JPH04329881A - マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、真空気密可能な反応容
器と、該反応容器内を排気する排気手段と、前記反応容
器内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを有し、
マイクロ波エネルギーを前記反応容器内に導入すること
により基体の表面に堆積膜を形成するマイクロ波プラズ
マＣＶＤ法による堆積膜形成装置に関し、特に複数本の
基体に同時に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ法による堆積膜形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイス、電子写真用感光体デバ
イス、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起
電力デバイス等に用いられる素子部材として、例えば水
素または／およびハロゲン（例えばフッ素、塩素）で補
償されたアモルファスシリコンなどのアモルファス堆積
膜が提案され、そのうちのいくつかは実用に付されてい
る。

【０００３】こうしたアモルファス堆積膜の形成方法と
して、従来、スパッタリング法、熱により原料ガスを分
解させる熱ＣＶＤ法、光により原料ガスを分解させる光
ＣＶＤ法、プラズマにより原料ガスを分解させるプラズ
マＣＶＤ法などの多数の方法が知られている。中でもプ
ラズマＣＶＤ法、すなわち原料ガスを直流あるいは高周
波、マイクロ波グロー放電などによって分解し、ガラス
、石英、耐熱性合成樹脂フィルム、ステンレス、アルミ
ニウムなどの基体上に薄膜状の堆積膜を形成する方法は
、電子写真用感光体に使用されるアモルファスシリコン
堆積膜の形成などに現在広く実用化されている。特に近
年、マイクロ波グロー放電分解を利用したマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法が工業的にも注目されている。マイクロ
波プラズマＣＶＤ法は、他の方法に比べ高い膜堆積速度
と高い原料ガス利用効率という利点を有している。

【０００４】こうした利点を生かしたマイクロ波プラズ
マＣＶＤ技術の一例が、米国特許第４５０４５１８号明
細書に開示されている。この技術は、０．１Ｔｏｒｒ以
下の低圧下でマイクロ波プラズマＣＶＤ法を実施するこ
とにより、高い膜堆積速度で良質の堆積膜を得るという
ものである。さらに、マイクロ波プラズマＣＶＤ法にお
いて原料ガスの利用効率を改善するための技術が特開昭
６０−１８６８４９号公報に記載されている。この技術
は、マイクロ波エネルギーの導入部を取り囲むようにし
て複数個の円筒状の基体を配置して内部チャンバー（す
なわち膜形成空間）を形成するようにし、これにより原
料ガス利用効率を非常に高めるようにしたものである。 また、特開昭６３−１４５７８１号公報には、機能性堆
積膜を形成するための改良されたマイクロ波プラズマＣ
ＶＤ法による堆積膜形成装置が記載されている。この堆
積膜形成装置は、マイクロ波を膜形成空間に導入するた
めの誘電体窓を積層構造とし、かつ誘電体窓の真空容器
側の面を粗面で構成することにより、この誘電体窓を交
換するときの作業性を向上させ、また誘電体窓に堆積す
る膜の表面での電気抵抗値が低下することを防いでマイ
クロ波の誘電体窓表面での反射を防止し、機能性堆積膜
を長時間にわたり定常的に高効率で形成できるようにし
たものである。

【０００５】これらの従来技術により、例えば光導電性
材料からなる比較的厚い堆積膜を、ある程度大きい堆積
速度と原料ガス利用効率をもって製造することが可能と
なった。このようにして改良された従来のマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の例が図４に示さ
れている。この堆積膜形成装置は電子写真用の感光体を
製造するためのものである。

【０００６】堆積膜形成用の反応容器４０１は、真空気
密化構造をなし、他端が真空ポンプなどの排気手段４０
６に接続された排気管４０４の一端が取り付けられてい
る。この排気管４０４の中間部には排気バルブ４０５が
設けられている。反応容器４０１の上面と下面のほぼ中
央部には、それぞれ導波管４０３が取り付けられ、各導
波管４０３の他端は、図示しないスタブチューナー、ア
イソレーターを介して、図示しないマイクロ波電源に接
続されている。各導波管４０３の反応容器４０１側の端
部には、反応容器４０１内の真空を保持するために、そ
れぞれ誘電体窓４０２が気密可能に取り付けられている
。誘電体窓４０２は、マイクロ波電力を反応容器４０１
内に向けて効率よく透過し、かつ真空気密を保持し得る
ような材料（例えば石英ガラス、アルミナセラミックス
など）で形成されている。

【０００７】反応容器４０１の中心部を取り囲むように
、複数本の円筒状の基体４０７が、その長手方向の中心
軸が図示上下方向に向くよう、互いに平行に設けられて
いる。反応容器４０１内の、各基体４０７と各誘電体窓
４０２によって囲まれた空間が放電空間４０８であり、
この放電空間４０８においてマイクロ波プラズマ放電を
起こすことにより、基体４０７の表面上に堆積膜が形成
するようになっている。

【０００８】各基体４０７はそれぞれ回転軸４１９の一
端に保持され、各回転軸４１９の他端はモーターなどの
回転手段４１２に接続され、この回転手段４１２によっ
て回転軸４１９を回転駆動することにより基体４０７が
自転するようになっている。また、円筒状の各基体４０
７の内部に挿入されるように、基体４０７を加熱するた
めのヒーター４１３がそれぞれ設けられている。

【０００９】さらに、放電空間４０８に原料ガスを供給
するための原料ガス供給管４１０が設けられている。原
料ガス供給管４１０は最先端部が封止され、先端部の側
面に多数の穴が設けられ、この穴から原料ガスが放電空
間４１０に流入するようになっている。原料ガス供給管
４１０の他端は、マスフローコントローラー４０９を介
して、ガスボンベなどの図示しない原料ガス供給源に接
続されている。

【００１０】次に、この従来のマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ法による堆積膜形成装置の動作について説明する。

【００１１】まず、排気バルブ４０５を閉じた状態で、
反応容器４０１内に大気圧の乾燥窒素ガスあるいは乾燥
アルゴンガスを導入し、次いでこの反応容器４０１を開
け放ち、反応容器４０１内を清掃する。続いて、堆積膜
形成用の円筒状の基体４０７を反応容器４０１内に装着
する。基体４０７は、予めトリクロロエタンなどの有機
溶剤で洗浄して油、ダストなどの表面の汚れを取り除い
ておく。同時に予め充分に洗浄してある誘電体窓４０２
を各導波管４０３の反応容器４０１側の端部に取り付け
る。

【００１２】再び、反応容器４０１を閉じ排気バルブ４
０５を開け、排気手段４０６により反応容器４０１内を
排気し、反応容器４０１の内圧を１×１０−７Ｔｏｒｒ
以下に調整する。

【００１３】次いで、例えばアルゴンガスを反応容器４
０１内に導入しながら、各ヒーター４１３により、それ
ぞれの基体４０７を膜堆積に好適な温度まで加熱保持す
る。そして原料ガス供給管４１０を介して、例えばアモ
ルファスシリコン堆積膜を形成する場合であれば、シラ
ンガスなどの原料ガスを反応容器４０１内に導入する。 原料ガスの導入と平行して、マイクロ波電源（不図示）
から各誘電体窓４０２を介して、周波数５００ＭＨｚ以
上好ましくは２．４５ＧＨｚのマイクロ波エネルギーを
反応容器４０１内に入射させる。このようにすることに
より、各基体４０７で囲まれた放電空間４０８において
、原料ガスはマイクロ波エネルギーにより励起されて解
離し、各基体４０７の表面に堆積膜が形成される。この
とき、モーターなどの各回転手段４１２により基体４０
７をその長手方向の中心軸のまわりを自転させることに
よって、円筒状の各基体４０７の全周にわたって堆積膜
が形成されることになる。

【００１４】このような従来の堆積膜形成装置により、
ある程度の堆積速度で、実用的な特性と均一性を有する
堆積膜を得ることが可能となり、さらに反応容器の清掃
を厳格に行なうことにより、ある程度欠陥の少ない堆積
膜を得ることが可能となった。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積
膜形成装置では、例えば電子写真用の感光体などの、大
面積かつ厚膜であり均一な特性が要求される堆積膜を形
成した場合、形成された堆積膜の特性および経済性の面
で、まだ改良の余地が残されている。

【００１６】すなわち、従来の堆積膜形成装置の装置構
成では、誘電体窓や原料ガス導入管の表面に、基体に堆
積するのと同等もしくはそれ以上の厚さの膜が堆積する
ため、一回の堆積膜形成を行なう毎に、これら誘電体窓
や原料ガス導入管などの部品を交換しなければならない
。このため、これら部品を交換するためにあるいは堆積
膜の形成された基体を取り出すために、毎回、反応容器
内を大気に曝すこととなり、真空引き、基体の加熱、堆
積膜形成後の冷却、大気リーク、基体の取り出し、清掃
などの作業が必要になってこれらの作業に多大の時間を
要し、タクトアップにつながりひいては堆積膜形成のコ
ストアップにつながるという問題点がある。

【００１７】また、毎回、反応容器内を大気に曝すため
、大気中の窒素、酸素、水などの分子が反応容器の内表
面に吸着し、これら吸着分子が堆積膜中に混入すること
となって、膜質の低下をもたらすことがあるという問題
点がある。基体を大気圧下で反応容器に装着しているた
め、装着後、反応容器内を真空に引く過程で反応容器内
にすでにあるダストが舞い上がって基体表面に付着し、
堆積膜の欠陥の原因になるという問題点がある。

【００１８】さらに、堆積速度を高めようとして反応容
器に導入されるマイクロ波の電力を大きくした場合、誘
電体窓の膜形成空間側の面の温度が上昇しすぎ、誘電体
窓が割れたりすることがあるという問題点がある。

【００１９】複写機、レーザービームプリンターなどの
技術の急速な発展にともない、より特性に優れ、より低
コストの堆積膜を得ることが必要となっており、堆積膜
形成装置としても、堆積膜形成時間の短縮、形成された
堆積膜の特性の改善、欠陥の低減を図らねばならない状
況にある。

【００２０】本発明の目的は、特性の優れた堆積膜をマ
イクロ波プラズマＣＶＤ法により、安価で安定して歩留
りよく高速で形成し得る堆積膜形成装置を提供すること
にある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】生産性とコストダウンの
点から基体、誘電体窓を一体化した保持部材を用い、こ
の保持部材を真空搬送によって毎回交換することにより
反応容器内を大気に曝さないことを前提として、本発明
者らは特性の優れた堆積膜を形成する条件を検討した。 その検討結果に基づく本発明のマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ法による堆積膜形成装置は、反応容器の壁の一部を構
成して着脱可能であり、気密構造のマイクロ波導入部を
有して該マイクロ波導入部を取り囲むように複数本の基
体を同時に保持する保持部材と、該保持部材を前記基体
を保持した状態のままで真空雰囲気下で搬送し前記反応
容器に着脱させる搬送手段と、冷媒を冷却し循環させる
冷媒循環手段とを有し、前記保持部材は、前記マイクロ
波導入部に接するように誘電体窓を取外し可能に保持し
前記冷媒を流通させることにより前記誘電体窓を冷却す
る冷却用治具を備え、前記各基体で囲まれた空間に前記
マイクロ波導入部からマイクロ波エネルギーを導入させ
る。

【００２２】

【作用】反応容器の壁の一部を構成して着脱可能であっ
て、マイクロ波導入部を有してこのマイクロ波導入部を
取り囲むように複数本の基体を同時に保持する保持部材
を用い、マイクロ波導入部に接するように誘電体窓を取
外し可能に保持し冷媒を流通させることにより該誘電体
窓を冷却する冷却用治具を保持部材に設け、また、基体
を保持した状態のままの保持部材を真空雰囲気下で搬送
し反応容器に着脱させる搬送手段を備えているので、反
応容器への基体の出し入れや、誘電体窓の清掃、交換が
反応容器内を大気に曝すことなく容易に行なえ、また、
マイクロ波エネルギー導入時に誘電体窓の温度上昇を抑
制できるので誘電体窓の破損を防ぐことができる。

【００２３】また、反応容器に装着された保持部材に対
向するように、反応容器に気密構造の他方のマイクロ波
導入部をさらに取り付け、他方のマイクロ波導入部に接
するように誘電体窓を取外し可能に保持し冷媒を流通さ
せることにより誘電体窓を冷却する他方の冷却用治具を
保持部材に設けるようにしてもよい。このようにするこ
とにより、マイクロ波を両方のマイクロ波導入部から反
応容器内に導入させることができ、基体上に堆積膜をよ
り均一にかつより高い堆積速度で形成できるようになる
。なお、保持部材に保持された基体を予め加熱するため
の加熱用の真空容器を備え、搬送手段が、基体を保持し
た保持部材を加熱用の真空容器から反応容器まで真空雰
囲気下で搬送するようにしてもよい。

【００２４】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。

【００２５】図１は、本発明の一実施例のマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置における保持部材
の構成を示す斜視図であり、図２は、本実施例における
反応容器の構成を示す模式断面図であり、図３は、本実
施例のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装
置の全体的な配置を示す説明図である。

【００２６】本実施例のマイクロ波プラズマＣＶＤ法に
よる堆積膜形成装置は、図３に示すように堆積膜形成用
の反応容器１０、加熱用の真空容器２０、移動用の真空
容器３０、冷却用の真空容器４０からなるシステムであ
る。加熱用の真空容器２０は、堆積膜が形成される円筒
状の基体１０１（図１、図２）を後述する保持部材１０
０（図１、図２）に組み込んで真空雰囲気下に導入し、
さらに好適な温度まで加熱保持するための真空容器であ
る。冷却用の真空容器４０は、堆積膜が形成された基体
１０１を真空雰囲気下で冷却させるためのものである。 また、移動用の真空容器３０は、基体１０１を保持部材
の保持させたまま、加熱用の真空容器２０、反応容器１
０、冷却用の真空容器４０の相互の間を真空雰囲気中で
移動させるためのものである。これら反応容器１０、加
熱用、移動用、冷却用の各真空容器２０、３０、４０の
詳細については後述する。

【００２７】まず、円筒状の基体１０１とこれを保持す
る保持部材１００について、図１により説明する。

【００２８】保持部材１００は、円板状の部材であり、
ほぼ中心部に円筒形の短い導波管１０３が取り付けられ
ている。この導波管１０３の取り付け部には第１の誘電
体窓１０２ａが気密封止され、マイクロ波導入部を構成
している。また、この誘電体窓１０２ａの下面に当接す
るように、着脱可能な第２の誘電体窓１０２ｂが取り付
けられている。これら２枚の誘電体窓１０２ａ、１０２
ｂは、いずれもマイクロ波を透過する材料からなる円板
状の部材である。第２の誘電体窓１０２ｂは、冷媒が流
れる流路が内部に形成された第１の冷却用治具１０５に
保持され、冷却されるようになっている。

【００２９】堆積膜の形成される複数本の円筒状の基体
１０１は、それぞれその長手方向の中心軸の延長上にハ
ンガー１０４が位置するように、各ハンガー１０４の一
端に着脱可能かつ回転可能に吊り下げられている。各ハ
ンガー１０４は、保持部材１００に対して垂直に、また
前記誘電体窓１０２ａ、１０２ｂを中心とする同一の円
上に等間隔に並ぶように、保持部材１００に例えばネジ
止めなどにより取り付けられている。したがって、各基
体１０１は、誘電体窓１０２ａ、１０２ｂを取り囲み互
いに平行になるように、保持部材１００に保持されるこ
とになる。

【００３０】さらに、冷却水などの冷媒の往路と復路と
なる導管１０６が、保持部材１００に対して垂直に、す
なわち円筒状の基体１０１と平行になるように設けられ
ている。導管１０６の先端部には、リング状の第２の冷
却用治具１０８が、第１の冷却用治具１０５と対向する
ように設けられている。この第２の冷却用治具１０８は
、後述するように反応容器１０の下面に気密封止された
第３の誘電体窓１２２ａの上面に当接する着脱可能な第
４の誘電体窓１２２ｂを保持し冷却するためのものであ
り、第１の冷却用治具１０５と同様の構成である。導管
１０６の途中には蛇腹管などのバネ機構１０７が設けら
れ、堆積膜形成中に温度変化などがあっても、第２の冷
却用治具１０８に取り付けられた第４の誘電体窓１２２
ｂが第３の誘電体窓１２２ａに接し続けるようになって
いる。

【００３１】冷媒は、冷媒循環手段である図示しない冷
媒循環装置に接続された配管から、導波管１０３の外壁
に設けられた冷媒流入口１０９に流入し、第１の冷却用
治具１０５、導管１０６、第２の冷却用治具１０８、導
管１０６を経て、導波管１０３の外壁に設けられた冷媒
流出口１１０から排出され、前記冷媒循環装置に戻るよ
うになっている。

【００３２】次に、堆積膜形成用の反応容器１０につい
て、図２により説明する。

【００３３】反応容器１０は上端面が開口部となってい
て、この上端面にゲートバルブ１１が取り付けられてい
る。ゲートバルブ１１は、搬送手段である移動用の真空
容器３０（図３）に設けられたもう１つのゲートバルブ
３１と密着することができ、このもう１つのゲートバル
ブ３１とともに、保持部材１００に保持されて移動用の
真空容器３０内に収容された基体１０１をこの反応容器
１０に搬入し搬出する場合の搬入・搬出口となるもので
ある。このゲートバルブ１１には、移動用の真空容器３
０のゲートバルブ３１と密着したときに、両方のゲート
バルブ１１，３１間の空間を排気するための排気手段１
２が、排気バルブ１３を介して接続されている。

【００３４】この反応容器１０の内側の上部には、円形
の中心開口を有するフランジ１２０が設けられ、フラン
ジ１２０の上面にはその中心開口を取り囲むようにＯリ
ングなどの真空シール部材１２１が取り付けられている
。中心開口の大きさは、保持部材１００よりも若干小さ
く、図１により詳述した保持部材１００でこの中心開口
をふさぐことにより、反応容器１０を密閉できるように
なっている。保持部材１００でフランジ１２０の中心開
口を閉鎖するとき、各基体１０１が反応容器１０の内部
側、すなわち保持部材１００の図示下側に、位置するよ
うにすることにより、反応容器１０に各基体１０１が装
着されるようになっている。また、反応容器１０には、
排気バルブ１４を介して排気ポンプなどの排気手段１５
に他端が接続された排気管１２４が接続されている。排
気管１２４の反応容器１０への取り付け部位は、フラン
ジ１２０よりも下側とされる。

【００３５】他端がガスボンベなどの図示しない原料ガ
ス供給源に接続された原料ガス供給管（不図示）が設け
られ、この原料ガス供給管の一端は反応容器１０内に開
口している。基体１０１を支持して自転させるための回
転軸１２５が各基体１０１に対応して設けられ、各基体
１０１を反応容器１０に装着したときに、各回転軸１２
５の先端は基体１０１の下端部とそれぞれ係合するよう
になっている。回転軸１２５の他端にはそれぞれモータ
ー１２６が接続され、モーター１２６を回転させること
により、各基体１０１がその長手方向の中心軸のまわり
を自転するようになっている。

【００３６】反応容器１０の底面のほぼ中央部には、円
筒状の短い導波管１２３が取り付けられている。この導
波管１２３の取り付け部には第３の誘電体窓１２２ａが
気密封止され、マイクロ波導入部を形成している。この
第３の誘電体窓１２２ａは、基体１０１を保持部材１０
０によって反応容器１０に装着したときに、保持部材１
００の第２の冷却用治具１０８に保持された第４の誘電
体窓１２２ｂと接するようになっている。第３、第４の
誘電体窓１２２ａ、１２２ｂも、マイクロ波を透過する
材料からなる。

【００３７】第３、第４の誘電体窓１２２ａ、１２２ｂ
は、保持部材１００がフランジ１２０の中心開口を閉鎖
したとき、第１、第２の誘電体窓１０２ａ、１０２ｂに
対向するようになっている。これら各誘電体窓１０２ａ
、１０２ｂ、１１２ａ、１１２ｂと、反応容器１０に装
着された状態にある各基体１０１との配置によって、マ
イクロ波に対する共鳴空洞を構成するようにしておくと
よい。

【００３８】次に、このマイクロ波プラズマＣＶＤ法に
よる堆積膜形成装置の全体的な構成について、図３によ
り説明する。

【００３９】この堆積膜形成装置は、上述のように、反
応容器１０の他、加熱用の真空容器２０、移動用の真空
容器３０および冷却用の真空容器４０とからなる。加熱
用および冷却用の真空容器２０、４０の構成は、上述の
反応容器１０とほぼ同じ構成であるが、真空容器の底面
に誘電体窓が設けられない点、原料ガス供給管が設けら
れない点で相違する。加熱用の真空容器２０の内部には
、基体１０１を加熱するための加熱手段（不図示）が設
けられている。したがって、加熱用および冷却用の各真
空容器２０、４０の上端面にはそれぞれゲートバルブ２
１、４１が設けられ、これらゲートバルブ２１、４１は
それぞれバルブ２３、４３を介して排気手段２２、４２
に接続されている。さらに、加熱用および冷却用の真空
容器２０、４０には、それぞれバルブ２４、４４を介し
て排気手段２５、４５が接続されている。なお、反応容
器１０、加熱用および冷却用の各真空容器２０、４０は
固定されている。少なくとも加熱用の真空容器２０は、
クリーンルーム中に設置されている。

【００４０】一方、移動用の真空容器３０は、図示しな
い駆動手段により移動させることが可能であり、下端面
にゲートバルブ３１が設けられた構成となっている。こ
のゲートバルブ３１は、反応容器１０、加熱用および冷
却用の各反応容器２０、４０にそれぞれ設けられたゲー
トバルブ１１、２１、４１と密着可能なものであり、こ
れら反応容器１０、加熱用および冷却用の各真空容器２
０、４０と移動用の真空容器３０との間で基体１０１を
保持部材１００に保持したまま真空雰囲気下で受渡しす
るときの搬出・搬入口となるものである。また、移動用
の真空容器３０の内部には、ゲートバルブ３１を介して
基体１０１を保持した保持部材１００を受渡しするため
の上下移動機構（不図示）が設けられ、さらに真空ポン
プなどの図示しない排気手段が移動用の真空容器３０に
接続されている。

【００４１】次に、このマイクロ波プラズマＣＶＤ法に
よる堆積膜形成装置の動作について説明する。

【００４２】まず、保持部材１００にハンガー１０４を
取り付け、あらかじめ十分に洗浄した第２および第４の
誘電体窓１０２ｂ、１２２ｂをそれぞれ第１および第２
の冷却用治具１０５、１０８に取り付ける。続いて、あ
らかじめダイアモンドバイトなどにより表面を切削しト
リクロロエタンなどの有機溶剤で十分に洗浄した円筒状
の各基体１０１をハンガー１０４に吊し、基体１０１を
保持部材１００に取り付ける。これらの作業は、ほこり
の非常に少ないクリーンルーム内で行なうことが好まし
い。

【００４３】次に、基体１０１を保持した保持部材１０
０を加熱用の真空容器２０の中に入れ、ゲートバルブ２
１を閉鎖し、加熱用の真空容器２０を排気手段２５によ
って排気する。加熱用の真空容器２０内が排気されたら
、加熱用の真空容器２０内に設置されている加熱手段（
不図示）により各基体１０１を加熱する。各基体１０１
が所望の温度まで加熱されたら、予め図示しない排気手
段で排気されている移動用の真空容器３０を加熱用の真
空容器２０の直上の位置にまで移動させ、移動用の真空
容器３０に設けられたゲートバルブ３１と加熱用の真空
容器２０に設けられたゲートバルブ２１とを密着させる
。そして、ゲートバルブ２１に接続された排気手段２２
により、両ゲートバルブ２１、３１間の空間を排気する
。この空間が排気されたら、両方のゲートバルブ２１、
３１を開放し、図示しない上下移動機構により、基体１
０１を保持している保持部材１００を移動用の真空容器
３０に収容し、両方のゲートバルブ２１、３１を閉鎖す
る。

【００４４】続いて、保持部材１００と基体１０１を収
容した移動用の真空容器３０を堆積膜形成用の反応容器
１０の直上の位置にまで移動させる。反応容器１０は予
め排気手段１５により排気しておく。移動用の真空容器
３０に設けられたゲートバルブ３１と反応容器１０に設
けられたゲートバルブ１１とを密着させ、両方のゲート
バルブ１１、３１の間の空間を排気手段１２により排気
する。この空間が排気されたら両方のゲートバルブ１１
、３１を開放し、図示しない上下移動機構により、基体
１０１を保持した保持部材１００を移動用の真空容器３
０から反応容器１０へ移送し、両方のゲートバルブ１１
、３１を閉鎖する。このようにすることにより、基体１
０１が反応容器１０に装着されたことになる。そののち
、移動用の真空容器３０を反応容器１０の直上から横に
ずれた位置にまで移動させておく。

【００４５】保持部材１００が反応容器１０のフランジ
１２０の中心開口を正しくふさいでいることを確認した
ら、ゲートバルブ１１を開放し、反応容器１０のフラン
ジ１２０より上方の部分を大気圧に曝す。中心開口のま
わりにはＯリングなどの真空シール部材１２１が設けら
れ、保持部材１００は大気圧によって真空シール部材１
２１をフランジ１２０に対し押圧することなるので、保
持部材１００とフランジ１２０との間からの真空洩れは
発生しない。またこの状態で、保持部材１００の第２の
冷却用治具１０８に取り付けられた第４の誘電体窓１２
２ｂは、導管１０６に設けられたバネ機構１０７の作用
により、反応容器１０の底面に気密封止された第３の誘
電体窓１２２ａに当接するようになる。また、各回転軸
１２５は円筒状の基体１０１の下端部と契合する。

【００４６】次に、保持部材１００に取り付けられた導
波管１０３と、反応容器１０の底面に取り付けられた導
波管１２３に、それぞれ図示しないマイクロ波電源に、
図示しないスタブチューナー、アイソレーターを介して
接続された導波管（不図示）を接続する。また、保持部
材１００に設けられた冷媒流入口１０９、冷媒流出口１
１０のそれぞれに、図示しない冷媒循環装置に接続され
た配管を接続する。

【００４７】モーター１２６により各回転軸１２５を回
転させて基体１０１を自転させながら、原料ガス供給管
（不図示）を介して原料ガスを導入し、排気手段１５に
接続されたバルブ１４の開度を調整して所定の真空度を
維持しながら、周波数５００ＭＨｚ以上の、好ましくは
周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を各導波管１０３、
１２３、各誘電体窓１０２ａ、１０２ｂ、１２２ａ、１
２２ｂを介して反応容器１０内に導入する。これにより
、各基体１０１と第２、第４の誘電体窓１０２ｂ、１２
２ｂで囲まれた空間すなわち膜形成空間においてマイク
ロ波プラズマ放電が生起し、原料ガスが分解され、各基
体１０１上に堆積膜が形成される。放電が開始してから
所定の時間が経過し、すなわち第２、第４の誘電体窓１
０２ｂ、１２２ｂの温度がある程度まで上昇したら、図
示しない冷媒循環装置を作動させる。冷媒は、冷媒流入
口１０９から流入して第１の冷却用治具１０５、導管１
０６、第２の冷却用治具１０８、導管１０６を経て冷媒
流出口１１０から排出されるように循環し、第１の冷却
用治具１０５、第２の冷却用治具１０８にそれぞれ装着
された第２、第４の誘電体窓１０２ｂ、１２２ｂを冷却
する。このため、第２、第４の誘電体窓１０２ｂ、１２
２ｂのマイクロ波プラズマ放電による温度上昇が抑えら
れ、これら誘電体窓１０２ｂ、１２２ｂが破損すること
はない。もちろん、各導波管１０３、１２３にそれぞれ
気密封止された第１、第３の誘電体窓１０２ａ、１２２
ａは、プラズマ放電には直接曝されることはないので、
温度は上昇せず、破損することはない。

【００４８】各基体１０１上に所定の厚さの堆積膜が形
成されたら、マイクロ波の導入と原料ガスの供給と冷媒
の循環を停止し、各基体１０１の回転を止め、各導波管
１０３、１２３をマイクロ波電源（不図示）に接続され
た導波管（不図示）から取外す。また、冷媒流入口１０
９、冷媒流出口１１０から、図示しない冷媒循環装置に
接続された配管を取り外す。続いて、予め図示しない排
気手段で排気されている移動用の真空容器３０を反応容
器１０の直上の位置まで移動させ、移動用の真空容器３
０のゲートバルブ３１と反応容器１０のゲートバルブ１
１とを密着させる。反応容器１０に設けられたゲートバ
ルブ１１は開放状態にあるので、このゲートバルブ１１
に接続された排気手段１２を作動させると、反応容器１
０のフランジ１２０より上方の空間および両ゲートバル
ブ１１、３１間の空間が排気される。これら両空間が排
気されたら、移動用の真空容器３０に設けられたゲート
バルブ３１を開放し、図示しない上下移動機構により、
堆積膜が形成された基体１０１を保持部材１００ごと移
動用の真空容器３０内に収容する。その後、両方のゲー
トバルブ１１、３１を閉鎖する。

【００４９】次に、堆積膜が形成された基体１０１と保
持部材１００を収容した移動用の真空容器３０を冷却用
の真空容器４０の直上の位置まで移動させる。冷却用の
真空容器４０は予め排気手段４５により排気しておく。 移動用の真空容器３０に設けられたゲートバルブ３１と
冷却用の真空容器４０に設けられたゲートバルブ４１と
を密着させ、両方のゲートバルブ４１、３１の間の空間
を排気手段４２により排気する。この空間が排気された
ら、両方のゲートバルブ３１、４１を開放し、図示しな
い上下移動機構により基体１０１を保持した保持部材１
００を移動用の真空容器３０から冷却用の真空容器４０
へ移送し、両方のゲートバルブ３１、４１を閉鎖する。 その後、基体１０１を冷却用の真空容器４０内で放置し
て冷却させる。基体１０１が室温程度にまで冷却された
ら、冷却用の真空容器４０に大気を導入し、ゲートバル
ブ４１を開け、保持部材１００ごと基体１０１を取り出
し、保持部材１００から基体１０１を取り外して堆積膜
の形成された基体の完成品を得る。なお、第２、第４の
誘電体窓１０２ｂ、１２２ｂも取外し、清掃して次の堆
積膜形成に使用すればよい。

【００５０】以上のような動作を繰り返すことにより、
連続して効率よく基体上への堆積膜の形成を行なうこと
ができる。

【００５１】以上本発明の実施例について説明したが、
円筒状の基体１０１を保持するための保持部材１００の
材質としては、複数本の基体１０１と第２、第４の誘電
体窓１０２ｂ，１２２ｂとを保持できる強度があり、真
空を保持することが可能なものであればいずれでもよく
、例えば、ステンレス、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ
、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅなどの金属
、これらの合金またはセラミックス、樹脂などが用いら
れる。強度と価格などの点からステンレスあるいはＡｌ
が適している。またその形状については特に制約はない
。

【００５２】さらに、円筒状の基体１０１の保持部材１
００への保持方法は、反応容器１０内での基体１０１の
回転運動を阻害しない方法であればいずれでもよく、例
えば上述したようなハンガーで吊す方法や、フックなど
に吊す方法、アームでつかむ方法などがある。また、第
２、第４の誘電体窓１０２ｂ，１２２ｂの冷却用治具１
０５，１０８への取り付け方法も、反応容器１０内にお
いて位置精度が十分確保できる方法であればいずれでも
よい。

【００５３】誘電体窓１０２ａ，１０２ｂ，１２２ａ，
１２２ｂの材質としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒
化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、炭化
ケイ素（ＳｉＣ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ベリ
リウム（ＢｅＯ）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ
スチレンなどマイクロ波の損失の少ない材料が通常使用
される。

【００５４】誘電体窓１０２ａ，１０２ｂ，１２２ａ，
１２２ｂを冷却するための冷媒としては、水、アルコー
ルなどを用いることができるが、コストの点から水を用
いることが好ましい。また、この冷媒の温度が低すぎる
場合には、第２、第４の誘電体窓１０２ｂ，１２２ｂ上
に堆積する膜が２次元ポリマー状の膜となって、堆積膜
の形成時間が長いときには剥離して堆積膜の欠陥の原因
となる。一方、冷媒の温度が高すぎる場合には、冷却能
力が不足し、マイクロ波放電によって第２、第４の誘電
体窓１０２ｂ，１２２ｂの放電側の温度が上昇し、第２
、第４の誘電体窓１０２ｂ，１２２ｂが割れやすくなる
。したがって冷媒の温度は、１０℃以上６０℃以下とす
ることが好ましい。

【００５５】保持部材１００に取り付けられ冷媒を流す
ための導管１０６は、万一破損した場合には冷媒が真空
になっている反応容器１０中に飛散することとなるので
、真空中での使用に耐えしかも強度がある材料で構成す
ることが好ましく、例えばステンレスなどによって構成
される。また、この導管１０６が膜形成空間中を通過す
るようにすると、導管１０６の表面にも堆積膜が形成さ
れて原料ガスの使用効率が低下し、また清掃に要する手
間が増大するので、この導管１０６は膜形成空間の外側
を通過するようにする必要がある。冷媒を循環させるた
めに、冷媒循環装置に接続された配管が接続される冷媒
流入口、冷媒流出口は、前記配管を簡単に接続し取り外
せるよう、例えばワンタッチ式のジョイント構造である
ことが望ましい。

【００５６】マイクロ波の反応容器１０への導入を開始
してから冷媒の循環を開始するまでの時間は、冷媒の温
度、マイクロ波の出力等にもよるが、０分（すなわちマ
イクロ波の導入と冷媒の循環を同時に開始する）以上数
分以内とすることが好ましい。

【００５７】円筒状の基体１０１を加熱するために加熱
用の真空容器２０内に設けられる加熱手段は、真空仕様
の発熱体であればよく、より具体的には、シース状の巻
き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーターな
どの電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプな
どの熱放射ランプ発熱体、液体や気体を温媒とした熱交
換手段による発熱体が挙げられる。これら加熱手段の表
面材質としては、ステンレス、ニッケルアルミニウム、
銅などの金属類、セラミックス、耐熱高分子樹脂などを
使用することができる。

【００５８】また上記実施例では、加熱用の真空容器２
０において基体１０１を真空に導入するようになってい
るが、加熱用の真空容器２０とは別に基体を真空に導入
するための真空容器を設け、この真空容器で予め基体を
真空に導入し、そののち真空雰囲気下で基体１０１を加
熱用の真空容器２０に搬送するようにしてもよい。さら
に、冷却用の真空容器４０を設けずに、堆積膜が形成さ
れた基体１０１を反応容器１０あるいは移動用の真空容
器３０において冷却させるようにすることも可能である
。堆積膜を形成する際の基体の温度によっては、特に冷
却を行なうことなく、堆積膜形成後ただちに基体を取り
出すことも可能である。

【００５９】堆積膜形成時の基体１０１の温度は、いず
れの温度でも有効であるが、アモルファスシリコンを堆
積する場合であれば２０℃以上５００℃以下とするのが
好ましく、良好な効果を得るため５０℃以上４５０℃以
下とするのがより好ましい。

【００６０】基体１０１の材料としては、例えば、ステ
ンレス、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、
Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅなどの金属、これらの合金
または表面を導電処理したポリカーボネートなどの合成
樹脂、ガラス、セラミックス、紙などが通常使用される
。

【００６１】堆積膜形成用の原料ガスとしては、例えば
シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）などのア
モルファスシリコン形成用の原料ガス、ゲルマン（Ｇｅ
Ｈ４）などの他の機能性堆積膜形成用の原料ガスまたは
それらの混合ガスが挙げられる。原料ガスに含まれる成
分の濃度を調整するための希釈ガスとしては、水素（Ｈ
２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）などが挙げ
られる。

【００６２】また、堆積膜のバンドギャップ幅を変化さ
せるなどのための特性改善ガスとしては、窒素（Ｎ２）
、アンモニア（ＮＨ３）などの窒素原子を含むガス、酸
素（Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、一酸化二窒素（Ｎ２
Ｏ）などの酸素原子を含むガス、メタン（ＣＨ４）、エ
タン（Ｃ２Ｈ６）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン
（Ｃ２Ｈ２）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）などの炭化水素の
ガス、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、六フッ化二ケイ素
（Ｓｉ２Ｆ６）、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）な
どのフッ素化合物のガスまたはこれらの混合ガスが挙げ
られる。

【００６３】また、ドーピングを目的として、ジボラン
（Ｂ２Ｈ６）、フッ化ホウ素（ＢＦ３）、ホスフィン（
ＰＨ３）などのドーパントガスを同時に堆積膜形成用の
真空容器に導入しても本発明は同様に有効である。

【００６４】次に、本実施例について行なった結果につ
いて、比較例と対照しながら説明する。

【００６５】（実験例１）図１〜図３に示された本実施
例のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置
を用い、原料ガスとしてシランガス７００ｓｃｃｍを導
入し、上下の誘電体窓からそれぞれ２ｋＷのマイクロ波
エネルギーを反応容器内に入射させ、２時間にわたって
放電を維持し、基体上にアモルファスシリコン堆積膜を
形成した。堆積膜形成後、得られたアモルファスシリコ
ン堆積膜について、球状突起の数を測定した。球状突起
の数の測定は、１本の円筒状の基体について、その長手
方向に上中下の３つの円周方向の領域を選択し、これら
各領域毎に３箇所、合計９箇所の測定点を選び、各測定
点において１ｃｍ２の領域に存在する直径２０μｍ以上
の球状突起の数の合計を求めることによって行なった。 このとき、マイクロ波放電開始から各誘電体窓を冷却す
るための水の通水開始までの時間を変え、この時間と球
状突起の数との関係を調べた。なお、冷却水の水温は２
５℃であった。この結果を表１に示す。なおこの表中、
マイクロ波放電開始から水の通水開始までの時間の欄の
マイナスの値は、放電開始前に水を流し始めていたこと
を表す。

【００６６】

【表１】 この結果から、放電開始から１０分程度以内に冷却水を
流し始めることにより、球状突起の低減に十分効果ある
ことがわかる。放電開始時に十分に誘電体窓が冷却され
ている場合（表１の−１０分、−５分の場合）、放電開
始当初に誘電体窓に堆積する膜が粉状のものとなり、放
電継続中に膜剥がれが生じてそれが基体表面に付着し、
球状突起が生じた。また、放電開始後もしばらくの間、
誘電体窓の冷却を行なわないと、誘電体窓に堆積した膜
が熱の影響で結晶化し誘電体窓の窓割れを引き起こした
。したがって、放電開始から冷却水の通水開始までの時
間には最適な値があることがわかった。放電開始時を基
準として、０分〜７分の間に冷却水の通水を開始し誘電
体窓の冷却を開始した場合には、いずれも良好な結果が
得られていることがわかる。

【００６７】（実験例２）図１〜図３に示された上述の
マイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置を用
い、表２に示す条件にしたがって基体上に堆積膜を形成
し、電子写真用感光体であるアモルファスシリコン感光
ドラムを作成した。なお、誘電体窓の冷却は、放電開始
と同時に冷却水を流し始めることで行なった。

【００６８】

【表２】 キヤノン社製ＮＰ７５００型電子複写機を実験用に改造
したものに、取り出した感光ドラムを装着し、通常の複
写プロセスにより転写紙上に画像を形成して、以下に説
明するような方法によって、作成した感光ドラムの評価
を行なった。なおこのとき電子写真複写機の帯電器には
、６ｋＶの電圧を印加するようにした。評価は６本の感
光ドラムについて行ない、その平均を表３に示す。

【００６９】ａ）　　細線再現性 白地に全面が文字よりなる通常の原稿を原稿台にセット
して複写したときに得られた複写画像のサンプルを観察
し、画像サンプル上の細線が途切れずにつながっている
かを評価した。このとき画像サンプル上でムラがあると
きは、全画像領域で評価を行ない、一番画像状態の悪い
部分の結果を示した。評価の基準は、◎が「良好」、○
が「一部途切れあり」、△が「途切れは多いが文字とし
て認識できる」、×が「文字として認識できないものが
ある」である。

【００７０】ｂ）　　白地かぶり 白地に全面が文字よりなる通常の原稿を原稿台にセット
して複写したときに得られた複写画像のサンプルを観察
し、白地の部分のかぶりを評価した。評価の基準は、◎
が「良好」、○が「一部わずかにかぶりあり」、△が「
全面にわたりかぶりがあるが文字の認識には支障がない
」、×が「文字が読みにくい程かぶりがある」である。

【００７１】ｃ）　　画像ムラ 全面ハーフトーンの原稿を原稿台にセットして複写した
ときに得られた画像サンプルを観察し、濃淡のムラを評
価した。評価の基準は、◎が「良好」、○が「一部わず
かな濃淡の差がある」、△が「全面にわたり濃淡の差が
あるが文字の認識には支障がない」、×が「文字が読み
にくい程ムラがある」である。

【００７２】ｄ）　　画像欠陥 黒原稿を原稿台にセットして複写したときに得られた画
像サンプルについて、同一の面積内にある白点の数によ
り評価を行なった。評価の基準は、◎が「良好」、○が
「一部小さな白点あり」、△が「全面にわたり白点があ
るが文字の認識には支障がない」、×が「文字が読みに
くい程白点がある」である。

【００７３】

【表３】 （比較例１）図４に示す従来の堆積膜形成装置を用い、
上述の表２に示す条件でアモルファスシリコン感光ドラ
ムを作成しようとした。その結果、堆積膜形成中に誘電
体窓が割れてしまい、感光ドラムを作成することができ
なかった。

【００７４】（比較例２）図４に示す従来の堆積膜形成
装置を用い、表４に示す条件でアモルファスシリコン感
光ドラムを作成し、作成した感光ドラムについて実験例
２と同様にして評価を行なった。その結果を表３に合わ
せて示す。

【００７５】

【表４】 　　以上の各実験例、比較例から明らかなように、本発
明のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置
によれば、原料ガスであるシランガスの流量を増加させ
、すなわち堆積速度を大きくしたときでも、感光ドラム
としての特性を損なうことなく、感光ドラムを作成でき
ることがわかる。これに対し、従来の堆積膜形成装置を
用いた場合には、堆積速度を大きくしようとすると誘電
体窓が割れ、感光ドラムを作成することができなかった
。 また、球状突起の数と画像欠陥の評価項目とは密接に関
連しているが、以上の結果から、本発明において球状突
起の数が十分低減していることがわかる。

【００７６】さらに、連続してアモルファスシリコン感
光ドラムを作成した場合、同じ時間内に作成できる感光
ドラムの本数は、実験例２の方が比較例２に比べ、３倍
以上であった。

【００７７】（実験例３）図１〜図３に示された上述の
マイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置を用
い、表５に示す条件にしたがって基体上に堆積膜を形成
し、電子写真用感光体であるアモルファスシリコンカー
バイド感光ドラムを作成した。なお、誘電体窓の冷却は
、放電開始と同時に冷却水を流し始めることで行なった
。作成した感光ドラムについて、実験例２と同様の評価
を行なった。その結果を表３に合わせて示す。表より明
らかなように、全ての項目で満足できる結果が得られた
。

【００７８】

【表５】 　　以上の各実験例は、アモルファスシリコンあるいは
アモルファスシリコンカーバイドを用いた電子写真用感
光体の製造に本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
る堆積膜形成装置を用いた例であるが、本発明の装置を
使用することにより、特に、１０μｍ以上の比較的厚い
かつ高品質のアモルファスシリコン堆積膜を量産するこ
とが可能となる。また、本発明の装置は、電子写真用感
光体のアモルファスシリコン堆積膜以外の各種の機能性
堆積膜、例えば半導体デバイス、画像入力用ラインセン
サー、撮像デバイス、光起電力デバイス、その他の各種
エレクトロニクス素子、光学素子などに用いる素子部材
としての堆積膜をマイクロ波プラズマＣＶＤ法により形
成する場合においても、量産性の向上ならびに堆積膜の
品質の向上をもたらすものである。

【００７９】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、反応容器
の壁の一部を構成して着脱可能でありマイクロ波導入部
を有してマイクロ波導入部を取り囲むように複数本の基
体を同時に保持する保持部材を用い、マイクロ波導入部
に接するように誘電体窓を保持し冷媒を流通させて該誘
電体窓を冷却する冷却用治具を保持部材に設け、また、
基体を保持した状態の保持部材を真空雰囲気下で搬送し
反応容器に着脱させる搬送手段を備えるようにすること
により、次のような効果がある。（１）　　反応容器へ
の基体の出し入れや、誘電体窓の清掃、交換が反応容器
内を大気に曝すことなく容易に行なえ、反応容器の内部
を大気に曝すことによる堆積膜の特性の劣化を防ぐこと
ができ、生産性が向上してより特性が優れた堆積膜を安
価に形成することができる。（２）　　マイクロ波エネ
ルギー導入時に誘電体窓の温度上昇を抑制できるので誘
電体窓の破損を防ぐことができる。（３）　　反応容器
に装着された保持部材に対向するように、反応容器に他
方のマイクロ波導入部をさらに取り付け、この他方のマ
イクロ波導入部に接するように誘電体窓を保持し冷媒を
流通させて該誘電体窓を冷却する他方の冷却用治具を保
持部材に設けるようにすると、マイクロ波を両方のマイ
クロ波導入部から反応容器内に導入させることができ、
基体上に堆積膜をより均一にかつより高い堆積速度で形
成できるようになり、生産性と得られる膜の特性がさら
に向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例のマイクロ波プラズマＣＶＤ
法による堆積膜形成装置における保持部材の構成を示す
斜視図である。

【図２】本発明の一実施例のマイクロ波プラズマＣＶＤ
法による堆積膜形成装置における反応容器の構成を示す
模式断面図である。

【図３】本発明の一実施例のマイクロ波プラズマＣＶＤ
法による堆積膜形成装置の全体的な配置を示す説明図で
ある。

【図４】従来の堆積膜形成装置の構成を模式断面図であ
る。

【符号の説明】

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　真空気密可能な反応容器と、該反応容
   器内を排気する排気手段と、前記反応容器内に原料ガス
   を供給する原料ガス供給手段とを有し、マイクロ波エネ
   ルギーを前記反応容器内に導入することにより基体の表
   面に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
   る堆積膜形成装置において、前記反応容器の壁の一部を
   構成して着脱可能であり、気密構造のマイクロ波導入部
   を有して該マイクロ波導入部を取り囲むように複数本の
   基体を同時に保持する保持部材と、該保持部材を前記基
   体を保持した状態のままで真空雰囲気下で搬送し前記反
   応容器に着脱させる搬送手段と、冷媒を冷却し循環させ
   る冷媒循環手段とを有し、前記保持部材は、前記マイク
   ロ波導入部に接するように誘電体窓を取外し可能に保持
   し前記冷媒を流通させることにより前記誘電体窓を冷却
   する冷却用治具を備え、前記各基体で囲まれた空間に前
   記マイクロ波導入部からマイクロ波エネルギーを導入さ
   せることを特徴とするマイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
   る堆積膜形成装置。
2. 【請求項２】　　真空気密可能な反応容器と、該反応容
   器内を排気する排気手段と、前記反応容器内に原料ガス
   を供給する原料ガス供給手段とを有し、マイクロ波エネ
   ルギーを前記反応容器内に導入することにより基体の表
   面に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
   る堆積膜形成装置において、前記反応容器の壁の一部を
   構成して着脱可能であり、気密構造の一方のマイクロ波
   導入部を有して該一方のマイクロ波導入部を取り囲むよ
   うに複数本の基体を同時に保持する保持部材と、該保持
   部材を前記基体を保持した状態のままで真空雰囲気下で
   搬送し前記反応容器に着脱させる搬送手段と、前記反応
   容器に装着された前記保持部材に対向するように前記反
   応容器に設けられた気密構造の他方のマイクロ波導入部
   と、冷媒を冷却し循環させる冷媒循環手段とを有し、前
   記保持部材は、前記一方のマイクロ波導入部に接するよ
   うに一方の誘電体窓を取外し可能に保持し前記冷媒を流
   通させることにより前記一方の誘電体窓を冷却する一方
   の冷却用治具と、前記他方のマイクロ波導入部に接する
   ように他方の誘電体窓を取外し可能に保持し前記冷媒を
   流通させることにより前記他方の誘電体窓を冷却する他
   方の冷却用治具とを備え、前記各基体と前記各誘電体窓
   で囲まれた空間に前記各マイクロ波導入部のそれぞれか
   らマイクロ波エネルギーを導入させることを特徴とする
   マイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置。
3. 【請求項３】　　前記保持部材に保持された基体を予め
   加熱するための加熱用の真空容器を備え、前記搬送手段
   が、前記基体を保持した前記保持部材を前記加熱用の真
   空容器から前記反応容器まで真空雰囲気下で搬送する請
   求項１または２記載のマイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
   る堆積膜形成装置。