JPH05198701A - 半導体装置用パッケージ - Google Patents
半導体装置用パッケージInfo
- Publication number
- JPH05198701A JPH05198701A JP4032755A JP3275592A JPH05198701A JP H05198701 A JPH05198701 A JP H05198701A JP 4032755 A JP4032755 A JP 4032755A JP 3275592 A JP3275592 A JP 3275592A JP H05198701 A JPH05198701 A JP H05198701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- package
- metal base
- semiconductor element
- lead portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置用パッケージの放熱効果を高める
事を目的としている。 【構成】 半導体装置用パッケージの底面に金属ベース
１１を設けることにより、半導体素子の発する熱の放熱
効果を高めた。
事を目的としている。 【構成】 半導体装置用パッケージの底面に金属ベース
１１を設けることにより、半導体素子の発する熱の放熱
効果を高めた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子を実装す
るパッケージに関するものである。
るパッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の半導体装置用パッケージを
示す断面図であり、図において、１は半導体素子、２は
金属細線、３はリード部、４はダイスパッド部、５は封
止樹脂である。
示す断面図であり、図において、１は半導体素子、２は
金属細線、３はリード部、４はダイスパッド部、５は封
止樹脂である。
【０００３】次に動作について説明する。ダイスパッド
部４に半導体素子１が接合され、半導体素子１表面の電
極とリード部３は金属細線２で電気的・機械的に接続さ
れる。最後に半導体素子１保護のため封止樹脂５にて封
止される。
部４に半導体素子１が接合され、半導体素子１表面の電
極とリード部３は金属細線２で電気的・機械的に接続さ
れる。最後に半導体素子１保護のため封止樹脂５にて封
止される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置用パ
ッケージは樹脂により封止されているので、半導体素子
が発する熱を放熱させるうえにおいて、効率が悪いなど
の問題点があった。
ッケージは樹脂により封止されているので、半導体素子
が発する熱を放熱させるうえにおいて、効率が悪いなど
の問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、放熱効果の優れたパッケージを
提供することを目的としている。
ためになされたもので、放熱効果の優れたパッケージを
提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置用パッケージは、パッケージの底面部に金属ベースを
設けたものである。
置用パッケージは、パッケージの底面部に金属ベースを
設けたものである。
【０００７】
【作用】この発明における半導体装置用パッケージは、
金属ベースを介して半導体素子の発する熱の放熱効果を
高める。
金属ベースを介して半導体素子の発する熱の放熱効果を
高める。
【０００８】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１において、従来技術と同一部分に
ついては同一符号により示すものとする。１１は金属ベ
ース、１２は接着剤、１３は絶縁層である。なお絶縁層
１３は必要に応じて無くてもよい。
ついて説明する。図１において、従来技術と同一部分に
ついては同一符号により示すものとする。１１は金属ベ
ース、１２は接着剤、１３は絶縁層である。なお絶縁層
１３は必要に応じて無くてもよい。
【０００９】次に作用について説明する。半導体素子１
を取り付けたダイスパッド部４が接着剤１２を介して金
属ベース１１に取り付けられてあり、その上面は封止樹
脂５にて封止される。又、半導体素子１の電極とリード
部３とは金属細線２で電気的、機械的に接合されてい
る。また金属ベース１１の裏面には絶縁層１３が設けら
れ、パッケージ底面が基板実装時に基板回路のショート
を防止する役目を持っているが、その取付は自由であ
る。以上のように金属ベース１１を配置することによ
り、放熱効果を高めることができる。
を取り付けたダイスパッド部４が接着剤１２を介して金
属ベース１１に取り付けられてあり、その上面は封止樹
脂５にて封止される。又、半導体素子１の電極とリード
部３とは金属細線２で電気的、機械的に接合されてい
る。また金属ベース１１の裏面には絶縁層１３が設けら
れ、パッケージ底面が基板実装時に基板回路のショート
を防止する役目を持っているが、その取付は自由であ
る。以上のように金属ベース１１を配置することによ
り、放熱効果を高めることができる。
【００１０】実施例２．実施例２による半導体装置用パ
ッケージを図２について説明する。半導体素子１が直接
金属ベース１１に接合された後、樹脂５により封止され
る。
ッケージを図２について説明する。半導体素子１が直接
金属ベース１１に接合された後、樹脂５により封止され
る。
【００１１】実施例３．実施例３による半導体装置用パ
ッケージを図３により説明する。上面に凹凸１４を設け
て封止樹脂５との密着性を向上させた金属ベース１１
を、ダイスパッド部４及びリード部３と接着しない程度
の間隔を持たせて樹脂５により封止する。
ッケージを図３により説明する。上面に凹凸１４を設け
て封止樹脂５との密着性を向上させた金属ベース１１
を、ダイスパッド部４及びリード部３と接着しない程度
の間隔を持たせて樹脂５により封止する。
【００１２】実施例４．実施例４による半導体装置用パ
ッケージを図４により説明する。実施例１ではダイスパ
ッド部４とリード部３が同一高さであったのを、ダイス
パッド部４を一段下方へ下げて金属細線２の配線をより
容易にさせるものである。このため、ダイスパッド部４
の下方への移動量に対応して、金属ベース１１の上面に
くぼみ１１ａを設けた。
ッケージを図４により説明する。実施例１ではダイスパ
ッド部４とリード部３が同一高さであったのを、ダイス
パッド部４を一段下方へ下げて金属細線２の配線をより
容易にさせるものである。このため、ダイスパッド部４
の下方への移動量に対応して、金属ベース１１の上面に
くぼみ１１ａを設けた。
【００１３】実施例５．実施例５による半導体装置用パ
ッケージを図５により説明する。金属キャップ１５を接
着剤１２を介してリード部３と接合させ、中空状態で封
止したものである。
ッケージを図５により説明する。金属キャップ１５を接
着剤１２を介してリード部３と接合させ、中空状態で封
止したものである。
【００１４】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、半導体
素子下面部に金属ベースを設けた事により、放熱効果の
高いパッケージが得られる効果がある。
素子下面部に金属ベースを設けた事により、放熱効果の
高いパッケージが得られる効果がある。
【図１】本発明の実施例１による半導体装置用パッケー
ジを示す断面図である。
ジを示す断面図である。
【図２】本発明の実施例２による半導体装置用パッケー
ジを示す断面図である。
ジを示す断面図である。
【図３】本発明の実施例３による半導体装置用パッケー
ジを示す断面図である。
ジを示す断面図である。
【図４】本発明の実施例４による半導体装置用パッケー
ジを示す断面図である。
ジを示す断面図である。
【図５】本発明の実施例５による半導体装置用パッケー
ジを示す断面図である。
ジを示す断面図である。
【図６】従来の半導体装置用パッケージを示す断面図で
ある。
ある。
１ 半導体素子 ２ 金属細線 ３ リード部 ４ ダイスパッド部 ５ 封止樹脂 １１ 金属ベース １２ 接着剤 １３ 絶縁層 １４ 金属ベース表面に設けられた凹凸
Claims (6)
- 【請求項１】 ダイスパッド上に半導体素子が載置さ
れ、リード部と半導体素子が金属細線で接合されると共
に、上記装置全体を樹脂にて封止した半導体装置用パッ
ケージにおいて、上記ダイスパッド部及びリード部の下
部に接着剤を介して金属ベースを配置したことを特徴と
する半導体装置用パッケージ。 - 【請求項２】 金属ベース上に直接半導体素子を取り付
けると共に、その外側に接着剤を介してリード部を載置
し、半導体素子とリード部を金属細線で接合し、装置全
体を樹脂にて封止したことを特徴とする半導体装置用パ
ッケージ。 - 【請求項３】 ダイスパッド部上に半導体素子が載置さ
れ、リード部と半導体素子が金属細線で接合されると共
に、装置全体を樹脂にて封止した半導体装置用パッケー
ジにおいて、上記ダイスパッド部およびリード部の下部
に、間隔を介して、上面に凹凸が設けられた金属ベース
が取り付けられたことを特徴とする半導体装置用パッケ
ージ。 - 【請求項４】 ダイスパッド部の配置をリード部より一
段下方へ下げると共に、これに対向する金属ベース部に
くぼみを設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体
装置用パッケージ。 - 【請求項５】 ダイスパッド部及びリードの下部に接着
剤を介して金属ベースを配置し、かつリード上方に接着
剤を介して金属キャップを設置し、中空状態で封止した
ことを特徴とする半導体装置用パッケージ。 - 【請求項６】 金属ベース下部に絶縁層を設けたことを
特徴とする請求項１〜５記載の半導体装置用パッケー
ジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4032755A JPH05198701A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 半導体装置用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4032755A JPH05198701A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 半導体装置用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198701A true JPH05198701A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=12367662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4032755A Pending JPH05198701A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 半導体装置用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198701A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997031394A1 (fr) * | 1996-02-22 | 1997-08-28 | Nitto Denko Corporation | Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication |
| US5796159A (en) * | 1995-11-30 | 1998-08-18 | Analog Devices, Inc. | Thermally efficient integrated circuit package |
| US5818105A (en) * | 1994-07-22 | 1998-10-06 | Nec Corporation | Semiconductor device with plastic material covering a semiconductor chip mounted on a substrate of the device |
| EP0881677A4 (en) * | 1996-02-15 | 2001-01-31 | Nitto Denko Corp | SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND MULTILAYERED LADDER FRAME THEREFOR |
| US6255742B1 (en) | 1997-10-08 | 2001-07-03 | Nec Corporation | Semiconductor package incorporating heat dispersion plate inside resin molding |
| US6787389B1 (en) | 1997-10-09 | 2004-09-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having pads for connecting a semiconducting element to a mother board |
| JP2017028060A (ja) * | 2015-07-21 | 2017-02-02 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
| KR20180121581A (ko) | 2016-06-10 | 2018-11-07 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 접착 필름 및 다이싱 다이본딩 일체형 필름 |
| KR20200026799A (ko) | 2017-07-20 | 2020-03-11 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 방열성 다이 본딩 필름 및 다이싱·다이 본딩 필름 |
| WO2021226799A1 (zh) * | 2020-05-11 | 2021-11-18 | 华为技术有限公司 | 一种封装结构及其制作方法、通信设备 |
| KR20230013169A (ko) | 2016-02-26 | 2023-01-26 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 접착 필름 및 다이싱·다이 본딩 필름 |
-
1992
- 1992-01-22 JP JP4032755A patent/JPH05198701A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5818105A (en) * | 1994-07-22 | 1998-10-06 | Nec Corporation | Semiconductor device with plastic material covering a semiconductor chip mounted on a substrate of the device |
| US5796159A (en) * | 1995-11-30 | 1998-08-18 | Analog Devices, Inc. | Thermally efficient integrated circuit package |
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| US6144108A (en) * | 1996-02-22 | 2000-11-07 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| EP0883170A4 (en) * | 1996-02-22 | 2001-01-31 | Nitto Denko Corp | SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US6255742B1 (en) | 1997-10-08 | 2001-07-03 | Nec Corporation | Semiconductor package incorporating heat dispersion plate inside resin molding |
| US6787389B1 (en) | 1997-10-09 | 2004-09-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having pads for connecting a semiconducting element to a mother board |
| JP2017028060A (ja) * | 2015-07-21 | 2017-02-02 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
| KR20230013169A (ko) | 2016-02-26 | 2023-01-26 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 접착 필름 및 다이싱·다이 본딩 필름 |
| KR20180121581A (ko) | 2016-06-10 | 2018-11-07 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 접착 필름 및 다이싱 다이본딩 일체형 필름 |
| KR20200026799A (ko) | 2017-07-20 | 2020-03-11 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 방열성 다이 본딩 필름 및 다이싱·다이 본딩 필름 |
| WO2021226799A1 (zh) * | 2020-05-11 | 2021-11-18 | 华为技术有限公司 | 一种封装结构及其制作方法、通信设备 |
| CN114981958A (zh) * | 2020-05-11 | 2022-08-30 | 华为技术有限公司 | 一种封装结构及其制作方法、通信设备 |
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