JPH06260723A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH06260723A JPH06260723A JP5042551A JP4255193A JPH06260723A JP H06260723 A JPH06260723 A JP H06260723A JP 5042551 A JP5042551 A JP 5042551A JP 4255193 A JP4255193 A JP 4255193A JP H06260723 A JPH06260723 A JP H06260723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- emitting point
- laser chip
- submount
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 歩留り及び信頼性の高い半導体レーザ装置を
得る。 【構成】 サブマウント５の上に設けられたレーザチッ
プ１１の下面にはメサ溝２が設けられている。レーザチ
ップ１１の下面近傍には発光点４が備えられている。メ
サ溝２は発光点４の両側に形成されており、レーザチッ
プ１１の下面のうち、メサ溝２が挟む部分、及びメサ溝
２の内発光点４の近くにある部分にメタライズ層３１が
設けられている。メタライズ層３１とサブマウント５と
は半田７によって接着されている。 【効果】 ダイボンド時に半田７はメサ溝２に流れ込
み、レーザチップ１１の側壁に付着することなく、レー
ザチップ１１の接合をショートさせることはない。
得る。 【構成】 サブマウント５の上に設けられたレーザチッ
プ１１の下面にはメサ溝２が設けられている。レーザチ
ップ１１の下面近傍には発光点４が備えられている。メ
サ溝２は発光点４の両側に形成されており、レーザチッ
プ１１の下面のうち、メサ溝２が挟む部分、及びメサ溝
２の内発光点４の近くにある部分にメタライズ層３１が
設けられている。メタライズ層３１とサブマウント５と
は半田７によって接着されている。 【効果】 ダイボンド時に半田７はメサ溝２に流れ込
み、レーザチップ１１の側壁に付着することなく、レー
ザチップ１１の接合をショートさせることはない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザ装置、特
に放熱体上にマウントされ、この放熱体に概並行な接合
面を有する半導体レーザ装置の構造に関するものであ
る。
に放熱体上にマウントされ、この放熱体に概並行な接合
面を有する半導体レーザ装置の構造に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来の半導体レーザ装置２００
の構造を示す断面図である。金属ブロック６の上にサブ
マウント５が設けられ、サブマウント５の上には半田７
を介してレーザチップ１がダイボンドされて備えられて
いる。レーザチップ１はその下面に半田接着用のメタラ
イズ層３を備えており、半田７はこのメタライズ層３と
サブマウント５とに接触している。
の構造を示す断面図である。金属ブロック６の上にサブ
マウント５が設けられ、サブマウント５の上には半田７
を介してレーザチップ１がダイボンドされて備えられて
いる。レーザチップ１はその下面に半田接着用のメタラ
イズ層３を備えており、半田７はこのメタライズ層３と
サブマウント５とに接触している。
【０００３】放熱を良好に行うため、レーザチップ１の
発光点４は金属ブロック６に近い方に位置している。
発光点４は金属ブロック６に近い方に位置している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ装
置は以上のように構成されているので、レーザチップ１
をダイボンドする場合、半田７がレーザチップ１とサブ
マウント５の間で溶融してレーザチップ１の周辺部まで
広がり、その後半田７が固着する。一方、発光点４はレ
ーザチップ１のＰＮ接合近傍に存在し、この発光点４は
金属ブロック６に近い方に位置する。このため、半田７
がレーザチップ１のＰＮ接合をショートさせる場合があ
る。このようなダイボンド時のショート不良（初期ショ
ート不良）は歩留りの低下を発生させる。
置は以上のように構成されているので、レーザチップ１
をダイボンドする場合、半田７がレーザチップ１とサブ
マウント５の間で溶融してレーザチップ１の周辺部まで
広がり、その後半田７が固着する。一方、発光点４はレ
ーザチップ１のＰＮ接合近傍に存在し、この発光点４は
金属ブロック６に近い方に位置する。このため、半田７
がレーザチップ１のＰＮ接合をショートさせる場合があ
る。このようなダイボンド時のショート不良（初期ショ
ート不良）は歩留りの低下を発生させる。
【０００５】更に、半田７によるレーザチップ１のＰＮ
接合のショートはダイボンド時にのみに起こるものでは
なく、半導体レーザ装置の使用中にも生じる。即ち、使
用中のマイクロ放電現象により、半田７がレーザチップ
１のＰＮ接合と間歇的に接続することでＰＮ接合のショ
ートが生じる場合もある。
接合のショートはダイボンド時にのみに起こるものでは
なく、半導体レーザ装置の使用中にも生じる。即ち、使
用中のマイクロ放電現象により、半田７がレーザチップ
１のＰＮ接合と間歇的に接続することでＰＮ接合のショ
ートが生じる場合もある。
【０００６】このようなショートはレーザチップ１の動
作の阻害を招来すると言う問題点があった。この発明は
このような問題点を解消するためになされたもので、発
光点近傍の放熱を劣化させることなく、接合のショート
不良を回避することができ、歩留りが高く信頼性の高い
半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
作の阻害を招来すると言う問題点があった。この発明は
このような問題点を解消するためになされたもので、発
光点近傍の放熱を劣化させることなく、接合のショート
不良を回避することができ、歩留りが高く信頼性の高い
半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
レーザ装置は、（ａ）半導体レーザ素子と、（ｂ）放熱
体と、（ｃ）半導体レーザ素子と放熱体とを介在層を介
して接着する導電材と、を備える。そして半導体レーザ
素子は、（ａ−１）主面と、（ａ−２）主面の近傍に位
置する発光点と、（ａ−３）主面において発光点の両側
に設けられた溝と、（ａ−４）溝に挟まれた主面、及び
溝の発光点近傍の内壁に設けられた介在層と、を有す
る。
レーザ装置は、（ａ）半導体レーザ素子と、（ｂ）放熱
体と、（ｃ）半導体レーザ素子と放熱体とを介在層を介
して接着する導電材と、を備える。そして半導体レーザ
素子は、（ａ−１）主面と、（ａ−２）主面の近傍に位
置する発光点と、（ａ−３）主面において発光点の両側
に設けられた溝と、（ａ−４）溝に挟まれた主面、及び
溝の発光点近傍の内壁に設けられた介在層と、を有す
る。
【０００８】
【作用】この発明に係る半導体レーザ装置における溝
は、介在層と放熱体とを接着する導電材が半導体レーザ
素子の側壁に付着することを抑制する。
は、介在層と放熱体とを接着する導電材が半導体レーザ
素子の側壁に付着することを抑制する。
【０００９】
【実施例】図１はダイボンドされた半導体レーザ装置１
００の構造を示す断面図である。放熱の良い金属ブロッ
ク６の上にサブマウント５が設けられる。サブマウント
５の上にはジャンクションダウン（Ｊ／Ｄ）組立によっ
てレーザチップ１１が設けられる。Ｊ／Ｄ組立は、レー
ザチップ１１の発光点４をサブマウント５に近づけて組
立を行うものであり、ＯＤＤ（オプチカルディスクドラ
イブ）やプリンタに半導体レーザ装置を使用する場合に
要求されるところの、低熱抵抗や低熱特性に対応する組
み立てである。
００の構造を示す断面図である。放熱の良い金属ブロッ
ク６の上にサブマウント５が設けられる。サブマウント
５の上にはジャンクションダウン（Ｊ／Ｄ）組立によっ
てレーザチップ１１が設けられる。Ｊ／Ｄ組立は、レー
ザチップ１１の発光点４をサブマウント５に近づけて組
立を行うものであり、ＯＤＤ（オプチカルディスクドラ
イブ）やプリンタに半導体レーザ装置を使用する場合に
要求されるところの、低熱抵抗や低熱特性に対応する組
み立てである。
【００１０】この場合、発光点４はレーザチップ１１と
サブマウント５の接着面から約数μｍの位置に形成され
る。そのため、例えばレーザチップ１１のＰＮ接合は、
レーザチップ１１の下面から５μｍの位置に設計され
る。
サブマウント５の接着面から約数μｍの位置に形成され
る。そのため、例えばレーザチップ１１のＰＮ接合は、
レーザチップ１１の下面から５μｍの位置に設計され
る。
【００１１】レーザチップ１１の下面には、発光点４の
両側にメサ溝２が設けられている。レーザチップ１１の
下面のうち、メサ溝２が挟む部分、及びメサ溝２の内壁
のうち発光点４に近い部分にのみメタライズ層３１が形
成されている。
両側にメサ溝２が設けられている。レーザチップ１１の
下面のうち、メサ溝２が挟む部分、及びメサ溝２の内壁
のうち発光点４に近い部分にのみメタライズ層３１が形
成されている。
【００１２】このような構造を有するレーザチップ１１
とサブマウント５とを半田７を用いて接着する場合、即
ちダイボンデング時においては、半田７はメタライズ層
３１によって濡れ、レーザチップ１１とサブマウント５
とを接着する。この時に半田７がメタライズ層３１から
はみ出ても、はみ出た半田７はメサ溝２の中に溜められ
るため、レーザチップ１１の側壁に付着することはな
い。
とサブマウント５とを半田７を用いて接着する場合、即
ちダイボンデング時においては、半田７はメタライズ層
３１によって濡れ、レーザチップ１１とサブマウント５
とを接着する。この時に半田７がメタライズ層３１から
はみ出ても、はみ出た半田７はメサ溝２の中に溜められ
るため、レーザチップ１１の側壁に付着することはな
い。
【００１３】従って、レーザチップ１１のＰＮ接合が側
壁において半田７によってショートされることが回避さ
れ、ＰＮ接合をサブマウント５に近づけることができ
る。この結果、発光点４を充分金属ブロック６に近づけ
ることができるので、放熱を良好にすることができる。
壁において半田７によってショートされることが回避さ
れ、ＰＮ接合をサブマウント５に近づけることができ
る。この結果、発光点４を充分金属ブロック６に近づけ
ることができるので、放熱を良好にすることができる。
【００１４】しかも、半田７はメサ溝２の中に溜められ
ているので、使用中にマイクロ放電が生じても半田７と
ＰＮ接合とが導通することはない。
ているので、使用中にマイクロ放電が生じても半田７と
ＰＮ接合とが導通することはない。
【００１５】ここで、メサ溝２が発光点４を挟む幅は、
発光点４のレーザチップ１の下面からの距離の２倍以上
あれば熱抵抗上問題はない。例えば発光点４の位置がレ
ーザチップ１の下面から５μｍ離れていた場合には、メ
サ溝２とメサ溝２との間隔は１０μｍ以上あれば良い。
発光点４のレーザチップ１の下面からの距離の２倍以上
あれば熱抵抗上問題はない。例えば発光点４の位置がレ
ーザチップ１の下面から５μｍ離れていた場合には、メ
サ溝２とメサ溝２との間隔は１０μｍ以上あれば良い。
【００１６】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、導電材
が半導体レーザ素子のＰＮ接合をショートさせることが
ないため、半導体レーザ素子における発光点の位置を充
分放熱体に近づけて設計することができる。従って放熱
を良好に保ちつつ、歩留り及び信頼性の高い半導体レー
ザ装置を得ることができる。
が半導体レーザ素子のＰＮ接合をショートさせることが
ないため、半導体レーザ素子における発光点の位置を充
分放熱体に近づけて設計することができる。従って放熱
を良好に保ちつつ、歩留り及び信頼性の高い半導体レー
ザ装置を得ることができる。
【図１】この発明の一実施例による半導体レーザ装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】従来の半導体レーザ装置の断面図である。
１１ レーザチップ ２ メサ溝 ３１ メタライズ層 ４ 発光点 ５ サブマウント ６ 金属ブロック ７ 半田
Claims (1)
- 【請求項１】 （ａ）（ａ−１）主面と、 （ａ−２）前記主面の近傍に位置する発光点と、 （ａ−３）前記主面において前記発光点の両側に設けら
れた溝と、 （ａ−４）前記溝に挟まれた前記主面、及び前記溝の前
記発光点近傍の内壁に設けられた介在層と、 を有する半導体レーザ素子と、 （ｂ）放熱体と、 （ｃ）前記半導体レーザ素子と前記放熱体とを前記介在
層を介して接着する導電材と、 を備える半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5042551A JPH06260723A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5042551A JPH06260723A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260723A true JPH06260723A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12639198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5042551A Pending JPH06260723A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260723A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100764393B1 (ko) * | 2006-02-22 | 2007-10-05 | 삼성전기주식회사 | 고출력 어레이형 반도체 레이저 장치 제조방법 |
| JP2008060279A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード素子およびその製造方法 |
| JP2011222675A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2013033824A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 量子カスケード半導体レーザ、レーザ装置および量子カスケード半導体レーザの製造方法 |
| JP2019029672A (ja) * | 2017-08-01 | 2019-02-21 | アナログ ディヴァイスィズ インク | 集積デバイスダイを担体に載置するための負のフィレット |
| JP2019102678A (ja) * | 2017-12-05 | 2019-06-24 | シーシーエス株式会社 | 光射出装置及びｌｅｄ基板 |
| JPWO2021038712A1 (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-04 | ||
| US11664340B2 (en) | 2020-07-13 | 2023-05-30 | Analog Devices, Inc. | Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier |
-
1993
- 1993-03-03 JP JP5042551A patent/JPH06260723A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100764393B1 (ko) * | 2006-02-22 | 2007-10-05 | 삼성전기주식회사 | 고출력 어레이형 반도체 레이저 장치 제조방법 |
| JP2008060279A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード素子およびその製造方法 |
| JP2011222675A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8625646B2 (en) | 2010-04-07 | 2014-01-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| JP2013033824A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 量子カスケード半導体レーザ、レーザ装置および量子カスケード半導体レーザの製造方法 |
| JP2019029672A (ja) * | 2017-08-01 | 2019-02-21 | アナログ ディヴァイスィズ インク | 集積デバイスダイを担体に載置するための負のフィレット |
| US11056455B2 (en) | 2017-08-01 | 2021-07-06 | Analog Devices, Inc. | Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier |
| JP2019102678A (ja) * | 2017-12-05 | 2019-06-24 | シーシーエス株式会社 | 光射出装置及びｌｅｄ基板 |
| JPWO2021038712A1 (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-04 | ||
| WO2021038712A1 (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体チップ |
| US12113040B2 (en) | 2019-08-27 | 2024-10-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| US11664340B2 (en) | 2020-07-13 | 2023-05-30 | Analog Devices, Inc. | Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier |
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