JPH04328883A - 超電導デバイス - Google Patents
超電導デバイスInfo
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- JPH04328883A JPH04328883A JP3124673A JP12467391A JPH04328883A JP H04328883 A JPH04328883 A JP H04328883A JP 3124673 A JP3124673 A JP 3124673A JP 12467391 A JP12467391 A JP 12467391A JP H04328883 A JPH04328883 A JP H04328883A
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Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、超電導薄膜を用いた
スーパーショットキダイオード、超電導トランジスタや
超電導センサー等の超電導デバイスに関する。
スーパーショットキダイオード、超電導トランジスタや
超電導センサー等の超電導デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ，ＩｎＰ，ＩｎＳｂ等のＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体単結晶上に超電導薄膜を積層したス
ーパーショットキダイオードがある。
−Ｖ族化合物半導体単結晶上に超電導薄膜を積層したス
ーパーショットキダイオードがある。
【０００３】従来、スーパーショットキダイオードは、
例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶上にＮｂ，Ｐ
ｂ等の金属系超電導体をＥＢ（電子線蒸着）法、ＭＢＥ
（分子線エピタキシー）法等により積層形成されている
。
例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶上にＮｂ，Ｐ
ｂ等の金属系超電導体をＥＢ（電子線蒸着）法、ＭＢＥ
（分子線エピタキシー）法等により積層形成されている
。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、化合物
半導体単結晶と金属系超電導体とは、濡れの悪さ等の理
由から良好な界面が形成されなかった。そのため、この
種スーパーショットキダイオードは、そのアイディアル
ファクタがｎ〜２程度のものしか得られず、リークが多
いという問題があった。
半導体単結晶と金属系超電導体とは、濡れの悪さ等の理
由から良好な界面が形成されなかった。そのため、この
種スーパーショットキダイオードは、そのアイディアル
ファクタがｎ〜２程度のものしか得られず、リークが多
いという問題があった。
【０００５】一方、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶上
に、酸化物超電導体を積層形成したスーパーショットキ
ダイオードでは、化合物半導体層表面が酸化され、その
半導体−超電導体界面に絶縁層が形成される。この絶縁
層により、化合物半導体層と超電導層間に高抵抗層が形
成され、準粒子の透過率が低下するという問題があった
。
に、酸化物超電導体を積層形成したスーパーショットキ
ダイオードでは、化合物半導体層表面が酸化され、その
半導体−超電導体界面に絶縁層が形成される。この絶縁
層により、化合物半導体層と超電導層間に高抵抗層が形
成され、準粒子の透過率が低下するという問題があった
。
【０００６】この発明は上述した従来の問題点を解消す
るためになされたものにして、化合物半導体層と超電導
体層とを良好な界面と電気的特性の良好な超電導デバイ
スを提供することをその課題とする。
るためになされたものにして、化合物半導体層と超電導
体層とを良好な界面と電気的特性の良好な超電導デバイ
スを提供することをその課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の第１の発明は
、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶上にチタン（Ｔｉ）
またはモリブデン（Ｍｏ）からなるバッファ層介して金
属系超電導体を積層したことを特徴とする。
、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶上にチタン（Ｔｉ）
またはモリブデン（Ｍｏ）からなるバッファ層介して金
属系超電導体を積層したことを特徴とする。
【０００８】また、この発明の第２の発明は、ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体単結晶上にチタン（Ｔｉ）またはモリ
ブデン（Ｍｏ）からなる第１のバッファ層が設けられ、
この第１のバッファ層上にパラジウム（Ｐｄ）、白金（
Ｐｔ）または金（Ａｕ）からなる第２のバッファ層が設
けられ、この第２のバッファ層上に酸化物超電導体が設
けられていることを特徴とする。
Ｖ族化合物半導体単結晶上にチタン（Ｔｉ）またはモリ
ブデン（Ｍｏ）からなる第１のバッファ層が設けられ、
この第１のバッファ層上にパラジウム（Ｐｄ）、白金（
Ｐｔ）または金（Ａｕ）からなる第２のバッファ層が設
けられ、この第２のバッファ層上に酸化物超電導体が設
けられていることを特徴とする。
【０００９】
【作用】第１の発明によれば、バッファ層により基板と
超電導体の濡れ性が向上し、基板と超電導体との密着度
の高い良好な界面が得られる。従って、リーク特性の向
上した超電導デバイスを提供できる。
超電導体の濡れ性が向上し、基板と超電導体との密着度
の高い良好な界面が得られる。従って、リーク特性の向
上した超電導デバイスを提供できる。
【００１０】第２の発明によれば、バッファ層により、
基板と超電導体との界面に酸化を原因とする絶縁層の形
成が防止され、基板と超電導体との良好な界面が得られ
る。従って、リーク特性の向上した超電導デバイスを提
供できる。
基板と超電導体との界面に酸化を原因とする絶縁層の形
成が防止され、基板と超電導体との良好な界面が得られ
る。従って、リーク特性の向上した超電導デバイスを提
供できる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の実施例につき図面を参照し
て説明する。図１はこの発明の第１の発明に係る超電導
デバイスとしてのスーパーショットキダイオードの構成
を示す模式図である。
て説明する。図１はこの発明の第１の発明に係る超電導
デバイスとしてのスーパーショットキダイオードの構成
を示す模式図である。
【００１２】図１に示すように、このスーパーショット
キダイオードは、基板１としてＧａＡｓ，ＩｎＰ，Ｉｎ
Ｓｂ等のＩＩＩ−Ｖ族系の化合物半導体からなる単結晶
基板を用いる。
キダイオードは、基板１としてＧａＡｓ，ＩｎＰ，Ｉｎ
Ｓｂ等のＩＩＩ−Ｖ族系の化合物半導体からなる単結晶
基板を用いる。
【００１３】この基板１上にＭＢＥ法により、Ｔｉまた
Ｍｏからなるバッファ層２を２〜２００Å形成する。こ
のバッファ層２の膜厚は、基板１表面を確実に被覆でき
れば薄いほどよく、最大の厚みは超電導体のコヒーレン
ス長までとされる。
Ｍｏからなるバッファ層２を２〜２００Å形成する。こ
のバッファ層２の膜厚は、基板１表面を確実に被覆でき
れば薄いほどよく、最大の厚みは超電導体のコヒーレン
ス長までとされる。
【００１４】そして、このバッファ層２上に、ＭＢＥ法
等により、Ｎｂ，ＮｂＮなどからなる金属系超電導体４
を積層形成することで、非常に界面が安定で且つ超電導
近接効果のあるスーパーショットキダイオードが形成さ
れる。
等により、Ｎｂ，ＮｂＮなどからなる金属系超電導体４
を積層形成することで、非常に界面が安定で且つ超電導
近接効果のあるスーパーショットキダイオードが形成さ
れる。
【００１５】次に、この第１の発明の具体的実施例につ
き説明する。
き説明する。
【００１６】例えば、ＧａＡｓ半導体基板１上に、Ｔｉ
バッファ層２（３０Å）、Ｎｂ超電導体４（２０００Å
）を積層する。
バッファ層２（３０Å）、Ｎｂ超電導体４（２０００Å
）を積層する。
【００１７】積層はＭＢＥ装置を用いて行う。ＭＢＥの
製膜室の真空度が１×１０−１０ｔｏｒｒになった時、
ＡｓのＫ−セルを２００℃に上昇させ、Ａｓビームを１
×１０−５ｔｏｒｒに安定させる。
製膜室の真空度が１×１０−１０ｔｏｒｒになった時、
ＡｓのＫ−セルを２００℃に上昇させ、Ａｓビームを１
×１０−５ｔｏｒｒに安定させる。
【００１８】続いて、ＧａＡｓ半導体基板１の基板温度
を５６０℃まで１時間かけ上げ、４００℃をこした時に
Ａｓビームを表面にあて、Ａｓぬけを防ぐ。
を５６０℃まで１時間かけ上げ、４００℃をこした時に
Ａｓビームを表面にあて、Ａｓぬけを防ぐ。
【００１９】次に６００℃まで５分かけて上げ、２分間
保持し、ＧａＡｓ半導体基板１表面に存在するＧａ２Ｏ
３等の酸化物をのぞく。清浄な表面は、Ｒ−ＨＥＥＤに
より２×４構造を観ることによりなされる。
保持し、ＧａＡｓ半導体基板１表面に存在するＧａ２Ｏ
３等の酸化物をのぞく。清浄な表面は、Ｒ−ＨＥＥＤに
より２×４構造を観ることによりなされる。
【００２０】そして、基板温度を４００℃までおとし、
Ａｓビームを打ち切り、真空度が１×１０−９ｔｏｒｒ
になるのをまち、次に基板温度を２００℃におとす。
Ａｓビームを打ち切り、真空度が１×１０−９ｔｏｒｒ
になるのをまち、次に基板温度を２００℃におとす。
【００２１】その後、同真空層中で、Ｅ−ｇｕｎによっ
て、Ｔｉを１Å／ｓｅｃの強度でとばし、ＧａＡｓ半導
体基板１の表面に３０ｓｅｃ蒸着し、その後、Ｎｂから
なる金属系超電導体４を２Å／ｓｅｃの強度で、１８分
積層する。
て、Ｔｉを１Å／ｓｅｃの強度でとばし、ＧａＡｓ半導
体基板１の表面に３０ｓｅｃ蒸着し、その後、Ｎｂから
なる金属系超電導体４を２Å／ｓｅｃの強度で、１８分
積層する。
【００２２】Ｔｉは、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板１表面上
に真空中で、１層から均一に蒸着されることが知られて
いる。通常、酸素（Ｏ）との反応により約１０Å程度の
酸化物層を形成するので安定したＴｉ金属を得るために
は、少なくとも、１０Å以上のＴｉ層を形成する必要が
ある。
に真空中で、１層から均一に蒸着されることが知られて
いる。通常、酸素（Ｏ）との反応により約１０Å程度の
酸化物層を形成するので安定したＴｉ金属を得るために
は、少なくとも、１０Å以上のＴｉ層を形成する必要が
ある。
【００２３】また、Ｎｂが超電導状態（温度Ｔ＜Ｔｃ＝
９ｋ）の時、超電導状態の波動関数がＮｂ外部のＴｉに
しみ出し、Ｔｉが超電導状態であるようにふる舞う。こ
の近接効果領域は、Ｎｂの界面から約５００Å内の領域
（４．２Ｋで）である。そこで、Ｔｉからなるバッファ
層２の厚みを５００Åより十分にうすい、２００Åより
小さくする事で十分な、超電導特性を得ることが可能と
なる。
９ｋ）の時、超電導状態の波動関数がＮｂ外部のＴｉに
しみ出し、Ｔｉが超電導状態であるようにふる舞う。こ
の近接効果領域は、Ｎｂの界面から約５００Å内の領域
（４．２Ｋで）である。そこで、Ｔｉからなるバッファ
層２の厚みを５００Åより十分にうすい、２００Åより
小さくする事で十分な、超電導特性を得ることが可能と
なる。
【００２４】次に、この発明の第２の発明の実施例につ
いて説明する。図２はこの発明の第２の発明に係る超電
導デバイスとしてのスーパーショットキダイオードの構
成を示す模式図である。
いて説明する。図２はこの発明の第２の発明に係る超電
導デバイスとしてのスーパーショットキダイオードの構
成を示す模式図である。
【００２５】図２に示すように、このスーパーショット
キダイオードは、基板１としてＧａＡｓ半導体基板１，
ＩｎＰ，ＩｎＳｂ等のＩＩＩ−Ｖ族系の化合物半導体か
らなる単結晶基板を用いる。
キダイオードは、基板１としてＧａＡｓ半導体基板１，
ＩｎＰ，ＩｎＳｂ等のＩＩＩ−Ｖ族系の化合物半導体か
らなる単結晶基板を用いる。
【００２６】この基板１上にＭＢＥ法により、Ｔｉまた
Ｍｏからなる第１のバッファ層２０を４〜３０Å形成す
るこのバッファ層２０の膜厚は、基板１表面を確実に被
覆できれば薄いほどよい。
Ｍｏからなる第１のバッファ層２０を４〜３０Å形成す
るこのバッファ層２０の膜厚は、基板１表面を確実に被
覆できれば薄いほどよい。
【００２７】そして、この第１のバッファ層２０上に、
ＭＢＥ法等により、膜厚１〜６ÅのＡｕ，Ｐｔ，Ｐｄか
らなる第２のバッファ層３０を形成する。
ＭＢＥ法等により、膜厚１〜６ÅのＡｕ，Ｐｔ，Ｐｄか
らなる第２のバッファ層３０を形成する。
【００２８】続いて、この第２のバッファ層上３０にＲ
ｎＢａＣｕＯＳ系、ＢｉＳｒＣａＣｕＯ系、ＴｌＢａＣ
ａＣｕＯ系の酸化物超電導体４０を積層形成することで
、非常に界面が安定で且つ超電導近接効果のあるスーパ
ーショットキダイオードが形成される。
ｎＢａＣｕＯＳ系、ＢｉＳｒＣａＣｕＯ系、ＴｌＢａＣ
ａＣｕＯ系の酸化物超電導体４０を積層形成することで
、非常に界面が安定で且つ超電導近接効果のあるスーパ
ーショットキダイオードが形成される。
【００２９】次に、この第２の発明の具体的実施例につ
き説明する。
き説明する。
【００３０】例えば、ＧａＡｓ半導体基板１上に、Ｔｉ
からなる第１のバッファ層２０、Ｐｔからなる第２のバ
ッファ層３０、Ｂｉ０．６Ｋ０．４ＢａＯ３からなる酸
化物超電導体４０を積層する場合につき説明する。
からなる第１のバッファ層２０、Ｐｔからなる第２のバ
ッファ層３０、Ｂｉ０．６Ｋ０．４ＢａＯ３からなる酸
化物超電導体４０を積層する場合につき説明する。
【００３１】積層はＭＢＥ装置を用いて行う。ＭＢＥの
製膜室の真空度が１×１０−１０ｔｏｒｒになった時、
ＡｓのＫ−セルを２００℃に上昇させ、Ａｓビームを１
×１０−５ｔｏｒｒに安定させる。
製膜室の真空度が１×１０−１０ｔｏｒｒになった時、
ＡｓのＫ−セルを２００℃に上昇させ、Ａｓビームを１
×１０−５ｔｏｒｒに安定させる。
【００３２】ＧａＡｓ半導体基板１の基板温度を５６０
℃まで１時間かけ上げ、４００℃をこした時にＡｓビー
ムを、表面にあて、Ａｓぬけを防ぐ。
℃まで１時間かけ上げ、４００℃をこした時にＡｓビー
ムを、表面にあて、Ａｓぬけを防ぐ。
【００３３】次に６００℃まで５分かけて上げ、２分間
保持し、ＧａＡｓ半導体基板１表面に存在するＧａ２Ｏ
３等の酸化物をのぞく。清浄な表面は、Ｒ−ＨＥＥＤに
より２×４構造を観ることによりなされる。
保持し、ＧａＡｓ半導体基板１表面に存在するＧａ２Ｏ
３等の酸化物をのぞく。清浄な表面は、Ｒ−ＨＥＥＤに
より２×４構造を観ることによりなされる。
【００３４】次に基板温度を４００℃までおとし、Ａｓ
ビームを打ち切り、真空度が１×１０−９ｔｏｒｒより
下がると、次に、ＴＩ，Ｐｔの成膜を行う。
ビームを打ち切り、真空度が１×１０−９ｔｏｒｒより
下がると、次に、ＴＩ，Ｐｔの成膜を行う。
【００３５】清浄な、基板表面のＧａＡｓ半導体基板１
（（１００）面）の基板温度を２００℃に設定し、まず
、無酸素状況下で、ＥＢ法により、Ｔｉを１Å／ｓｅｃ
の蒸着レートで４ｓｅｃ積層し、次に同じくＰｔを１Å
／ｓｅｃの蒸着レートで４ｓｅｃ積層し、合計厚さ８Å
の第１、２のバッファ層２０、３０をＧａＡｓ半導体基
板１表面に形成する。
（（１００）面）の基板温度を２００℃に設定し、まず
、無酸素状況下で、ＥＢ法により、Ｔｉを１Å／ｓｅｃ
の蒸着レートで４ｓｅｃ積層し、次に同じくＰｔを１Å
／ｓｅｃの蒸着レートで４ｓｅｃ積層し、合計厚さ８Å
の第１、２のバッファ層２０、３０をＧａＡｓ半導体基
板１表面に形成する。
【００３６】続いて、Ｂｉ０．６Ｋ０．４ＢａＯ３の成
膜を行う。基板温度を３７５℃に保持し、Ｂｉメタルお
よび、ＫメタルのＫセル、Ｂａ２Ｏ３をＥガンにより、
フラックスを各々０．６Å／ｓｅｃ、０．４Å／ｓｅｃ
、１Å／ｓｅｃの強度で、２ｓｅｃ飛ばして、シャッタ
ーを１ｓｅｃ閉じるサイクルを、５００サイクル１５０
０秒行う。２ｓｅｃ飛ばす際、１０−５ｔｏｒｒの酸素
ラジカルビームを直接基板にあて、シャッター閉と同時
に、酸素ラジカルもとめて、酸化物超電導体の酸化形成
を行い、酸化物超電導体４０が形成される。
膜を行う。基板温度を３７５℃に保持し、Ｂｉメタルお
よび、ＫメタルのＫセル、Ｂａ２Ｏ３をＥガンにより、
フラックスを各々０．６Å／ｓｅｃ、０．４Å／ｓｅｃ
、１Å／ｓｅｃの強度で、２ｓｅｃ飛ばして、シャッタ
ーを１ｓｅｃ閉じるサイクルを、５００サイクル１５０
０秒行う。２ｓｅｃ飛ばす際、１０−５ｔｏｒｒの酸素
ラジカルビームを直接基板にあて、シャッター閉と同時
に、酸素ラジカルもとめて、酸化物超電導体の酸化形成
を行い、酸化物超電導体４０が形成される。
【００３７】酸化物系超電導体（４０）／Ｔｉ（２０）
・Ｐｔ（３０）／ＩＩＩ−Ｖ半導体基板１の場合に必要
な事は、 １．超電導体と半導体の間の酸素のやり取りを完全に無
くす事。 ２．バッファ層は、十分うすくて、ＩＩＩ−Ｖ族系のス
ードモルヒック状態を保つこと。 ３．バッファ層の厚みは、超電導体のコヒーレンス長以
内になること。である。
・Ｐｔ（３０）／ＩＩＩ−Ｖ半導体基板１の場合に必要
な事は、 １．超電導体と半導体の間の酸素のやり取りを完全に無
くす事。 ２．バッファ層は、十分うすくて、ＩＩＩ−Ｖ族系のス
ードモルヒック状態を保つこと。 ３．バッファ層の厚みは、超電導体のコヒーレンス長以
内になること。である。
【００３８】まず、１に対しては、Ｔｉを２Å、Ｐｔを
２Å、成長させる場合が、最もうすい構造になる。また
、２に対しては、２０Å以内であれば、バッファ層がＩ
ＩＩ−Ｖ族のスードモルヒック状態を保つ。更に、３に
対しては、ＢｉＫＢａＯ系であれば、約３０〜４０Åの
コヒーレンス長を持つことより、３０Å以下のバッファ
層であればよい。
２Å、成長させる場合が、最もうすい構造になる。また
、２に対しては、２０Å以内であれば、バッファ層がＩ
ＩＩ−Ｖ族のスードモルヒック状態を保つ。更に、３に
対しては、ＢｉＫＢａＯ系であれば、約３０〜４０Åの
コヒーレンス長を持つことより、３０Å以下のバッファ
層であればよい。
【００３９】図４は、前述した第１の発明の具体的実施
例（１）と第２の発明の具体的実施例（２）の順方向バ
イアス時のショットキダイオード特性を示す。これらの
ダイオード特性のアイディアルファクタｎは実施例１が
ｎ＝１．０２、実施例２がｎ＝１．０３である。これに
対し、従来のＩｎＧａＡｓ−Ｎｂのショットキダイオー
ドでは、極めて慎重な成長を行った場合についても、ダ
イオード特性指数ｎが２程度のものしか得られない。こ
のように、この発明によれば、ダイオード特性が優れて
いることが判る。
例（１）と第２の発明の具体的実施例（２）の順方向バ
イアス時のショットキダイオード特性を示す。これらの
ダイオード特性のアイディアルファクタｎは実施例１が
ｎ＝１．０２、実施例２がｎ＝１．０３である。これに
対し、従来のＩｎＧａＡｓ−Ｎｂのショットキダイオー
ドでは、極めて慎重な成長を行った場合についても、ダ
イオード特性指数ｎが２程度のものしか得られない。こ
のように、この発明によれば、ダイオード特性が優れて
いることが判る。
【００４０】図３はこの発明に係る超電導デバイスを用
いた超電導トランジスタの構造を示す模式図である。
いた超電導トランジスタの構造を示す模式図である。
【００４１】図３に示すように、超電導トランジスタは
、基板１としてＧａＡｓの半導体基板１を用いる。この
基板１がコレクタ領域となる。この基板１上にＭＢＥ法
などによＴｉからなる第１のバッファ層２０とＰｔから
なる第２のバッファ層３０を形成する。このバッファ層
３０上に活酸化物超電導体ＢｉＢａ１−ｘＫｘＯ２（以
下、ＢＫＢＯという。）をエピタキシャル成長させるこ
とにより、ベース領域４ａが形成される。
、基板１としてＧａＡｓの半導体基板１を用いる。この
基板１がコレクタ領域となる。この基板１上にＭＢＥ法
などによＴｉからなる第１のバッファ層２０とＰｔから
なる第２のバッファ層３０を形成する。このバッファ層
３０上に活酸化物超電導体ＢｉＢａ１−ｘＫｘＯ２（以
下、ＢＫＢＯという。）をエピタキシャル成長させるこ
とにより、ベース領域４ａが形成される。
【００４２】このベース領域４ａ上にＭｇＯ、ＳｒＴｉ
Ｏ３等からなる所定膜厚の絶縁層５をＭＢＥ法より形成
した後、ＢＫＢＯからなるエミッタ領域６を形成し、こ
の発明に係る超電導トランジスタが得られる。
Ｏ３等からなる所定膜厚の絶縁層５をＭＢＥ法より形成
した後、ＢＫＢＯからなるエミッタ領域６を形成し、こ
の発明に係る超電導トランジスタが得られる。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、第１の発明によれ
ば、バッファ層により基板と超電導体の濡れ性が向上し
、基板と超電導体との密着度の高い良好な界面が得られ
る。従って、リーク特性の向上した超電導デバイスを提
供できる。また、第２の発明によれば、バッファ層によ
り、基板と超電導体との界面に酸化に起因する絶縁層の
形成が防止され、基板と超電導体との良好な界面が得ら
れる。従って、リーク特性の向上した超電導デバイスを
提供できる。
ば、バッファ層により基板と超電導体の濡れ性が向上し
、基板と超電導体との密着度の高い良好な界面が得られ
る。従って、リーク特性の向上した超電導デバイスを提
供できる。また、第２の発明によれば、バッファ層によ
り、基板と超電導体との界面に酸化に起因する絶縁層の
形成が防止され、基板と超電導体との良好な界面が得ら
れる。従って、リーク特性の向上した超電導デバイスを
提供できる。
【図１】 この発明の第１の発明に係る超電導デバイ
スとしてのスーパーショットキダイオードの構成を示す
模式図である。
スとしてのスーパーショットキダイオードの構成を示す
模式図である。
【図２】 この発明の第２の発明に係る超電導デバイ
スとしてのスーパーショットキダイオードの構成を示す
模式図である。
スとしてのスーパーショットキダイオードの構成を示す
模式図である。
【図３】 この発明に係る超電導デバイスを用いた超
電導トランジスタの構造を示す模式図である。
電導トランジスタの構造を示す模式図である。
【図４】 第１の発明の具体的実施例（１）と第２の
発明の具体的実施例（２）の順方向バイアス時のショッ
トキダイオード特性を示す図である。
発明の具体的実施例（２）の順方向バイアス時のショッ
トキダイオード特性を示す図である。
１ ＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体単結晶基板２ バ
ッファ層 ４ 金属系超電導体 ２０ 第１のバッファ層 ３０ 第２のバッファ層 ４０ 酸化物超電導体
ッファ層 ４ 金属系超電導体 ２０ 第１のバッファ層 ３０ 第２のバッファ層 ４０ 酸化物超電導体
Claims (2)
- 【請求項１】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶上に
チタン（Ｔｉ）またはモリブデン（Ｍｏ）からなるバッ
ファ層を介して金属系超電導体を積層したことを特徴と
する超電導デバイス。 - 【請求項２】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶上に
チタン（Ｔｉ）またはモリブデン（Ｍｏ）からなる第１
のバッファ層が設けられ、この第１のバッファ層上にパ
ラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）または金（Ａｕ）から
なる第２のバッファ層が設けられ、この第２のバッファ
層上に酸化物超電導体が設けられていることを特徴とす
る超電導デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124673A JPH04328883A (ja) | 1991-04-27 | 1991-04-27 | 超電導デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124673A JPH04328883A (ja) | 1991-04-27 | 1991-04-27 | 超電導デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04328883A true JPH04328883A (ja) | 1992-11-17 |
Family
ID=14891234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3124673A Pending JPH04328883A (ja) | 1991-04-27 | 1991-04-27 | 超電導デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04328883A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07263766A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 金属窒化物単結晶薄膜育成法および装置 |
| KR100237183B1 (ko) * | 1996-12-14 | 2000-01-15 | 정선종 | 금속-반도체 광소자 |
| CN103165811A (zh) * | 2013-02-25 | 2013-06-19 | 苏州大学 | 一种硅基氮化铌薄膜超导材料及其制作方法 |
-
1991
- 1991-04-27 JP JP3124673A patent/JPH04328883A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07263766A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 金属窒化物単結晶薄膜育成法および装置 |
| KR100237183B1 (ko) * | 1996-12-14 | 2000-01-15 | 정선종 | 금속-반도체 광소자 |
| CN103165811A (zh) * | 2013-02-25 | 2013-06-19 | 苏州大学 | 一种硅基氮化铌薄膜超导材料及其制作方法 |
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