JPH0462845A - 積層配線の製造方法 - Google Patents
積層配線の製造方法Info
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- JPH0462845A JPH0462845A JP16714490A JP16714490A JPH0462845A JP H0462845 A JPH0462845 A JP H0462845A JP 16714490 A JP16714490 A JP 16714490A JP 16714490 A JP16714490 A JP 16714490A JP H0462845 A JPH0462845 A JP H0462845A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、信頼性の高い積層配線の製造方法に関するも
のである。
のである。
従来の技術
半導体装置の配線材料として高融点金属のシリサイド化
合物が広く用いられている。
合物が広く用いられている。
しかし、シリサイドからなる配線は、それ自体の内部応
力のために、膜が剥れたり断線が発生したりする。
力のために、膜が剥れたり断線が発生したりする。
また、内部応力緩和のためにシリサイド膜下層に多結晶
シリコン膜を被着させたポリサイド構造を用いているが
、ポリサイド構造だけては完全に断線を防止できない。
シリコン膜を被着させたポリサイド構造を用いているが
、ポリサイド構造だけては完全に断線を防止できない。
以下、従来の積層配線の製造方法を第２図を用いて説明
する。第２図（ａ）に示すように、段差を有する半導体
基板１上に熱フローできる薄いガラス膜として、ボロン
フォスフアシリケードガラス（以下ＢＰＳＧ）膜２を例
えば常圧ＣＶＤ法により４５００Ａ堆積し、次に第２図
（ｂ）に示すようにＢＰＳＧ膜の熱フローを例えば窒素
雰囲気中で９００°Ｃ，３０分行なう。その後多結晶シ
リコン膜３を、１５００人例えば減圧ＣＶＤ法により堆
積し、さらにニールドウオール型の減圧ＣＶＤ法により
タングステンシリサイド膜４を２５００Ａ堆積する。そ
の後周知の写真食刻法により多結晶シリコン膜３とタン
グステンシリサイド膜４の一層よりなるポリサイド配線
を形成する。
する。第２図（ａ）に示すように、段差を有する半導体
基板１上に熱フローできる薄いガラス膜として、ボロン
フォスフアシリケードガラス（以下ＢＰＳＧ）膜２を例
えば常圧ＣＶＤ法により４５００Ａ堆積し、次に第２図
（ｂ）に示すようにＢＰＳＧ膜の熱フローを例えば窒素
雰囲気中で９００°Ｃ，３０分行なう。その後多結晶シ
リコン膜３を、１５００人例えば減圧ＣＶＤ法により堆
積し、さらにニールドウオール型の減圧ＣＶＤ法により
タングステンシリサイド膜４を２５００Ａ堆積する。そ
の後周知の写真食刻法により多結晶シリコン膜３とタン
グステンシリサイド膜４の一層よりなるポリサイド配線
を形成する。
発明が解決しようとする課題
」１記したような従来技術では、多結晶シリコン膜３」
二に堆積したタングステンシリサイド膜４のタングステ
ンに対するシリコンの組成比が２．３以下で・あると内
部応力のため、タングステンシリサイド膜内部にクラッ
クが発生し断線が生じる。
二に堆積したタングステンシリサイド膜４のタングステ
ンに対するシリコンの組成比が２．３以下で・あると内
部応力のため、タングステンシリサイド膜内部にクラッ
クが発生し断線が生じる。
またタングステンシリサイド膜４のタングステンに対す
るシリコンの組成比を２．６以上にすると積層配線の抵
抗が上昇するという問題が生しる。
るシリコンの組成比を２．６以上にすると積層配線の抵
抗が上昇するという問題が生しる。
本発明は以上述べた問題を解決し、配線抵抗が低く信頼
性の高い積層配線の形成方法を提供するものである。
性の高い積層配線の形成方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明では、上記課題を解決するために、シリサイド膜
を被着するときに、シリコンの組成比を変化させながら
被着する。
を被着するときに、シリコンの組成比を変化させながら
被着する。
作用
本発明では、シリサイド膜を被着する際、シリコンの組
成比を下げながらシリサイド膜を被着することで、ポリ
サイド配線の配線抵抗を下げずにかつシリサイド膜にク
ラックが発生しない高い信頼性をもつ積層配線を形成で
きる。
成比を下げながらシリサイド膜を被着することで、ポリ
サイド配線の配線抵抗を下げずにかつシリサイド膜にク
ラックが発生しない高い信頼性をもつ積層配線を形成で
きる。
実施例
本発明の実施例を第１図を用いて詳細に説明する。
１は凹凸を有する半導体基板、２はボロンフォスフアシ
リケードガラス膜、３は多結晶シリコン膜、４はタング
ステンシリサイド膜である。
リケードガラス膜、３は多結晶シリコン膜、４はタング
ステンシリサイド膜である。
第１図（ａ）において半導体基板１上に常圧ＣＶＤ法を
用いて熱フローできる薄いガラス膜としてボロンフォス
フアシリケードガラス（ＢＰＳＧ）ｌ］Ｎ２を成長する
。ＢＰＳＧ膜２の膜厚は４５００八を用いた。次に第１
図（ｂ）に示すように、ＢＰＳＧ膜２を水蒸気雰囲気中
て熱処理を、例えば９００ ’Ｃ。
用いて熱フローできる薄いガラス膜としてボロンフォス
フアシリケードガラス（ＢＰＳＧ）ｌ］Ｎ２を成長する
。ＢＰＳＧ膜２の膜厚は４５００八を用いた。次に第１
図（ｂ）に示すように、ＢＰＳＧ膜２を水蒸気雰囲気中
て熱処理を、例えば９００ ’Ｃ。
３０分行ない溶解平坦化を行なう。次に多結晶シリコン
膜３を約１５００Ａ、例えば減圧ＣＶＤ法により堆積す
る。次にタングステンシリサイド膜４をコールドフォー
ルタイプの減圧ＣＶＤ法を用いて堆積する。まず第１ス
テツプとしてシランを１０００ｓｅｃｍ、六弗化タング
ステンを５ ｓｅｃｍ流しシリコンの組成比２．８程度
のタングステンシリサイド膜４を５００Ａ堆積する。次
にシランを８００ｓｅｃｍ、六弗化タングステンを６
ｓｅｃｍ流してシリコンの組成比２．６程度のタングス
テンシリサイド膜４を約１０００人堆積する。最後に第
３ステツプとしてシランを６００ｓｅｃｍ、六弗化タン
グステンを８ｓｅｃｍ流してシリコンの組成比２．３程
度のタングステンシリサイド膜４を約１０００Ａ堆積し
タングステンシリサイド膜４の堆積を終了する。次に周
知の写真食刻法により多結晶シリコン膜３とタングステ
ンシリサイド膜４の積層配線を形成する。
膜３を約１５００Ａ、例えば減圧ＣＶＤ法により堆積す
る。次にタングステンシリサイド膜４をコールドフォー
ルタイプの減圧ＣＶＤ法を用いて堆積する。まず第１ス
テツプとしてシランを１０００ｓｅｃｍ、六弗化タング
ステンを５ ｓｅｃｍ流しシリコンの組成比２．８程度
のタングステンシリサイド膜４を５００Ａ堆積する。次
にシランを８００ｓｅｃｍ、六弗化タングステンを６
ｓｅｃｍ流してシリコンの組成比２．６程度のタングス
テンシリサイド膜４を約１０００人堆積する。最後に第
３ステツプとしてシランを６００ｓｅｃｍ、六弗化タン
グステンを８ｓｅｃｍ流してシリコンの組成比２．３程
度のタングステンシリサイド膜４を約１０００Ａ堆積し
タングステンシリサイド膜４の堆積を終了する。次に周
知の写真食刻法により多結晶シリコン膜３とタングステ
ンシリサイド膜４の積層配線を形成する。
また本実施例では、シリサイド化合物としてタングステ
ンシリサイドを用いたがそれ以外のＴｉ。
ンシリサイドを用いたがそれ以外のＴｉ。
ＭＯなどのケイ化物などでも同様な効果が期待できる。
発明の効果
ポリサイド配線のタングステンシリサイド膜を堆積する
ときにシリコンの組成比が高い膜を初期に堆積し、次に
シリコンの組成比が高い膜を堆積することにより、ポリ
サイド配線の抵抗値を下げずに、かつタングステンシリ
サイ１く膜の上剥れや断線の生じない、高い信頼生をも
った積層配線を形成できる。
ときにシリコンの組成比が高い膜を初期に堆積し、次に
シリコンの組成比が高い膜を堆積することにより、ポリ
サイド配線の抵抗値を下げずに、かつタングステンシリ
サイ１く膜の上剥れや断線の生じない、高い信頼生をも
った積層配線を形成できる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例における
積層配線の製造方法を示す工程順断面図、第２図（ａ）
。 （ｂ）は従来例の工程順断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ボロンフォ
スフアシリケードガラス膜、３・・・・・・多結晶シリ
コン膜、４・・・・・・タングステンシリサイド膜。
積層配線の製造方法を示す工程順断面図、第２図（ａ）
。 （ｂ）は従来例の工程順断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ボロンフォ
スフアシリケードガラス膜、３・・・・・・多結晶シリ
コン膜、４・・・・・・タングステンシリサイド膜。
Claims (2)
- （１）段差を有する半導体基板上に熱フローするガラス
膜を形成する工程と、前記ガラス膜を熱フローする工程
と、前記ガラス膜上に多結晶シリコン膜を形成する工程
と、前記多結晶シリコン膜上に高融点金属シリサイド膜
を形成する工程を備え、前記高融点金属シリサイド膜の
高融点金属に対するシリコンの組成比が前記多結晶シリ
コン膜より遠くなるに連れて低くなる積層した高融点金
属シリサイド膜で形成されていることを特徴とする積層
配線の製造方法。 - （２）高融点金属がチタン、モリブデン、タングステン
の内の少なくとも１つであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載した積層配線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16714490A JPH0462845A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 積層配線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16714490A JPH0462845A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 積層配線の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0462845A true JPH0462845A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15844238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16714490A Pending JPH0462845A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 積層配線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0462845A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174628A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63133672A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP16714490A patent/JPH0462845A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174628A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63133672A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Nec Corp | 半導体装置 |
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