JPH04329681A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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- JPH04329681A JPH04329681A JP3100080A JP10008091A JPH04329681A JP H04329681 A JPH04329681 A JP H04329681A JP 3100080 A JP3100080 A JP 3100080A JP 10008091 A JP10008091 A JP 10008091A JP H04329681 A JPH04329681 A JP H04329681A
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- semiconductor light
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/931—Shapes of bond pads
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- Led Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ジャンクション・ダ
ウン（ｊｕｎｃｔｉｏｎ−ｄｏｗｎ）構造の半導体発光
素子を有する光半導体装置に関するものである。
ウン（ｊｕｎｃｔｉｏｎ−ｄｏｗｎ）構造の半導体発光
素子を有する光半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体発光素子において、特に光
ファイバ通信に使用する場合、結合効率を上げるため電
流狭窄等により発光領域を小さく、高い電流密度で駆動
するものが多い。しかし半導体発光素子内で消費される
エネルギーはほとんど結晶内部で熱に変換されるため、
上記のような半導体発光素子は高温となり、素子の特性
や信頼性を低下させる要因となる。この対策として、Ｓ
ｉ，Ｃｕ，アルミナイトライド等のヒートシンク（Ｈｅ
ａｔＳｉｎｋ：吸熱体）上に蒸着したＡｕＳｎやＳｎ，
ＰｂＳｎ等の融着材料により半導体発光素子を接着し、
放熱性を向上させる構造が多く採用されている。
ファイバ通信に使用する場合、結合効率を上げるため電
流狭窄等により発光領域を小さく、高い電流密度で駆動
するものが多い。しかし半導体発光素子内で消費される
エネルギーはほとんど結晶内部で熱に変換されるため、
上記のような半導体発光素子は高温となり、素子の特性
や信頼性を低下させる要因となる。この対策として、Ｓ
ｉ，Ｃｕ，アルミナイトライド等のヒートシンク（Ｈｅ
ａｔＳｉｎｋ：吸熱体）上に蒸着したＡｕＳｎやＳｎ，
ＰｂＳｎ等の融着材料により半導体発光素子を接着し、
放熱性を向上させる構造が多く採用されている。
【０００３】従来の光半導体装置について、図面を参照
しながら説明する。図４（ａ） は従来例の光半導体装
置の平面図、図４（ｂ） は従来例における半導体発光
素子とヒートシンクとの接着前の断面図、図１（ｃ）
は従来例における半導体発光素子とヒートシンクとの接
着後の断面図である。この従来の光半導体装置は、上面
に融着材料５を蒸着したヒートシンク１と、接着電極材
料４を蒸着した半導体発光素子２とを接着したものであ
る。ヒートシンク１に発光素子２を接着したとき、図４
（ｃ） のように、融着材料５が熱圧着により合金７と
なる。
しながら説明する。図４（ａ） は従来例の光半導体装
置の平面図、図４（ｂ） は従来例における半導体発光
素子とヒートシンクとの接着前の断面図、図１（ｃ）
は従来例における半導体発光素子とヒートシンクとの接
着後の断面図である。この従来の光半導体装置は、上面
に融着材料５を蒸着したヒートシンク１と、接着電極材
料４を蒸着した半導体発光素子２とを接着したものであ
る。ヒートシンク１に発光素子２を接着したとき、図４
（ｃ） のように、融着材料５が熱圧着により合金７と
なる。
【０００４】半導体発光素子２は、最も発熱する活性層
３をヒートシンク１に近づけ、放熱効果を上げるために
ジャンクション・ダウン構造としている。このため、同
じ結晶構造であれば、ＬＥＤの場合、光出力はジャンク
ション・アップ（ｊｕｎｃｔｉｏｎ−ｕｐ）構造の１．
５〜２倍程度を得ている。
３をヒートシンク１に近づけ、放熱効果を上げるために
ジャンクション・ダウン構造としている。このため、同
じ結晶構造であれば、ＬＥＤの場合、光出力はジャンク
ション・アップ（ｊｕｎｃｔｉｏｎ−ｕｐ）構造の１．
５〜２倍程度を得ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のヒートシンク１上にジャンクション・ダウン構造の
半導体発光素子２を全面接着で搭載している構成では、
ヒートシンク１上に半導体発光素子２をチップボンドす
る場合、ヒートシンク１上に蒸着された融着材料５を熱
により溶融させ合金接着するため、半導体発光素子２を
押さえる真空ピンセットの圧力やチップ自身の重み等に
より、溶融した融着材料５が接着面から溢れ、図４（ｃ
） に示すように、チップ側面に噴出する場合がある。 これはヒートシンク１上の融着材料５が厚すぎた場合は
特に顕著になる。
来のヒートシンク１上にジャンクション・ダウン構造の
半導体発光素子２を全面接着で搭載している構成では、
ヒートシンク１上に半導体発光素子２をチップボンドす
る場合、ヒートシンク１上に蒸着された融着材料５を熱
により溶融させ合金接着するため、半導体発光素子２を
押さえる真空ピンセットの圧力やチップ自身の重み等に
より、溶融した融着材料５が接着面から溢れ、図４（ｃ
） に示すように、チップ側面に噴出する場合がある。 これはヒートシンク１上の融着材料５が厚すぎた場合は
特に顕著になる。
【０００６】このとき、ジャンクション・ダウン構造の
半導体発光素子２では、接着面に接合部が近接している
ため、チップ側面の接合部分に融着材料５が噴出し短絡
させてしまい歩留りが低下するという問題があった。ま
た、チップ側面に絶縁膜としてＳｉＯ２ 膜を蒸着した
ものもあるが、噴出した融着材料により、ＳｉＯ２ 膜
が破壊されやはり短絡してしまうものがあった。
半導体発光素子２では、接着面に接合部が近接している
ため、チップ側面の接合部分に融着材料５が噴出し短絡
させてしまい歩留りが低下するという問題があった。ま
た、チップ側面に絶縁膜としてＳｉＯ２ 膜を蒸着した
ものもあるが、噴出した融着材料により、ＳｉＯ２ 膜
が破壊されやはり短絡してしまうものがあった。
【０００７】これら問題の対策として、従来までに、ヒ
ートシンク上の接着領域をチップ接着面より小さくし、
多少、融着材料が溢れ出てもチップ側面まで達しないよ
うに考慮したものもあるが、接着領域を小さくし過ぎる
と接着強度低下や、熱放散性の悪化などの問題があり、
接着領域とチップ接着面の大きさを近接させると、やは
り融着材料が押し出されるために再び短絡の危険性が高
くなる問題があった。
ートシンク上の接着領域をチップ接着面より小さくし、
多少、融着材料が溢れ出てもチップ側面まで達しないよ
うに考慮したものもあるが、接着領域を小さくし過ぎる
と接着強度低下や、熱放散性の悪化などの問題があり、
接着領域とチップ接着面の大きさを近接させると、やは
り融着材料が押し出されるために再び短絡の危険性が高
くなる問題があった。
【０００８】この発明の目的は、上記従来の問題点を解
決するもので、ジャンクション・ダウン構造の半導体発
光素子をヒートシンクにチップボンドする時の短絡不良
を低減できる光半導体装置を提供することである。
決するもので、ジャンクション・ダウン構造の半導体発
光素子をヒートシンクにチップボンドする時の短絡不良
を低減できる光半導体装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の光半導体
装置は、半導体発光素子と、この半導体発光素子を接着
する接着領域の半導体発光素子側面に近接する部分に溝
を有する融着材料を形成したヒートシンクとを接着して
いる。請求項２記載の光半導体装置は、半導体発光素子
と、この半導体発光素子を接着する接着領域に等間隔の
溝を有する融着材料を形成したヒートシンクとを接着し
ている。
装置は、半導体発光素子と、この半導体発光素子を接着
する接着領域の半導体発光素子側面に近接する部分に溝
を有する融着材料を形成したヒートシンクとを接着して
いる。請求項２記載の光半導体装置は、半導体発光素子
と、この半導体発光素子を接着する接着領域に等間隔の
溝を有する融着材料を形成したヒートシンクとを接着し
ている。
【００１０】請求項３記載の光半導体装置は、半導体発
光素子と、この半導体発光素子を接着する接着領域に格
子状の溝を有する融着材料を形成したヒートシンクとを
接着している。
光素子と、この半導体発光素子を接着する接着領域に格
子状の溝を有する融着材料を形成したヒートシンクとを
接着している。
【００１１】
【作用】請求項１記載の構成によれば、半導体発光素子
を、接着領域の半導体発光素子側面に近接する部分に溝
を有する融着材料を形成したヒートシンク上に接着した
ことにより、接着時に溶融した融着材料の一部を溝部分
に流入させ、融着材料が半導体発光素子側面に噴出する
割合を低減できる。
を、接着領域の半導体発光素子側面に近接する部分に溝
を有する融着材料を形成したヒートシンク上に接着した
ことにより、接着時に溶融した融着材料の一部を溝部分
に流入させ、融着材料が半導体発光素子側面に噴出する
割合を低減できる。
【００１２】請求項２記載の構成によれば、半導体発光
素子を、接着領域に等間隔の溝を有する融着材料を形成
したヒートシンク上に接着したことにより、接着時に溶
融した融着材料の一部を溝部分に流入させ、融着材料が
半導体発光素子側面に噴出する割合を低減できるととも
に、接着面内の接着強度分布の偏りをなくすことができ
る。
素子を、接着領域に等間隔の溝を有する融着材料を形成
したヒートシンク上に接着したことにより、接着時に溶
融した融着材料の一部を溝部分に流入させ、融着材料が
半導体発光素子側面に噴出する割合を低減できるととも
に、接着面内の接着強度分布の偏りをなくすことができ
る。
【００１３】請求項３記載の構成によれば、半導体発光
素子を、接着領域に格子状の溝を有する融着材料を形成
したヒートシンク上に接着したことにより、接着時に溶
融した融着材料の一部を溝部分に流入させ、融着材料が
半導体発光素子側面に噴出する割合を低減できるととも
に、接着面内の接着強度分布の偏りをなくすことができ
る。
素子を、接着領域に格子状の溝を有する融着材料を形成
したヒートシンク上に接着したことにより、接着時に溶
融した融着材料の一部を溝部分に流入させ、融着材料が
半導体発光素子側面に噴出する割合を低減できるととも
に、接着面内の接着強度分布の偏りをなくすことができ
る。
【００１４】
【実施例】〔第１の実施例〕
この発明の第１の実施例について、図面を参照しながら
説明する。図１（ａ） はこの発明の第１の実施例の光
半導体装置の平面図、図１（ｂ） は同実施例における
半導体発光素子とヒートシンクとの接着前の断面図、図
１（ｃ） は同実施例における半導体発光素子とヒート
シンクとの接着後の断面図である。
説明する。図１（ａ） はこの発明の第１の実施例の光
半導体装置の平面図、図１（ｂ） は同実施例における
半導体発光素子とヒートシンクとの接着前の断面図、図
１（ｃ） は同実施例における半導体発光素子とヒート
シンクとの接着後の断面図である。
【００１５】発光素子２は、活性層３を下にしたジャン
クション・ダウン構造であり、この実施例ではＧａＡｌ
Ａｓを活性層３とした発光波長８５０ｎｍの面発光ＬＥ
Ｄを使用し、接着電極材料４としてＡｕを蒸着している
。ヒートシンク１材料はＳｉを使用し、ヒートシンク１
上面には、一様に融着材料５としてＳｎを蒸着した後、
レジストによるパターニングを行い、エッチングにより
発光素子２側面に近接した接着する領域にヒートシンク
１まで達する溝６ａを形成した。
クション・ダウン構造であり、この実施例ではＧａＡｌ
Ａｓを活性層３とした発光波長８５０ｎｍの面発光ＬＥ
Ｄを使用し、接着電極材料４としてＡｕを蒸着している
。ヒートシンク１材料はＳｉを使用し、ヒートシンク１
上面には、一様に融着材料５としてＳｎを蒸着した後、
レジストによるパターニングを行い、エッチングにより
発光素子２側面に近接した接着する領域にヒートシンク
１まで達する溝６ａを形成した。
【００１６】この実施例では、ヒートシンク１に上記発
光素子２を接着したとき、図１（ｃ）のように、接着時
に融着材料５は熱圧着により、合金７（ＡｕＳｎ）とな
り、接着すると共に、溝６ａ周辺では溶融した融着材料
５が溝６ａ内に流入するため、発光素子２側面に融着材
料５が噴出する割合を低くすることができ、チップボン
ド時の短絡不良を低減することができる。
光素子２を接着したとき、図１（ｃ）のように、接着時
に融着材料５は熱圧着により、合金７（ＡｕＳｎ）とな
り、接着すると共に、溝６ａ周辺では溶融した融着材料
５が溝６ａ内に流入するため、発光素子２側面に融着材
料５が噴出する割合を低くすることができ、チップボン
ド時の短絡不良を低減することができる。
【００１７】〔第２の実施例〕
この発明の第２の実施例について、図面を参照しながら
説明する。図２（ａ） はこの発明の第２の実施例の光
半導体装置の平面図、図２（ｂ） は同実施例における
半導体発光素子とヒートシンクとの接着前の断面図、図
２（ｃ） は同実施例における半導体発光素子とヒート
シンクとの接着後の断面図である。
説明する。図２（ａ） はこの発明の第２の実施例の光
半導体装置の平面図、図２（ｂ） は同実施例における
半導体発光素子とヒートシンクとの接着前の断面図、図
２（ｃ） は同実施例における半導体発光素子とヒート
シンクとの接着後の断面図である。
【００１８】第１の実施例では、接着時に溝６ａ内部に
融着材料５が不完全に流入し、未接着部分を生じたとき
、接着強度分布に偏りが生じ、信頼性悪化の要因となる
可能性がある。そこでこの第２の実施例では、ヒートシ
ンク１上の融着材料５に溝６ａの代わりに等間隔に配置
した溝６ｂを形成した。
融着材料５が不完全に流入し、未接着部分を生じたとき
、接着強度分布に偏りが生じ、信頼性悪化の要因となる
可能性がある。そこでこの第２の実施例では、ヒートシ
ンク１上の融着材料５に溝６ａの代わりに等間隔に配置
した溝６ｂを形成した。
【００１９】この実施例では、融着材料５が発光素子２
側面に噴出する割合を低くすることができ、チップボン
ド時の短絡不良を低減することができると共に、溝６ｂ
が等間隔に配置されているため、溝６ｂ内に未接着部分
を生じても、接着領域の接着強度分布の偏りは生じず、
溝６ｂを形成したことによる信頼性低下を防ぐことがで
きる。
側面に噴出する割合を低くすることができ、チップボン
ド時の短絡不良を低減することができると共に、溝６ｂ
が等間隔に配置されているため、溝６ｂ内に未接着部分
を生じても、接着領域の接着強度分布の偏りは生じず、
溝６ｂを形成したことによる信頼性低下を防ぐことがで
きる。
【００２０】〔第３の実施例〕
この発明の第３の実施例について、図面を参照しながら
説明する。図３（ａ） はこの発明の第３の実施例の光
半導体装置の平面図、図３（ｂ） は同実施例における
半導体発光素子とヒートシンクとの接着前の断面図、図
３（ｃ） は同実施例における半導体発光素子とヒート
シンクとの接着後の断面図である。
説明する。図３（ａ） はこの発明の第３の実施例の光
半導体装置の平面図、図３（ｂ） は同実施例における
半導体発光素子とヒートシンクとの接着前の断面図、図
３（ｃ） は同実施例における半導体発光素子とヒート
シンクとの接着後の断面図である。
【００２１】この第３の実施例では、ヒートシンク１上
の融着材料５に溝６ａ（第１の実施例）の代わりに格子
状に配置した溝６ｃを形成した。この実施例では、第２
の実施例同様、融着材料５が発光素子２側面に噴出する
割合を低くすることができ、チップボンド時の短絡不良
を低減することができると共に、溝６ｃが格子状に配置
されているため、溝６ｃ内に未接着部分を生じても、接
着領域の接着強度分布の偏りは生じず、溝６ｃを形成し
たことによる信頼性低下を防ぐことができる。
の融着材料５に溝６ａ（第１の実施例）の代わりに格子
状に配置した溝６ｃを形成した。この実施例では、第２
の実施例同様、融着材料５が発光素子２側面に噴出する
割合を低くすることができ、チップボンド時の短絡不良
を低減することができると共に、溝６ｃが格子状に配置
されているため、溝６ｃ内に未接着部分を生じても、接
着領域の接着強度分布の偏りは生じず、溝６ｃを形成し
たことによる信頼性低下を防ぐことができる。
【００２２】上記第１ないし第３の実施例によれば、従
来の短絡不良率が１％程度であったのに対し、短絡不良
を皆無にすることができた。なお、上記実施例では、半
導体発光素子２としてＧａＡｌＡｓを材料とする面発光
ＬＥＤを用いたが、ＧａＡｌＡｓ以外の面発光ＬＥＤで
もよく、また、端面発光ＬＥＤや半導体レーザー等でも
同様の効果がある。
来の短絡不良率が１％程度であったのに対し、短絡不良
を皆無にすることができた。なお、上記実施例では、半
導体発光素子２としてＧａＡｌＡｓを材料とする面発光
ＬＥＤを用いたが、ＧａＡｌＡｓ以外の面発光ＬＥＤで
もよく、また、端面発光ＬＥＤや半導体レーザー等でも
同様の効果がある。
【００２３】また、ヒートシンク１材料は上記実施例の
Ｓｉ以外で例えばＳｉＣ等でもかまわず、熱放散効果が
あればステム，受光素子，ＩＣ等の面上に融着材料５を
形成して光半導体素子を接着した場合も同様である。融
着材料５は上記実施例のＳｎだけでなく、ＰｂＳｎ等の
融着による接着材料であれば同様の効果が得られる。
Ｓｉ以外で例えばＳｉＣ等でもかまわず、熱放散効果が
あればステム，受光素子，ＩＣ等の面上に融着材料５を
形成して光半導体素子を接着した場合も同様である。融
着材料５は上記実施例のＳｎだけでなく、ＰｂＳｎ等の
融着による接着材料であれば同様の効果が得られる。
【００２４】また、溝６ａ，６ｂ，６ｃの形成方法は、
実施例のようにヒートシンク１上に一様に融着材料５を
蒸着した後、レジストによるパターニングを行い、溝６
ａ，６ｂ，６ｃ部分をエッチングで形成する方法以外で
もかまわない。実施例では、形成した溝６ａ，６ｂ，６
ｃ内の融着材料５は完全に除去されているが、溝６ａ，
６ｂ，６ｃ内に融着材料５が残っていても十分な深さの
溝であれば同様の効果がある。
実施例のようにヒートシンク１上に一様に融着材料５を
蒸着した後、レジストによるパターニングを行い、溝６
ａ，６ｂ，６ｃ部分をエッチングで形成する方法以外で
もかまわない。実施例では、形成した溝６ａ，６ｂ，６
ｃ内の融着材料５は完全に除去されているが、溝６ａ，
６ｂ，６ｃ内に融着材料５が残っていても十分な深さの
溝であれば同様の効果がある。
【００２５】
【発明の効果】この発明の光半導体装置は、半導体発光
素子を、接着領域に溝を有する融着材料を形成したヒー
トシンク上に接着したことにより、接着時に溶融した融
着材料の一部を溝部分に流入させ、融着材料が半導体発
光素子側面に噴出する割合を低減できる。その結果、チ
ップボンド時での半導体発光素子の短絡不良による歩留
まり低下を防止することが可能である。
素子を、接着領域に溝を有する融着材料を形成したヒー
トシンク上に接着したことにより、接着時に溶融した融
着材料の一部を溝部分に流入させ、融着材料が半導体発
光素子側面に噴出する割合を低減できる。その結果、チ
ップボンド時での半導体発光素子の短絡不良による歩留
まり低下を防止することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ） はこの発明の第１の実施例の光半導体
装置の平面図、（ｂ） は同実施例における半導体発光
素子とヒートシンクとの接着前の断面図、（ｃ） は同
実施例における半導体発光素子とヒートシンクとの接着
後の断面図である。
装置の平面図、（ｂ） は同実施例における半導体発光
素子とヒートシンクとの接着前の断面図、（ｃ） は同
実施例における半導体発光素子とヒートシンクとの接着
後の断面図である。
【図２】（ａ） はこの発明の第２の実施例の光半導体
装置の平面図、（ｂ） は同実施例における半導体発光
素子とヒートシンクとの接着前の断面図、（ｃ） は同
実施例における半導体発光素子とヒートシンクとの接着
後の断面図である。
装置の平面図、（ｂ） は同実施例における半導体発光
素子とヒートシンクとの接着前の断面図、（ｃ） は同
実施例における半導体発光素子とヒートシンクとの接着
後の断面図である。
【図３】（ａ） はこの発明の第３の実施例の光半導体
装置の平面図、（ｂ） は同実施例における半導体発光
素子とヒートシンクとの接着前の断面図、（ｃ） は同
実施例における半導体発光素子とヒートシンクとの接着
後の断面図である。
装置の平面図、（ｂ） は同実施例における半導体発光
素子とヒートシンクとの接着前の断面図、（ｃ） は同
実施例における半導体発光素子とヒートシンクとの接着
後の断面図である。
【図４】（ａ） は従来例の光半導体装置の平面図、（
ｂ） は従来例における半導体発光素子とヒートシンク
との接着前の断面図、（ｃ） は従来例における半導体
発光素子とヒートシンクとの接着後の断面図である。
ｂ） は従来例における半導体発光素子とヒートシンク
との接着前の断面図、（ｃ） は従来例における半導体
発光素子とヒートシンクとの接着後の断面図である。
１ ヒートシンク
２ 発光素子
３ 活性層
５ 融着材料
６ａ，６ｂ，６ｃ 溝
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体発光素子と、この半導体発光素
子を接着する接着領域の前記半導体発光素子側面に近接
する部分に溝を有する融着材料を形成したヒートシンク
とを接着した光半導体装置。 - 【請求項２】 半導体発光素子と、この半導体発光素
子を接着する接着領域に等間隔の溝を有する融着材料を
形成したヒートシンクとを接着した光半導体装置。 - 【請求項３】 半導体発光素子と、この半導体発光素
子を接着する接着領域に格子状の溝を有する融着材料を
形成したヒートシンクとを接着した光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3100080A JPH04329681A (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3100080A JPH04329681A (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04329681A true JPH04329681A (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=14264468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3100080A Pending JPH04329681A (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04329681A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128254A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 光素子の実装構造体及び実装方法 |
| JP2007243193A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 発光ダイオードパッケージ |
| JP2011176260A (ja) * | 2010-01-30 | 2011-09-08 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | Ｌｅｄチップとリードフレームとの接合方法 |
| CN104303319A (zh) * | 2011-11-25 | 2015-01-21 | Soitec公司 | 用于防止半导体层堆叠、薄衬底cpv电池和太阳能电池组件中电短路的方法 |
| JP2015095607A (ja) * | 2013-11-14 | 2015-05-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-05-01 JP JP3100080A patent/JPH04329681A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128254A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 光素子の実装構造体及び実装方法 |
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