c.、アルゴンガス流量毎分１
の条件で約４時間で8000Aのコンタクトホールは
タングステン層３で完全に埋まる（第２図）。こ
のタングステン層はシリコンを含有している。こ
の上に通常のプロセスによりアルミニウム４の配
線を行ない、パツシベーシヨン膜としてPSG膜
５を被せる（第３図）。
法によつて達成された。まず、通常のプロセスに
より、シリコン基板２のソース，ドレイン領域に
二酸化硅素膜１のコンタクトホールを形成する
（第１図）。次にホツトウオールタイプの減圧
CVD装置を用いて、基板温度450℃、全圧
0.2Torr、六弗化タングステン流量毎分１c.c.、モ
ノシラン流量毎分３c.c.、アルゴンガス流量毎分１
の条件で約４時間で8000Aのコンタクトホールは
タングステン層３で完全に埋まる（第２図）。こ
のタングステン層はシリコンを含有している。こ
の上に通常のプロセスによりアルミニウム４の配
線を行ない、パツシベーシヨン膜としてPSG膜
５を被せる（第３図）。
ソースガスは、実施例で用いた六弗化タングス
テンのようなタングステンの弗化物の他に、タン
グステンと同様に、耐熱性金属（refractory
metal）であるモリブデン，チタン，タンタルの
弗化物をこの六弗化タングステンに代えて採用す
ることができる。また、実施例で用いたシランと
同様に、Si−Ｈ結合を有するジクロルシランやト
リクロルシランを採用することができる。更にキ
ヤリアガスはヘリウムや窒素でも良いし、キヤリ
アガスなしでも可能である。そして、これらのガ
スを組み合わせたソースガスを用い、さらに前記
実施例とほぼ同様な条件にし、基板温度を200℃
〜500℃の範囲内の任意の温度に設定することに
より、上述した実施例と同様に金属から金属シリ
サイド間の所望の組成のシリコン含有金属を選択
的に成長させることができる。勿論、金属シリサ
イドも本発明に含まれる。成長の下地としてはシ
リコン領域の他、シリコンを含む導体領域等を用
いることが出来る。尚、上述した実施例ではコン
タクトホールの埋め込みについて述べたが、ゲー
トやソース，ドレインへのはりつけ技術へも同様
に適用できる。またCVD装置はコールドウオー
ルタイプでもよく、それぞれの常圧から減圧の間
の圧力下で成長する。またプラズマCVD装置で
もよい。
テンのようなタングステンの弗化物の他に、タン
グステンと同様に、耐熱性金属（refractory
metal）であるモリブデン，チタン，タンタルの
弗化物をこの六弗化タングステンに代えて採用す
ることができる。また、実施例で用いたシランと
同様に、Si−Ｈ結合を有するジクロルシランやト
リクロルシランを採用することができる。更にキ
ヤリアガスはヘリウムや窒素でも良いし、キヤリ
アガスなしでも可能である。そして、これらのガ
スを組み合わせたソースガスを用い、さらに前記
実施例とほぼ同様な条件にし、基板温度を200℃
〜500℃の範囲内の任意の温度に設定することに
より、上述した実施例と同様に金属から金属シリ
サイド間の所望の組成のシリコン含有金属を選択
的に成長させることができる。勿論、金属シリサ
イドも本発明に含まれる。成長の下地としてはシ
リコン領域の他、シリコンを含む導体領域等を用
いることが出来る。尚、上述した実施例ではコン
タクトホールの埋め込みについて述べたが、ゲー
トやソース，ドレインへのはりつけ技術へも同様
に適用できる。またCVD装置はコールドウオー
ルタイプでもよく、それぞれの常圧から減圧の間
の圧力下で成長する。またプラズマCVD装置で
もよい。
第１図〜第３図は本発明の一実施例を示す工程
断面図である。 １……二酸化珪素膜、２……シリコン基板、３
……タングステン、４……アルミニウム、５……
PSG膜。
断面図である。 １……二酸化珪素膜、２……シリコン基板、３
……タングステン、４……アルミニウム、５……
PSG膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁膜に設けられた接続開口に選択的にシリ
コン含有金属膜を被着するに際し、タングステ
ン，モリブデン，チタン及びタンタルから選ばれ
る少なくとも１種の弗化物と、シラン，ジクロル
シラン，トリクロルシランから選ばれる少くとも
１種のガスを導入するとともに、半導体基板を
200℃〜500℃の間で任意に選定して前記ガスと前
記弗化物の反応により所望の組成のシリコン含有
金属膜を選択的に形成することを特徴とするシリ
コン含有金属膜の形成方法。 ２ ソース，ドレイン領域上に、選択的にシリコ
ン含有金属膜を被着するに際し、タングステン，
モリブデン，チタン及びタンタルから選ばれる少
なくとも１種の弗化物と、シラン，ジクロルシラ
ン，トリクロルシランから選ばれる少くとも１種
のガスを導入するとともに、半導体基板を200℃
〜500℃の間で任意に選定して前記ガスと前記弗
化物の反応により所望の組成のシリコン含有金属
膜を選択的に形成することを特徴とするシリコン
含有金属膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57182181A JPS5972132A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 金属及び金属シリサイド膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57182181A JPS5972132A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 金属及び金属シリサイド膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5972132A JPS5972132A (ja) | 1984-04-24 |
| JPH0432534B2 true JPH0432534B2 (ja) | 1992-05-29 |
Family
ID=16113753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57182181A Granted JPS5972132A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 金属及び金属シリサイド膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5972132A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621228A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Fujitsu Ltd | タングステンシリサイドの選択成長方法 |
| JP2657488B2 (ja) * | 1987-04-07 | 1997-09-24 | 日本真空技術 株式会社 | 金属薄膜形成方法 |
| US5223455A (en) * | 1987-07-10 | 1993-06-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming refractory metal film |
| EP0305143B1 (en) * | 1987-08-24 | 1993-12-08 | Fujitsu Limited | Method of selectively forming a conductor layer |
| JP2538607B2 (ja) * | 1987-08-24 | 1996-09-25 | 富士通株式会社 | 気相成長法 |
| JPS6476759A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-22 | Seiko Instr & Electronics | Tungsten silicide film and manufacture thereof |
| JPH01129968A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-23 | Ulvac Corp | 金属薄膜形成方法 |
| JPH01129969A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-23 | Ulvac Corp | 金属薄膜形成方法 |
| JPH02165628A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5084417A (en) * | 1989-01-06 | 1992-01-28 | International Business Machines Corporation | Method for selective deposition of refractory metals on silicon substrates and device formed thereby |
| US5221853A (en) * | 1989-01-06 | 1993-06-22 | International Business Machines Corporation | MOSFET with a refractory metal film, a silicide film and a nitride film formed on and in contact with a source, drain and gate region |
| US5202287A (en) * | 1989-01-06 | 1993-04-13 | International Business Machines Corporation | Method for a two step selective deposition of refractory metals utilizing SiH4 reduction and H2 reduction |
| JPH02199829A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-08 | Fujitsu Ltd | シリコン含有金属膜の形成方法 |
| US5177589A (en) * | 1990-01-29 | 1993-01-05 | Hitachi, Ltd. | Refractory metal thin film having a particular step coverage factor and ratio of surface roughness |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6025895B2 (ja) * | 1975-09-29 | 1985-06-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS551712A (en) * | 1978-06-20 | 1980-01-08 | Hitachi Ltd | Electronic switch circuit |
-
1982
- 1982-10-19 JP JP57182181A patent/JPS5972132A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5972132A (ja) | 1984-04-24 |
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