JPH0433138B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0433138B2 JPH0433138B2 JP60065034A JP6503485A JPH0433138B2 JP H0433138 B2 JPH0433138 B2 JP H0433138B2 JP 60065034 A JP60065034 A JP 60065034A JP 6503485 A JP6503485 A JP 6503485A JP H0433138 B2 JPH0433138 B2 JP H0433138B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shape
- substrate
- rectifier
- bridge circuit
- case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- Rectifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体整流装置に関し、特に、従来
の樹脂封止型の半導体整流装置にくらべて放熱特
性が極めて良好で、単純な構造にすることができ
る、改良された半導体整流装置に関するものであ
る。
の樹脂封止型の半導体整流装置にくらべて放熱特
性が極めて良好で、単純な構造にすることができ
る、改良された半導体整流装置に関するものであ
る。
［発明の技術的背景］
従来の樹脂封止型半導体整流装置の構造を第３
図に示す。
図に示す。
この公知の半導体整流装置においては、底板付
きの箱形の樹脂製ケース１が使用されており、整
流ブリツジ回路を構成する４個のダイオード２が
該ケース１の樹脂製の底板１ａ上に配設されたＬ
字形入力端子３の一辺に半田４により固定されて
いる。また、該ダイオード２のリードにはそれぞ
れのＬ字形出力端子５が半田によつて取り付けら
れている。樹脂製ケース１内には封止用の樹脂６
が充填されて封止された後、該ケースの底板１ａ
の底面を外部放熱板にねじ止めして使用してい
る。
きの箱形の樹脂製ケース１が使用されており、整
流ブリツジ回路を構成する４個のダイオード２が
該ケース１の樹脂製の底板１ａ上に配設されたＬ
字形入力端子３の一辺に半田４により固定されて
いる。また、該ダイオード２のリードにはそれぞ
れのＬ字形出力端子５が半田によつて取り付けら
れている。樹脂製ケース１内には封止用の樹脂６
が充填されて封止された後、該ケースの底板１ａ
の底面を外部放熱板にねじ止めして使用してい
る。
［背景技術の問題点］
前記のごとき従来の半導体整流装置において
は、樹脂製ケースの底板部分が樹脂で構成されて
いるため放熱特性が悪いという欠点があつた。従
つて、放熱特性をよくするためにダイオードの接
着面を大きくしたり、ケース底面積を必要以上に
大きくする等の放熱設計上の配慮をする必要があ
つた。
は、樹脂製ケースの底板部分が樹脂で構成されて
いるため放熱特性が悪いという欠点があつた。従
つて、放熱特性をよくするためにダイオードの接
着面を大きくしたり、ケース底面積を必要以上に
大きくする等の放熱設計上の配慮をする必要があ
つた。
また、特に高い放熱特性を要求される用途には
金属製ケースを使用した半導体整流装置が望まし
いが、金属製ケースを使用するとケースがコスト
高になるばかりでなく、ケースとダイオード及び
端子との絶縁を十分に行う必要があるため、構造
が複雑になつたり、ケースが大型になる等の問題
があつた。
金属製ケースを使用した半導体整流装置が望まし
いが、金属製ケースを使用するとケースがコスト
高になるばかりでなく、ケースとダイオード及び
端子との絶縁を十分に行う必要があるため、構造
が複雑になつたり、ケースが大型になる等の問題
があつた。
［発明の目的］
この発明の目的は、従来の樹脂封止型半導体整
流装置よりも高い放熱特性を有するとともに金属
製ケース使用の気密封止型の半導体整流装置より
安価で且つ従来の樹脂封止型半導体装置よりも小
型の、改良された半導体整流装置を提供すること
である。
流装置よりも高い放熱特性を有するとともに金属
製ケース使用の気密封止型の半導体整流装置より
安価で且つ従来の樹脂封止型半導体装置よりも小
型の、改良された半導体整流装置を提供すること
である。
［発明の概要］
この発明による半導体整流装置の特徴は、放熱
に適する金属板の一面にセラミツク絶縁層及び銅
のパターンを順次溶射して形成した、ほぼ正方形
の基板と、該パターンに導通固着した複数の整流
素子からなる整流ブリツジ回路と、該基板の金属
板側底面が底から露出するように該基板の外周に
嵌合固定させるとともに下端縁全体が該金属側底
面よりも突出しないように該基板と結合させた、
ほぼ正方形の樹脂製の枠型ケースとを具備し、上
記ブリツジ回路が、４個のパツドからなるパター
ンにそれぞれ固着した４個の整流素子と、Ｗ形に
折り曲げて該Ｗ形の第１辺をそれぞれのパツドに
固着するとともに該Ｗ形の第３辺を所定の整流素
子に接続し、かつ井桁に配置した４個の同一形状
の入出力端子とからなるブリツジ回路であること
にある。
に適する金属板の一面にセラミツク絶縁層及び銅
のパターンを順次溶射して形成した、ほぼ正方形
の基板と、該パターンに導通固着した複数の整流
素子からなる整流ブリツジ回路と、該基板の金属
板側底面が底から露出するように該基板の外周に
嵌合固定させるとともに下端縁全体が該金属側底
面よりも突出しないように該基板と結合させた、
ほぼ正方形の樹脂製の枠型ケースとを具備し、上
記ブリツジ回路が、４個のパツドからなるパター
ンにそれぞれ固着した４個の整流素子と、Ｗ形に
折り曲げて該Ｗ形の第１辺をそれぞれのパツドに
固着するとともに該Ｗ形の第３辺を所定の整流素
子に接続し、かつ井桁に配置した４個の同一形状
の入出力端子とからなるブリツジ回路であること
にある。
その特徴の１つは、底板のない枠型の樹脂製ケ
ースを使用するとともに放熱に適する金属板にセ
ラミツクと銅パターンとを溶射した基板を該ケー
スの底板として該ケースの下端部に嵌装し、且
つ、該溶射基板の底面が該樹脂製ケースの下端縁
よりも下方位置にあるように該溶射基板を該ケー
スの底から突出させた外囲器構造にある。このよ
うな構造においては、ダイオードから発生する熱
が溶射基板を介して外部に拡散されるため、従来
の樹脂封止型半導体整流装置よりも著しく高い放
熱特性が得られる。溶射基板としては、Al板に
セラミツク絶縁層と銅の配線パターンとを溶射形
成したものが挙げられ、本発明の半導体整流装置
では、このAl溶射基板の銅パターンの上にダイ
オードを直接に半田付けする。
ースを使用するとともに放熱に適する金属板にセ
ラミツクと銅パターンとを溶射した基板を該ケー
スの底板として該ケースの下端部に嵌装し、且
つ、該溶射基板の底面が該樹脂製ケースの下端縁
よりも下方位置にあるように該溶射基板を該ケー
スの底から突出させた外囲器構造にある。このよ
うな構造においては、ダイオードから発生する熱
が溶射基板を介して外部に拡散されるため、従来
の樹脂封止型半導体整流装置よりも著しく高い放
熱特性が得られる。溶射基板としては、Al板に
セラミツク絶縁層と銅の配線パターンとを溶射形
成したものが挙げられ、本発明の半導体整流装置
では、このAl溶射基板の銅パターンの上にダイ
オードを直接に半田付けする。
なお、使用に際しては、溶射基板の底面を更に
外部放熱板に取り付ける。
外部放熱板に取り付ける。
内面側にセラミツクを溶射したAl溶射基板と
樹脂製の枠型ケースとを外囲器とした場合は、ケ
ースと回路との絶縁を考慮することは余り必要で
ない。
樹脂製の枠型ケースとを外囲器とした場合は、ケ
ースと回路との絶縁を考慮することは余り必要で
ない。
溶射した銅パターンの上にはダイオードばかり
でなく入出力端子も直接半田付けすることが容易
である。その結果、従来の整流装置では、第３図
の入力端子と出力端子とはともにＬ字形の端子で
あるが寸法の異なる別形状をしているのに対し
て、本発明における入出力端子は、すべて全て同
一の形状として整流装置を組立てることができ、
従つて本発明の整流装置の構造を簡素化して大幅
のコスト低減を実現した。その場合の具体的構造
は下記の実施例の記載から理解できよう。
でなく入出力端子も直接半田付けすることが容易
である。その結果、従来の整流装置では、第３図
の入力端子と出力端子とはともにＬ字形の端子で
あるが寸法の異なる別形状をしているのに対し
て、本発明における入出力端子は、すべて全て同
一の形状として整流装置を組立てることができ、
従つて本発明の整流装置の構造を簡素化して大幅
のコスト低減を実現した。その場合の具体的構造
は下記の実施例の記載から理解できよう。
［発明の実施例］
第１図に本発明の半導体整流装置の一実施例を
示す。なお、同図において、第３図と同一の符号
で表示された部分は従来の半導体整流装置と同一
の部分である。
示す。なお、同図において、第３図と同一の符号
で表示された部分は従来の半導体整流装置と同一
の部分である。
本発明の半導体整流装置では、底板のない枠型
樹脂製ケース７をケースとして用いるとともに、
該ケースの底板としてAl製のAl溶射基板８を用
い、該Al溶射基板８を該ケース７の底から突出
するように該ケースに固定したことを特徴とする
ものである。ここに、Al溶射基板とは、Al板の
表面にセラミツク絶縁層８ａに形成するとともに
該セラミツク絶縁層８ａの上に銅製の配線パター
ン８ｂを溶射形成したものであり、各ダイオード
２は銅の配線パターン８ｂの上に半田４で接着さ
れている。
樹脂製ケース７をケースとして用いるとともに、
該ケースの底板としてAl製のAl溶射基板８を用
い、該Al溶射基板８を該ケース７の底から突出
するように該ケースに固定したことを特徴とする
ものである。ここに、Al溶射基板とは、Al板の
表面にセラミツク絶縁層８ａに形成するとともに
該セラミツク絶縁層８ａの上に銅製の配線パター
ン８ｂを溶射形成したものであり、各ダイオード
２は銅の配線パターン８ｂの上に半田４で接着さ
れている。
枠型樹脂製ケース７とAl熔射基板８との結合
部においては第２図に示すように、Al熔射基板
８が枠型樹脂製ケース７の下端から下側へ突出す
るように両者が嵌合されており、図示実施例で
は、枠型樹脂製ケース７の下端面の内周縁に沿つ
て形成された段状切欠部７ａにAl熔射基板８の
外周縁が嵌合されている。この段状切欠部７ａの
上下方向の切込み深さｈはAl熔射基板の外周縁
の肉厚よりも小さいため、該枠型樹脂製ケース７
がAl熔射基板８の上に乗つた状態で両者は結合
されている。従つて、Al熔射基板８は枠型樹脂
製ケース７の下端よりも下側へ突出しており、外
部放熱板をAl熔射基板８の底面に取り付けたと
きに該放熱板とAl熔射基板とが密着しうるよう
になつている。
部においては第２図に示すように、Al熔射基板
８が枠型樹脂製ケース７の下端から下側へ突出す
るように両者が嵌合されており、図示実施例で
は、枠型樹脂製ケース７の下端面の内周縁に沿つ
て形成された段状切欠部７ａにAl熔射基板８の
外周縁が嵌合されている。この段状切欠部７ａの
上下方向の切込み深さｈはAl熔射基板の外周縁
の肉厚よりも小さいため、該枠型樹脂製ケース７
がAl熔射基板８の上に乗つた状態で両者は結合
されている。従つて、Al熔射基板８は枠型樹脂
製ケース７の下端よりも下側へ突出しており、外
部放熱板をAl熔射基板８の底面に取り付けたと
きに該放熱板とAl熔射基板とが密着しうるよう
になつている。
なお、枠型樹脂製ケース７とAl熔射基板８と
の結合構造は図示実施例に限られるものではな
く、他の結合構造であつてもよいことは当然であ
るが、Al熔射基板８が該枠型ケース７の下側へ
突出する構造であることが望ましい。
の結合構造は図示実施例に限られるものではな
く、他の結合構造であつてもよいことは当然であ
るが、Al熔射基板８が該枠型ケース７の下側へ
突出する構造であることが望ましい。
前記のごときケース内の空間に封止用樹脂６を
充填し、且つ硬化せしめた後、外部放熱板をAl
熔射基板８の底面に取り付けて使用に供する。
充填し、且つ硬化せしめた後、外部放熱板をAl
熔射基板８の底面に取り付けて使用に供する。
次にこの実施例のブリツジ回路を説明すると、
図示したようにほぼ正方形のAl溶射基板８を用
いるが、該基板８の４隅にダイオード２と端子３
又は５をそれぞれ１個づつ半田付けする同形の銅
パツト８ｂが溶射形成されている。入力端子３も
出力端子５もＷ形に折り曲げられた全く同形の端
子であり、入力端子３も出力端子５もＷ形の第１
辺が銅パツド８ｂに取り付けられている。また入
力端子３も出力端子５もＷ形の第３辺はダイオー
ド２のリードに取り付けられている。このように
この実施例の整流装置は、全く部材組立てが標準
化されている。
図示したようにほぼ正方形のAl溶射基板８を用
いるが、該基板８の４隅にダイオード２と端子３
又は５をそれぞれ１個づつ半田付けする同形の銅
パツト８ｂが溶射形成されている。入力端子３も
出力端子５もＷ形に折り曲げられた全く同形の端
子であり、入力端子３も出力端子５もＷ形の第１
辺が銅パツド８ｂに取り付けられている。また入
力端子３も出力端子５もＷ形の第３辺はダイオー
ド２のリードに取り付けられている。このように
この実施例の整流装置は、全く部材組立てが標準
化されている。
一方、この実施例の整流装置は、４辺のどの辺
からみても区別がつかない。そのため、枠型ケー
スの１つの角部７ｂの形状を他の角部７ｃの形状
と異なるものにして区別している。
からみても区別がつかない。そのため、枠型ケー
スの１つの角部７ｂの形状を他の角部７ｃの形状
と異なるものにして区別している。
［発明の効果］
前記構造の本発明の半導体整流装置と従来の樹
脂封止型半導体整流装置について同一条件で熱抵
抗測定を行つたところ、従来の半導体整流装置の
熱抵抗値は2.2℃／Ｗであるのに対し、本発明の
半導体整流装置では1.8℃／Ｗであり、20％以上
もの改善が達成された。
脂封止型半導体整流装置について同一条件で熱抵
抗測定を行つたところ、従来の半導体整流装置の
熱抵抗値は2.2℃／Ｗであるのに対し、本発明の
半導体整流装置では1.8℃／Ｗであり、20％以上
もの改善が達成された。
また、本発明の半導体整流装置によれば、溶射
基板の銅パターンに直接端子及び素子を半田付け
することが容易で、その結果、実施例のごとき簡
易化された整流装置を提供することができる。
基板の銅パターンに直接端子及び素子を半田付け
することが容易で、その結果、実施例のごとき簡
易化された整流装置を提供することができる。
以上の説明のように、本発明によれば、従来よ
りも放熱特性がよくしかも底面面積の小さな樹脂
封止型半導体整流装置を得ることができ、また、
金属製ケースを使用する場合にくらべて比較的安
価で且つ放熱特性のよい半導体整流装置を得るこ
とができる。
りも放熱特性がよくしかも底面面積の小さな樹脂
封止型半導体整流装置を得ることができ、また、
金属製ケースを使用する場合にくらべて比較的安
価で且つ放熱特性のよい半導体整流装置を得るこ
とができる。
第１図は本発明の半導体整流装置の一実施例を
示す未完成品の斜視図、第２図は第１図はＡ部分
の拡大図、第３図は従来の樹脂封止型半導体整流
装置の未完成品の斜視図である。 １……箱形の樹脂製ケース、１ａ……底板、２
……ダイオード、３……入力端子、４……半田、
５……出力端子、６……封止用樹脂、７……枠型
樹脂製ケース、７ａ……段状切欠部、７ｂ，７ｃ
……角部、８……Al熔射基板、８ａ……セラミ
ツク絶縁層、８ｂ……パターン。
示す未完成品の斜視図、第２図は第１図はＡ部分
の拡大図、第３図は従来の樹脂封止型半導体整流
装置の未完成品の斜視図である。 １……箱形の樹脂製ケース、１ａ……底板、２
……ダイオード、３……入力端子、４……半田、
５……出力端子、６……封止用樹脂、７……枠型
樹脂製ケース、７ａ……段状切欠部、７ｂ，７ｃ
……角部、８……Al熔射基板、８ａ……セラミ
ツク絶縁層、８ｂ……パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 放熱に適する金属板の一面にセラミツク絶縁
層及び銅のパターンを順次溶射して形成した、ほ
ぼ正方形の基板と、該パターンに導通固着した複
数の整流素子からなる整流ブリツジ回路と、該基
板の金属板側底面が底から露出するように該基板
の外周に嵌合固定させるとともに下端縁全体が該
金属板側底面よりも突出しないように該基板と結
合させた、ほぼ正方形の樹脂製の枠型ケースとを
具備し、上記ブリツジ回路が、４個のパツドから
なるパターンにそれぞれ固着した４個の整流素子
と、Ｗ形に折り曲げて該Ｗ形の第１辺をそれぞれ
のパツドに固着するとともに該Ｗ形の第３辺を所
定の整流素子に接続し、かつ井桁に配置した４個
の同一形状の入出力端子とからなるブリツジ回路
であることを特徴とする半導体整流装置。 ２ 枠型ケースが、一の角部の形状を他の角部の
形状と異なるものにしてブリツジ回路の接続方向
に対応させた枠型ケースである、特許請求の範囲
第１項記載の半導体整流装置。 ３ ブリツジ回路の入出力端子の一部を残し該枠
型ケース内に充填して前記ブリツジ回路を保護し
た封止樹脂部を有する、特許請求の範囲第１項記
載の半導体整流装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065034A JPS61225848A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 半導体整流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065034A JPS61225848A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 半導体整流装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61225848A JPS61225848A (ja) | 1986-10-07 |
| JPH0433138B2 true JPH0433138B2 (ja) | 1992-06-02 |
Family
ID=13275288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60065034A Granted JPS61225848A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 半導体整流装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61225848A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0696818B1 (de) * | 1994-08-12 | 2004-07-07 | Infineon Technologies AG | Halbleiterbauelement mit isolierendem Gehäuse |
| JP4631179B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2011-02-16 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体装置およびこれを用いたインバータ装置 |
| JP5024439B2 (ja) * | 2010-09-24 | 2012-09-12 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5612756A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-07 | Nec Corp | Integrated circuit device |
| JPS59198740A (ja) * | 1983-04-25 | 1984-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体複合素子 |
-
1985
- 1985-03-30 JP JP60065034A patent/JPS61225848A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61225848A (ja) | 1986-10-07 |
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