JPH02273986A - 厚膜回路基板 - Google Patents
厚膜回路基板Info
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- JPH02273986A JPH02273986A JP9697289A JP9697289A JPH02273986A JP H02273986 A JPH02273986 A JP H02273986A JP 9697289 A JP9697289 A JP 9697289A JP 9697289 A JP9697289 A JP 9697289A JP H02273986 A JPH02273986 A JP H02273986A
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- resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、厚膜ハイブリッドIC回路を有する厚膜回路
基板に関するものである。
基板に関するものである。
(従来の技術)
従来より、アルミナなどのセラミック基板に導電層や抵
抗体層、絶縁体層などをスクリーン印刷法により形成し
た厚膜回路基板が知られており、その厚膜回路基板の構
造は、例えば第2図に示すようである。
抗体層、絶縁体層などをスクリーン印刷法により形成し
た厚膜回路基板が知られており、その厚膜回路基板の構
造は、例えば第2図に示すようである。
この厚膜回路基板の製造法について説明すると、まず、
アルミナ等のセラミックス材料で形成された絶縁基板!
上に、例えばAg系の導体ペーストをスクリーン印刷法
にて印刷し、酸化雰囲気中800〜900℃の温度領域
で焼付して導体層2を形成する0次に絶縁基板l上に前
記導体層2に重なるように1例えば酸化ルテニウム系の
抵抗ペーストを印刷し、800〜900℃の温度領域で
焼付して抵抗体層3を形成する。また通常は、この導体
層2と抵抗体層3の上に保護ガラスペーストを印刷し、
450〜600℃にて焼付して保護ガラス層を形成する
ことが多い。
アルミナ等のセラミックス材料で形成された絶縁基板!
上に、例えばAg系の導体ペーストをスクリーン印刷法
にて印刷し、酸化雰囲気中800〜900℃の温度領域
で焼付して導体層2を形成する0次に絶縁基板l上に前
記導体層2に重なるように1例えば酸化ルテニウム系の
抵抗ペーストを印刷し、800〜900℃の温度領域で
焼付して抵抗体層3を形成する。また通常は、この導体
層2と抵抗体層3の上に保護ガラスペーストを印刷し、
450〜600℃にて焼付して保護ガラス層を形成する
ことが多い。
この場合、抵抗体層3の抵抗値Rは、抵抗ペーストのシ
ート抵抗と抵抗体の形状によって設計値になるように調
整される。ここに、例えば第3図に示すように、抵抗体
の長ざをし、抵抗体の幅をWとすると、抵抗値Rが例え
ばR=10にΩの抵゛抗体を形成する場合、シート抵抗
10にΩ/口の抵抗ペーストを、L= 1 mm、W=
l mmになるように印刷し、焼付する。さらに抵抗
値の微調整が必要な場合には、レーザトリミング法等に
より設定値になるように調節する。
ート抵抗と抵抗体の形状によって設計値になるように調
整される。ここに、例えば第3図に示すように、抵抗体
の長ざをし、抵抗体の幅をWとすると、抵抗値Rが例え
ばR=10にΩの抵゛抗体を形成する場合、シート抵抗
10にΩ/口の抵抗ペーストを、L= 1 mm、W=
l mmになるように印刷し、焼付する。さらに抵抗
値の微調整が必要な場合には、レーザトリミング法等に
より設定値になるように調節する。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、前述したアルミナの絶縁基板を用いた従
来の厚膜回路基板においては、抵抗体の形状効果と呼ば
れる問題がある。ここに「形状効果」とは、基板上に印
刷し焼付して得られた抵抗体のシート抵抗値が抵抗体の
形状により異なることをいう。また、例えば第4図に示
すように、抵抗体の長さしとシート抵抗値の関係につい
て、導体と抵抗体の組合わせにより、形状効果が異なる
ことも一般に知られている。
来の厚膜回路基板においては、抵抗体の形状効果と呼ば
れる問題がある。ここに「形状効果」とは、基板上に印
刷し焼付して得られた抵抗体のシート抵抗値が抵抗体の
形状により異なることをいう。また、例えば第4図に示
すように、抵抗体の長さしとシート抵抗値の関係につい
て、導体と抵抗体の組合わせにより、形状効果が異なる
ことも一般に知られている。
このため、市販の抵抗体についてはカタログデータに形
状効果が記載される場合があり、この場合ユーザはカタ
ログデータの記載に基づいてパターン設計することがで
きる。しかし実際には、ユーザごとに焼付条件が異なる
ため形状効果も微妙に異なってくるので、ユーザにとっ
てはテストパターンによって形状効果を確認した後でパ
ターン設計を行わなくてはならずパターン設計が煩雑に
なりがちである。
状効果が記載される場合があり、この場合ユーザはカタ
ログデータの記載に基づいてパターン設計することがで
きる。しかし実際には、ユーザごとに焼付条件が異なる
ため形状効果も微妙に異なってくるので、ユーザにとっ
てはテストパターンによって形状効果を確認した後でパ
ターン設計を行わなくてはならずパターン設計が煩雑に
なりがちである。
また、周知の如く近年の電子機器の小型化、高性能化に
伴ない、厚膜回路基板材料には、アルミナよりも高熱伝
導性、低熱膨張性、低誘電性の優れた材料が要求され、
これに見合った基板材料として1種々の窒化アルミ基板
、低温焼成基板(LFC基板)が開発されている。
伴ない、厚膜回路基板材料には、アルミナよりも高熱伝
導性、低熱膨張性、低誘電性の優れた材料が要求され、
これに見合った基板材料として1種々の窒化アルミ基板
、低温焼成基板(LFC基板)が開発されている。
ところが5本発明者の行なった実験によると、窒化アル
ミ基板やLFC基板に対して市販の導体と市販の抵抗体
を用いる場合、抵抗体の焼付時に抵抗体と導体の境界部
の抵抗体にクラックが発生しやすいことが判明し、また
、導体なしで抵抗体のみを基板上へ印刷代焼付する場合
は、抵抗体のクラックが発生しにくいことが判明した。
ミ基板やLFC基板に対して市販の導体と市販の抵抗体
を用いる場合、抵抗体の焼付時に抵抗体と導体の境界部
の抵抗体にクラックが発生しやすいことが判明し、また
、導体なしで抵抗体のみを基板上へ印刷代焼付する場合
は、抵抗体のクラックが発生しにくいことが判明した。
形状効果については、窒化アルミ基板やLFC基板の場
合もアルミナ基板の場合と同様に発現した。
合もアルミナ基板の場合と同様に発現した。
ここで導体が抵抗体層ご影響を与えることによって、抵
抗体の形状効果が生じることと、抵抗体のクラックが発
生することの2つを「電極効果」と定義する。
抗体の形状効果が生じることと、抵抗体のクラックが発
生することの2つを「電極効果」と定義する。
電極効果が生じる原因は、抵抗体の焼付時に導体から抵
抗体中に成分拡散が生じ、導体近傍部の抵抗体が変質す
ることにより、その部分の電気的および熱的性質が変゛
化することによるものと考えられる。さらに具体的には
、形状効果が発生する原因は、導体中の主成分であるA
gと抵抗体の反応によるものであると考えられる。一方
、クラックの発生は導体膜中のガラス成分と抵抗体の反
応に起因すると考えられるが、導体は導体特性(はんだ
性、基板との接着強度の確保)を満足させるために、B
tiOs、ガラス、遷移金属酸化物等の添加物が必要不
可欠であるので、導体膜中のガラスを極端に減らしたり
、また組成を大幅に変更することはできない。
抗体中に成分拡散が生じ、導体近傍部の抵抗体が変質す
ることにより、その部分の電気的および熱的性質が変゛
化することによるものと考えられる。さらに具体的には
、形状効果が発生する原因は、導体中の主成分であるA
gと抵抗体の反応によるものであると考えられる。一方
、クラックの発生は導体膜中のガラス成分と抵抗体の反
応に起因すると考えられるが、導体は導体特性(はんだ
性、基板との接着強度の確保)を満足させるために、B
tiOs、ガラス、遷移金属酸化物等の添加物が必要不
可欠であるので、導体膜中のガラスを極端に減らしたり
、また組成を大幅に変更することはできない。
本発明は、上記実情を考慮してなされたもので、厚膜回
路基板の構造を変えることで、電極効果がほとんどなく
、かつ製造時にクラックが発生せず、導体の特性も損な
わないような厚膜回路基板を提供することを目的とする
ものである (課題を解決するための手段) 前記課題を解決するための本発明の厚膜回路基板は、絶
縁基板上に形成される第1の導体層と、前記絶縁基板上
に前記第1の導体層に重ならないように形成される抵抗
体層と、前記絶縁基板上に前記第°lの導体層上の一部
と前記抵抗体層上の一部とに重なるように形成される電
極効果の小さな第2の導体層を有することを特徴とする
。
路基板の構造を変えることで、電極効果がほとんどなく
、かつ製造時にクラックが発生せず、導体の特性も損な
わないような厚膜回路基板を提供することを目的とする
ものである (課題を解決するための手段) 前記課題を解決するための本発明の厚膜回路基板は、絶
縁基板上に形成される第1の導体層と、前記絶縁基板上
に前記第1の導体層に重ならないように形成される抵抗
体層と、前記絶縁基板上に前記第°lの導体層上の一部
と前記抵抗体層上の一部とに重なるように形成される電
極効果の小さな第2の導体層を有することを特徴とする
。
ここに、第1の導体層に適する材料は、ハンダぬれ性、
耐ハンダくわれ性、ハンダ付は後の耐久接着強度等の導
体特性が良好である材料、例えばAg−Pd系、Ag−
Pt系で800〜b焼付温度の高温焼付ペーストを用い
るのが望ましい。
耐ハンダくわれ性、ハンダ付は後の耐久接着強度等の導
体特性が良好である材料、例えばAg−Pd系、Ag−
Pt系で800〜b焼付温度の高温焼付ペーストを用い
るのが望ましい。
第2の導体層に適する材料は、焼付温度が抵抗体ガラス
の軟化温度より低く(例えば650℃以下)、Ag以外
のガラスや金属酸化物がなるべく少なく、抵抗体へのA
gおよびガラス成分が拡散し難く、Agの焼結が充分で
ありシート抵抗値が充分に低い(例えば20mΩ/口以
下)ような材料が望ましい。
の軟化温度より低く(例えば650℃以下)、Ag以外
のガラスや金属酸化物がなるべく少なく、抵抗体へのA
gおよびガラス成分が拡散し難く、Agの焼結が充分で
ありシート抵抗値が充分に低い(例えば20mΩ/口以
下)ような材料が望ましい。
なお、前記第1の導体層、第2の導体層および抵抗体層
の上に保護ガラスペーストを印刷し、450〜600℃
にて焼付して保護ガラス層を形成してもよいことはもち
ろんである。
の上に保護ガラスペーストを印刷し、450〜600℃
にて焼付して保護ガラス層を形成してもよいことはもち
ろんである。
(実施例)
以下1本発明を図面にもとづいて詳細に説明する。
本発明の厚膜回路基板の基本的な構造は、第1図に示す
とおりであり、厚膜回路基板20は、絶縁基板21上に
形成される第1の導体層22と、絶縁基板21上に第1
の導体層22に重ならないように形成される抵抗体層2
3と、絶縁基板21上に第1の導体層22上の一部と抵
抗体層23上の一部とに重なるように形成される電極効
果の小さな第2の導体層24から成っている。
とおりであり、厚膜回路基板20は、絶縁基板21上に
形成される第1の導体層22と、絶縁基板21上に第1
の導体層22に重ならないように形成される抵抗体層2
3と、絶縁基板21上に第1の導体層22上の一部と抵
抗体層23上の一部とに重なるように形成される電極効
果の小さな第2の導体層24から成っている。
このような構造をもつ厚膜回路基板を従来のものと比較
して試験した。本発明の実施例および比較例において用
いた材料は共通であり、下記に示すとおりである。
して試験した。本発明の実施例および比較例において用
いた材料は共通であり、下記に示すとおりである。
■「絶縁基板」は、アルミナを主成分とした低温焼成基
板であり、その熱膨張系数は室温〜約500℃の温度範
囲で5.3x I O−6/”Cである。
板であり、その熱膨張系数は室温〜約500℃の温度範
囲で5.3x I O−6/”Cである。
■「第1の導体」は、重量比Ag : Pd=85=1
5のAg、Pdを主成分としたAg−Pd系導体であり
、添加物としてpbo−Bz O,−S+O,ZnO系
ガラス、B it Os 、ZnO3および微量の遷移
金属酸化物を、総量で金属成分に対して約10wt%含
んだ材料である。この材料を850℃にて基板上へ焼付
することにより、良好な導体特性(ハンダぬれ性、耐ハ
ンダくわれ性、ハンダ付は後の耐久接着強度5低配線抵
抗)が得られる。
5のAg、Pdを主成分としたAg−Pd系導体であり
、添加物としてpbo−Bz O,−S+O,ZnO系
ガラス、B it Os 、ZnO3および微量の遷移
金属酸化物を、総量で金属成分に対して約10wt%含
んだ材料である。この材料を850℃にて基板上へ焼付
することにより、良好な導体特性(ハンダぬれ性、耐ハ
ンダくわれ性、ハンダ付は後の耐久接着強度5低配線抵
抗)が得られる。
■「第2の導体」は、低温焼付仕様の市販Δg導体であ
り、焼付温度はメーカ指定で500〜600℃である0
組成はAg l 00に対して約7%のホウケイ酸鉛と
BiaO+を添加した材料であり、この材料を500〜
600℃で焼付することによりシート抵抗10mΩ/口
となる。ただし、ハンダくわれ性が大きいので、ハンダ
が用いられる部位には不適である。
り、焼付温度はメーカ指定で500〜600℃である0
組成はAg l 00に対して約7%のホウケイ酸鉛と
BiaO+を添加した材料であり、この材料を500〜
600℃で焼付することによりシート抵抗10mΩ/口
となる。ただし、ハンダくわれ性が大きいので、ハンダ
が用いられる部位には不適である。
■「抵抗体」は、P b* Ru20t−x (パイ
ロクロア)およびRu Oaの導電粒子とpbo−si
Ox −B20s Aβgo3系ガラスの混合物で
あり、導電粒子とガラスの比は重量比で20=80であ
る。焼付温度は850℃である。
ロクロア)およびRu Oaの導電粒子とpbo−si
Ox −B20s Aβgo3系ガラスの混合物で
あり、導電粒子とガラスの比は重量比で20=80であ
る。焼付温度は850℃である。
■「保護ガラス」は、 P bo S i Ox
B203−Aβ203系ガラスであり、焼付温度は60
0℃である。
B203−Aβ203系ガラスであり、焼付温度は60
0℃である。
試験結果を示すと5第1表に示すとおりであった。
(以下、余白)
第1表
第1表において、比較例1〜4は従来技術に属し、実施
例1と2は本発明に属する。
例1と2は本発明に属する。
比JLi殊−」。
比較例1の厚膜回路基板の構造は、第5図に示すように
、基板51上に第1の導体成分を印刷し、850℃で焼
付することにより、第1の導体52を形成した。次に同
様に抵抗体成分を印刷、焼付して抵抗体53を形成した
。
、基板51上に第1の導体成分を印刷し、850℃で焼
付することにより、第1の導体52を形成した。次に同
様に抵抗体成分を印刷、焼付して抵抗体53を形成した
。
得られた厚膜回路基板io枚を観察した結果、抵抗体2
00個中3S個の抵抗体にクラックが発生していた。
00個中3S個の抵抗体にクラックが発生していた。
匿較土−ユ
比較例2の厚膜回路基板の構造は、第6図に示すように
、基板61上に抵抗体成分を印刷し、850℃で焼付す
ることにより、抵抗体62を形成した。次に第2の導体
成分を印刷し、600℃の低温焼付により第2の導体6
3を形成した。次に第2の導体63の一部が露出するよ
うに保護ガラス成分を印刷し、600℃で焼付すること
により、保護ガラス64を形成した。
、基板61上に抵抗体成分を印刷し、850℃で焼付す
ることにより、抵抗体62を形成した。次に第2の導体
成分を印刷し、600℃の低温焼付により第2の導体6
3を形成した。次に第2の導体63の一部が露出するよ
うに保護ガラス成分を印刷し、600℃で焼付すること
により、保護ガラス64を形成した。
得られた厚膜回路基板を235℃のハンダ槽に約5秒間
浸漬したところ、ハンダくわれが著しく。
浸漬したところ、ハンダくわれが著しく。
実用に耐えないことが解った。
九較■−ユ
比較例3の厚膜回路基板の構造は、第7図に示すように
、基板71上に抵抗体成分を印刷し、850℃で焼付す
ることにより、抵抗体72を形成した0次に、第1の導
体成分を印刷し、850℃で焼付することにより、第1
の導体73を形成した。
、基板71上に抵抗体成分を印刷し、850℃で焼付す
ることにより、抵抗体72を形成した0次に、第1の導
体成分を印刷し、850℃で焼付することにより、第1
の導体73を形成した。
得られた厚膜回路基板10枚を観察した結果、抵抗体2
00個中の全ての抵抗体にクラックが発生していた。
00個中の全ての抵抗体にクラックが発生していた。
1校皿−1
比較例4の厚膜回路基板の構造は、第8図に示すように
、基板81上に抵抗体成分を印刷し、850℃で焼付す
ることにより、抵抗体82を形成した。次に、第2の導
体成分を印刷し、850℃で焼付することにより、第2
の導体83を形成qた。
、基板81上に抵抗体成分を印刷し、850℃で焼付す
ることにより、抵抗体82を形成した。次に、第2の導
体成分を印刷し、850℃で焼付することにより、第2
の導体83を形成qた。
得られた厚膜回路基板10枚を観察した結果、抵抗体2
00個中の41個の抵抗体にクラックが発生していた。
00個中の41個の抵抗体にクラックが発生していた。
実」1札−」一
実施例1の厚膜回路基板の構造は、第9図に示すように
、基板91上に第1の導体成分と抵抗体成分を順次印刷
し、850℃で同時焼付することにより、第1の導体9
2と抵抗体93を同時に形成した。次に第2の導体成分
を印刷し、600℃の低温焼付により第2の導体94を
形成した。次に保護ガラス成分を第1の導体92の一部
が露出するように印刷し、600℃での焼付により保護
ガラス95を形成した。
、基板91上に第1の導体成分と抵抗体成分を順次印刷
し、850℃で同時焼付することにより、第1の導体9
2と抵抗体93を同時に形成した。次に第2の導体成分
を印刷し、600℃の低温焼付により第2の導体94を
形成した。次に保護ガラス成分を第1の導体92の一部
が露出するように印刷し、600℃での焼付により保護
ガラス95を形成した。
この厚膜回路基板の特性は第1表に示すように良好であ
った。
った。
及鳳里−ユ
実施例2の厚膜回路基板の構造は、第1O図に示すよう
に、基板91上に第1の導体成分と抵抗体成分を順次印
刷し、850℃で同時焼付することにより、第1の導体
92と抵抗体93を同時に形成した。次に第2の導体成
分と保護ガラス成分を順次印刷し、600℃での同時焼
付により第2の導体94と保護ガラス95を同時に形成
した。
に、基板91上に第1の導体成分と抵抗体成分を順次印
刷し、850℃で同時焼付することにより、第1の導体
92と抵抗体93を同時に形成した。次に第2の導体成
分と保護ガラス成分を順次印刷し、600℃での同時焼
付により第2の導体94と保護ガラス95を同時に形成
した。
この特性は第1表に示すように良好であった。
(発明の効果)
以上説明したように1本発明の厚膜回路基板によれば、
導体特性を損なうことなくかつ形状効果の生じない構成
をもつ回路基板構造であるため、抵抗体の形状効果を考
慮に入れることなく抵抗値を設計することができ、抵抗
体パターンの設計が簡便化され、しかも製造時に抵抗体
にクラック等の破損が生じないという効果がある。
導体特性を損なうことなくかつ形状効果の生じない構成
をもつ回路基板構造であるため、抵抗体の形状効果を考
慮に入れることなく抵抗値を設計することができ、抵抗
体パターンの設計が簡便化され、しかも製造時に抵抗体
にクラック等の破損が生じないという効果がある。
第1図は本発明の実施例の厚膜回路基板の構造を示す概
略断面図、第2図は従来例を説明するための厚膜回路基
板を示す概略断面図、第3図および第4図は従来例を説
明するための図、第5図、第6図、第7図、第8図はそ
れぞれ従来技術に属する厚膜回路基板の構造を示す概略
断面図、第9図および第10図は本発明の実施例の厚膜
回路基板の構造を示す概略断面図である。 20・・・厚膜回路基板、 1・・・絶縁基板、 22・・・第1の導体層、 23・・・抵抗体層、 24・・・第2の導体層。
略断面図、第2図は従来例を説明するための厚膜回路基
板を示す概略断面図、第3図および第4図は従来例を説
明するための図、第5図、第6図、第7図、第8図はそ
れぞれ従来技術に属する厚膜回路基板の構造を示す概略
断面図、第9図および第10図は本発明の実施例の厚膜
回路基板の構造を示す概略断面図である。 20・・・厚膜回路基板、 1・・・絶縁基板、 22・・・第1の導体層、 23・・・抵抗体層、 24・・・第2の導体層。
Claims (1)
- (1)絶縁基板上に形成される第1の導体層と、前記絶
縁基板上に前記第1の導体層に重ならないように形成さ
れる抵抗体層と、前記絶縁基板上に前記第1の導体層上
の一部と前記抵抗体層上の一部とに重なるように形成さ
れる電極効果の小さな第2の導体層を有することを特徴
とする厚膜回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1096972A JP2760035B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 厚膜回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1096972A JP2760035B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 厚膜回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02273986A true JPH02273986A (ja) | 1990-11-08 |
| JP2760035B2 JP2760035B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=14179136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1096972A Expired - Fee Related JP2760035B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 厚膜回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2760035B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5754093A (en) * | 1995-04-28 | 1998-05-19 | Nippondenso Co., Ltd. | Thick-film printed substrate including an electrically connecting member and method for fabricating the same |
| WO2004077899A1 (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | セラミック回路基板及びこれに用いられる導体ペースト |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62135476U (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-26 | ||
| JPS63226901A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-21 | タムラ化研株式会社 | 印刷抵抗体及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-04-17 JP JP1096972A patent/JP2760035B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2760035B2 (ja) | 1998-05-28 |
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