JPH04325672A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH04325672A JPH04325672A JP3095803A JP9580391A JPH04325672A JP H04325672 A JPH04325672 A JP H04325672A JP 3095803 A JP3095803 A JP 3095803A JP 9580391 A JP9580391 A JP 9580391A JP H04325672 A JPH04325672 A JP H04325672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pallet
- target
- center
- substrate
- targets
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜形成の手段として用
いるスパッタリング装置に関するものである。
いるスパッタリング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、スパッタリングは薄膜形成におい
て最も一般的に用いられている成膜手段であり種々のデ
バイス製造に用いられている。
て最も一般的に用いられている成膜手段であり種々のデ
バイス製造に用いられている。
【０００３】以下に従来のスパッタリング装置について
説明する。図２は、従来のスパッタリング装置を示すも
のである。図２において、１１は真空槽である。１２は
パレットであり、回転軸１７を介してモータ１８に接続
されている。１３，１４は基板であり、基板保持具１５
，１６によってパレット１２に装着されている。１９，
２０はターゲットであり、基板１３，１４に対向する位
置に設置されている。実際にはターゲットの数は４個程
度、基板の数は１０枚程度とするのが一般的であるが、
本図では簡略化のために省略した。
説明する。図２は、従来のスパッタリング装置を示すも
のである。図２において、１１は真空槽である。１２は
パレットであり、回転軸１７を介してモータ１８に接続
されている。１３，１４は基板であり、基板保持具１５
，１６によってパレット１２に装着されている。１９，
２０はターゲットであり、基板１３，１４に対向する位
置に設置されている。実際にはターゲットの数は４個程
度、基板の数は１０枚程度とするのが一般的であるが、
本図では簡略化のために省略した。
【０００４】以上のように構成されたスパッタリング装
置は、ターゲットの使用効率の向上と基板１枚当りの成
膜時間の短縮を図ったものであり、モータ１８によって
パレット１２を回転させながら、ターゲット１９，２０
を同時に使用して成膜を行なう。
置は、ターゲットの使用効率の向上と基板１枚当りの成
膜時間の短縮を図ったものであり、モータ１８によって
パレット１２を回転させながら、ターゲット１９，２０
を同時に使用して成膜を行なう。
【０００５】
【発明が解決しょうとする課題】上記の従来の構成では
、ターゲット１９，２０の中心とパレット１２の回転軸
との距離はほぼ等しく、基板１３，１４の中心とパレッ
ト１２の回転中心との距離とほぼ一致している。通常ス
パッタリングではターゲットの中心の直上で最も成膜速
度が速い。したがって、基板１３，１４上での膜厚分布
は図３に示すように、基板の中心付近で厚く、外周部で
薄くなる。光ディスクのように基板の全面にわたって精
度よく、均一に成膜する必要がある場合には、基板に対
して大きなターゲットが必要となり、コストが高くなる
という問題点を有していた。
、ターゲット１９，２０の中心とパレット１２の回転軸
との距離はほぼ等しく、基板１３，１４の中心とパレッ
ト１２の回転中心との距離とほぼ一致している。通常ス
パッタリングではターゲットの中心の直上で最も成膜速
度が速い。したがって、基板１３，１４上での膜厚分布
は図３に示すように、基板の中心付近で厚く、外周部で
薄くなる。光ディスクのように基板の全面にわたって精
度よく、均一に成膜する必要がある場合には、基板に対
して大きなターゲットが必要となり、コストが高くなる
という問題点を有していた。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、比較的小さなターゲットを用いて、低コストで膜厚
分布の小さな成膜ができるスパッタリング装置を提供す
ることを目的とする。
で、比較的小さなターゲットを用いて、低コストで膜厚
分布の小さな成膜ができるスパッタリング装置を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のスパッタリング装置は、複数のターゲットの
うち少なくとも一つのターゲットのパレットの回転中心
との距離が他と異なる構成としている。
に本発明のスパッタリング装置は、複数のターゲットの
うち少なくとも一つのターゲットのパレットの回転中心
との距離が他と異なる構成としている。
【０００８】
【作用】この構成によって、成膜時にパレットの回転に
伴って基板が通過していくターゲット毎に基板とターゲ
ットの相対位置が異なり、基板上での膜厚分布も異なる
結果となる。これによって個々のターゲットにおける膜
厚分布が相殺され、大きなターゲットを使用しなくても
、総合的には基板上での膜厚分布を小さくすることがで
きる。
伴って基板が通過していくターゲット毎に基板とターゲ
ットの相対位置が異なり、基板上での膜厚分布も異なる
結果となる。これによって個々のターゲットにおける膜
厚分布が相殺され、大きなターゲットを使用しなくても
、総合的には基板上での膜厚分布を小さくすることがで
きる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１は本発明の一実施例における
スパッタリング装置を示すものである。図１において、
１は真空槽である。２はパレットであり、回転軸７を介
してモータ８に接続されている。３，４は基板であり、
基板保持具５，６によってパレット２に装着されている
。９，１０はターゲットであり、基板３，４に対向する
位置に設置されている。実際にはターゲットの数は４個
、基板の数は８枚であるが、本図では簡略化のために省
略した。
照しながら説明する。図１は本発明の一実施例における
スパッタリング装置を示すものである。図１において、
１は真空槽である。２はパレットであり、回転軸７を介
してモータ８に接続されている。３，４は基板であり、
基板保持具５，６によってパレット２に装着されている
。９，１０はターゲットであり、基板３，４に対向する
位置に設置されている。実際にはターゲットの数は４個
、基板の数は８枚であるが、本図では簡略化のために省
略した。
【００１０】パレットの回転中心と基板の中心との距離
をＲ，基板の半径をｒとすると、パレットの回転中心と
ターゲット９，１０の中心との距離ａ，ｂは、概略（数
１），（数２）の関係にある。また、図示しなかったタ
ーゲットとパレットの回転中心の位置関係は、一方はタ
ーゲット９と、他方はターゲット１０と同じである。
をＲ，基板の半径をｒとすると、パレットの回転中心と
ターゲット９，１０の中心との距離ａ，ｂは、概略（数
１），（数２）の関係にある。また、図示しなかったタ
ーゲットとパレットの回転中心の位置関係は、一方はタ
ーゲット９と、他方はターゲット１０と同じである。
【００１１】
【数１】
【００１２】
【数２】以上のように構成されたスパッタリング装置で
、パレットを回転させながらターゲット９，１０、ある
いは全てのターゲットを同時に使用して成膜することに
より、個々のターゲットにおける膜厚分布が相殺され、
図４に示すように、総合的には基板上での膜厚分布が小
さくなる。
、パレットを回転させながらターゲット９，１０、ある
いは全てのターゲットを同時に使用して成膜することに
より、個々のターゲットにおける膜厚分布が相殺され、
図４に示すように、総合的には基板上での膜厚分布が小
さくなる。
【００１３】なお、パレットの回転に伴って基板が自転
する機構を設けることによって、基板上での膜厚分布を
さらに小さくすることができる。
する機構を設けることによって、基板上での膜厚分布を
さらに小さくすることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明は、複数のターゲッ
トのうち少なくとも一つのターゲットのパレットの回転
中心との距離が他と異なる構成とすることにより、比較
的小さなターゲットを用いて、低コストで膜厚分布の小
さな成膜ができる優れたスパッタリング装置を実現でき
るものである。
トのうち少なくとも一つのターゲットのパレットの回転
中心との距離が他と異なる構成とすることにより、比較
的小さなターゲットを用いて、低コストで膜厚分布の小
さな成膜ができる優れたスパッタリング装置を実現でき
るものである。
【図１】本発明の実施例におけるスパッタリング装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】従来のスパッタリング装置の断面図である。
【図３】従来のスパッタリング装置で成膜した際の基板
上での膜厚分布を示すグラフである。
上での膜厚分布を示すグラフである。
【図４】本発明の実施例におけるスパッタリング装置で
成膜した際の基板上での膜厚分布を示すグラフである。
成膜した際の基板上での膜厚分布を示すグラフである。
１，１１ 真空槽
２，１２ パレット
３，４，１３，１４ 基板
５，６，１５，１６ 基板保持具
７，１７ 回転軸
８，１８ モータ
９，１０，１９，２０ ターゲット
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の基板を装着したパレットを回転
させながら、同一真空槽中に設置した複数のターゲット
を同時に使用して、成膜を行なうスパッタリング装置で
あって、少なくとも一つのターゲットは、パレットの回
転中心との距離が他のターゲットと異なるスパッタリン
グ装置。 - 【請求項２】 パレットの回転に伴って基板が自転す
る機構を有する請求項１記載のスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3095803A JPH04325672A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3095803A JPH04325672A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04325672A true JPH04325672A (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=14147593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3095803A Pending JPH04325672A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04325672A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020137145A1 (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP3095803A patent/JPH04325672A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020137145A1 (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
| CN112639158A (zh) * | 2018-12-28 | 2021-04-09 | 株式会社爱发科 | 成膜装置以及成膜方法 |
| JPWO2020137145A1 (ja) * | 2018-12-28 | 2021-09-09 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2627651B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JP2602976B2 (ja) | カソードスパツタリング装置 | |
| JPS62116761A (ja) | マスキング装置 | |
| JPH0266774A (ja) | 記録再生装置 | |
| JP3458450B2 (ja) | スパッタリング方法 | |
| US5254236A (en) | Sputtering apparatus | |
| JPH10317135A (ja) | スパッタ成膜用の膜厚補正機構 | |
| JPS58144474A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPH04221061A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0343233Y2 (ja) | ||
| JPH0526755Y2 (ja) | ||
| JP2011026652A (ja) | 両面成膜装置 | |
| JPH07316808A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2000265261A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JP3526342B2 (ja) | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 | |
| JP3075228B2 (ja) | 基板取付治具 | |
| JPH06256940A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH0280568A (ja) | 薄膜製造装置における基板保持機構 | |
| JPH02219213A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPS6251221A (ja) | 塗布装置 | |
| JPH0285366A (ja) | 薄膜製造装置における薄膜形成方法 | |
| JPS62270768A (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPH03257163A (ja) | マグネトロン型スパッタ装置 | |
| JPH0343232Y2 (ja) | ||
| JPS63149375A (ja) | マグネトロンスパツタリング装置 |