JP2000265261A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チャンバー容量（スペース）を小さくでき、
しかもウエハなどの被蒸着部材への蒸着ビームの入射角
の面内ばらつきを小さくし、パターンなどの蒸着膜の断
面形状が均一化できる真空蒸着装置を得ること。 【解決手段】 本発明の真空蒸着装置１Ａは、蒸着源２
と被蒸着部材であるウエハＷとの間に、前記蒸着源２か
ら見てウエハＷの蒸着面の一部分が露出する開口４が形
成された遮蔽板３を設け、ウエハＷを、その中心点Ｐを
軸として回転させながら蒸着膜Ｍを成膜できるように構
成されている。前記開口４の形状はウエハＷの中心点Ｐ
に要が一致する扇形であることが好ましく、また、蒸着
源２からウエハＷへの蒸着ビームＢの法線が入射する点
が前記開口４内の中央或いはその近傍にあることが好ま
しい。
しかもウエハなどの被蒸着部材への蒸着ビームの入射角
の面内ばらつきを小さくし、パターンなどの蒸着膜の断
面形状が均一化できる真空蒸着装置を得ること。 【解決手段】 本発明の真空蒸着装置１Ａは、蒸着源２
と被蒸着部材であるウエハＷとの間に、前記蒸着源２か
ら見てウエハＷの蒸着面の一部分が露出する開口４が形
成された遮蔽板３を設け、ウエハＷを、その中心点Ｐを
軸として回転させながら蒸着膜Ｍを成膜できるように構
成されている。前記開口４の形状はウエハＷの中心点Ｐ
に要が一致する扇形であることが好ましく、また、蒸着
源２からウエハＷへの蒸着ビームＢの法線が入射する点
が前記開口４内の中央或いはその近傍にあることが好ま
しい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、情
報記録ディスク基板など、表面の少なくとも一部が平面
に形成された被蒸着部材の前記平面に蒸着膜を良好に成
膜できる真空蒸着装置に関するものである。
報記録ディスク基板など、表面の少なくとも一部が平面
に形成された被蒸着部材の前記平面に蒸着膜を良好に成
膜できる真空蒸着装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来技術の真空蒸着装置を図５乃
至図７を参照しながら説明する。なお、以下の説明にお
いては、被蒸着部材の一例として半導体ウエハを採り上
げ、そしてこれを単に「ウエハ」と記して説明する。図
５は従来技術の真空蒸着装置の原理を示していて、その
真空蒸着装置１が寸法上、ウエハＷと蒸着源２との距離
をウエハＷの直径に対して十分に長く取れないない場
合、ウエハＷの平面への蒸着ビームＢの入射角θがウエ
ハ面内でばらつく。例えば、リフトオフ法でメタル等の
パターンを形成する場合、ウエハＷの全面にわたって入
射角が垂直であることが望ましい。
至図７を参照しながら説明する。なお、以下の説明にお
いては、被蒸着部材の一例として半導体ウエハを採り上
げ、そしてこれを単に「ウエハ」と記して説明する。図
５は従来技術の真空蒸着装置の原理を示していて、その
真空蒸着装置１が寸法上、ウエハＷと蒸着源２との距離
をウエハＷの直径に対して十分に長く取れないない場
合、ウエハＷの平面への蒸着ビームＢの入射角θがウエ
ハ面内でばらつく。例えば、リフトオフ法でメタル等の
パターンを形成する場合、ウエハＷの全面にわたって入
射角が垂直であることが望ましい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、蒸着ビームＢ
の入射角θがばらつき、例えば、図６に示したように、
マスクのレジスト層Ｒの開口Ｒａに対して蒸着ビームＢ
が右上方から左下方へ斜めに入射すると、開口Ｒａの左
側壁にメタル等の蒸着膜Ｍａが付着し、傾斜蒸着ビーム
Ｂに対して右側壁の影になるウエハＷの平面には蒸着膜
が形成されない状態になる。このような成膜状態のもの
をリフトオフすると、図７に示したように、左側壁に付
着した前記蒸着膜Ｍａがバリ状となって残り、反対に前
記の右側壁の影になったウエハＷの平面に蒸着膜が形成
されず、隙間Ｇが生じるといったパターンの形状不良が
生じ、半導体素子などの製品の品質を低下させるなどの
問題が惹起する。
の入射角θがばらつき、例えば、図６に示したように、
マスクのレジスト層Ｒの開口Ｒａに対して蒸着ビームＢ
が右上方から左下方へ斜めに入射すると、開口Ｒａの左
側壁にメタル等の蒸着膜Ｍａが付着し、傾斜蒸着ビーム
Ｂに対して右側壁の影になるウエハＷの平面には蒸着膜
が形成されない状態になる。このような成膜状態のもの
をリフトオフすると、図７に示したように、左側壁に付
着した前記蒸着膜Ｍａがバリ状となって残り、反対に前
記の右側壁の影になったウエハＷの平面に蒸着膜が形成
されず、隙間Ｇが生じるといったパターンの形状不良が
生じ、半導体素子などの製品の品質を低下させるなどの
問題が惹起する。
【０００４】本発明は前記のような課題を解決しようと
するものであって、チャンバー容量（スペース）を小さ
くでき、しかもウエハなどの被蒸着部材への蒸着ビーム
の入射角の面内ばらつきを小さくし、パターンなどの蒸
着膜の断面形状が均一化できる真空蒸着装置を得ること
を目的とするものである。
するものであって、チャンバー容量（スペース）を小さ
くでき、しかもウエハなどの被蒸着部材への蒸着ビーム
の入射角の面内ばらつきを小さくし、パターンなどの蒸
着膜の断面形状が均一化できる真空蒸着装置を得ること
を目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、請求項１に記載の本発明の真空蒸着装置で
は、複数の表面の少なくとも一部が平面に形成され、回
転支持された被蒸着部材と蒸着源との間に、その蒸着源
から見て前記被蒸着部材の平面の一部分が露出する開口
が形成された遮蔽板を配設し、前記被蒸着部材を、その
中心を軸として回転させながら前記開口を通して前記被
蒸着部材の平面に蒸着膜を成膜できるように構成して、
前記課題を解決している。また、請求項２に記載の本発
明の真空蒸着装置では、請求項１に記載の真空蒸着装置
における前記蒸着源から発生する蒸着ビームの前記被蒸
着部材の平面への法線が入射する点が前記遮蔽板の前記
開口内の中央或いはその近傍にあるように構成して、前
記課題を解決している。更にまた、請求項３に記載の本
発明の真空蒸着装置では、請求項１に記載の真空蒸着装
置における前記遮蔽板の前記開口の形状を前記被蒸着部
材の平面の中心に要が一致する扇形に形成して、前記課
題を解決している。そして更にまた、請求項４に記載の
本発明の真空蒸着装置では、請求項２に記載の真空蒸着
装置における前記法線の入射点を前記遮蔽板の前記開口
内にあり、好ましくは請求項３に記載の真空蒸着装置に
おける前記扇形の半径の二分の一の円周と前記扇形の中
心角を二分割する径線の交差部或いはその近傍となるよ
うに構成して、前記課題を解決している。そして更にま
た、請求項５に記載の本発明の真空蒸着装置では、請求
項３に記載の真空蒸着装置における前記扇形の形状を４
分の１以下の分割円で形成して、前記課題を解決してい
る。そして更にまた、請求項６に記載の本発明の真空蒸
着装置では、複数の表面の少なくとも一部が平面に形成
され、回転支持された被蒸着部材を、回転する同一の円
板に共通の蒸着源を中心にして所定の間隔で配設し、個
々の前記被蒸着部材と前記蒸着源との間に、前記蒸着源
から見て前記被蒸着部材の平面の一部分が露出する開口
が形成された遮蔽板を配設し、前記被蒸着部材を、その
中心を軸として回転させながら、前記開口を通して前記
被蒸着部材の平面に蒸着膜を成膜できるように構成し
て、前記課題を解決している。
るために、請求項１に記載の本発明の真空蒸着装置で
は、複数の表面の少なくとも一部が平面に形成され、回
転支持された被蒸着部材と蒸着源との間に、その蒸着源
から見て前記被蒸着部材の平面の一部分が露出する開口
が形成された遮蔽板を配設し、前記被蒸着部材を、その
中心を軸として回転させながら前記開口を通して前記被
蒸着部材の平面に蒸着膜を成膜できるように構成して、
前記課題を解決している。また、請求項２に記載の本発
明の真空蒸着装置では、請求項１に記載の真空蒸着装置
における前記蒸着源から発生する蒸着ビームの前記被蒸
着部材の平面への法線が入射する点が前記遮蔽板の前記
開口内の中央或いはその近傍にあるように構成して、前
記課題を解決している。更にまた、請求項３に記載の本
発明の真空蒸着装置では、請求項１に記載の真空蒸着装
置における前記遮蔽板の前記開口の形状を前記被蒸着部
材の平面の中心に要が一致する扇形に形成して、前記課
題を解決している。そして更にまた、請求項４に記載の
本発明の真空蒸着装置では、請求項２に記載の真空蒸着
装置における前記法線の入射点を前記遮蔽板の前記開口
内にあり、好ましくは請求項３に記載の真空蒸着装置に
おける前記扇形の半径の二分の一の円周と前記扇形の中
心角を二分割する径線の交差部或いはその近傍となるよ
うに構成して、前記課題を解決している。そして更にま
た、請求項５に記載の本発明の真空蒸着装置では、請求
項３に記載の真空蒸着装置における前記扇形の形状を４
分の１以下の分割円で形成して、前記課題を解決してい
る。そして更にまた、請求項６に記載の本発明の真空蒸
着装置では、複数の表面の少なくとも一部が平面に形成
され、回転支持された被蒸着部材を、回転する同一の円
板に共通の蒸着源を中心にして所定の間隔で配設し、個
々の前記被蒸着部材と前記蒸着源との間に、前記蒸着源
から見て前記被蒸着部材の平面の一部分が露出する開口
が形成された遮蔽板を配設し、前記被蒸着部材を、その
中心を軸として回転させながら、前記開口を通して前記
被蒸着部材の平面に蒸着膜を成膜できるように構成し
て、前記課題を解決している。
【０００６】従って、請求項１に記載の本発明の真空蒸
着装置によれば、遮蔽板がない場合に比較して、被蒸着
部材の平面への蒸着ビームの入射角の面内ばらつきを小
さくでき、蒸着膜厚を均一化することができ、従って、
チャンバー容量を小さくできる。また、請求項２に記載
の本発明の真空蒸着装置によれば、前記遮蔽板の開口を
介して露出された被蒸着部材の平面へ蒸着ビームをほぼ
垂直に、そして対称的に入射させることができ、請求項
１に記載の発明の前記作用効果をより一層効果的にでき
る。更にまた、請求項３に記載の本発明の真空蒸着装置
によれば、請求項１に記載の発明の前記作用効果に加え
て、前記被蒸着部材の平面の回転中心を中心にほぼ前記
平面全面に均一な膜厚の蒸着膜を形成することができ
る。そして更にまた、請求項４に記載の本発明の真空蒸
着装置によれば、請求項１乃至請求項３に記載の発明の
前記作用効果に加えて、前記遮蔽板の開口を介して露出
された前記被蒸着部材の平面に対して蒸着ビームを垂直
に入射させることができ、前記平面全面に均一な膜厚の
蒸着膜を形成することができる。そして更にまた、請求
項５に記載の本発明の真空蒸着装置によれば、請求項３
に記載の発明の前記作用効果に加えて、前記扇形の開口
で露出された被蒸着部材の平面に対する蒸着ビームの入
射角のばらつきを一定の範囲内に止めることができ、前
記平面全面により一層均一な膜厚の蒸着膜を形成するこ
とができる。最後に請求項６に記載の本発明の真空蒸着
装置によれば、プラネタリー方式に構成したことによ
り、前記のそれぞれの作用効果に加えて、複数の被蒸着
部材の平面に一度に良好な蒸着膜を形成することができ
る。
着装置によれば、遮蔽板がない場合に比較して、被蒸着
部材の平面への蒸着ビームの入射角の面内ばらつきを小
さくでき、蒸着膜厚を均一化することができ、従って、
チャンバー容量を小さくできる。また、請求項２に記載
の本発明の真空蒸着装置によれば、前記遮蔽板の開口を
介して露出された被蒸着部材の平面へ蒸着ビームをほぼ
垂直に、そして対称的に入射させることができ、請求項
１に記載の発明の前記作用効果をより一層効果的にでき
る。更にまた、請求項３に記載の本発明の真空蒸着装置
によれば、請求項１に記載の発明の前記作用効果に加え
て、前記被蒸着部材の平面の回転中心を中心にほぼ前記
平面全面に均一な膜厚の蒸着膜を形成することができ
る。そして更にまた、請求項４に記載の本発明の真空蒸
着装置によれば、請求項１乃至請求項３に記載の発明の
前記作用効果に加えて、前記遮蔽板の開口を介して露出
された前記被蒸着部材の平面に対して蒸着ビームを垂直
に入射させることができ、前記平面全面に均一な膜厚の
蒸着膜を形成することができる。そして更にまた、請求
項５に記載の本発明の真空蒸着装置によれば、請求項３
に記載の発明の前記作用効果に加えて、前記扇形の開口
で露出された被蒸着部材の平面に対する蒸着ビームの入
射角のばらつきを一定の範囲内に止めることができ、前
記平面全面により一層均一な膜厚の蒸着膜を形成するこ
とができる。最後に請求項６に記載の本発明の真空蒸着
装置によれば、プラネタリー方式に構成したことによ
り、前記のそれぞれの作用効果に加えて、複数の被蒸着
部材の平面に一度に良好な蒸着膜を形成することができ
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の真空蒸着装置の原
理を添付の図１乃至図４を用いて説明する。図１は本発
明の真空蒸着装置の原理を説明するための側面図、図２
は図１に示した真空蒸着装置の蒸着源から見た平面図、
図３はプラネタリー方式で構成した本発明の真空蒸着装
置の原理図、そして図４は図３に示した真空蒸着装置の
蒸着源から見た平面図である。なお、本発明の真空蒸着
装置の説明においても、被蒸着部材の一例として半導体
ウエハを採り上げ、そしてこれを単に「ウエハ」と記し
て説明する。また、従来技術の真空蒸着装置１と同一の
部分には同一の符号を付して説明する。
理を添付の図１乃至図４を用いて説明する。図１は本発
明の真空蒸着装置の原理を説明するための側面図、図２
は図１に示した真空蒸着装置の蒸着源から見た平面図、
図３はプラネタリー方式で構成した本発明の真空蒸着装
置の原理図、そして図４は図３に示した真空蒸着装置の
蒸着源から見た平面図である。なお、本発明の真空蒸着
装置の説明においても、被蒸着部材の一例として半導体
ウエハを採り上げ、そしてこれを単に「ウエハ」と記し
て説明する。また、従来技術の真空蒸着装置１と同一の
部分には同一の符号を付して説明する。
【０００８】先ず、図１及び図２を用いて本発明の真空
蒸着装置の原理を説明する。図１において、符号１Ａは
本発明の真空蒸着装置を指す。この真空蒸着装置１Ａで
は、蒸着源２と被蒸着部材であるウエハＷとの間に遮蔽
板３を配設した。その遮蔽板３には、前記蒸着源２から
見てウエハＷの蒸着面の一部分が露出する開口４が形成
されている。また、この真空蒸着装置１Ａは、ウエハＷ
を、その中心点Ｐを軸として回転駆動する回転駆動装置
（不図示）を具備し、符号５はその回転軸である。
蒸着装置の原理を説明する。図１において、符号１Ａは
本発明の真空蒸着装置を指す。この真空蒸着装置１Ａで
は、蒸着源２と被蒸着部材であるウエハＷとの間に遮蔽
板３を配設した。その遮蔽板３には、前記蒸着源２から
見てウエハＷの蒸着面の一部分が露出する開口４が形成
されている。また、この真空蒸着装置１Ａは、ウエハＷ
を、その中心点Ｐを軸として回転駆動する回転駆動装置
（不図示）を具備し、符号５はその回転軸である。
【０００９】従って、ウエハＷの表面に蒸着膜を成膜す
る場合には、回転軸５を中心にウエハＷを回転させなが
ら蒸着源２から蒸着ビームＢを前記遮蔽板３の開口４を
通して、回転しているウエハＷの表面を照射し、蒸着膜
を成膜する。ウエハＷは中心点Ｐを軸に回転しているの
で、遮蔽板３の開口４に対向する部分が入れ代わるの
で、ほぼウエハＷの全面に蒸着膜を成膜することができ
る。
る場合には、回転軸５を中心にウエハＷを回転させなが
ら蒸着源２から蒸着ビームＢを前記遮蔽板３の開口４を
通して、回転しているウエハＷの表面を照射し、蒸着膜
を成膜する。ウエハＷは中心点Ｐを軸に回転しているの
で、遮蔽板３の開口４に対向する部分が入れ代わるの
で、ほぼウエハＷの全面に蒸着膜を成膜することができ
る。
【００１０】これにより、ウエハ面内における蒸着ビー
ムＢの入射角のばらつきは遮蔽板３が無い場合に比較し
て小さく（＜１／２）なる。例えば、入射角を垂直にし
たい場合には、開口４のほぼ中央におけるウエハＷへの
入射角を垂直にするとよい（Ａ点の位置）。
ムＢの入射角のばらつきは遮蔽板３が無い場合に比較し
て小さく（＜１／２）なる。例えば、入射角を垂直にし
たい場合には、開口４のほぼ中央におけるウエハＷへの
入射角を垂直にするとよい（Ａ点の位置）。
【００１１】図２は蒸着源２から見たウエハＷと遮蔽板
３の開口４との位置関係を示したものであるが、ウエハ
ＷがＰ点を中心にして回転する場合、蒸着膜厚を面内で
均一にするためには、開口４は図示のように、扇の要を
中心点Ｐに合わせた扇形（分割円形）であることが必要
である。垂直入射の場合は、扇形の半径の１／２の円周
線と中心角を１／２に分割する半径の線との交点Ａで蒸
着ビームＢの入射角が垂直になるのが望ましい。この場
合、入射角のばらつきが一定の範囲は交点Ａを中心とし
た円形Ｃになるので、前記開口４の扇形は１／４円より
も小さい方が望ましい。図２における斜線部分では、蒸
着ビームＢの入射角のばらつきが大きくなるので、ウエ
ハ面内でのバランスを考慮した場合、蒸着ビームＢの垂
直入射点は交点Ａよりも少し外側でもよい。扇形の角度
が小さい方が入射角のばらつきが小さくなる。
３の開口４との位置関係を示したものであるが、ウエハ
ＷがＰ点を中心にして回転する場合、蒸着膜厚を面内で
均一にするためには、開口４は図示のように、扇の要を
中心点Ｐに合わせた扇形（分割円形）であることが必要
である。垂直入射の場合は、扇形の半径の１／２の円周
線と中心角を１／２に分割する半径の線との交点Ａで蒸
着ビームＢの入射角が垂直になるのが望ましい。この場
合、入射角のばらつきが一定の範囲は交点Ａを中心とし
た円形Ｃになるので、前記開口４の扇形は１／４円より
も小さい方が望ましい。図２における斜線部分では、蒸
着ビームＢの入射角のばらつきが大きくなるので、ウエ
ハ面内でのバランスを考慮した場合、蒸着ビームＢの垂
直入射点は交点Ａよりも少し外側でもよい。扇形の角度
が小さい方が入射角のばらつきが小さくなる。
【００１２】なお、ウエハＷと開口４との位置ずれを考
慮すると、図２の構造では、ウエハＷの中心点Ｐの近傍
で膜厚のばらつきが生じる（蒸着されない、或いは数倍
の膜厚が付く）ので、ウエハＷの中心付近（扇の要とウ
エハＷの中心点Ｐとの最大位置ずれ量を半径とする円
内）は利用しないことも必要である（製品化しない）。
慮すると、図２の構造では、ウエハＷの中心点Ｐの近傍
で膜厚のばらつきが生じる（蒸着されない、或いは数倍
の膜厚が付く）ので、ウエハＷの中心付近（扇の要とウ
エハＷの中心点Ｐとの最大位置ずれ量を半径とする円
内）は利用しないことも必要である（製品化しない）。
【００１３】蒸着レートは遮蔽板３が無い場合に比較し
て、開口４からのウエハＷの露出比率に比例して小さく
なるのはいうまでもない。
て、開口４からのウエハＷの露出比率に比例して小さく
なるのはいうまでもない。
【００１４】次に、図３及び図４を用いて、本発明の真
空蒸着装置１Ｂを説明する。この真空蒸着装置１Ｂは、
ドーム状円板のプラネタリー（ウエハホルダー）６に複
数のウエハＷをセットし、そのプラネタリー６が回転す
る所謂プラネタリー方式の真空蒸着装置である。そして
それぞれのウエハＷは回転軸５を中心に回転させられ、
それぞれのウエハＷとこれらに共通の蒸着源２との間に
開口４が形成された遮蔽板３が配設されている。この場
合も、それぞれのウエハＷの平面、遮蔽板３の開口４、
その形状、蒸着ビームＢとの前記関係を満足するように
配設する。即ち、垂直蒸着の場合、従来はプラネタリー
６は蒸着源２を中心とする等球面状となし、ウエハＷの
中心が蒸着源２に向くように配設されるが、本発明の真
空蒸着装置１Ｂでは、前記と同様に交点Ａで蒸着ビーム
Ｂの入射角が垂直になるようウエハＷがセットされる。
プラネタリー６は膜厚の均一性を向上させるため、その
中心点Ｑを回転軸７として回転するように構成されてい
る。
空蒸着装置１Ｂを説明する。この真空蒸着装置１Ｂは、
ドーム状円板のプラネタリー（ウエハホルダー）６に複
数のウエハＷをセットし、そのプラネタリー６が回転す
る所謂プラネタリー方式の真空蒸着装置である。そして
それぞれのウエハＷは回転軸５を中心に回転させられ、
それぞれのウエハＷとこれらに共通の蒸着源２との間に
開口４が形成された遮蔽板３が配設されている。この場
合も、それぞれのウエハＷの平面、遮蔽板３の開口４、
その形状、蒸着ビームＢとの前記関係を満足するように
配設する。即ち、垂直蒸着の場合、従来はプラネタリー
６は蒸着源２を中心とする等球面状となし、ウエハＷの
中心が蒸着源２に向くように配設されるが、本発明の真
空蒸着装置１Ｂでは、前記と同様に交点Ａで蒸着ビーム
Ｂの入射角が垂直になるようウエハＷがセットされる。
プラネタリー６は膜厚の均一性を向上させるため、その
中心点Ｑを回転軸７として回転するように構成されてい
る。
【００１５】なお、プラネタリーが複数（通常３個）の
場合も同様である。その場合、プラネタリーはプラネタ
リー間の中心位置の周りを公転する。
場合も同様である。その場合、プラネタリーはプラネタ
リー間の中心位置の周りを公転する。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の真空蒸着装置は、被蒸着部材の平面への蒸着ビームの
入射角の面内ばらつきを小さくでき、このことにより蒸
着膜厚を均一化でき、例えば、メタル等のパターン断面
形状を均一化できる。従って、半導体素子などの製品の
品質が安定する。また、蒸着源と被蒸着部材との距離を
短くできるので、チャンバー容量（スペース）の小さい
真空蒸着装置を得ることができる。
の真空蒸着装置は、被蒸着部材の平面への蒸着ビームの
入射角の面内ばらつきを小さくでき、このことにより蒸
着膜厚を均一化でき、例えば、メタル等のパターン断面
形状を均一化できる。従って、半導体素子などの製品の
品質が安定する。また、蒸着源と被蒸着部材との距離を
短くできるので、チャンバー容量（スペース）の小さい
真空蒸着装置を得ることができる。
【図１】 本発明の真空蒸着装置の原理を説明するため
の側面図である。
の側面図である。
【図２】 図１に示した真空蒸着装置の蒸着源から見た
平面図である。
平面図である。
【図３】 プラネタリー方式で構成した本発明の真空蒸
着装置の原理図である。
着装置の原理図である。
【図４】 図３に示した真空蒸着装置の蒸着源から見た
平面図である。
平面図である。
【図５】 従来技術の真空蒸着装置の原理を示す側面図
である。
である。
【図６】 図５に示した従来技術の真空蒸着装置の蒸着
ビームによる被蒸着部材への成膜状態を示す断面図であ
る。
ビームによる被蒸着部材への成膜状態を示す断面図であ
る。
【図７】 図６に示した成膜状態からリフトオフした場
合に生じる好ましくない蒸着膜の状態を示す断面図であ
る。
合に生じる好ましくない蒸着膜の状態を示す断面図であ
る。
１Ａ…本発明の真空蒸着装置、１Ｂ……本発明のプラネ
タリー方式の真空蒸着装置、２…蒸着源、３…遮蔽板、
４…遮蔽板３の開口、５，７…回転軸、６…プラネタリ
ー、Ｂ…蒸着源２からの蒸着ビーム、Ｍ…蒸着膜、Ｐ…
ウエハＷの回転中心、Ｑ…プラネタリー６の回転中心、
Ｒ…レジスト層、Ｗ…ウエハ（被蒸着部材）
タリー方式の真空蒸着装置、２…蒸着源、３…遮蔽板、
４…遮蔽板３の開口、５，７…回転軸、６…プラネタリ
ー、Ｂ…蒸着源２からの蒸着ビーム、Ｍ…蒸着膜、Ｐ…
ウエハＷの回転中心、Ｑ…プラネタリー６の回転中心、
Ｒ…レジスト層、Ｗ…ウエハ（被蒸着部材）
Claims (6)
- 【請求項１】 表面の少なくとも一部が平面に形成さ
れ、回転支持された被蒸着部材と蒸着源との間に、該蒸
着源から見て前記被蒸着部材の平面の一部分が露出する
開口が形成された遮蔽板を配設し、前記被蒸着部材を、
その中心を軸として回転させながら前記開口を通して前
記被蒸着部材の平面に蒸着膜を成膜できるように構成さ
れていることを特徴とする真空蒸着装置。 - 【請求項２】 前記蒸着源から発生する蒸着ビームの前
記被蒸着部材の平面への法線が入射する点が前記遮蔽板
の前記開口内の中央或いはその近傍にあることを特徴と
する請求項１に記載の真空蒸着装置。 - 【請求項３】 前記遮蔽板の前記開口の形状が前記被蒸
着部材の平面の中心に要が一致する扇形であることを特
徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。 - 【請求項４】 請求項２に記載の前記法線の入射点が前
記遮蔽板の前記開口内にあり、好ましくは請求項３に記
載の扇形の半径の二分の一の円周と前記扇形の中心角を
二分割する径線の交差部或いはその近傍となることを特
徴とする請求項３に記載の真空蒸着装置。 - 【請求項５】 前記扇形の形状が４分の１以下の分割円
であることを特徴とする請求項３に記載の真空蒸着装
置。 - 【請求項６】 複数の表面の少なくとも一部が平面に形
成され、回転支持された被蒸着部材を、回転する同一の
円板に共通の蒸着源を中心にして所定の間隔で配設し、
個々の前記被蒸着部材と前記蒸着源との間に、前記蒸着
源から見て前記被蒸着部材の平面の一部分が露出する開
口が形成された遮蔽板を配設し、前記被蒸着部材を、そ
の中心を軸として回転させながら、前記開口を通して前
記被蒸着部材の平面に蒸着膜を成膜できるように構成さ
れていることを特徴とする真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11073312A JP2000265261A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11073312A JP2000265261A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000265261A true JP2000265261A (ja) | 2000-09-26 |
Family
ID=13514544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11073312A Pending JP2000265261A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000265261A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6780290B2 (en) | 2001-06-04 | 2004-08-24 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method and device for forming film |
| KR100477747B1 (ko) * | 2002-07-11 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 증착장치 및 증착장치용 차단부재의 설계방법 |
| JP2010501736A (ja) * | 2006-08-25 | 2010-01-21 | コーニング インコーポレイテッド | 滑らかで緻密な光学膜を製造する方法 |
| KR101772645B1 (ko) * | 2010-08-27 | 2017-08-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용해 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| CN109402569A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-03-01 | 上海利方达真空技术有限公司 | 一种硅集成电路的铟层镀膜机构 |
-
1999
- 1999-03-18 JP JP11073312A patent/JP2000265261A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6780290B2 (en) | 2001-06-04 | 2004-08-24 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method and device for forming film |
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| KR101772645B1 (ko) * | 2010-08-27 | 2017-08-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용해 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
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