JPH04328207A

JPH04328207A - 導体組成物および配線基板

Info

Publication number: JPH04328207A
Application number: JP12533991A
Authority: JP
Inventors: Katsuhiko Igarashi; 克彦五十嵐; Taiji Miyauchi; 泰治宮内; Takashi Kamiya; 貴志神谷; Keizo Kawamura; 敬三川村
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1991-04-26
Filing date: 1991-04-26
Publication date: 1992-11-17

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路等の素
子を実装する配線基板に外部導体を形成するための導体
組成物と、この導体組成物によって外部導体を形成した
配線基板とに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、基板材料と導体とを約１０００℃
以下の低温で同時焼成して得られる配線基板の開発が進
められている。このような低温焼成配線基板の基板材料
は、アルミナーガラス複合体を主成分としたものである
。一方、導体材料は、従来のＷやＭｏに代り、導通抵抗
が低いＡｇ系の材料の使用が可能となっている。

【０００３】このような配線基板の内部導体としてはＡ
ｇが用いられているが、外部導体は実装部品と半田付け
されるので、外部導体には半田濡れ性が良好であること
が要求され、主にＡｇ合金系材料が用いられている。

【０００４】また、半田後の接着強度は、初期において
も経時後においても十分高いことが必要である。一般に
エージング劣化は、半田中のＳｎのＡｇ中への拡散が原
因であるとされているが、長時間にわたり、高温にさら
されるような場合にも、十分な接着強度を示すエージン
グ特性に優れたものであることが必要とされる。

【０００５】ところで、導体組成物は、Ａｇ系等の導体
金属粉末とガラスフリットを含む無機結合剤とをビヒク
ル中に分散して得られている。

【０００６】そこで、半田濡れ性と接着強度とを向上さ
せるために、外部導体用の導体組成物におけるガラスフ
リットのガラス組成に対し種々の提案がなされている（
特公昭６２−３２５６２号、特開昭６３−２０７００１
号、特開昭６４−８６４０４号、特開平１−２９８０９
０号等）。

【０００７】ところで、このような配線基板は、通常、
基板材料のグリーンシートに内部導体パターンを形成後
、これを積層して焼成したのち、外部導体パターンを形
成して焼成し、さらに抵抗体パターンを形成して焼成し
て作製される。そして、抵抗体パターンは、導電体ない
し抵抗体粒子とガラスフリットを含む無機結合剤とをビ
ヒクル中に分散した抵抗体組成物を印刷して形成されて
いる。

【０００８】このように、焼成後の外部導体パターンに
抵抗体パターンを印刷、焼成すると、導体中のガラスと
抵抗体中のガラスとが反応して、導体のガラスが押し出
されるブリードアウト現象が生じてしまい、抵抗体の電
気特性に悪影響を及ぼしてしまうという問題がある。特
に、配線パターンを微細にし、かつ膜厚を薄くした高密
度配線基板では、このブリードアウト現象によりショー
トが生じやすい。また、エージングないし耐湿負荷エー
ジングにより、マイグレーション等が生じやすく信頼性
が低下する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半田
濡れ性に優れ、かつ接着強度が高く、ブリードアウト現
象が防止された導体組成物および配線基板を提供するこ
とにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
の構成（１）〜（８）の本発明により達成される。

【００１１】（１）ＡｇとＰｄおよび／またはＰｔとを
含有する導体と、ガラスフリットを含む無機結合剤とを
ビヒクル中に分散した導体組成物において、前記ガラス
フリットがＰｂＯ−Ｂ２　Ｏ３　−ＳｉＯ２　−ＭｎＯ
２　系の非晶質ガラスと、ＺｎＯ−Ｂ２　Ｏ３　−Ｓｉ
Ｏ２　−ＭｎＯ２　系の結晶化ガラスと、ＰｂＯ−Ｂ２
　Ｏ３　−ＳｉＯ２　−ＺｎＯ系の低融点ガラスとを含
有し、前記ガラスフリットは、前記導体に対して６〜２
０ｗｔ％　含有されることを特徴とする導体組成物。

【００１２】（２）　　前記ガラスフリットのガラス組
成は、ＰｂＯ３０〜５０ｗｔ％　、Ｂ２　Ｏ３　１０〜
２５ｗｔ％　、ＳｉＯ２　５〜１５ｗｔ％　、ＭｎＯ２
　１〜２０ｗｔ％　、ＺｎＯ８〜２５ｗｔ％　である上
記（１）に記載の導体組成物。

【００１３】（３）　　前記非晶質ガラスに対する前記
結晶化ガラスの割合が重量比で０．２〜０．８５である
上記（１）または（２）に記載の導体組成物。

【００１４】（４）　　前記低融点ガラスを導体に対し
て１〜４ｗｔ％　含有する上記（１）ないし（３）のい
ずれかに記載の導体組成物。

【００１５】（５）　　前記無機結合剤が、さらに、Ｔ
ｉＯ２　、ＺｒＯ２　、ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ａｌ２　Ｏ３
　、Ｂｉ２　Ｏ３　およびＳｂ２　Ｏ３　のうちの少な
くとも一種以上を、前記導体に対して１０ｐｐｍ　〜２
ｗｔ％　含有する上記（１）ないし（４）のいずれかに
記載の導体組成物。

【００１６】（６）　　上記（１）ないし（５）のいず
れかに記載の導体組成物を用いて外部導体を形成した配
線基板。

【００１７】（７）　　前記外部導体と接して、ガラス
を３５〜９５ｗｔ％　含有する抵抗体を有する上記（６
）に記載の配線基板。

【００１８】（８）　　前記ガラスは非晶質ガラスを９
０ｗｔ％　以上含有する上記（７）に記載の配線基板。

【００１９】

【作用】本発明では導体組成物のガラスフリット成分を
ＰｂＯ−Ｂ２　Ｏ３　−ＳｉＯ２　−ＭｎＯ２　系の非
晶質ガラス、ＺｎＯ−Ｂ２　Ｏ３　−ＳｉＯ２　−Ｍｎ
Ｏ２系の結晶化ガラスおよびＰｂＯ−Ｂ２　Ｏ３　−Ｓ
ｉＯ２　−ＺｎＯ２　系の低融点ガラスを所定割合で含
む混合物としている。

【００２０】このように結晶化ガラスが存在することに
より、外部導体中のガラス成分と抵抗体中のガラス成分
とが反応するのを抑制することができ、導体中のガラス
のブリードアウト現象の発生が防止される。この結果、
耐湿負荷エージング後の電気特性の劣化を防止すること
ができる。また、導体層のパターンを例えば２００μｍ
　以下の細線パターンとしてその膜厚も薄くした高密度
配線基板においてもショートの発生が有効に防止される
。

【００２１】また、このようなガラス組成とすることに
よって、半田濡れ性も十分である。さらには半田後の接
着強度は初期およびエージング後のいずれにおいても十
分である。特に、導体素子等を半田付けしたときの半田
中のＳｎが導体中へ拡散し、これが基板と導体との接着
強度を低下させることを防止することができる。

【００２２】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００２３】本発明の導体組成物は、導体の基本組成と
なるＡｇとＰｄおよび／またはＰｔとを含有する。すな
わち、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｐｔのい
ずれかの合金を含有する。

【００２４】このように、Ａｇ合金を用いることによっ
て、Ａｇ単独とするよりも、Ｐｄの場合、耐マイグレー
ション性、耐半田喰われ性が向上する効果が得られ、Ｐ
ｔの場合は、少量の添加より半田濡れ性が向上する効果
が得られる。

【００２５】このようなＡｇ合金におけるＡｇ、Ｐｄ、
Ｐｔの割合は、目的に応じて適宜決定されるが、Ａｇ−
Ｐｄ合金では、Ｐｄの含有率を５〜２５ｗｔ％とするこ
とが好ましい。Ｐｄ含有率が５ｗｔ％　未満であると、
Ｐｄ添加の効果が得られず、また２５ｗｔ％　を超える
と導体の導電性が悪くなるからである。

【００２６】また、Ａｇ−Ｐｔ合金では、Ｐｔの含有率
を０．５〜５ｗｔ％　とすることが好ましい。Ｐｔ含有
率が０．５ｗｔ％　未満であると、Ｐｔ添加の効果が得
られず、また５ｗｔ％　を超えると導体の導電性が悪く
なるからである。

【００２７】また、Ａｇ−Ｐｄ−Ｐｔ合金では、Ｐｄの
含有率を５〜２５ｗｔ％　とし、Ｐｔの含有率を０．５
〜５ｗｔ％　とすることが好ましい。このような含有率
とすることによってＰｄ、Ｐｔ添加の効果を得ることが
でき、導体の導電性も十分とすることができる。

【００２８】本発明の導体組成物は、ペースト状であり
、このような状態ではＡｇとＰｄおよび／またはＰｔと
が別個に存在していてもよい。この場合、後の焼成によ
りＡｇ合金となる。

【００２９】このようなＡｇ合金、あるいは、上記のよ
うにＡｇ合金となる金属は、通常、ペースト状の組成物
中に粒子として存在する。

【００３０】Ａｇ合金粒子の平均粒径は、０．０１〜１
０μｍ　程度とするのが好ましい。その理由は、平均粒
径が０．０１μｍ　未満であると導体の収縮率が大きく
なりすぎ、また１０μｍ　を超えると導体組成物の印刷
性、分散性が悪くなるからである。

【００３１】また、Ａｇ合金となる金属の粒子では、Ａ
ｇ粒子、Ｐｄ粒子、Ｐｔ粒子ともに、平均粒径は０．０
１〜１０μｍ　程度とするのが好ましい。その理由は、
平均粒径が０．０１μｍ　未満であると上記Ａｇ合金粒
子の場合と同様、収縮率の点で不十分となり、また１０
μｍ　を超えるとＰｄの添加による耐マイグレーション
性の改善効果等が小さくなるからである。

【００３２】本発明では、導体に対し、無機結合剤とし
てガラスフリットを６〜２０ｗｔ％　、好ましくは８〜
１４ｗｔ％　含有する。

【００３３】この場合のガラスフリットは、ＰｂＯ−Ｂ
２　Ｏ３−ＳｉＯ２　−ＭｎＯ２　系の非晶質ガラス、
ＺｎＯ−Ｂ２　Ｏ３　−ＳｉＯ２　−ＭｎＯ２　系の結
晶化ガラスおよびＰｂＯ−Ｂ２　Ｏ３　−ＳｉＯ２　−
ＺｎＯ系の低融点ガラスの混合物である。

【００３４】本発明の特徴は、このような３種類のガラ
スが混在するところにあり、またガラスフリットの含有
量を上記範囲とすることによって、本発明の効果が得ら
れる。

【００３５】ガラスフリットが６ｗｔ％　未満となると
、エージング特性が悪化し、２０ｗｔ％　を超えると半
田濡れ性が不十分となり、かつブリードアウト現象が生
じる。

【００３６】また、結晶化ガラスの非晶質ガラスに対す
る割合は、重量比で〔結晶化ガラス／非晶質ガラス〕が
０．２〜０．８５、好ましくは０．４〜０．７５とする
のがよい。このような割合とすることによって、ブリー
ドアウト現象をより一層良好に防止する。０．２未満で
はブリードアウト現象の防止の効果が減少し、０．８５
を超えると半田濡れ性が不十分となる。

【００３７】また、導体に対する低融点ガラスの含有量
は、１〜４ｗｔ％　、好ましくは２．５〜３．５ｗｔ％
　とするのがよい。このような割合とすることによって
、半田濡れ性が良好となる。１ｗｔ％　未満となると半
田濡れ性が悪化してくる。また、４ｗｔ％　を超えると
半田濡れ性の効果がみられず、ブリードアウト現象も生
じてくる。

【００３８】また、各ガラスの主成分となる各酸化物の
割合は、ｗｔ％　で表示して以下のものであり、また、
軟化点は以下の通りのものである。

【００３９】なお、軟化点は、３．５×３．５×１２ｍ
ｍの試料を用い、荷重３ｇにて、示差熱膨張を用いて測
定したものである。

【００４０】（１）非晶質ガラスＰｂＯ（５５〜６５）−Ｂ２　Ｏ３　（１５〜２５）−
ＳｉＯ２　（５〜１５）−ＭｎＯ２　（５〜１５）軟化
点４５０〜５２０℃、特に４８０℃程度

【００４１】（
２）結晶化ガラスＺｎＯ（５５〜６５）−Ｂ２　Ｏ３　（１５〜２５）−
ＳｉＯ２　（５〜１５）−ＭｎＯ２　（５〜１５）軟化
点５３０〜６１０℃、特に５５０℃程度

【００４２】（
３）低融点ガラスＰｂＯ（７０〜８５）−Ｂ２　Ｏ３　（８〜１２）−Ｓ
ｉＯ２　（１〜３）−ＺｎＯ（３〜１０）軟化点３００〜４００℃程度

【００４３】本発明におけるガラスフリットは、上記の
ように、３種のガラスが混在するものであるが、このガ
ラスフリットを構成する各酸化物の割合は以下の通りで
ある。

【００４４】ＰｂＯ：３０〜６５ｗｔ％　、好ましくは
４５〜６０ｗｔ％Ｂ２　Ｏ３　：１０〜２５ｗｔ％　、好ましくは１４〜
２０ｗｔ％ＳｉＯ２　：５〜１５ｗｔ％　、好ましくは
７〜１１ｗｔ％ＭｎＯ２　：１〜２０ｗｔ％　、好まし
くは３〜１５ｗｔ％ＺｎＯ：８〜２５ｗｔ％　、好まし
くは１０〜２０ｗｔ％

【００４５】このような含有量と
することによって本発明の効果が得られる。

【００４６】ＰｂＯが３０ｗｔ％　未満となると、エー
ジング特性が不十分となる傾向にあり、６５ｗｔ％　を
超えると、ブリードアウト現象が発生してくる。

【００４７】また、Ｂ２　Ｏ３　が１０ｗｔ％　未満と
なってもエージング特性が不十分となる傾向にあり、２
５ｗｔ％　を超えると、ブリードアウト現象が発生して
くる。また、ＳｉＯ２　が５ｗｔ％未満となってもエー
ジング特性が不十分となる傾向にあり、１５ｗｔ％　を
超えるとブリードアウト現象が発生してくる。さらにＭ
ｎＯ２　が１ｗｔ％　未満となってもエージング特性が
不十分となる傾向にあり、２０ｗｔ％　を超えると半田
濡れ性が悪くなってくる。また、ＺｎＯが８ｗｔ％未満
となるとブリードアウト現象が発生し、２５ｗｔ％　を
超えると、半田濡れ性が悪くなってくる。

【００４８】このようなガラスは、０．１〜１０μｍ　
の平均粒径の粉末として用いられる。

【００４９】平均粒径が０．１μｍ　未満となると、粉
砕時の不純物混入が著しくなり、１０μｍ　を超えると
、印刷性が悪くなる傾向にある。

【００５０】さらに、本発明では、無機結合剤としてガ
ラスフリットのほかにＴｉＯ２　、ＺｒＯ２　、ＣｏＯ
、ＮｉＯ、Ａｌ２　Ｏ３　、Ｂｉ２　Ｏ３　およびＳｂ
２　Ｏ３　から選ばれる少なくとも一種の化合物を添加
する。このときの添加量は、導体に対し、１０ｐｐｍ　
〜２ｗｔ％　とするのがよい。上記化合物を上記範囲と
して添加することによって半田濡れ性およびエージング
特性をさらに改善することができる。１０ｐｐｍ　未満
では、エージング特性の改善効果が少なくなり、２ｗｔ
％　を超えると半田濡れ性が不十分となってくる。

【００５１】本発明に用いるビヒクルとしては、エチル
セルロース、ニトロセルロース、アクリル系樹脂等のバ
インダー、テルピネオール、ブチルカルビトール等の溶
剤、その他分散剤、活性剤等が挙げられ、これらのうち
任意のものが目的に応じて適宜添加される。

【００５２】なお、一般に、導体組成物中の上記ビヒク
ルの含有率は、１０〜７０ｗｔ％程度である。

【００５３】本発明の導体組成物は、前記のＡｇ合金粒
あるいはＡｇ粒とＰｄ粒および／またはＰｔ粒の金属粒
と、前記のガラスフリットを含む無機結合剤とを混合し
、これにバインダー、溶剤等のビヒクルを加え、これら
を混練してスラリー化することにより得ることができる
。ここで、ペースト組成物の粘度は、３万〜３０万ｃｐ
ｓ　程度に調製しておくのがよい。

【００５４】本発明の導体組成物は、基板上に所定のパ
ターンに印刷されて焼成するなどして使用される。

【００５５】このように、本発明の導体組成物を用いて
外部導体とした多層配線基板の一構成例が図１に示され
ている。図１は、多層配線基板の部分断面図である。

【００５６】同図に示すように、多層配線基板１は、複
数の層を積層し、焼成により一体化した絶縁体の基板４
を有し、この基板４の内部には、所定パターンの内部導
体２が形成され、この内部導体２が基板４の表面に露出
した部分に外部導体３が形成されている。

【００５７】基板４の構成材料としては、内部導体２等
とともに同時焼成可能なものとして、アルミナ−ホウケ
イ酸ガラス、アルミナ−鉛ホウケイ酸ガラス、アルミナ
−ホウケイ酸バリウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸カ
ルシウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸ストロンチウム
ガラス、アルミナ−ホウケイ酸マグネシウムガラス等の
酸化物骨材とガラスとを含む低温焼結材料が好ましい。

【００５８】このような基板材料において、ガラスの含
有率は、一般に５０〜８０ｗｔ％程度とするのがよい。

【００５９】内部導体２は、通常多層配線され、基板４
の厚さ方向に形成されたスルーホール５を介して互いに
導通されている。

【００６０】外部導体３は、基板４の表面に形成され、
チップインダクタ、チップコンデンサ等のチップ部品や
半導体集積回路素子、ダイオード等の素子等の表面実装
部品７を半田６により半田付けするためのパッドとして
用いられ、あるいは抵抗体８への導通用として用いられ
る。なお、表面を覆うように絶縁被覆層が形成されてい
てもよい。

【００６１】本発明の導体組成物は、上記外部導体３を
形成するのに適用される。

【００６２】なお、内部導体２は、導電性が良いことを
優先させる点でＡｇを主体とする導体、特にＡｇとする
のが好ましい。内部導体用組成物は、導体と、導体に対
し、５〜１０ｗｔ％　程度のガラスフリットとを含有す
る。

【００６３】また、内部導体２の膜厚は、通常５〜２０
μｍ　程度、外部導体３の膜厚は、通常５〜２０μｍ　
程度とされる。そして、内部導体および外部導体の導通
抵抗は、その組成にもよるが、一般的に、前者は２〜１
０ｍΩ／□、後者は、１０〜３０ｍΩ／□程度とするの
がよい。

【００６４】さらに、抵抗体８は、酸化ルテニウム、鉛
ルテニウムパイロクロア等の抵抗体とガラスフリットと
を含有する。抵抗体粒子の粒径は、０．０５〜０．５μ
ｍ　程度とし、この抵抗体に対し、ガラスフリットの含
有量は３５〜９５ｗｔ％　程度である。

【００６５】ガラスフリットは、一般にＰｂＯ４５〜６
０ｗｔ％　、Ｂ２　Ｏ３　１０〜２０ｗｔ％　、ＳｉＯ
２　２０〜３０ｗｔ％　、ＺｎＯ０〜８ｗｔ％　程度、
軟化点４５０〜６００℃程度とし、ガラスフリット中、
非晶質ガラスが９０ｗｔ％　以上含有される。そして、
このような抵抗体中のガラスフリットに対し、本発明に
従い、ブリードアウト現象が良好に防止されるものであ
る。

【００６６】このような多層配線基板は、例えば以下の
ようにして製造する。

【００６７】まず、基板材料となるグリーンシートを作
製する。

【００６８】このグリーンシートは、基板の原材料であ
るアルミナ粉末等の骨材とガラス粉末（例えば、ホウケ
イ酸ガラス）とを所定量混合し、これにバインダー樹脂
、溶剤等を加え、これらを混練してスラリー化し、例え
ばドクターブレード法により０．１〜０．３ｍｍ程度の
厚さのグリーンシートを所定枚数作製する。

【００６９】次いで、グリーンシートにパンチングマシ
ーンや金型プレスを用いてスルーホール５を形成し、そ
の後、内部導体用組成物を各グリーンシート上に例えば
スクリーン印刷法により印刷し、所定パターンの内部導
体層を形成するとともにスルーホール５内に充填する。

【００７０】次いで、各グリーンシートを重ね合せ、熱
プレス（約４０〜１２０℃、５０〜１０００Ｋｇｆ／ｃ
ｍ２）を加えてグリーンシートの積層体とし、必要に応
じて脱バインダー処理、切断用溝の形成等を行なう。

【００７１】その後、グリーンシートの積層体を通常空
気中で８００〜１０００℃程度の温度で焼成、一体化し
、基板４に内部導体２が形成された多層配線基板を得る
。

【００７２】そして、外部導体用ペーストをスクリーン
印刷法等により印刷し、焼成して外部導体３を形成する
。さらに、抵抗体材料ペーストを印刷して焼成し、抵抗
体８を形成する。なお、これら外部導体３や抵抗体８は
基板４と一体同時焼成して形成してもよい。ただし、基
板を焼成後、基板上に印刷、焼成するときには、接着強
度が低いものとなるが、本発明の適用により接着強度は
きわめて高いものとなる。

【００７３】その後、所定の表面実装部品７を外部導体
３に半田付けし、必要に応じ、絶縁被覆層を形成して図
１に示す多層配線基板１が得られる。

【００７４】なお、基板も上記グリーンシート法に代り
印刷法により作製してもよい。

【００７５】以上では、本発明を多層配線基板に適用し
た場合の例を説明したが、本発明は、これに限らず、同
時焼成配線基板のような単層の基板等にも適用すること
ができる。

【００７６】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例について説明す
る。

【００７７】実施例１（１）導体組成物の作製表１に示すような成分組成となるような導体組成物の導
体１００重量部に対し、ビヒクルとしてエチルセルロー
ス系樹脂および高沸点溶剤（テルピネオール）を２０〜
４０重量部加え、混練して、表１の導体組成物１〜１０
を得た。

【００７８】なお、導体は焼成時にＡｇ合金になるよう
に添加し、Ａｇ粒子は平均粒径１０μｍ　のもの、Ｐｄ
粒子は１μｍ　のもの、Ｐｔ粒子は１μｍ　のもの、ガ
ラスは平均粒径８μｍ　のもの、酸化物添加剤は平均粒
径５μｍ　のものをそれぞれ用いた。

【００７９】

【表１】

【００８０】表１には、ガラスフリット中の結晶化ガラ
スの非晶質ガラスに対する割合（重量比）、低融点ガラ
スの導体に対する割合（ｗｔ％　）も併記している。

【００８１】また、表２には使用した非晶質ガラス、結
晶化ガラスおよび低融点ガラスの組成が示されている。

【００８２】

【表２】

【００８３】（２）グリーンシートの作製α−アルミナ
：４０ｗｔ％、ガラス粉末：６０ｗｔ％の組成で厚さ１
００〜３００μｍ　のグリーンシートを作製した（この
場合のガラスはＡｌ２　Ｏ３　−Ｂ２　Ｏ３　−ＳｉＯ
２　−ＭＯ系、但しＭ＝Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｍｇ）。

【００８４】（３）抵抗体ペーストの作製ＲｕＯ２　（
粒径０．１μｍ　）を９．１ｗｔ％　、ガラス粉末７７
．８ｗｔ％　、添加剤としてＺｒＳｉＯ４　を４．１ｗ
ｔ％　、ＴＣＲ調整剤としてＣｕＯとＭｎＯとＮｂ２Ｏ
５　とを合計で９ｗｔ％　用いて抵抗体ペーストを作製
した。ガラス組成はＰｂＯ４７．８ｗｔ％　、Ｂ２　Ｏ
３　１６．７ｗｔ％　、ＳｉＯ２　２７．８ｗｔ％　、
ＺｎＯ５ｗｔ％　、Ａｌ２　Ｏ３　５．２ｗｔ％　の非
晶質ガラスを用いた。

【００８５】（４）配線基板の作製前記のグリーンシートにＡｇ内部導体形成後、熱プレス
により積層してグリーンシート積層体を得た。その後、
この積層体を脱脂後、空気中で温度９００℃で同時焼成
した配線基板を得た。

【００８６】この配線基板にスクリーン印刷により、導
体組成物を、縮率１５％にて、焼成後の寸法が２ｍｍ×
２ｍｍ、膜厚１２±２μｍ　のパッドになるように印刷
し、空気中で８５０℃で焼成した。

【００８７】得られた各基板について、導体の初期およ
びエージング後の接着強度、導体の半田濡れ性を以下の
ようにして調べた。

【００８８】（ａ）接着強度試験デュポン社の剥離試験に準じた。被着した導体膜の横方
向に直径０．８ｍｍの銅線をのばし導体膜に重なる部分
について半田付けし、その半田付けの終わる一端からの
びた銅線を導体膜被着面にほぼ垂直でかつ導体膜を剥離
する方向に引っ張り試験機を用いて引っ張り、剥離した
時の荷重を読んだ。エージングは、１５０℃の恒温槽に
所定時間放置し、同様に荷重を読んだ。

【００８９】（ｂ）半田濡れ性各サンプルを２３０℃の溶融半田に約５秒間浸漬し、パ
ッドの濡れ面積率により評価した。

【００９０】また、上記と同じ配線基板上に導体組成物
を印刷し、焼成し、巾２００μｍ　、厚さ１５μｍ　の
細線パターンの導体層を形成した。この後、さらにこの
導体層上の線端部に前記の抵抗体ペーストを用いて導体
層より広巾に印刷し、上記と同様に焼成した。

【００９１】この配線基板を用いてブリードアウト現象
の発生の有無を以下のようにして調べた。

【００９２】（ｃ）ブリードアウト現象の発生の有無光
学顕微鏡により、抵抗体近傍の細線導体パターン端部を
観察し、下記の４段階で評価した。この評価については
◎、△、×、××で示す。 ◎　　　　ブリードアウト全くなし △　　　　１０μｍ　以下の距離にブリードアウト観察
×　　　　５０μｍ　以下の距離にブリードアウト観察
××　　５０μｍ　を超える距離にブリードアウト観察

【００９３】これらの結果を表３に示す。なお、表３に
は導体抵抗の値も併記する。

【００９４】

【表３】

【００９５】

【発明の効果】本発明の外部導体は、半田濡れ性が良好
で、かつ初期およびエージング後の基板との接着強度も
十分である。またブリードアウト現象の発生を防止する
ことができ、配線間のショートや電気特性の劣下を防止
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の導体組成物を用いて作製した多層配線
基板の部分断面図である。

【符号の説明】

１　　多層配線基板２　　内部導体３　　外部導体４　　基板５　　スルーホール６　　半田７　　表面実装部品８　　抵抗体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　ＡｇとＰｄおよび／またはＰｔとを含
有する導体と、ガラスフリットを含む無機結合剤とをビ
ヒクル中に分散した導体組成物において、前記ガラスフ
リットがＰｂＯ−Ｂ２　Ｏ３　−ＳｉＯ２　−ＭｎＯ２
　系の非晶質ガラスと、ＺｎＯ−Ｂ２　Ｏ３　−ＳｉＯ
２　−ＭｎＯ２　系の結晶化ガラスと、ＰｂＯ−Ｂ２　
Ｏ３　−ＳｉＯ２　−ＺｎＯ系の低融点ガラスとを含有
し、前記ガラスフリットは、前記導体に対して６〜２０
ｗｔ％　含有されることを特徴とする導体組成物。
【請求項２】　　前記ガラスフリットのガラス組成は、
ＰｂＯ３０〜６５ｗｔ％、Ｂ２　Ｏ３　１０〜２５ｗｔ
％　、ＳｉＯ２　５〜１５ｗｔ％　、ＭｎＯ２　１〜２
０ｗｔ％　、ＺｎＯ８〜２５ｗｔ％　である請求項１に
記載の導体組成物。
【請求項３】　　前記非晶質ガラスに対する前記結晶化
ガラスの割合が重量比で０．２〜０．８５である請求項
１または２に記載の導体組成物。
【請求項４】　　前記低融点ガラスを導体に対して１〜
４ｗｔ％　含有する請求項１ないし３のいずれかに記載
の導体組成物。
【請求項５】　　前記無機結合剤が、さらに、ＴｉＯ２
　、ＺｒＯ２　、ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ａｌ２　Ｏ３　、Ｂ
ｉ２　Ｏ３　およびＳｂ２　Ｏ３　のうちの少なくとも
一種以上を、前記導体に対して１０ｐｐｍ　〜２ｗｔ％
　含有する請求項１ないし４のいずれかに記載の導体組
成物。
【請求項６】　　請求項１ないし５のいずれかに記載の
導体組成物を用いて外部導体を形成した配線基板。
【請求項７】　　前記外部導体と接して、ガラスを３５
〜９５ｗｔ％　含有する抵抗体を有する請求項６に記載
の配線基板。
【請求項８】　　前記ガラスは非晶質ガラスを９０ｗｔ
％　以上含有する請求項７に記載の配線基板。