JPH04326096A - 粒子加速器用ターゲット本体及び放射性同位元素の製造方法 - Google Patents
粒子加速器用ターゲット本体及び放射性同位元素の製造方法Info
- Publication number
- JPH04326096A JPH04326096A JP9687491A JP9687491A JPH04326096A JP H04326096 A JPH04326096 A JP H04326096A JP 9687491 A JP9687491 A JP 9687491A JP 9687491 A JP9687491 A JP 9687491A JP H04326096 A JPH04326096 A JP H04326096A
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- Japan
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- target
- target body
- silver
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はサイクロトロン等の粒子
加速器用ターゲット本体及び該ターゲット本体を用いる
放射性同位元素の製造方法に関する。
加速器用ターゲット本体及び該ターゲット本体を用いる
放射性同位元素の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、斯かるターゲット本体の素材とし
ては、エネルギー照射時に発生する熱を考慮し、冷却効
果を上げるため、熱伝導に優れた銅が多く使用されてい
る。而して、放射性同位元素の製造に際しては、一般に
はターゲットの冷却効率の点から銅板をターゲット本体
とし、その表面にターゲット物質をメッキして安定な金
属としたものが通常固体ターゲットとして用いられてい
る。
ては、エネルギー照射時に発生する熱を考慮し、冷却効
果を上げるため、熱伝導に優れた銅が多く使用されてい
る。而して、放射性同位元素の製造に際しては、一般に
はターゲットの冷却効率の点から銅板をターゲット本体
とし、その表面にターゲット物質をメッキして安定な金
属としたものが通常固体ターゲットとして用いられてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】放射性同位元素を高純
度かつ高収率で製造するために、多くの場合、濃縮同位
体がターゲット物質として使用される。然るとき、濃縮
同位体は、その製造に多大の労力と時間を必要とする結
果、価格が極めて高価なものである。そのため、ターゲ
ット物質に荷電粒子を照射し、目的の放射性同位元素を
分離した後に、濃縮同位体を化学的に分離・精製する回
収作業が必要となる。
度かつ高収率で製造するために、多くの場合、濃縮同位
体がターゲット物質として使用される。然るとき、濃縮
同位体は、その製造に多大の労力と時間を必要とする結
果、価格が極めて高価なものである。そのため、ターゲ
ット物質に荷電粒子を照射し、目的の放射性同位元素を
分離した後に、濃縮同位体を化学的に分離・精製する回
収作業が必要となる。
【０００４】然るところ、従来の如き銅製ターゲット本
体を用いた場合には、陽子との低エネルギー側での核反
応により、銅による６５Ｃｕ（ｐ，ｎ）６５Ｚｎ反応に
よって半減期２４４日と長く、しかもγ線放出エネルギ
ーが１１１５ｋｅＶ と高い６５Ｚｎが生成するので、
濃縮同位体の回収作業上、大きな問題となっていた。
体を用いた場合には、陽子との低エネルギー側での核反
応により、銅による６５Ｃｕ（ｐ，ｎ）６５Ｚｎ反応に
よって半減期２４４日と長く、しかもγ線放出エネルギ
ーが１１１５ｋｅＶ と高い６５Ｚｎが生成するので、
濃縮同位体の回収作業上、大きな問題となっていた。
【０００５】特に、６７Ｇａを製造する場合には、濃縮
同位体である６８Ｚｎ中への６５Ｚｎの混入が避けられ
ないところ、６８Ｚｎと６５Ｚｎの化学分離は事実上不
可能であり、放射性同位元素製造上大きな障害となって
いたのが実状であった。
同位体である６８Ｚｎ中への６５Ｚｎの混入が避けられ
ないところ、６８Ｚｎと６５Ｚｎの化学分離は事実上不
可能であり、放射性同位元素製造上大きな障害となって
いたのが実状であった。
【０００６】そこで、本発明者は斯かる銅製ターゲット
本体がもたらす問題を解決すべく種々研究を重ねた結果
、ターゲット本体を銀製又は銀メッキ製とすれば、優れ
た熱伝導性によりターゲット本体の冷却効果を上げ得る
と共に、陽子との核反応によって長半減期の核種が生成
せず、しかも物理・化学的に安定（ＨＣｌ などの酸に
よって溶解されない）であるため、核反応によって生成
した核種が酸によるターゲット本体処理の際に溶解され
ず、極めて工業的に有利に放射性同位元素を製造し得る
ことを見い出し、本発明を完成した。
本体がもたらす問題を解決すべく種々研究を重ねた結果
、ターゲット本体を銀製又は銀メッキ製とすれば、優れ
た熱伝導性によりターゲット本体の冷却効果を上げ得る
と共に、陽子との核反応によって長半減期の核種が生成
せず、しかも物理・化学的に安定（ＨＣｌ などの酸に
よって溶解されない）であるため、核反応によって生成
した核種が酸によるターゲット本体処理の際に溶解され
ず、極めて工業的に有利に放射性同位元素を製造し得る
ことを見い出し、本発明を完成した。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は銀製
又は銀メッキ製としたことを特徴とする粒子加速器用タ
ーゲット本体及び該ターゲット本体表面に目的とする放
射性同位元素に対応するターゲット原料をメッキして得
た粒子加速器用ターゲットを用いることを特徴とする放
射性同位元素の製造方法である。
又は銀メッキ製としたことを特徴とする粒子加速器用タ
ーゲット本体及び該ターゲット本体表面に目的とする放
射性同位元素に対応するターゲット原料をメッキして得
た粒子加速器用ターゲットを用いることを特徴とする放
射性同位元素の製造方法である。
【０００８】本発明に於てターゲット本体を銀メッキ製
として実施する場合、その基体は銅製、換言すれば銅製
基体の表面に銀メッキを施してターゲット本体とするの
が好ましい。ここに銀メッキ層の厚さとしては１０〜２
０μｍ程度で十分である。
として実施する場合、その基体は銅製、換言すれば銅製
基体の表面に銀メッキを施してターゲット本体とするの
が好ましい。ここに銀メッキ層の厚さとしては１０〜２
０μｍ程度で十分である。
【０００９】尚、本発明に於て、ターゲット本体を銀メ
ッキ製とした場合には、コストの面のみならず副反応に
よって生成する放射性核種の生成率の点で全てを銀製と
したターゲット本体に比し良い結果が得られる。
ッキ製とした場合には、コストの面のみならず副反応に
よって生成する放射性核種の生成率の点で全てを銀製と
したターゲット本体に比し良い結果が得られる。
【００１０】本発明によれば、斯かる銀製又は銀メッキ
製ターゲット本体の表面に、目的とする放射性同位元素
に対応するターゲット原料をそれぞれメッキして得たタ
ーゲットを用いることにより、常法に従い各種の放射性
同位元素が製造される。
製ターゲット本体の表面に、目的とする放射性同位元素
に対応するターゲット原料をそれぞれメッキして得たタ
ーゲットを用いることにより、常法に従い各種の放射性
同位元素が製造される。
【００１１】特に、上記の如き本発明ターゲット本体表
面に、ターゲット原料として６８Ｚｎをメッキして得た
ターゲットを用いれば、６７Ｇａを効率的に製造するこ
とができると共に、６８Ｚｎを高収率で回収することが
できる。
面に、ターゲット原料として６８Ｚｎをメッキして得た
ターゲットを用いれば、６７Ｇａを効率的に製造するこ
とができると共に、６８Ｚｎを高収率で回収することが
できる。
【００１２】また、同様に本発明ターゲット本体表面に
、ターゲット原料として１１２Ｃｄをメッキして得たタ
ーゲットを用いれば、１１１Ｉｎを効率的に製造するこ
とができると共に、１１２Ｃｄを高収率で回収すること
ができる。
、ターゲット原料として１１２Ｃｄをメッキして得たタ
ーゲットを用いれば、１１１Ｉｎを効率的に製造するこ
とができると共に、１１２Ｃｄを高収率で回収すること
ができる。
【００１３】
【実施例】以下実施例及び比較例を挙げて本発明を更に
説明する。
説明する。
【００１４】実施例１
銅製基体の表面に銀メッキ（厚さ約１０μｍ）を施して
得たターゲット本体を使用し、その表面に６８Ｚｎメッ
キを施して６７Ｇａ製造用ターゲットとし、常法に従い
約３０ＭｅＶ の陽子ビームで２０時間照射した。照射
終了後、当該６８Ｚｎターゲット物質をＨＣｌ によっ
て溶解せしめた後、当該溶液中から化学分離方法に従い
６７Ｇａを分離・精製した。
得たターゲット本体を使用し、その表面に６８Ｚｎメッ
キを施して６７Ｇａ製造用ターゲットとし、常法に従い
約３０ＭｅＶ の陽子ビームで２０時間照射した。照射
終了後、当該６８Ｚｎターゲット物質をＨＣｌ によっ
て溶解せしめた後、当該溶液中から化学分離方法に従い
６７Ｇａを分離・精製した。
【００１５】６７Ｇａの分離後の残液（６８Ｚｎ回収用
溶液）中に含まれる６５Ｚｎの放射能量は約５ｍＣｉ／
ターゲット本体であった。因に、銀メッキ製ターゲット
本体を用いることにより、本実施例の場合理論的には６
５Ｚｎは含まれないが、濃縮同位体自体に含まれている
不純物の６６Ｚｎ、６４Ｚｎとの核反応によって６５Ｚ
ｎが若干生成するものの、後述の比較例から明らかな如
く、その生成量は従来の１／４〜１／５程度と極めて微
量であった。
溶液）中に含まれる６５Ｚｎの放射能量は約５ｍＣｉ／
ターゲット本体であった。因に、銀メッキ製ターゲット
本体を用いることにより、本実施例の場合理論的には６
５Ｚｎは含まれないが、濃縮同位体自体に含まれている
不純物の６６Ｚｎ、６４Ｚｎとの核反応によって６５Ｚ
ｎが若干生成するものの、後述の比較例から明らかな如
く、その生成量は従来の１／４〜１／５程度と極めて微
量であった。
【００１６】また、銀メッキ層の存在によりターゲット
基体たる銅がＨＣｌ により溶解されない結果、６８Ｚ
ｎ回収用溶液中には元素として、Ｚｎのみが含まれてい
るので、６８Ｚｎを回収する際には化学分離操作を必要
とせず、極めて簡単に、かつ高収率で回収することがで
きた（回収率９９．８％）。
基体たる銅がＨＣｌ により溶解されない結果、６８Ｚ
ｎ回収用溶液中には元素として、Ｚｎのみが含まれてい
るので、６８Ｚｎを回収する際には化学分離操作を必要
とせず、極めて簡単に、かつ高収率で回収することがで
きた（回収率９９．８％）。
【００１７】尚、回収された６８Ｚｎは６７Ｇａ製造用
ターゲットとして銀メッキ製ターゲット本体にメッキさ
れ再使用される。
ターゲットとして銀メッキ製ターゲット本体にメッキさ
れ再使用される。
【００１８】比較例１
銅製ターゲット本体（銀メッキ処理なし）を使用した以
外は実施例１と同様にして６７Ｇａを分離・精製した。
外は実施例１と同様にして６７Ｇａを分離・精製した。
【００１９】６７Ｇａの分離後の残液（６８Ｚｎ回収用
溶液）中に含まれる６５Ｚｎの放射能量は約２０ｍＣｉ
／ターゲット本体であった。
溶液）中に含まれる６５Ｚｎの放射能量は約２０ｍＣｉ
／ターゲット本体であった。
【００２０】また、６８Ｚｎ回収溶液中には、６８Ｚｎ
ターゲット物質をＨＣｌ によって溶解する際に、ＨＣ
ｌ とターゲット本体である銅との化学反応の結果、６
８Ｚｎと同時に銅も溶解されるので、Ｃｕ、Ｚｎの２元
素が含まれているため、イオン交換分離により、６８Ｚ
ｎを回収した（回収率８５〜９５％）。
ターゲット物質をＨＣｌ によって溶解する際に、ＨＣ
ｌ とターゲット本体である銅との化学反応の結果、６
８Ｚｎと同時に銅も溶解されるので、Ｃｕ、Ｚｎの２元
素が含まれているため、イオン交換分離により、６８Ｚ
ｎを回収した（回収率８５〜９５％）。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、ターゲット本体の冷却
効果に優れ、しかも陽子との核反応によって長半減期の
核種が生成せず、かつ核反応によって生成した核種が酸
によるターゲット本体処理の際に溶解されることがない
ので、高価な濃縮同位体を容易かつ高収率で回収し得、
工業的に極めて有利に放射性同位元素を製造することが
できる。
効果に優れ、しかも陽子との核反応によって長半減期の
核種が生成せず、かつ核反応によって生成した核種が酸
によるターゲット本体処理の際に溶解されることがない
ので、高価な濃縮同位体を容易かつ高収率で回収し得、
工業的に極めて有利に放射性同位元素を製造することが
できる。
Claims (4)
- 【請求項１】 銀製又は銀メッキ製としたことを特徴
とする粒子加速器用ターゲット本体。 - 【請求項２】 請求項１記載のターゲット本体の表面
に、目的とする放射性同位元素に対応するターゲット原
料をメッキして得た粒子加速器用ターゲットを用いるこ
とを特徴とする放射性同位元素の製造方法。 - 【請求項３】 銅製基体の表面に銀メッキして得たタ
ーゲット本体の表面に、ターゲット原料として６８Ｚｎ
をメッキして得た粒子加速器用ターゲットを用いること
を特徴とする６７Ｇａの製造方法。 - 【請求項４】 銅製基体の表面に銀メッキして得たタ
ーゲット本体の表面に、ターゲット原料として１１２Ｃ
ｄをメッキして得た粒子加速器用ターゲットを用いるこ
とを特徴とする１１１Ｉｎの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9687491A JPH04326096A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 粒子加速器用ターゲット本体及び放射性同位元素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9687491A JPH04326096A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 粒子加速器用ターゲット本体及び放射性同位元素の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326096A true JPH04326096A (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=14176573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9687491A Pending JPH04326096A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 粒子加速器用ターゲット本体及び放射性同位元素の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04326096A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007508531A (ja) * | 2003-10-13 | 2007-04-05 | アクチニウム ファーマシューティカルズ，インコーポレイティド | ラジウム標的及びその製造法 |
| JP2009007633A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Gyoseiin Genshino Iinkai Kakuno Kenkyusho | カドミウム−１１２同位元素の回収方法 |
| US8153087B2 (en) | 2006-09-08 | 2012-04-10 | Actinium Pharmaceuticals Inc. | Method for the purification of radium from different sources |
| US8349391B2 (en) | 2004-05-05 | 2013-01-08 | Actinium Pharmaceuticals Inc. | Radium target and method for producing it |
| JP2014115229A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 放射性同位元素精製装置 |
| US9534277B1 (en) | 2006-02-21 | 2017-01-03 | Actinium Pharmaceuticals, Inc. | Method for purification of 225AC from irradiated 226RA-targets |
| CN111133842A (zh) * | 2017-07-31 | 2020-05-08 | 斯蒂芬·泽塞尔 | 使用固体靶在粒子加速器上生产镓放射性同位素的系统、设备和方法，以及通过其生产的Ga-68组合物 |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP9687491A patent/JPH04326096A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007508531A (ja) * | 2003-10-13 | 2007-04-05 | アクチニウム ファーマシューティカルズ，インコーポレイティド | ラジウム標的及びその製造法 |
| US8349391B2 (en) | 2004-05-05 | 2013-01-08 | Actinium Pharmaceuticals Inc. | Radium target and method for producing it |
| US9534277B1 (en) | 2006-02-21 | 2017-01-03 | Actinium Pharmaceuticals, Inc. | Method for purification of 225AC from irradiated 226RA-targets |
| US9790573B2 (en) | 2006-02-21 | 2017-10-17 | Actinium Pharmaceuticals Inc. | Method for purification of 225AC from irradiated 226RA-targets |
| US8153087B2 (en) | 2006-09-08 | 2012-04-10 | Actinium Pharmaceuticals Inc. | Method for the purification of radium from different sources |
| US8715598B2 (en) | 2006-09-08 | 2014-05-06 | Actinium Pharmaceuticals Inc. | Method for the purification of radium from different sources |
| JP2009007633A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Gyoseiin Genshino Iinkai Kakuno Kenkyusho | カドミウム−１１２同位元素の回収方法 |
| JP2014115229A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 放射性同位元素精製装置 |
| CN111133842A (zh) * | 2017-07-31 | 2020-05-08 | 斯蒂芬·泽塞尔 | 使用固体靶在粒子加速器上生产镓放射性同位素的系统、设备和方法，以及通过其生产的Ga-68组合物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990223 |