JPH04325687A - ライン式プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
ライン式プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH04325687A JPH04325687A JP12499091A JP12499091A JPH04325687A JP H04325687 A JPH04325687 A JP H04325687A JP 12499091 A JP12499091 A JP 12499091A JP 12499091 A JP12499091 A JP 12499091A JP H04325687 A JPH04325687 A JP H04325687A
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- processing
- chamber
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハーやガラス基板
等の処理基板を複数同時に処理することのできるライン
処理式プラズマＣＶＤ装置に関する。
等の処理基板を複数同時に処理することのできるライン
処理式プラズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来技術】ウエハーやガラス基板等の処理基板の表面
に薄膜を形成するＣＶＤ装置として、従来、減圧ＣＶＤ
装置やプラズマＣＶＤ装置が使用されている。この場合
、処理室内を数Ｔｏｒｒの減圧状態を維持しなければな
らないが、減圧を維持した状態での処理基板の連続的な
搬送が難しいことから、従来ではバッチ処理するように
していた。ところが、バッチ処理システムでは、処理基
板を処理室に搬入した後に、減圧、処理ガスの注入、処
理ガスの排除、昇圧を順に行わなければならず、処理サ
イクルに時間がかかり、生産効率が低いという問題があ
った。
に薄膜を形成するＣＶＤ装置として、従来、減圧ＣＶＤ
装置やプラズマＣＶＤ装置が使用されている。この場合
、処理室内を数Ｔｏｒｒの減圧状態を維持しなければな
らないが、減圧を維持した状態での処理基板の連続的な
搬送が難しいことから、従来ではバッチ処理するように
していた。ところが、バッチ処理システムでは、処理基
板を処理室に搬入した後に、減圧、処理ガスの注入、処
理ガスの排除、昇圧を順に行わなければならず、処理サ
イクルに時間がかかり、生産効率が低いという問題があ
った。
【０００３】そこで従来、平板で形成したプラズマ電極
を垂直に配置し、処理基板を垂直姿勢に保持した状態で
連続搬送するように構成したプラズマＣＶＤ装置が提供
されている。
を垂直に配置し、処理基板を垂直姿勢に保持した状態で
連続搬送するように構成したプラズマＣＶＤ装置が提供
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この場合、
平板電極と処理基板との間に形成されるプラズマ空間内
での処理ガスに対流効果が生じ、垂直に保持されている
処理基板の下部と上部とで加熱ムラが生じたり、形成し
た薄膜に厚さムラが発生したりするという問題があった
。このため、従来の連続処理式プラズマＣＶＤ装置では
、上下方向で加熱量を制御したり、ガス供給量を制御し
たりしなければならず、その制御がめんどうであるとい
う問題があった。本発明はこのような点に着目してなさ
れたもので、複数の処理基板をライン処理方式で連続的
に処理することのできるプラズマＣＶＤ装置を提供する
ことを目的とする。
平板電極と処理基板との間に形成されるプラズマ空間内
での処理ガスに対流効果が生じ、垂直に保持されている
処理基板の下部と上部とで加熱ムラが生じたり、形成し
た薄膜に厚さムラが発生したりするという問題があった
。このため、従来の連続処理式プラズマＣＶＤ装置では
、上下方向で加熱量を制御したり、ガス供給量を制御し
たりしなければならず、その制御がめんどうであるとい
う問題があった。本発明はこのような点に着目してなさ
れたもので、複数の処理基板をライン処理方式で連続的
に処理することのできるプラズマＣＶＤ装置を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、処理基板載せ換え部、予備加熱室、処
理室、搬送室とを閉ループに配置し、処理室内の下部に
平板電極を配置するとともに、平板電極に対向させて処
理室の上部にクオーツウインドウを介して加熱ヒータを
配置し、平板電極と加熱ヒータとの間に処理基板載置台
の移動路を形成し、この移動路を水平姿勢で間欠移動す
る処理基板載置台に複数の段付孔を透設して処理基板保
持部を構成し、処理室内での処理基板載置台の停止位置
に対応させてシールド装置を配置し、このシールド装置
を処理室の上壁にクオーツウインドウを取り囲む状態で
配置したことを特徴としている。
めに、本発明は、処理基板載せ換え部、予備加熱室、処
理室、搬送室とを閉ループに配置し、処理室内の下部に
平板電極を配置するとともに、平板電極に対向させて処
理室の上部にクオーツウインドウを介して加熱ヒータを
配置し、平板電極と加熱ヒータとの間に処理基板載置台
の移動路を形成し、この移動路を水平姿勢で間欠移動す
る処理基板載置台に複数の段付孔を透設して処理基板保
持部を構成し、処理室内での処理基板載置台の停止位置
に対応させてシールド装置を配置し、このシールド装置
を処理室の上壁にクオーツウインドウを取り囲む状態で
配置したことを特徴としている。
【０００５】
【作用】本発明では、処理基板載せ換え部、予備加熱室
、処理室、搬送室とを閉ループに配置し、処理室内の下
部に平板電極を配置するとともに、平板電極に対向させ
て処理室の上部にクオーツウインドウを介して加熱ヒー
タを配置し、平板電極と加熱ヒータとの間に処理基板載
置台の移動路を形成し、この移動路を水平姿勢で間欠移
動する処理基板載置台に複数の段付孔を透設して処理基
板保持部を構成しているので、複数の処理基板は処理基
板載置台に搭載された状態で搬送されることになり、搬
送中に各処理基板の搬送姿勢を平行に維持できる。これ
により、特別な加熱ヒータでの加熱制御や処理ガスの供
給量制御を行うことなく、各処理基板に均一な厚さの薄
膜を形成することができる。
、処理室、搬送室とを閉ループに配置し、処理室内の下
部に平板電極を配置するとともに、平板電極に対向させ
て処理室の上部にクオーツウインドウを介して加熱ヒー
タを配置し、平板電極と加熱ヒータとの間に処理基板載
置台の移動路を形成し、この移動路を水平姿勢で間欠移
動する処理基板載置台に複数の段付孔を透設して処理基
板保持部を構成しているので、複数の処理基板は処理基
板載置台に搭載された状態で搬送されることになり、搬
送中に各処理基板の搬送姿勢を平行に維持できる。これ
により、特別な加熱ヒータでの加熱制御や処理ガスの供
給量制御を行うことなく、各処理基板に均一な厚さの薄
膜を形成することができる。
【０００６】さらに、処理室内での処理基板載置台の停
止位置に対応させてシールド装置を配置し、このシール
ド装置を処理室の上壁にクオーツウインドウを取り囲む
状態で配置していることから、クオーツウインドウ側に
処理ガスが廻り込んで処理基板の裏面側を汚染したりク
オーツウインドウを汚染したりすることがなくなる。
止位置に対応させてシールド装置を配置し、このシール
ド装置を処理室の上壁にクオーツウインドウを取り囲む
状態で配置していることから、クオーツウインドウ側に
処理ガスが廻り込んで処理基板の裏面側を汚染したりク
オーツウインドウを汚染したりすることがなくなる。
【０００７】
【実施例】図面は本発明の実施例を示し、図１は処理室
での縦断面図、図２はプラズマＣＶＤ装置のレイアウト
を示す概略構成図、図３は要部の取り出し拡大図である
。
での縦断面図、図２はプラズマＣＶＤ装置のレイアウト
を示す概略構成図、図３は要部の取り出し拡大図である
。
【０００８】このプラズマＣＶＤ装置は、図２に示すよ
うに、処理基板載せ換え部（１）と、予備加熱室（２）
と、処理室（３）及び搬送室（４）とを平面内で閉ルー
プに配置し、処理基板載せ換え部（１）で処理基板（５
）を載置した処理基板載置台（６）を搬送機構で間欠移
動させることにより、処理基板（５）を各室で連続的に
処理するライン処理方式に構成してある。そして、処理
基板載せ換え部（１）はクリーンルーム内に開口してお
り、予備加熱室（２）、処理室（３）、搬送室（４）の
各部屋は気密室に形成してあり、減圧状態に維持されて
いる。
うに、処理基板載せ換え部（１）と、予備加熱室（２）
と、処理室（３）及び搬送室（４）とを平面内で閉ルー
プに配置し、処理基板載せ換え部（１）で処理基板（５
）を載置した処理基板載置台（６）を搬送機構で間欠移
動させることにより、処理基板（５）を各室で連続的に
処理するライン処理方式に構成してある。そして、処理
基板載せ換え部（１）はクリーンルーム内に開口してお
り、予備加熱室（２）、処理室（３）、搬送室（４）の
各部屋は気密室に形成してあり、減圧状態に維持されて
いる。
【０００９】処理室（３）は図１に示すように、下部に
平板電極（７）を配置するとともに、上部にハロゲンラ
ンプで構成した加熱ヒータ（８）をクオーツウインドウ
（９）を介して配置してあり、クオーツウインドウ（９
）と平板電極（７）との間を処理基板載置台（６）の移
動路（１０）に形成してある。そして、平行電極（７）
の上面にはシランガス等の処理ガス（プロセスガス）を
噴出するガス噴出孔が多数形成してある。また、平板電
極（７）の外周部を覆う状態でシールド板（１１）が処
理室（３）の底壁部分から一体に突設してある。
平板電極（７）を配置するとともに、上部にハロゲンラ
ンプで構成した加熱ヒータ（８）をクオーツウインドウ
（９）を介して配置してあり、クオーツウインドウ（９
）と平板電極（７）との間を処理基板載置台（６）の移
動路（１０）に形成してある。そして、平行電極（７）
の上面にはシランガス等の処理ガス（プロセスガス）を
噴出するガス噴出孔が多数形成してある。また、平板電
極（７）の外周部を覆う状態でシールド板（１１）が処
理室（３）の底壁部分から一体に突設してある。
【００１０】処理基板載置台（６）は、図４に示すよう
に、アルミニユーム製の基台（１２）に多数の処理基板
保持孔（１３）を透設するとともに、基台（１２）の下
面両側端部に搬送ローラ挿嵌溝（１４）を凹設して形成
してある。そして、処理基板保持孔（１３）はテーパー
孔で形成した大径部（１５）を上側に、円筒孔で形成し
た小径部（１６）を下側に配置し、大径部（１５）と小
径部（１６）の接続部に段部（１７）を形成した段付孔
で形成してあり、この段部（１７）に処理基板（５）を
その下面が平板電極（７）に対向する状態で載置するこ
とにより、処理基板（５）の下面を処理面（成膜面）と
した状態で保持するようにしてある。
に、アルミニユーム製の基台（１２）に多数の処理基板
保持孔（１３）を透設するとともに、基台（１２）の下
面両側端部に搬送ローラ挿嵌溝（１４）を凹設して形成
してある。そして、処理基板保持孔（１３）はテーパー
孔で形成した大径部（１５）を上側に、円筒孔で形成し
た小径部（１６）を下側に配置し、大径部（１５）と小
径部（１６）の接続部に段部（１７）を形成した段付孔
で形成してあり、この段部（１７）に処理基板（５）を
その下面が平板電極（７）に対向する状態で載置するこ
とにより、処理基板（５）の下面を処理面（成膜面）と
した状態で保持するようにしてある。
【００１１】処理室（３）内での処理基板載置台（６）
の搬送機構は、処理基板載置台（６）の移動方向に沿う
処理室（３）の各側壁（１８）部分に回転軸（１９）を
磁気カップリング（２０）を介して片持ち状に支持させ
、各回転軸（１９）の処理室（３）内に位置する端部に
前記処理基板載置台（６）の搬送ローラ挿嵌溝（１４）
と嵌り合うステンレス鋼製ローラ（２１）をそれぞれ固
定し、両回転軸（１９）を駆動用モータ（２２）にタイ
ミングベルト（２３）を介してそれぞれ接続し、各駆動
用モータ（２２）を制御装置（２４）で同期回転させる
ことにより、処理基板載置台（６）を水平姿勢を維持し
たまま移動させるように構成してある。
の搬送機構は、処理基板載置台（６）の移動方向に沿う
処理室（３）の各側壁（１８）部分に回転軸（１９）を
磁気カップリング（２０）を介して片持ち状に支持させ
、各回転軸（１９）の処理室（３）内に位置する端部に
前記処理基板載置台（６）の搬送ローラ挿嵌溝（１４）
と嵌り合うステンレス鋼製ローラ（２１）をそれぞれ固
定し、両回転軸（１９）を駆動用モータ（２２）にタイ
ミングベルト（２３）を介してそれぞれ接続し、各駆動
用モータ（２２）を制御装置（２４）で同期回転させる
ことにより、処理基板載置台（６）を水平姿勢を維持し
たまま移動させるように構成してある。
【００１２】また、処理室（３）内での処理基板載置台
（６）の停止位置に対応させてシールド装置（２５）が
配置してある。このシールド装置（２５）は処理室（３
）の上壁にクオーツウインドウ（９）を取り囲む状態で
配置した２重ベロース（２６）と、この２重ベロース（
２６）の下端に固定した板枠（２７）及び２重ベロース
（２６）の内部に配置した板枠昇降駆動具（２８）とで
構成してある。なお、このシールド装置（２５）は板枠
（２７）を下降させたシールド姿勢において、板枠（２
７）の下面と処理基板載置台（６）の上面との間にわず
かな隙間を残すようにしてある。そして、シールド装置
（２５）で囲われている空間に水素ガス等のパージガス
を供給することにより、この空間を僅かな陽圧に形成し
、パージガスを前記隙間から流出させるようにしてある
。 なお、符号（２９）はチャンバー内を減圧するための排
気路である。
（６）の停止位置に対応させてシールド装置（２５）が
配置してある。このシールド装置（２５）は処理室（３
）の上壁にクオーツウインドウ（９）を取り囲む状態で
配置した２重ベロース（２６）と、この２重ベロース（
２６）の下端に固定した板枠（２７）及び２重ベロース
（２６）の内部に配置した板枠昇降駆動具（２８）とで
構成してある。なお、このシールド装置（２５）は板枠
（２７）を下降させたシールド姿勢において、板枠（２
７）の下面と処理基板載置台（６）の上面との間にわず
かな隙間を残すようにしてある。そして、シールド装置
（２５）で囲われている空間に水素ガス等のパージガス
を供給することにより、この空間を僅かな陽圧に形成し
、パージガスを前記隙間から流出させるようにしてある
。 なお、符号（２９）はチャンバー内を減圧するための排
気路である。
【００１３】
【発明の効果】本発明では、処理基板載せ換え部、予備
加熱室、処理室、搬送室とを閉ループに配置し、処理室
内の下部に平板電極を配置するとともに、平板電極に対
向させて処理室の上部にクオーツウインドウを介して加
熱ヒータを配置し、平板電極と加熱ヒータとの間に処理
基板載置台の移動路を形成し、この移動路を水平姿勢で
間欠移動する処理基板載置台に複数の段付孔を透設して
処理基板保持部を構成しているので、複数の処理基板は
処理基板載置台に搭載された状態で搬送されることにな
り、搬送中に各処理基板の搬送姿勢を平行に維持できる
。これにより、特別な加熱ヒータでの加熱制御や処理ガ
スの供給量制御を行うことなく、各処理基板に均一な厚
さの薄膜を形成することができる。
加熱室、処理室、搬送室とを閉ループに配置し、処理室
内の下部に平板電極を配置するとともに、平板電極に対
向させて処理室の上部にクオーツウインドウを介して加
熱ヒータを配置し、平板電極と加熱ヒータとの間に処理
基板載置台の移動路を形成し、この移動路を水平姿勢で
間欠移動する処理基板載置台に複数の段付孔を透設して
処理基板保持部を構成しているので、複数の処理基板は
処理基板載置台に搭載された状態で搬送されることにな
り、搬送中に各処理基板の搬送姿勢を平行に維持できる
。これにより、特別な加熱ヒータでの加熱制御や処理ガ
スの供給量制御を行うことなく、各処理基板に均一な厚
さの薄膜を形成することができる。
【００１４】さらに、処理室内での処理基板載置台の停
止位置に対応させてシールド装置を配置し、このシール
ド装置を処理室の上壁にクオーツウインドウを取り囲む
状態で配置していることから、クオーツウインドウ側に
処理ガスが廻り込んで処理基板の裏面側を汚染したり、
クオーツウインドウを汚染したりすることを無くすこと
ができる。
止位置に対応させてシールド装置を配置し、このシール
ド装置を処理室の上壁にクオーツウインドウを取り囲む
状態で配置していることから、クオーツウインドウ側に
処理ガスが廻り込んで処理基板の裏面側を汚染したり、
クオーツウインドウを汚染したりすることを無くすこと
ができる。
【図１】処理室での縦断面図である。
【図２】プラズマＣＶＤ装置のレイアウト図である。
【図３】要部の取り出し拡大図である。
【図４】処理基板載置台の搬送系を示す斜視図である。
１…処理基板載せ換え部、
２…予備加熱室、３…処理室、 ４…搬送
室、６…処理基板載置台、
７…平板電極、８…加熱ヒータ、
９…クオーツウイ
ンドウ、１０…処理基板の移動路、
１３…処理基板保持部、２５…シールド
装置。
２…予備加熱室、３…処理室、 ４…搬送
室、６…処理基板載置台、
７…平板電極、８…加熱ヒータ、
９…クオーツウイ
ンドウ、１０…処理基板の移動路、
１３…処理基板保持部、２５…シールド
装置。
Claims (1)
- 【請求項１】 処理基板載せ換え部（１）、予備加熱
室（２）、処理室（３）、搬送室（４）とを閉ループに
配置し、処理室（３）内の下部に平板電極（７）を配置
するとともに、平板電極（７）に対向させて処理室（３
）の上部にクオーツウインドウ（９）を介して加熱ヒー
タ（８）を配置し、平板電極（７）と加熱ヒータ（８）
との間に処理基板載置台（６）の移動路（１０）を形成
し、この移動路（１０）を水平姿勢で間欠移動する処理
基板載置台（６）に複数の段付孔を透設して処理基板保
持部（１３）を構成し、処理室（３）内での処理基板載
置台（６）の停止位置に対応させてシールド装置（２５
）を配置し、このシールド装置（２５）を処理室（３）
の上壁にクオーツウインドウ（９）を取り囲む状態で配
置したライン式プラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124990A JPH0737670B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ライン式プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124990A JPH0737670B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ライン式プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04325687A true JPH04325687A (ja) | 1992-11-16 |
| JPH0737670B2 JPH0737670B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=14899181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3124990A Expired - Lifetime JPH0737670B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ライン式プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737670B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003018870A3 (de) * | 2001-08-24 | 2003-05-22 | Roth & Rau Oberflaechentechnik | Einrichtung zur reaktiven plasmabehandlung von substraten und verfahren zur anwendung |
| US8277893B2 (en) | 2005-09-05 | 2012-10-02 | Japan Pionics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1851367B1 (de) | 2005-02-03 | 2012-08-08 | Rec Scanwafer AS | Verfahren und vorrichtung zum herstellen gerichtet erstarrter blöcke aus halbleitermaterialien |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP3124990A patent/JPH0737670B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003018870A3 (de) * | 2001-08-24 | 2003-05-22 | Roth & Rau Oberflaechentechnik | Einrichtung zur reaktiven plasmabehandlung von substraten und verfahren zur anwendung |
| US8277893B2 (en) | 2005-09-05 | 2012-10-02 | Japan Pionics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0737670B2 (ja) | 1995-04-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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