JPH04325499A - カリウム添加硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法 - Google Patents
カリウム添加硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法Info
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- JPH04325499A JPH04325499A JP3097480A JP9748091A JPH04325499A JP H04325499 A JPH04325499 A JP H04325499A JP 3097480 A JP3097480 A JP 3097480A JP 9748091 A JP9748091 A JP 9748091A JP H04325499 A JPH04325499 A JP H04325499A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カリウム添加硫化カド
ミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法に関するものである。特
に本発明は、可視短波長域の発光素子などに有用な硫化
カドミウム亜鉛混晶半導体において、ｐｎ接合発光素子
の作製に必要不可欠なｐ型伝導を示すカリウム添加硫化
カドミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法に関するものである
。
ミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法に関するものである。特
に本発明は、可視短波長域の発光素子などに有用な硫化
カドミウム亜鉛混晶半導体において、ｐｎ接合発光素子
の作製に必要不可欠なｐ型伝導を示すカリウム添加硫化
カドミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法に関するものである
。
【０００２】
【従来の技術】ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体は一般に伝導
型の制御が困難であるとされているが、ｐ型伝導を示す
硫化亜鉛または硫化カドミウムを得る試みとして、リチ
ウムやナトリウムまたは窒素や砒素や燐をドーピングす
る方法が行われている。
型の制御が困難であるとされているが、ｐ型伝導を示す
硫化亜鉛または硫化カドミウムを得る試みとして、リチ
ウムやナトリウムまたは窒素や砒素や燐をドーピングす
る方法が行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記のよ
うな従来の方法では、ドーパントとしてＩ族元素である
リチウムやナトリウムを用いた場合、ドーパント原子の
大きさが置換すべきカドミウムや亜鉛に比べて小さく、
熱や電気的なエネルギーによって半導体内で容易に動い
てしまい、安定した特性が得られないといった問題点が
あった。
うな従来の方法では、ドーパントとしてＩ族元素である
リチウムやナトリウムを用いた場合、ドーパント原子の
大きさが置換すべきカドミウムや亜鉛に比べて小さく、
熱や電気的なエネルギーによって半導体内で容易に動い
てしまい、安定した特性が得られないといった問題点が
あった。
【０００４】また、ドーパントとしてＶ族元素である窒
素や砒素や燐を用いた場合、アクセプタとしての活性化
率が低く低抵抗のｐ型伝導を示す半導体が得られないと
いう問題点があった。本発明はかかる点に鑑み、硫化カ
ドミウム亜鉛混晶中で容易に動き回ることがない大きさ
で化学的活性度の高いカリウムを効率よく添加すること
によりｐ型伝導を示す硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜を製
造する方法を提供することを目的とする。
素や砒素や燐を用いた場合、アクセプタとしての活性化
率が低く低抵抗のｐ型伝導を示す半導体が得られないと
いう問題点があった。本発明はかかる点に鑑み、硫化カ
ドミウム亜鉛混晶中で容易に動き回ることがない大きさ
で化学的活性度の高いカリウムを効率よく添加すること
によりｐ型伝導を示す硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜を製
造する方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明のカリウム添加硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の
製造方法は、真空中で、基板表面に硫黄分子線とカドミ
ウム分子線と亜鉛分子線を照射する分子線エピタキシー
法で硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜を製造するに際し、加
熱蒸発させた硫化カリウムの分子線を同時に照射して混
晶薄膜にカリウムを添加することを特徴とする。
、本発明のカリウム添加硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の
製造方法は、真空中で、基板表面に硫黄分子線とカドミ
ウム分子線と亜鉛分子線を照射する分子線エピタキシー
法で硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜を製造するに際し、加
熱蒸発させた硫化カリウムの分子線を同時に照射して混
晶薄膜にカリウムを添加することを特徴とする。
【０００６】前記構成においては、硫黄分子線が硫黄を
加熱蒸発させるか、硫化水素、ジメチル硫黄、ジエチル
硫黄、メチルメルカプタンおよびエチルメルカプタンか
ら成る群から選ばれた少なくとも１種の硫黄化合物を加
熱分解して得た硫黄分子線であり、カドミウム分子線が
金属カドミウムを加熱蒸発させるか、ジメチルカドミウ
ムおよびジエチルカドミウムから成る群から選ばれた少
なくとも１種のカドミウム化合物の蒸気を加熱分解して
得た分子線であり、亜鉛分子線が金属亜鉛を加熱蒸発さ
せるか、ジメチル亜鉛およびジエチル亜鉛から成る群か
ら選ばれた少なくとも１種の亜鉛化合物の蒸気を加熱分
解して得た分子線である事が好ましい。
加熱蒸発させるか、硫化水素、ジメチル硫黄、ジエチル
硫黄、メチルメルカプタンおよびエチルメルカプタンか
ら成る群から選ばれた少なくとも１種の硫黄化合物を加
熱分解して得た硫黄分子線であり、カドミウム分子線が
金属カドミウムを加熱蒸発させるか、ジメチルカドミウ
ムおよびジエチルカドミウムから成る群から選ばれた少
なくとも１種のカドミウム化合物の蒸気を加熱分解して
得た分子線であり、亜鉛分子線が金属亜鉛を加熱蒸発さ
せるか、ジメチル亜鉛およびジエチル亜鉛から成る群か
ら選ばれた少なくとも１種の亜鉛化合物の蒸気を加熱分
解して得た分子線である事が好ましい。
【０００７】また前記構成においては、基板がガリウム
砒素、ガリウム燐、インジウム燐のうちいずれかの単結
晶である事が好ましい。また、前記構成において、更に
、基板温度が２００℃以上５００℃以下である事が好ま
しい。
砒素、ガリウム燐、インジウム燐のうちいずれかの単結
晶である事が好ましい。また、前記構成において、更に
、基板温度が２００℃以上５００℃以下である事が好ま
しい。
【０００８】
【作用】本発明は、真空中で、基板表面に硫黄分子線と
カドミウム分子線と亜鉛分子線を照射する分子線エピタ
キシー法で硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜を製造するに際
し、加熱蒸発させた硫化カリウムの分子線を同時に照射
して混晶薄膜にカリウムを添加することにより、不純物
源として硫化カドミウム亜鉛の構成元素である硫黄を含
む硫化カリウムを用いている。硫化カリウムを加熱蒸発
して得られる分子は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶と
原子並びが似ており、ＩＩ族元素（カドミウム、亜鉛）
位置に入るべきカリウム原子がちょうどＶＩ族元素であ
る硫黄原子と隣合っており、カリウムがＩＩ族元素位置
におさまりやすく、アクセプタとして効率よく取り込ま
れるという作用がある。
カドミウム分子線と亜鉛分子線を照射する分子線エピタ
キシー法で硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜を製造するに際
し、加熱蒸発させた硫化カリウムの分子線を同時に照射
して混晶薄膜にカリウムを添加することにより、不純物
源として硫化カドミウム亜鉛の構成元素である硫黄を含
む硫化カリウムを用いている。硫化カリウムを加熱蒸発
して得られる分子は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶と
原子並びが似ており、ＩＩ族元素（カドミウム、亜鉛）
位置に入るべきカリウム原子がちょうどＶＩ族元素であ
る硫黄原子と隣合っており、カリウムがＩＩ族元素位置
におさまりやすく、アクセプタとして効率よく取り込ま
れるという作用がある。
【０００９】また、硫黄分子線が硫黄を加熱蒸発させる
か、硫化水素、ジメチル硫黄、ジエチル硫黄、メチルメ
ルカプタンおよびエチルメルカプタンから成る群から選
ばれた少なくとも１種の硫黄化合物を加熱分解して得た
硫黄分子線であり、カドミウム分子線が金属カドミウム
を加熱蒸発させるか、ジメチルカドミウムおよびジエチ
ルカドミウムから成る群から選ばれた少なくとも１種の
カドミウム化合物の蒸気を加熱分解して得た分子線であ
り、亜鉛分子線が金属亜鉛を加熱蒸発させるか、ジメチ
ル亜鉛およびジエチル亜鉛から成る群から選ばれた少な
くとも１種の亜鉛化合物の蒸気を加熱分解して得た分子
線を採用する本発明の好ましい態様により、硫化カドミ
ウム亜鉛混晶薄膜に取り込まれる不必要な不純物成分が
、得られる薄膜の性質に悪影響を及ぼさないので好まし
い。
か、硫化水素、ジメチル硫黄、ジエチル硫黄、メチルメ
ルカプタンおよびエチルメルカプタンから成る群から選
ばれた少なくとも１種の硫黄化合物を加熱分解して得た
硫黄分子線であり、カドミウム分子線が金属カドミウム
を加熱蒸発させるか、ジメチルカドミウムおよびジエチ
ルカドミウムから成る群から選ばれた少なくとも１種の
カドミウム化合物の蒸気を加熱分解して得た分子線であ
り、亜鉛分子線が金属亜鉛を加熱蒸発させるか、ジメチ
ル亜鉛およびジエチル亜鉛から成る群から選ばれた少な
くとも１種の亜鉛化合物の蒸気を加熱分解して得た分子
線を採用する本発明の好ましい態様により、硫化カドミ
ウム亜鉛混晶薄膜に取り込まれる不必要な不純物成分が
、得られる薄膜の性質に悪影響を及ぼさないので好まし
い。
【００１０】また、基板としてガリウム砒素、ガリウム
燐、インジウム燐のうちいずれかの単結晶を採用する本
発明の好ましい態様により、これらの基板の格子定数が
基板上に生成するカリウム添加硫化カドミウム亜鉛混晶
の格子定数と類似しているので、純粋な単結晶が生成し
やすい。また、更に、基板温度を２００℃以上５００℃
以下にする本発明の好ましい態様により、生成した薄膜
を構成する原子のマイグレーションが十分に行われ、各
原子が正確な格子位置に安定して配置される。また原子
の再蒸発が過剰になる事による原子の空孔が生じる欠点
が抑制されるので、より完全な結晶が得やすい。
燐、インジウム燐のうちいずれかの単結晶を採用する本
発明の好ましい態様により、これらの基板の格子定数が
基板上に生成するカリウム添加硫化カドミウム亜鉛混晶
の格子定数と類似しているので、純粋な単結晶が生成し
やすい。また、更に、基板温度を２００℃以上５００℃
以下にする本発明の好ましい態様により、生成した薄膜
を構成する原子のマイグレーションが十分に行われ、各
原子が正確な格子位置に安定して配置される。また原子
の再蒸発が過剰になる事による原子の空孔が生じる欠点
が抑制されるので、より完全な結晶が得やすい。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明する
。図１は本発明の製造方法の一実施例で用いられる分子
線エピタキシャル装置（ＭＢＥ装置）の構造を示す概略
図である。同図において６ａ、７ａ、８ａ、９ａはそれ
ぞれ通常の蒸発用ルツボに入った金属カドミウム、金属
亜鉛、硫黄、硫化カリウムで、加熱蒸発させてカドミウ
ム分子線６ｃ、亜鉛分子線７ｃ、硫黄分子線８ｃ、硫化
カリウム分子線９ｃを得る。
。図１は本発明の製造方法の一実施例で用いられる分子
線エピタキシャル装置（ＭＢＥ装置）の構造を示す概略
図である。同図において６ａ、７ａ、８ａ、９ａはそれ
ぞれ通常の蒸発用ルツボに入った金属カドミウム、金属
亜鉛、硫黄、硫化カリウムで、加熱蒸発させてカドミウ
ム分子線６ｃ、亜鉛分子線７ｃ、硫黄分子線８ｃ、硫化
カリウム分子線９ｃを得る。
【００１２】実際の薄膜成長は次のような手順で行なう
。まず表面を清浄にした基板４を例えばモリブデン等か
らなる基板ホルダー１３に装着する。基板材料としては
本実施例では硫化カドミウム亜鉛のとり得る格子定数に
近い格子定数をもつガリウム砒素単結晶を用いた。次に
真空容器１を１０−９Ｔｏｒｒ以下程度の超高真空まで
超高真空排気装置２により排気する。尚、図１中、超高
真空排気装置２は、その位置を示したのみで詳細は省略
してある。その後ルツボ６ａ、７ａ、８ａを例えば１２
０℃、２４０℃、１００℃程度に加熱し、それぞれ１×
１０−６Ｔｏｒｒ程度の適切な強度のカドミウム分子線
６ｃ、亜鉛分子線７ｃ、硫黄分子線８ｃが得られるよう
にする。 また硫化カリウム９ａは例えばルツボを２００℃程度に
加熱して１×１０−７Ｔｏｒｒ程度の適切な強度の硫化
カリウム分子線９ｃが得られるようにする。
。まず表面を清浄にした基板４を例えばモリブデン等か
らなる基板ホルダー１３に装着する。基板材料としては
本実施例では硫化カドミウム亜鉛のとり得る格子定数に
近い格子定数をもつガリウム砒素単結晶を用いた。次に
真空容器１を１０−９Ｔｏｒｒ以下程度の超高真空まで
超高真空排気装置２により排気する。尚、図１中、超高
真空排気装置２は、その位置を示したのみで詳細は省略
してある。その後ルツボ６ａ、７ａ、８ａを例えば１２
０℃、２４０℃、１００℃程度に加熱し、それぞれ１×
１０−６Ｔｏｒｒ程度の適切な強度のカドミウム分子線
６ｃ、亜鉛分子線７ｃ、硫黄分子線８ｃが得られるよう
にする。 また硫化カリウム９ａは例えばルツボを２００℃程度に
加熱して１×１０−７Ｔｏｒｒ程度の適切な強度の硫化
カリウム分子線９ｃが得られるようにする。
【００１３】次に基板４を約６００℃に加熱して表面酸
化膜を除去する。その後基板を結晶成長に適切な温度ま
で下げる。この実施例においては３００℃で実施した。 この後シャッター６ｂ、７ｂ、８ｂ、９ｂを同時に開き
、カドミウム、亜鉛、硫黄および硫化カリウムの各分子
線を基板に照射し結晶成長を行なった。以上のような方
法で形成したカリウム添加硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜
は、硫化カリウムをドーパントとして用いたことにより
、効率よくカリウムが膜中に取り込まれ、フォトルミネ
ッセンス特性の測定の結果、図２に示すようにアクセプ
タ束縛励起発光（Ｉ１ 発光）と、ドナー・アクセプタ
対発光（ＤＡＰ発光）が支配的であり、アクセプタが充
分にドーピングされ、ｐ型の硫化カドミウム亜鉛混晶薄
膜が形成されていることが確認できた。
化膜を除去する。その後基板を結晶成長に適切な温度ま
で下げる。この実施例においては３００℃で実施した。 この後シャッター６ｂ、７ｂ、８ｂ、９ｂを同時に開き
、カドミウム、亜鉛、硫黄および硫化カリウムの各分子
線を基板に照射し結晶成長を行なった。以上のような方
法で形成したカリウム添加硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜
は、硫化カリウムをドーパントとして用いたことにより
、効率よくカリウムが膜中に取り込まれ、フォトルミネ
ッセンス特性の測定の結果、図２に示すようにアクセプ
タ束縛励起発光（Ｉ１ 発光）と、ドナー・アクセプタ
対発光（ＤＡＰ発光）が支配的であり、アクセプタが充
分にドーピングされ、ｐ型の硫化カドミウム亜鉛混晶薄
膜が形成されていることが確認できた。
【００１４】また、この試料は真空中で加熱（４００℃
・１時間）しても、フォトルミネッセンス特性に変化が
見られず、安定した特性を示した。なお、上述の実施例
では硫黄分子線として単体硫黄を加熱蒸発させたものを
用いたが、この他に硫化水素またはジメチル硫黄または
ジエチル硫黄またはメチルメルカプタン（ＣＨ３ ＳＨ
）またはエチルメルカプタン（Ｃ２ Ｈ５ ＳＨ）のう
ちいずれか一つ以上を加熱分解して得た硫黄分子線を用
いても同様の効果が見られた。
・１時間）しても、フォトルミネッセンス特性に変化が
見られず、安定した特性を示した。なお、上述の実施例
では硫黄分子線として単体硫黄を加熱蒸発させたものを
用いたが、この他に硫化水素またはジメチル硫黄または
ジエチル硫黄またはメチルメルカプタン（ＣＨ３ ＳＨ
）またはエチルメルカプタン（Ｃ２ Ｈ５ ＳＨ）のう
ちいずれか一つ以上を加熱分解して得た硫黄分子線を用
いても同様の効果が見られた。
【００１５】また、カドミウム分子線として金属カドミ
ウムを加熱蒸発させたものを用いたが、この他にジメチ
ルカドミウムまたはジエチルカドミウムの蒸気を加熱分
解して得たカドミウム分子線を用いても同様の効果がみ
られた。また、亜鉛分子線として金属亜鉛を加熱蒸発さ
せたものを用いたが、この他にジメチル亜鉛またはジエ
チル亜鉛の蒸気を加熱分解して得た亜鉛分子線を用いて
も同様の効果が得られた。
ウムを加熱蒸発させたものを用いたが、この他にジメチ
ルカドミウムまたはジエチルカドミウムの蒸気を加熱分
解して得たカドミウム分子線を用いても同様の効果がみ
られた。また、亜鉛分子線として金属亜鉛を加熱蒸発さ
せたものを用いたが、この他にジメチル亜鉛またはジエ
チル亜鉛の蒸気を加熱分解して得た亜鉛分子線を用いて
も同様の効果が得られた。
【００１６】また、薄膜形成中の基板温度は生成した薄
膜を構成する原子のマイグレーションが十分に行われ、
各原子が正確な格子位置に安定して配置され易いこと、
また原子の再蒸発が過剰になる事による原子の空孔が生
じる欠点が抑制される事などにより、２００℃以上５０
０℃以下がより完全な結晶が得やすく好ましい温度範囲
であった。
膜を構成する原子のマイグレーションが十分に行われ、
各原子が正確な格子位置に安定して配置され易いこと、
また原子の再蒸発が過剰になる事による原子の空孔が生
じる欠点が抑制される事などにより、２００℃以上５０
０℃以下がより完全な結晶が得やすく好ましい温度範囲
であった。
【００１７】また、基板材料としては、ガリウム砒素以
外に、格子定数が基板上に生成するカリウム添加硫化カ
ドミウム亜鉛混晶の格子定数と類似しているガリウム燐
、インジウム燐の単結晶を用いてもほぼ同様の結果が得
られた。また、真空の程度は分子線源と基板との距離や
、用いる分子線源の種類によっても異なるが、分子線源
と基板との距離が、分子線の平均自由行程内に入る程度
の真空にすることが好ましく、通常１０−５Ｔｏｒｒ以
下で高真空であれば高真空であるほど好ましい。
外に、格子定数が基板上に生成するカリウム添加硫化カ
ドミウム亜鉛混晶の格子定数と類似しているガリウム燐
、インジウム燐の単結晶を用いてもほぼ同様の結果が得
られた。また、真空の程度は分子線源と基板との距離や
、用いる分子線源の種類によっても異なるが、分子線源
と基板との距離が、分子線の平均自由行程内に入る程度
の真空にすることが好ましく、通常１０−５Ｔｏｒｒ以
下で高真空であれば高真空であるほど好ましい。
【００１８】本発明方法により、熱や電気的なエネルギ
ーに対しても安定な特性を有し、ｐ型伝導を示す硫化カ
ドミウム亜鉛混晶薄膜を容易に作製することが可能とな
った。現在作製可能なｎ型伝導を示す硫化カドミウム亜
鉛とのｐｎ接合からは可視短波長域の発光素子が期待で
き、その実用的効果は大きい。
ーに対しても安定な特性を有し、ｐ型伝導を示す硫化カ
ドミウム亜鉛混晶薄膜を容易に作製することが可能とな
った。現在作製可能なｎ型伝導を示す硫化カドミウム亜
鉛とのｐｎ接合からは可視短波長域の発光素子が期待で
き、その実用的効果は大きい。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明方法によれ
ば、不純物源として硫化カドミウム亜鉛との原子の並び
の似ている硫化カリウムを用いる分子線エピタキシー法
により、カリウムの膜中への取り込まれ率が増加し、熱
や電気的なエネルギーによっても容易にカリウムが拡散
されることなく安定した特性を示すｐ型伝導を示す硫化
カドミウム亜鉛混晶薄膜を容易に作製することが可能と
なる。
ば、不純物源として硫化カドミウム亜鉛との原子の並び
の似ている硫化カリウムを用いる分子線エピタキシー法
により、カリウムの膜中への取り込まれ率が増加し、熱
や電気的なエネルギーによっても容易にカリウムが拡散
されることなく安定した特性を示すｐ型伝導を示す硫化
カドミウム亜鉛混晶薄膜を容易に作製することが可能と
なる。
【００２０】また、硫黄分子線が硫黄を加熱蒸発させる
か、硫化水素、ジメチル硫黄、ジエチル硫黄、メチルメ
ルカプタンおよびエチルメルカプタンから成る群から選
ばれた少なくとも１種の硫黄化合物を加熱分解して得た
硫黄分子線であり、カドミウム分子線が金属カドミウム
を加熱蒸発させるか、ジメチルカドミウムおよびジエチ
ルカドミウムから成る群から選ばれた少なくとも１種の
カドミウム化合物の蒸気を加熱分解して得た分子線であ
り、亜鉛分子線が金属亜鉛を加熱蒸発させるか、ジメチ
ル亜鉛およびジエチル亜鉛から成る群から選ばれた少な
くとも１種の亜鉛化合物の蒸気を加熱分解して得た分子
線を採用する本発明の好ましい態様により、硫化カドミ
ウム亜鉛混晶薄膜に取り込まれる不必要な不純物成分が
薄膜の性質に悪影響を及ぼさない。
か、硫化水素、ジメチル硫黄、ジエチル硫黄、メチルメ
ルカプタンおよびエチルメルカプタンから成る群から選
ばれた少なくとも１種の硫黄化合物を加熱分解して得た
硫黄分子線であり、カドミウム分子線が金属カドミウム
を加熱蒸発させるか、ジメチルカドミウムおよびジエチ
ルカドミウムから成る群から選ばれた少なくとも１種の
カドミウム化合物の蒸気を加熱分解して得た分子線であ
り、亜鉛分子線が金属亜鉛を加熱蒸発させるか、ジメチ
ル亜鉛およびジエチル亜鉛から成る群から選ばれた少な
くとも１種の亜鉛化合物の蒸気を加熱分解して得た分子
線を採用する本発明の好ましい態様により、硫化カドミ
ウム亜鉛混晶薄膜に取り込まれる不必要な不純物成分が
薄膜の性質に悪影響を及ぼさない。
【００２１】また、基板としてガリウム砒素、ガリウム
燐、インジウム燐のうちいずれかの単結晶を採用する本
発明の好ましい態様により、これらの基板の格子定数が
基板上に生成するカリウム添加硫化カドミウム亜鉛混晶
の格子定数と類似しているので、純粋な単結晶が生成し
やすい。また、更に、基板温度を２００℃以上５００℃
以下にする本発明の好ましい態様により、生成した薄膜
を構成する原子のマイグレーションが十分に行われ、各
原子が正確な格子位置に安定して配置される。また原子
の再蒸発が過剰になる事による原子の空孔が生じる欠点
が抑制されるので、より完全な結晶が得やすい。
燐、インジウム燐のうちいずれかの単結晶を採用する本
発明の好ましい態様により、これらの基板の格子定数が
基板上に生成するカリウム添加硫化カドミウム亜鉛混晶
の格子定数と類似しているので、純粋な単結晶が生成し
やすい。また、更に、基板温度を２００℃以上５００℃
以下にする本発明の好ましい態様により、生成した薄膜
を構成する原子のマイグレーションが十分に行われ、各
原子が正確な格子位置に安定して配置される。また原子
の再蒸発が過剰になる事による原子の空孔が生じる欠点
が抑制されるので、より完全な結晶が得やすい。
【図１】本発明の一実施例におけるカリウム添加硫化カ
ドミウム亜鉛混晶薄膜を作製する分子線エピタキシャル
装置の構造を示す概略図である。
ドミウム亜鉛混晶薄膜を作製する分子線エピタキシャル
装置の構造を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施例におけるカリウム添加硫化カ
ドミウム亜鉛混晶薄膜の温度１２Ｋにおけるフォトルミ
ネッセンススペクトルを示す図である。
ドミウム亜鉛混晶薄膜の温度１２Ｋにおけるフォトルミ
ネッセンススペクトルを示す図である。
１ 真空容器
２ 超高真空排気装置
３ 基板ホルダー
４ 基板
５ 硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜
６ａ ルツボに入った金属カドミウム６ｂ シャッ
ター ６ｃ カドミウム分子線 ７ａ ルツボに入った金属亜鉛 ７ｂ シャッター ７ｃ 亜鉛分子線 ８ａ ルツボに入った硫黄 ８ｂ シャッター ８ｃ 硫黄分子線 ９ａ ルツボに入った硫化カリウム ９ｂ シャッター ９ｃ 硫化カリウム分子線
ター ６ｃ カドミウム分子線 ７ａ ルツボに入った金属亜鉛 ７ｂ シャッター ７ｃ 亜鉛分子線 ８ａ ルツボに入った硫黄 ８ｂ シャッター ８ｃ 硫黄分子線 ９ａ ルツボに入った硫化カリウム ９ｂ シャッター ９ｃ 硫化カリウム分子線
Claims (4)
- 【請求項１】 真空中で、基板表面に硫黄分子線とカ
ドミウム分子線と亜鉛分子線を照射する分子線エピタキ
シー法で硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜を製造するに際し
、加熱蒸発させた硫化カリウムの分子線を同時に照射し
て混晶薄膜にカリウムを添加することを特徴とするカリ
ウム添加硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 硫黄分子線が硫黄を加熱蒸発させるか
、硫化水素、ジメチル硫黄、ジエチル硫黄、メチルメル
カプタンおよびエチルメルカプタンから成る群から選ば
れた少なくとも１種の硫黄化合物を加熱分解して得た硫
黄分子線であり、カドミウム分子線が金属カドミウムを
加熱蒸発させるか、ジメチルカドミウムおよびジエチル
カドミウムから成る群から選ばれた少なくとも１種のカ
ドミウム化合物の蒸気を加熱分解して得た分子線であり
、亜鉛分子線が金属亜鉛を加熱蒸発させるか、ジメチル
亜鉛およびジエチル亜鉛から成る群から選ばれた少なく
とも１種の亜鉛化合物の蒸気を加熱分解して得た分子線
である請求項１記載のカリウム添加硫化カドミウム亜鉛
混晶薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 基板がガリウム砒素、ガリウム燐、イ
ンジウム燐のうちいずれかの単結晶である請求項１記載
のカリウム添加硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法
。 - 【請求項４】 基板温度が２００℃以上５００℃以下
である請求項１から３のいずれかに記載のカリウム添加
硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3097480A JPH04325499A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | カリウム添加硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3097480A JPH04325499A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | カリウム添加硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04325499A true JPH04325499A (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=14193450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3097480A Pending JPH04325499A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | カリウム添加硫化カドミウム亜鉛混晶薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04325499A (ja) |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP3097480A patent/JPH04325499A/ja active Pending
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