JPH04328308A - 複合型磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばディジタルＶＴ
Ｒ（ディジタルビデオテープレコーダ）等に使用して有
用な複合型磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録において大量のデータを一時に
記録再生する場合には、例えば図１２に示すように、互
いに異なるアジマス角を有する磁気ギャップｇ１　，ｇ
２　を有した一対の磁気ヘッド１０１，１０２を同図中
矢印Ｘで示すヘッド走行方向に所定の間隔で隣接配置し
、これら磁気ヘッド１０１，１０２で図１３に示す磁気
テープ１０３の記録トラックに同時に記録再生する方法
が有効である。

【０００３】ところで、上記磁気ヘッド１０１，１０２
をヘリカルスキャンさせる場合に、これら磁気ヘッド１
０１，１０２の磁気テープ１０３に対する走行角度が大
きくなるほど、記録情報量の高密度記録の観点より２つ
の磁気ヘッド１０１，１０２のギャップ間距離ＧＬを小
さくする必要が生ずる。

【０００４】しかしながら、上記磁気ヘッド１０１，１
０２のギャップ間距離ＧＬを小さくすると、磁気ギャッ
プｇ１　，ｇ２　を構成する磁気コア１０４，１０５及
び１０６，１０７のうち相対向する磁気コア１０５，１
０７の対向距離Ｌが近接するため、漏洩磁束の問題が発
生する。すなわち、一方の磁気ギャップｇ１　から発生
した磁束が他方の磁気ギャップｇ２に入り込み、当該他
方の磁気ギャップｇ２　の記録再生信号と相互干渉（ク
ロストーク）を起こすことになる。この結果、記録再生
信号が劣化し、良好な記録再生が行えなくなる。

【０００５】そこで従来においては、上記磁気ヘッド１
０１，１０２間に漏洩磁束を遮蔽する磁気遮蔽板を配置
する方法や、これら磁気ヘッド１０１，１０２に８の字
状にコイルを巻回し、この８の字コイルで漏洩磁束によ
る信号成分を逆位相に結合させることで打ち消し合わせ
るようにした方法等がとられていた。

【０００６】しかし、より多くのデータを記録再生する
ことを考えると磁気ヘッド１０１，１０２間の対向距離
Ｌはより小さい方向へと進むため、上記微小間隙に磁気
遮蔽板を設けること、これら磁気ヘッド１０１，１０２
に８の字コイルを巻回することはいずれも困難となる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、かか
る従来の実情に鑑みて提案されたものであって、相対向
して近接配置される一方の磁気ヘッドからの漏洩磁束を
確実に遮蔽し、記録再生信号の相互干渉が防止できる良
好な記録再生が行える複合型磁気ヘッドを提供すること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、互いに異なるアジマス角を有する磁気
ギャップを有した一対の磁気ヘッドをヘッド走行方向に
相対向して近接配置してなる複合型磁気ヘッドにおいて
、これら磁気ヘッドの互いに対向する対向面の少なくと
も一方に他方の磁気ヘッドの磁気ギャップからの漏洩磁
束を遮蔽する良導体薄膜が形成されていることを特徴と
するものである。

【０００９】

【作用】本発明にかかる複合型磁気ヘッドにおいては、
ヘッド走行方向に相対向して近接配置された一対の磁気
ヘッドの互いに対向する対向面の少なくとも一方に他方
の磁気ヘッドの磁気ギャップからの漏洩磁束を遮蔽する
良導体薄膜を設けているので、この他方の磁気ヘッドか
らの漏洩磁束が上記良導体薄膜によって遮蔽される。し
たがって、これら磁気ヘッドの記録再生信号の相互干渉
が減少し、良好な記録再生が行える。

【００１０】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて説明する。本実施例は、記録情報量を再生歪みの少
ない形で圧縮し、トラック幅１０μｍ以下とし短波長０
．５μｍで１．２５μｍ２　／ｂｉｔの高記録密度を持
って、ビットエラーレートの少ない形でテープ幅８μｍ
以下の幅狭の磁気テープに対して互いに異なるアジマス
角を有する一対の磁気ヘッドをヘッド走行方向に相対向
して近接配置してなる複合型磁気ヘッドにより、ディジ
タル画像信号の長時間記録再生を可能とした例である。

【００１１】先ず、記録情報量を再生歪みの少ない形で
圧縮する方法について図面を参照しながら説明する。こ
の方法は、入力ディジタル画像信号を複数の画素データ
からなるブロック単位のデータに変換してブロック化し
、該ブロック化されたデータをブロック単位に圧縮符号
化し、該圧縮符号化されたデータをチャンネル符号化し
、該チャンネル符号化されたデータを回転ドラムに装着
された本実施例の磁気ヘッドによって磁気テープに記録
するものである。以下、記録側の構成と再生側の構成と
に分けて説明する。

【００１２】図１は記録側の構成全体を示すものであり
、１Ｙ、１Ｕ、１Ｖでそれぞれ示す入力端子に、例えば
カラービデオカメラからの三原色信号Ｒ，Ｇ，Ｂから形
成されたディジタル輝度信号Ｙ、ディジタル色差信号Ｕ
、Ｖが供給される。この場合、各信号のクロックレート
はＤ１フォーマットの各コンポーネント信号の周波数と
同一とされる。すなわち、それぞれのサンプリング周波
数が１３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚとされ、且つこれ
らの１サンプル当たりのビット数が８ビットとされてい
る。したがって、入力端子１Ｙ、１Ｕ、１Ｖに供給され
る信号のデータ量としては、約２１６Ｍｂｐｓとなる。 この信号のうちブランキング時間のデータを除去し、有
効領域の情報のみを取り出す有効情報抽出回路２によっ
てデータ量が約１６７Ｍｂｐｓに圧縮される。

【００１３】有効情報抽出回路２の出力のうちの輝度信
号Ｙが周波数変換回路３に供給され、サンプリング周波
数が１３．５ＭＨｚからその３／４に変換される。この
周波数変換回路３としては、例えば間引きフィルタが使
用され、折り返し歪みが生じないようになされている。 周波数変換回路３の出力信号がブロック化回路５に供給
され、輝度データの順序がブロックの順序に変換される
。ブロック化回路５は、後段に設けられたブロック符号
化回路８のために設けられている。

【００１４】図３は、符号化の単位のブロックの構造を
示す。この例は、３次元ブロックであって、例えば２フ
レームに跨がる画面を分割することにより、同図に示す
ように（４ライン×４画素×２フレーム）の単位ブロッ
クが多数形成される。なお、図３において実線は奇数フ
ィールドのラインを示し、破線は偶数フィールドのライ
ンを示す。

【００１５】また、有効情報抽出回路２の出力のうち、
２つの色差信号Ｕ、Ｖがサブサンプリング及びサブライ
ン回路４に供給され、サンプリング周波数がそれぞれ６
．７５ＭＨｚからその半分に変換された後、２つのディ
ジタル色差信号が互いにライン毎に選択され、１チャン
ネルのデータに合成される。したがって、このサブサン
プリング及びサブライン回路４からは線順次化されたデ
ィジタル色差信号が得られる。このサブサンプリング及
びサブライン回路４によってサブサンプル及びサブライ
ン化された信号の画素構成を図４に示す。図４中、○は
第１の色差信号Ｕのサブサンプリング画素を示し、△は
第２の色素信号Ｖのサンプリング画素を示し、×はサブ
サンプルによって間引かれた画素の位置を示す。

【００１６】サブサンプリング及びサブライン回路４の
線順次化出力信号がブロック化回路６に供給される。ブ
ロック化回路６では一方のブロック化回路５と同様に、
テレビジョン信号の走査の順序の色差データがブロック
の順序のデータに変換される。このブロック化回路６は
、一方のブロック化回路５と同様に、色差データを（４
ライン×４画素×２フレーム）のブロック構造に変換す
る。そしてこれらブロック化回路５及びブロック化回路
６の出力信号が合成回路７に供給される。

【００１７】合成回路７では、ブロックの順序に変換さ
れた輝度信号及び色差信号が１チャンネルのデータに変
換され、合成回路７の出力信号がブロック符号化回路８
に供給される。このブロック符号化回路８としては、後
述するようにブロック毎のダイナミックレンジに適応し
た符号化回路（ＡＤＲＣと称する。）、ＤＣＴ（Ｄｉｓ
ｃｒｅｔｅ　　Ｃｏｓｉｎｅ　　Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）
回路等が適用できる。ブロック符号化回路８の出力信号
がフレーム化回路９に供給され、フレーム構造のデータ
に変換される。このフレーム化回路９では、画素系のク
ロックと記録系のクロックとの乗り換えが行われる。

【００１８】フレーム化回路９の出力信号がエラー訂正
符号のパリティ発生回路１０に供給され、エラー訂正符
号のパリティが生成される。パリティ発生回路１０の出
力信号がチャンネルエンコーダ１１に供給され、記録デ
ータの低域部分を減少させるようなチャンネルコーディ
ングがなされる。チャンネルエンコーダ１１の出力信号
が記録アンプ１２Ａ，１２Ｂと回転トランス（図示は省
略する。）を介して一対の磁気ヘッド１３Ａ，１３Ｂに
供給され、磁気テープに記録される。なお、オーディオ
信号と、ビデオ信号とは別に圧縮符号化され、チャンネ
ルエンコーダ１１に供給される。

【００１９】上述の信号処理によって、入力のデータ量
２１６Ｍｂｐｓが有効走査期間のみを抽出するによって
約１６７Ｍｂｐｓに低減され、さらに周波数変換とサブ
サンプル、サブラインとによってこれが８４Ｍｂｐｓに
減少される。このデータは、ブロック符号化回路８で圧
縮符号化することにより、約２５Ｍｂｐｓに圧縮され、
その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的な情報を
加えて、記録データ量としては３１．５６Ｍｂｐｓ程度
となる。

【００２０】次に、再生側の構成について図２を参照し
ながら説明する。図２において磁気ヘッド１３Ａ，１３
Ｂからの再生データが回転トランス及び再生アンプ１４
Ａ，１４Ｂを介してチャンネルデコーダ１５に供給され
る。チャンネルデコーダ１５において、チャンネルコー
ディングの復調がされ、チャンネルデコーダ１５の出力
信号がＴＢＣ回路（時間軸補正回路）１６に供給される
。このＴＢＣ回路１６において、再生信号の時間軸変動
成分が除去される。ＴＢＣ回路１６からの再生データが
ＥＣＣ回路１７に供給され、エラー訂正符号を用いたエ
ラー訂正とエラー修整とが行われる。ＥＣＣ回路１７の
出力信号がフレーム分解回路１８に供給される。

【００２１】フレーム分解回路１８によって、ブロック
符号化データの各成分がそれぞれ分離されるとともに、
記録系のクロックから画素系のクロックへの乗り換えが
なされる。フレーム分解回路１８で分離された各データ
がブロック複号回路１９に供給され、各ブロック単位に
原データと対応する復元データが複号され、複号データ
が分配回路２０に供給される。この分配回路２０で複号
データが輝度信号と色差信号に分離される。輝度信号及
び色差信号がブロック分解回路２１，２２にそれぞれ供
給される。ブロック分解回路２１，２２は、送信側のブ
ロック化回路５，６とは逆に、ブロックの順序の複号デ
ータをラスター走査の順に変換する。

【００２２】ブロック分解回路２１からの複号輝度信号
が補間フィルタ２３に供給される。補間フィルタ２３で
は、輝度信号のサンプリングレートが３ｆｓから４ｆｓ
（４ｆｓ＝１３．５ＭＨｚ）に変換される。補間フィル
タ２３からのディジタル輝度信号Ｙは出力端子２６Ｙに
取り出される。

【００２３】一方、ブロック分解回路２２からのディジ
タル色差信号が分配回路２４に供給され、線順次化され
たディジタル色差信号Ｕ，Ｖがディジタル色差信号Ｕ及
びＶにそれぞれ分離される。分配回路２４からのディジ
タル色差信号Ｕ，Ｖが補間回路２５に供給され、それぞ
れ補間される。補間回路２５は、復元された画素データ
を用いて間引かれたライン及び画素のデータを補間する
もので、補間回路２５からはサンプリングレートが４ｆ
ｓのディジタル色差信号Ｕ及びＶが得られ、出力端子２
６Ｕ，２６Ｖにそれぞれ取り出される。

【００２４】ところで上述のブロック符号化回路８とし
ては、ＡＤＲＣ（ＡｄａｐｔｉｖｅＤｙｎａｍｉｃ　　
Ｒａｎｇｅ　　Ｃｏｄｉｎｇ）エンコーダが用いられる
。このＡＤＲＣエンコーダは、各ブロックに含まれる複
数の画素データの最大値ＭＡＸと最小値ＭＩＮを検出し
、これら最大値ＭＡＸ及び最小値ＭＩＮからブロックの
ダイナミックレンジＤＲを検出し、このダイナミックレ
ンジＤＲに適応した符号化を行い、原画素データのビッ
ト数よりも少ないビット数により、再量子化を行うもの
である。ブロック符号化回路８の他の例としては、各ブ
ロックの画素データをＤＣＴ（Ｄｉｓｃｒｅｔｅ　　Ｃ
ｏｓｉｎｅ　　Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）した後、このＤＣ
Ｔで得られた係数データを量子化し、量子化データをラ
ンレングス・ハフマン符号化して圧縮符号化する構成を
用いてもよい。

【００２５】ここでは、ＡＤＲＣエンコーダを用い、さ
らにマルチダビングした時にも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図５を参照しながら説明する。図５におい
て、入力端子２７に例えば１サンプルが８ビットに量子
化されたディジタルビデオ信号（或いはディジタル色差
信号）が図１の合成回路７より入力される。入力端子２
７からのブロック化データが最大値，最小値検出回路２
９及び遅延回路３０に供給される。最大値，最小値検出
回路２９は、ブロック毎に最小値ＭＩＮ、最大値ＭＡＸ
を検出する。遅延回路３０からは、最大値及び最小値が
検出されるのに要する時間、入力データを遅延させる。 遅延回路３０からの画素データが比較回路３１及び比較
回路３２に供給される。

【００２６】最大値，最小値検出回路２９からの最大値
ＭＡＸが減算回路３３に供給され、最小値ＭＩＮが加算
回路３４に供給される。これらの減算回路３３及び加算
回路３４には、ビットシフト回路３５から４ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化した場合の１量子化ス
テップ幅の値（△＝１／１６ＤＲ）が供給される。ビッ
トシフト回路３５は、（１／１６）の割算を行うように
、ダイナミックレンジＤＲを４ビットシフトする構成と
されている。減算回路３３からは（ＭＡＸ−△）のしき
い値が得られ、加算回路３４からは（ＭＩＮ＋△）のし
きい値が得られる。これらの減算回路３３及び加算回路
３４からのしきい値が比較回路３１，３２にそれぞれ供
給される。なお、このしきい値を規定する値△は、量子
化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相当する固定値
としてもよい。

【００２７】比較回路３１の出力信号がＡＮＤゲート３
６に供給され、比較回路３２の出力信号がＡＮＤゲート
３７に供給される。ＡＮＤゲート３６及びＡＮＤゲート
３７には、遅延回路３０からの入力データが供給される
。比較回路３１の出力信号は、入力データがしきい値よ
り大きい時にハイレベルとなり、したがってＡＮＤゲー
ト３６の出力端子には、（ＭＡＸ〜ＭＡＸ−△）の最大
レベル範囲に含まれる入力データの画素データが抽出さ
れる。一方、比較回路３２の出力信号は、入力データが
しきい値より小さい時にハイレベルとなり、したがって
ＡＮＤゲート３７の出力端子には、（ＭＩＮ〜ＭＩＮ＋
△）の最小レベル範囲に含まれる入力データの画素デー
タが抽出される。

【００２８】ＡＮＤゲート３６の出力信号が平均化回路
３８に供給され、ＡＮＤゲート３７の出力信号が平均化
回路３９に供給される。これらの平均化回路３８，３９
は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子４０か
らブロック周期のリセット信号が平均化回路３８，３９
に供給されている。平均化回路３８からは、（ＭＡＸ〜
ＭＡＸ−△）の最大レベル範囲に属する画素データの平
均値ＭＡＸ´が得られ、平均化回路３９からは（ＭＩＮ
〜ＭＩＮ＋△）の最小レベル範囲に属する画素データの
平均値ＭＩＮ´が得られる。平均値ＭＡＸ´から平均値
ＭＩＮ´が減算回路４１で減算され、減算回路４１から
ダイナミックレンジＤＲ´が得られる。

【００２９】また、平均値ＭＩＮ´が減算回路４２に供
給され、遅延回路４３を介された入力データから平均値
ＭＩＮ´が減算回路４２において減算され、最小値除去
後のデータＰＤＩが形成される。このデータＰＤＩ及び
修整されたダイナミックレンジＤＲ´が量子化回路４４
に供給される。この実施例では、量子化に割り当てられ
るビット数ｎが０ビット（コード信号を転送しない）、
１ビット、２ビット、３ビット、４ビットの何れかとさ
れる可変長のＡＤＲＣであって、エッジマッチング量子
化がなされる。割り当てビット数ｎは、ブロック毎にビ
ット数決定回路４５において決定され、ビット数ｎのデ
ータが量子化回路４４に供給される。

【００３０】可変長ＡＤＲＣは、ダイナミックレンジＤ
Ｒ´が小さいブロックでは、割り当てビット数ｎを少な
くし、ダイナミックレンジＤＲ´が大きいブロックでは
、割り当てビット数ｎを多くすることで、効率の良い符
号化を行うことができる。すなわち、ビット数ｎを決定
する際のしきい値をＴ１〜Ｔ４（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜Ｔ
４）とすると、（ＤＲ´＜Ｔ１）のブロックは、コード
信号が転送されず、ダイナミックレンジＤＲ´の情報の
みが転送され、（Ｔ１≦ＤＲ´＜Ｔ２）のブロックは、
（ｎ＝１）とされ、（Ｔ２≦ＤＲ´＜Ｔ３）のブロック
は、（ｎ＝２）とされ、（Ｔ３≦ＤＲ´＜Ｔ４）のブロ
ックは、（ｎ＝３）とされ、（ＤＲ´≧Ｔ４）のブロッ
クは、（ｎ＝４）とされる。

【００３１】かかる可変長ＡＤＲＣではしきい値Ｔ１〜
Ｔ４を変えることで、発生情報量を制御すること（いわ
ゆるバッファリング）ができる。したがって、１フィー
ルド或いは、１フレーム当たりの発生情報量を所定値に
することが要求されるこの発明のディジタルビデオテー
プレコーダのような伝送路に対しても可変長ＡＤＲＣを
適用できる。

【００３２】発生情報量を所定値にするためのしきい値
Ｔ１〜Ｔ４を決定するバッファリング回路４６では、し
きい値の組（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）が複数例えば３
２組用意されており、これらのしきい値の組がパラメー
タコードＰｉ（ｉ＝０、１、２・・・・３１）により区
別される。パラメータコードＰｉの番号ｉが大きくなる
に従って、発生情報量が単調に減少するように設定され
ている。ただし、発生情報量が減少するに従って、復元
画像の画質が劣化する。

【００３３】バッファリング回路４６からのしきい値Ｔ
１〜Ｔ４が比較回路４７に供給され、遅延回路４８を介
されたダイナミックレンジＤＲ´が比較回路４７に供給
される。遅延回路４８は、バッファリング回路４６でし
きい値の組が決定されるのに要する時間、ＤＲ´を遅延
させる。比較回路４７では、ブロックのダイナミックレ
ンジＤＲ´と各しきい値とがそれぞれ比較され、比較出
力がビット数決定回路４５に供給され、そのブロックの
割り当てビット数ｎが決定される。量子化回路４４では
、ダイナミックレンジＤＲ´と割り当てビット数ｎとを
用いて遅延回路４９を介された最小値除去後のデータＰ
ＤＩがエッジマッチングの量子化により、コード信号Ｄ
Ｔに変換される。量子化回路４４は、例えばＲＯＭで構
成されている。

【００３４】遅延回路４８、５０をそれぞれ介して修整
されたダイナミックレンジＤＲ´、平均値ＭＩＮ´が出
力され、さらにコード信号ＤＴとしきい値の組を示すパ
ラメータコードＰｉが出力される。この例では、一旦ノ
ンエッジマッチ量子化された信号が新たにダイナミック
レンジ情報に基づいて、エッジマッチ量子化されている
ためにダビングした時の画像劣化は少ないものとされる
。

【００３５】次に、上述のチャンネルエンコーダ１１及
びチャンネルデコーダ１５について説明する。チャンネ
ルエンコーダ１１においては、図６に示すように、パリ
ティ発生回路１０の出力が供給される適用型スクランブ
ル回路で、複数のＭ系列のスクランブル回路５１が用意
され、その中で入力信号に対し最も高周波成分及び直流
成分の少ない出力が得られるようなＭ系列が選択される
ように構成されている。パーシャルレスポンス・クラス
４検出方式のためのプリコーダ５２で、１／１−Ｄ２　
（Ｄは単位遅延用回路）の演算処理がなされる。このプ
リコーダ５２の出力を記録アンプ１２Ａ，１３Ａを介し
て磁気ヘッド１３Ａ，１３Ｂにより、記録再生し、再生
出力を再生アンプ１４Ａ，１４Ｂによって増幅するよう
になされている。

【００３６】一方、チャンネルデコーダ１５においては
、図７に示すように、パーシャルレスポンス・クラス４
の再生側の演算処理回路５３は、１＋Ｄの演算が再生ア
ンプ１４Ａ，１４Ｂの出力に対して行われる。また、い
わゆるビタビ複号回路５４においては、演算処理回路５
３の出力に対してデータの相関性や確からしさ等を用い
た演算により、ノイズに強いデータの複号が行われる。 このビタビ複号回路５４の出力がディスクランブル回路
５５に供給され、記録側のスクランブル処理によって並
び変えられたデータが元の系列に戻されて原データが復
元される。この実施例において用いられるビタビ複号回
路５４によって、ビット毎の複号を行う場合よりも、再
生Ｃ／Ｎ換算が３ｄＢで改良が得られる。

【００３７】次に、上述の方法によってチャンネル符号
化されたデータを磁気テープに記録する本実施例にかか
る複合型磁気ヘッドについて説明する。本実施例の複合
型磁気ヘッドは、図８及び図９に示すように、同一のヘ
ッドベース５６上に互いに異なるアジマス角θ１　，θ
２　を有する磁気ギャップｇ１　，ｇ２　を有した一対
の磁気ヘッド５７，５８が相対向して近接配置されてな
り、これら磁気ヘッド５７，５８により同時に磁気テー
プに対して記録再生するように構成されている。なお、
上記磁気ヘッド５７，５８は、前述の図１及び図２に示
す磁気ヘッド１３Ａ，１３Ｂに相当するものである。

【００３８】先ず、これら磁気ヘッド５７，５８のうち
、一方の磁気ヘッド５７を例にとって説明する。上記磁
気ヘッド５７は、強磁性酸化物材料よりなる磁気コア部
５９及びこの磁気コア部５９に真空薄膜形成技術により
被着形成される強磁性金属薄膜６０から構成される第１
の磁気コア半体６１と、同様に強磁性酸化物材料よりな
る磁気コア部６２及び強磁性金属薄膜６３より構成され
る第２の磁気コア半体６４とが、上記強磁性金属薄膜６
０，６３同士を突合わせ面として融着ガラス６５により
接合一体化されて構成されている。

【００３９】上記第１の磁気コア半体６１を構成する磁
気コア部５９は、例えばＭｎ−ＺｎフェライトやＮｉ−
Ｚｎフェライト等の強磁性酸化物材料よりなり、上記強
磁性金属薄膜６０との対向面に記録信号を供給し或いは
磁気テープからの再生信号を取り出すコイル（図示は省
略する。）を巻回させるためのコイル巻装溝６６を有し
ている。さらに上記磁気コア部５９の上記強磁性金属薄
膜６０との対向面には、上記第２の磁気コア半体６４と
の接合をより確実なものとなすため融着ガラス６５を充
填させるガラス溝６７が形成されている。上記コイル巻
装溝６６は、磁気テープとの対接面となる磁気コア部５
９の磁気記録媒体対接面６８近傍部に設けられ、その磁
気記録媒体対接面６８側の傾斜面６６ａでこの磁気ヘッ
ド５７の磁気ギャップｇ１　のデプスを規制するように
なっている。一方、ガラス溝６７は、上記磁気コア部５
９の磁気記録媒体対接面６８とは反対側の面６９近傍部
に設けられ、側面形状が凹状の浅い溝として形成されて
いる。

【００４０】そして、上記磁気コア部５９の上記強磁性
金属薄膜６０との対向部分は、チップ厚方向よりその両
側が切り欠かれ、その略中央部分が磁気テープの摺動方
向に沿って細長く残存するように形成されている。上記
磁気コア部５９の対向部分を切り欠く切り欠き部７０，
７１は、この磁気ヘッド５７の磁気ギャップｇ１　のト
ラック幅Ｔｗ１　を規制するトラック幅規制溝となって
いる。したがって、上記切り欠き部７０，７１によって
形成される細長いコア部分（以下、これを金属薄膜形成
部５９ａと称する。）５９ａは、上記磁気ギャップｇ１
　のトラック幅Ｔｗ１　と同じ幅となされている。なお
、上記金属薄膜形成部５９ａは、磁気テープの摺動方向
に対して磁気ギャップｇ１　のアジマス角θ１　と同じ
角度を持って傾斜されている。

【００４１】一方、強磁性金属薄膜６０は、上記金属薄
膜形成部５９ａの対向面に沿って磁気記録媒体対接面６
８側より、これとは反対側の面６９に亘って被着形成さ
れている。すなわち、上記強磁性金属薄膜６０は、上記
コイル巻装溝６６及びガラス溝６７を除いて上記金属薄
膜形成部５９ａの対向面全面に亘って被着形成されてい
る。この強磁性金属薄膜６０には、高飽和磁束密度を有
し且つ軟磁気特性に優れた強磁性材料が使用される。

【００４２】かかる強磁性材料としては、Ｆｅ−Ａｌ−
Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｏ系合
金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ
−Ｇａ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｓｉ−Ａｌ系合金等の強磁性金属材料、或いはＦ
ｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金、さらには上記Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ
系合金の耐蝕性や耐摩耗性の一層の向上を図るために、
Ｆｅ，Ｇａ，Ｃｏ（Ｆｅの一部をＣｏで置換したものを
含む。），Ｓｉを基本組成とする合金に、Ｔｉ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｈ
，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｈｆ，Ｖの少なくと
も一種を添加したものであってもよい。

【００４３】また、強磁性非晶質合金、いわゆるアモル
ファス合金（例えば、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏの一つ以上の元
素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉの一つ以上の元素とからなる合金
、またはこれを主成分としＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓｎ，Ｉ
ｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈ，Ｎｂ等を
含んだ合金等のメタル−メタロイド系アモルファス合金
、或いはＣｏ，Ｈｆ，Ｚｒ等の遷移元素や希土類元素等
を主成分とするメタル−メタル系アモルファス合金）等
も使用される。

【００４４】これら強磁性材料の中でも、１．２５μｍ
２　／ｂｉｔ以上の高記録密度を可能なものとなすこと
から、特に飽和磁束密度が１４ｋＧ以上のものがより好
適であり、例えば飽和磁束密度１４．５ｋＧのＦｅ−Ｇ
ａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金が好ましい。このような高飽和磁
束密度を有する強磁性材料を使用すれば、高抗磁力の磁
気テープに対しても磁気飽和を生じることなく記録が行
える。そして、上記強磁性材料の膜付け方法としては、
真空薄膜形成技術、例えば蒸着法，スパッタリング法，
イオンプレーティング法等が挙げられる。

【００４５】一方、第２の磁気コア半体６４を構成する
磁気コア部６２は、磁気テープの摺動方向での厚みが薄
くなされ、先の磁気コア部５９と同様にＭｎ−Ｚｎフェ
ライトやＮｉ−Ｚｎフェライト等の強磁性酸化物材料か
らなっている。そしてこの磁気コア部６２の上記強磁性
金属薄膜６３との対向部分は、チップ厚方向よりその両
側が切り欠かれ、その略中央部分が磁気テープの摺動方
向に沿って細長く残るように形成されている。上記磁気
コア部６２の対向部分を切り欠く切り欠き部７２，７３
は、先の磁気コア部５９と同様にこの磁気ヘッド５７の
磁気ギャップｇ１　のトラック幅Ｔｗ１　を規制するト
ラック幅規制溝となっている。したがって、上記切り欠
き部７２，７３によって形成される細長いコア部分（以
下、これを金属薄膜形成部６２ａと称する。）６２ａは
、上記磁気ギャップｇ１　のトラック幅Ｔｗ１　と同じ
幅となされている。なお、この金属薄膜形成部６２ａも
先の金属薄膜形成部５９ａと同様に、上記金属薄膜形成
部５９ａと同一方向に磁気テープの摺動方向に対して磁
気ギャップｇ１　のアジマス角θ１　と同じ角度を持っ
て傾斜されている。

【００４６】そして上記強磁性金属薄膜６３は、上記金
属薄膜形成部６２ａの対向面に沿って、上記磁気記録媒
体対接面６８側よりこれとは反対側の面６９に至るまで
連続膜として被着形成されている。なお、この強磁性金
属薄膜６３には、先の強磁性金属薄膜６０と同様の強磁
性材料が使用される。

【００４７】上記のようにして構成されてなる第１の磁
気コア半体６１と第２の磁気コア半体６４とは、互いの
強磁性金属薄膜６０，６３を突合わせ面として突き合わ
され、相対向する切り欠き部７０，７２及び７１，７３
間に融着ガラス６５が充填されて接合一体化されてなっ
ている。そして、これら第１の磁気コア半体６１と第２
の磁気コア半体６４とは、上記強磁性金属薄膜６０，６
３間に融着ガラス６５又はギャップスペーサを介在させ
ることによって、当該強磁性金属薄膜６０，６３の界面
にトラック幅Ｔｗ１　とされた磁気ギャップｇ１　を構
成している。ここでの磁気ギャップｇ１　は、磁気テー
プの摺動方向と直交する方向に対して時計回り方向に所
定のアジマス角θ１　を持って設けられている。

【００４８】また、上記アジマス角θ１　は、同一のヘ
ッドベース５６上に設けられる一方の磁気ヘッド５８の
磁気ギャップｇ２　からのクロストークを低減するため
に、１０度以上とすることが望ましい。なお、本実施例
では、上記磁気ギャップｇ１　のアジマス角θ１　は２
０度した。また、上記磁気ギャップｇ１　のトラック幅
Ｔｗ１　は、ＡＴＦ（オートトラッキング）の場合、隣
接するトラックの信号を拾いながら記録再生するので、
磁気テープ上のトラックピッチＰより＋０μｍ〜＋３μ
ｍ広くすることが望ましい。なお、上記磁気ギャップｇ
１　のトラック幅Ｔｗ１　を余り広げ過ぎると、再生時
の隣接クロストークが大きくなってしまうため、上記の
範囲が最も望ましい。具体的には、トラックピッチＰを
１０μｍ以下とするので上記磁気ギャップｇ１　のトラ
ック幅Ｔｗ１　は１０μｍ〜１３μｍとなる。本実施例
では、磁気テープ上のトラックピッチＰを５μｍとする
ため、上記トラック幅Ｔｗ１　を７μｍとした。

【００４９】そして特に、上記磁気ヘッド５７において
は、相対向して近接配置される他方の磁気ヘッド５８と
の対向面、つまり第２の磁気コア半体６４を構成する磁
気コア部６２の対向面６２ｂに上記他方の磁気ヘッド５
８の磁気ギャップｇ２　からの漏洩磁束を遮蔽する良導
体薄膜９３が形成されている。上記良導体薄膜９３は、
電気抵抗率ρの小さい導体薄膜、例えば電気抵抗率ρ＜
１０−６Ω・ｃｍの銀、Ｃｒ、アルミニウムよりなる薄
膜からなる。この良導体薄膜９３は、例えば薄膜製造プ
ロセス、例えば湿式，乾式のメッキ等の手法によって上
記磁気コア部６２の対向面６２ｂ全面に亘って成膜され
る。 このときの良導体薄膜９３の膜厚は、他方の磁気ヘッド
５８からの漏洩磁束を確実に遮蔽するために、１μｍ〜
５０μｍ程度とすることが望ましい。膜厚が１μｍ未満
であると、漏洩磁束を確実に遮蔽することが困難になる
。なお、膜厚の上限に関しては、５０μｍ以上であって
もよいが、これは対向配置される磁気ヘッド５８との間
隔によって制限される。

【００５０】上記良導体薄膜９３を設けると、他方の磁
気ヘッド５８からの漏洩磁束がこの磁気ヘッド５７に流
れ込もうとした場合、当該良導体薄膜９３に磁束変化量
に応じた渦電流が生じ、外部磁界の変化を妨げる方向に
磁界を生ずる。この結果、他方の磁気ヘッド５８からの
漏洩磁束は、上記良導体薄膜９３によって遮蔽されるこ
とになる。

【００５１】他方の磁気ヘッド５８も同様の構成で、強
磁性酸化物材料よりなる磁気コア部７４及びこの磁気コ
ア部７４に被着形成される強磁性金属薄膜７５とからな
る第３の磁気コア半体７６と、同様に強磁性酸化物材料
よりなる磁気コア部７７及び強磁性金属薄膜７８より構
成される第４の磁気コア半体７９とが、上記強磁性金属
薄膜７５，７８同士を突合わせ面として融着ガラス８０
により接合一体化されて構成されている。

【００５２】この磁気ヘッド５８においても、先の磁気
ヘッド５７と同様に、上記各磁気コア部７４，７７の上
記各強磁性金属薄膜７５，７８との対向部分は、チップ
厚方向よりその両側が切り欠かれ、その略中央部分が磁
気テープの摺動方向に沿って細長く残存するように形成
されている。これら磁気コア部７４，７７の対向部分を
切り欠く切り欠き部８１，８２及び８３，８４は、この
磁気ヘッド５８の磁気ギャップｇ２　のトラック幅Ｔｗ
２　を規制するトラック幅規制溝となっている。したが
って、これら切り欠き部８１，８２及び８３，８４によ
って形成される細長いコア部分（以下、これを金属薄膜
形成部７４ａ，７７ａと称する。）７４ａ，７７ａは、
上記磁気ギャップｇ２　のトラック幅Ｔｗ２　と同じ幅
となされている。

【００５３】なお、上記金属薄膜形成部７４ａ，７７ａ
は、先の金属薄膜形成部５９ａ，６２ａとは逆向きに磁
気テープの摺動方向に対して磁気ギャップｇ２　のアジ
マス角θ２　と同じ角度で傾斜されている。また、上記
一方の磁気コア部７４の上記強磁性金属薄膜７５との対
向面には、コイル巻装溝８５とガラス溝８６が形成され
ている。そして、他方の磁気コア部７７の上記金属薄膜
形成部７７ａとは反対側の側面７７ｂは、先の磁気ヘッ
ド５７の磁気コア部６２とは反対方向に傾斜されている
。

【００５４】一方、強磁性金属薄膜７５，７８も同様に
、強磁性材料が上記各金属薄膜形成部７４ａ，７７ａの
対向面に沿って、上記磁気コア部７４の磁気記録媒体対
接面８７側より、これとは反対側の面８８に亘って真空
薄膜形成技術によって被着形成されている。

【００５５】そしてこの磁気ヘッド５８においては、上
記第３の磁気コア半体７６と第４の磁気コア半体７９と
が互いの強磁性金属薄膜７５，７８を突合わせ面として
突き合わされ、相対向する切り欠き部８１，８２及び８
３，８４間に融着ガラス８０が充填され接合一体化され
てなる。そして、上記強磁性金属薄膜７５，７８間にト
ラック幅Ｔｗ２　とする磁気ギャップｇ２　が構成され
る。 ここでの磁気ギャップｇ２　は、磁気テープの摺動方向
と直交する方向に対して反時計回り方向に所定のアジマ
ス角θ２　を持って設けられている。つまり、上記磁気
ギャップｇ２　のアジマスは、先の磁気ヘッド５７の磁
気ギャップｇ１　のアジマスの向きとは反対向きとなさ
れている。なお、上記磁気ギャップ２　のアジマス角θ
２　は、先の磁気ギャップｇ１　のアジマスθ２　と同
一の角度に設定される。

【００５６】そしてこの磁気ヘッド５８におていも先の
磁気ヘッド５７と同様に、上記磁気ヘッド５８の上記磁
気ヘッド５７との対向面、つまり第４の磁気コア半体７
９を構成する磁気コア部７７の対向面７７ｂに上記磁気
ヘッド５７の磁気ギャップｇ１　からの漏洩磁束を遮蔽
する良導体薄膜９４が形成されている。したがって、上
記磁気ヘッド５８と相対向する磁気ヘッド５７からの漏
洩磁束が上記良導体薄膜９４によって確実に遮蔽される
。

【００５７】そして、上述のように構成された一対の磁
気ヘッド５７，５８は、互い良導体薄膜９３，９４を対
向面として突合わせる形で同一のヘッドベース５６上に
近接して配置され、いわゆるダブルアジマスと称される
複合型磁気ヘッドとなる。これら磁気ヘッド５７，５８
は、図８中矢印Ｙで示すトラックピッチ方向に、これら
磁気ヘッド５７，５８によって記録される図１０で示す
磁気テープ８９上のトラックピッチＰと略等し段差Ｄを
持って設けられている。なお、ここに言う段差Ｄは、ト
ラックピッチ方向における各磁気ヘッド５７，５８の磁
気ギャップｇ１　，ｇ２　のトラック幅方向でのヘッド
ベース５６側の端部間距離を指す。

【００５８】すなわち、上記一方の磁気ヘッド５７がヘ
ッドベース５６上に上記段差Ｄと同じ厚みを持ったスペ
ーサ９０上に配置されることにより、この磁気ヘッド５
７の磁気ギャップｇ１　と、ヘッドベース５６上に直接
設けられる磁気ヘッド５８の磁気ギャップｇ２　とのト
ラック幅方向での端部間距離が上記段差Ｄと等しい距離
となっている。したがって、上記スペーサ９０上に配置
される磁気ヘッド５７の磁気ギャップｇ１　は、ヘッド
ベース５６上に直接配置される磁気ヘッド５８の磁気ギ
ャップｇ２　対してヘッドベース５６側に段差Ｄを持っ
て配置されることになる。

【００５９】ここでの段差Ｄは、磁気テープ８９上のト
ラックピッチＰを１０μｍ以下とすることから、これに
合わせて上記段差Ｄを１０μｍ以下とする。本実施例で
は、トラックピッチＰを５μｍとするので、上記段差Ｄ
をこれに合わせて５μｍとした。したがって、上記スペ
ーサ９０の厚みも同様に５μｍとした。

【００６０】そしてさらに、これら磁気ヘッド５７，５
８は、図８中矢印Ｘで示すヘッド走行方向に磁気テープ
８９上のトラック間段差ｄと等しい段差ＧＬを持って設
けられている。なお、ここに言うトラック間段差ｄは、
各記録トラック９１，９２の記録領域のヘッド走行方向
での端部間距離を指す。上記段差ＧＬは、ヘッド走行方
向における各磁気ヘッド５７，５８の磁気ギャップｇ１
　，ｇ２　のトラック幅Ｔｗ１　，Ｔｗ２　のセンター
間距離を指す。

【００６１】ここでの段差ＧＬは、画像信号の記録領域
の確保から選定され、例えば５００μｍ以下に設定され
る。上記段差ＧＬが５００μｍ以上であると、画像信号
領域が狭くなり長時間再生に不利となる。逆に、近すぎ
ると対向する磁気コア部６２，７７のコア厚が薄くなり
、コア断面積の減少によりヘッド効率が低下する。した
がって、本例では上記段差ＧＬを２００μｍとした。

【００６２】このように構成されてなる複合型磁気ヘッ
ドにおいては、上記ヘッドベース５６毎回転ドラムに取
付けられる。そして、上記回転ドラムが回転走査され、
当該回転ドラムの周面に沿って相対的に移送する磁気テ
ープ８９上に上記複合型磁気ヘッドによって図１０に示
す如く記録パターンが形成される。このとき、磁気ヘッ
ド５７，５８のヘッド走行方向での段差ＧＬと磁気テー
プ８９上のトラック間段差ｄとが等しくなるように、単
位時間当たりの磁気テープ８９の移送量と磁気ヘッドの
回転数が定められる。

【００６３】上記複合型磁気ヘッドにより記録される磁
気テープ８９上の記録トラック９１，９２は、上記一対
の磁気ヘッド５７，５８のヘッド走行方向での段差ＧＬ
と等しい段差ｄを持って記録されることになる。したが
って、上記各磁気ヘッド５７，５８は、それぞれの記録
トラック９１，９２の画像領域９１ａ，９２ａ又は音声
領域９１ｂ，９２ｂの端部に同時に到達する。この結果
、音声信号を後で記録するアフターレコーディングを行
う場合には、他の信号に影響を与えることなく各信号の
アフターレコーディグが良好に行える。また、同一のヘ
ッドベース５６上に一体化した２つの磁気ヘッド５７，
５８によって同時に記録再生を行うので、テープ幅８ｍ
ｍ以下とした磁気テープ８９に対して記録密度１．２５
μｍ２　／ｂｉｔ以上で記録再生しても、異常トラック
パターンによるビットエラーレートが高くなることなく
ディジタル画像信号の長時間記録再生が可能となる。

【００６４】例えば、互いにアジマス角の異なる２つの
磁気ヘッドを回転ドラムに１８０度相対向して配置し、
同様にして記録密度１．２５μｍ２　／ｂｉｔ以上で８
ｍｍ幅の磁気テープ８９に対して記録再生した場合には
、回転ドラムの偏心等により、先行する磁気ヘッドによ
って記録されたトラックと、１８０度相対向して配置さ
れた後続の磁気ヘッドにより記録されたトラックとが一
部重なる異常トラックパターンが発生する。このため、
先行する磁気ヘッドによって記録された信号の一部が消
去され、十分な再生出力が得られずビットエラーレート
が非常に高くなってしまう。しかしながら、本実施例の
磁気ヘッドによれば、同一のヘッドベース５６上に２つ
の磁気ヘッド５７，５８が配置されていることから、回
転ドラムの偏心等があってもこれら磁気ヘッド５７，５
８で記録される記録トラック９１，９２は共に同一方向
に傾き、他方の記録トラックにオーバーラップするよう
なことがない。したがって、十分な再生出力が得られ、
ビットエラーレートが高くならない。

【００６５】ここで、実際に本実施例の複合型磁気ヘッ
ドによって、テープ幅８ｍｍの磁気テープに対して波長
０．３μｍの信号を標準モード（ＳＰ）でトラックピッ
チ１０μｍとして記録再生した場合、記録時間は３時間
であった。同様に倍速モード（ＬＰ）でトラックピッチ
５μｍとして記録再生した場合には、記録時間は６時間
であった。

【００６６】また、このとき、各磁気ヘッド５７，５８
の相互干渉（クロストーク）を測定したところ、図１１
中線Ａで示すように、相互干渉が極めて少なくなってい
ることがわかる。これに対して、良導体薄膜９３，９４
を設けていない場合（図１１中線Ｂで示す。）は、相互
干渉が大きくなっていることがわかる。なお、図１１は
、膜厚１０μｍのＣｕ薄膜を良導体薄膜９３，９４とし
たときのデータである。

【００６７】以上、本実施例を適用した磁気ヘッドにお
ていは、両方の磁気ヘッド５７，５８の対向面に良導体
薄膜９３，９４を形成したが、何れか一方の磁気ヘッド
５７，５８に上記良導体薄膜９３を設けるようにしても
同様の効果がある。また、漏洩磁束の遮蔽をより確実な
ものとするために、これら磁気ヘッド５７，５８に８の
字コイルを巻回するようにしてもよい。

【００６８】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の複合型磁気ヘッドによれば、ヘッド走行方向に相対
向して近接配置した一対の磁気ヘッドの互いに対向する
対向面に他方の磁気ヘッドの磁気ギャップからの漏洩磁
束を遮蔽する良導体薄膜を設けているので、他方の磁気
ヘッドからの漏洩磁束をこの良導体薄膜によって確実に
遮蔽することができる。したがって、これら磁気ヘッド
の記録再生信号の相互干渉が減少でき、良好な記録再生
を行うことができる。

【００６９】また、本発明の複合型磁気ヘッドによれば
、同一のヘッドベース上に２つの磁気ヘッドが配置され
ているため、回転ドラムの偏心等があってもこれら磁気
ヘッドで記録される記録トラックは共に同一方向に傾く
ため、他方の記録トラックにオーバーラップするような
ことがなく、十分な再生出力が得られ、ビットエラーレ
ートが高くならない。

【００７０】さらに本発明によれば、記録情報量を再生
歪みの少ない形で圧縮する方法を採用し、同一のヘッド
ベース上に設けた一対の磁気ヘッドで同時に記録再生す
るようにしているので、トラック幅１０μｍ以下として
短波長０．５μｍで１．２５μｍ２　／ｂｉｔ以上の高
記録密度を持ってテープ幅８μｍ以下の幅狭の磁気テー
プに記録再生した場合でも、ビットエラーレートの少な
い形でディジタル画像信号の長時間記録再生が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】ディジタル画像情報を再生歪みの少ない形で圧
縮する信号処理部の記録側の構成を示すブロック図であ
る。

【図２】ディジタル画像情報を再生歪みの少ない形で圧
縮する信号処理部の再生側の構成を示すブロック図であ
る。

【図３】ブロック符号化のためのブロックの一例を示す
線図である。

【図４】サブサンプリング及びサブラインの説明に用い
る線図である。

【図５】ブロック符号化回路の一例のブロック図である
。

【図６】チャンネルエンコーダの一例の概略を示すブロ
ック図である。

【図７】チャンネルデコーダの一例の概略を示すブロッ
ク図である。

【図８】本発明を適用した複合型磁気ヘッドを対接面側
より見た要部拡大正面図である。

【図９】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの側面図で
ある。

【図１０】本発明を適用した複合型磁気ヘッドによって
ディジタル画像情報と音声信号が記録された磁気テープ
のテープフォーマットを示す図である。

【図１１】本発明を適用した複合型磁気ヘッドによって
磁気テープに対して記録再生したときの相互干渉の様子
を示す特性図である。

【図１２】従来の複合型磁気ヘッドを対接面側より見た
要部拡大正面図である。

【図１３】従来の複合型磁気ヘッドによって磁気テープ
に記録再生する様子を示す図である。

【符号の説明】

５７，５８・・・磁気ヘッド ６１・・・第１の磁気コア半体 ６４・・・第２の磁気コア半体 ７６・・・第３の磁気コア半体 ７９・・・第４の磁気コア半体 ６０，６３，７５，７８・・・強磁性金属薄膜９３，９
４・・・良導体薄膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　互いに異なるアジマス角を有する磁気
   ギャップを有した一対の磁気ヘッドをヘッド走行方向に
   相対向して近接配置してなる複合型磁気ヘッドにおいて
   、これら磁気ヘッドの互いに対向する対向面の少なくと
   も一方に他方の磁気ヘッドの磁気ギャップからの漏洩磁
   束を遮蔽する良導体薄膜が形成されていることを特徴と
   する複合型磁気ヘッド。