JPH04332117A - レジスト塗布方法及び装置 - Google Patents

レジスト塗布方法及び装置

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Publication number
JPH04332117A
JPH04332117A JP3130434A JP13043491A JPH04332117A JP H04332117 A JPH04332117 A JP H04332117A JP 3130434 A JP3130434 A JP 3130434A JP 13043491 A JP13043491 A JP 13043491A JP H04332117 A JPH04332117 A JP H04332117A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
semiconductor substrate
substrate
axis
resist coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3130434A
Other languages
English (en)
Inventor
Teruaki Ishiba
石場 輝昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP3130434A priority Critical patent/JPH04332117A/ja
Publication of JPH04332117A publication Critical patent/JPH04332117A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板にレジス
ト塗布を行う方法とその装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は従来のこの種の回転塗布装置を示
したものである。図において、1は半導体基板、2はこ
の半導体基板1を吸着して固定する真空チャック、3は
レジストを滴下するノズルである。
【0003】次に動作について説明する。ノズル3より
レジストを半導体基板1上に滴下した後、真空チャック
2を回転させ、その遠心力により半導体基板1の上のレ
ジストを所定の厚さに広げる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のレジスト塗布装
置は以上のように構成されているので、半導体基板の端
の方では遠心力のためレジスト内応力がかかり、写真製
版後、レジストのはがれがおき、またレジストの寸法が
変化する等の問題点があった。
【0005】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、遠心力を低減させ、かつレジス
トを半導体基板に広げ、写真製版後のレジストのはがれ
、レジストの寸法変動を抑えることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に係るレジスト
塗布方法は、レジスト滴下後、基板を自転及び公転させ
、それによって生じた重力方向に対し、基板を垂直に保
つようにしたものである。
【0007】この発明に係るレジスト塗布装置は、基板
を固定する回転チャックの下端に角度自動調整継手を介
して長さ可変アームを取付けたものである。
【0008】この発明に係る他のレジスト塗布装置は、
バッチ式カップの周りに角度自動調整継手を介して基板
を支持するようにしたものである。
【0009】
【作用】この発明では、レジスト滴下後、基板を自転及
び公転することにより、自転による遠心力を低減させ、
かつレジストを均一に広げることができるため、レジス
ト内応力が緩和され、写真製版後のレジストのはがれ、
寸法変動を防ぐことができる。
【0010】
【実施例】
実施例1. 以下、この発明の一実施例を図について説明する。図1
において、1は半導体基板、2は真空チャック、3はレ
ジスト滴下ノズル、4は角度調整継手5を介して真空チ
ャック2の下端に連結された長さ可変アーム、6はその
回転中心軸である。
【0011】次にその動作について説明する。図1aの
状態にて、ノズル3よりレジストを半導体基板1上に滴
下する。その後、同図bのように長さ可変アーム4を伸
ばし、基板1を自転しながら矢印Aのように公転してレ
ジストの振り切りを行う。この間、半導体基板1は重力
方向と常に垂直になるよう角度自動調整継手5で調整を
行う。
【0012】実施例2. なお上記実施例では、自転及び公転を行う方法として、
長さ可変アーム4及び角度調整継手5を用いたが、図2
のような装置でも同様な効果が得られる。即ちこれはバ
ッチ式カップ7を有しており、半導体基板1自体が自転
し、バッチ式カップ7が公転を行うものであり、同時に
角度自動調整継手5により重力方向に対し常に半導体基
板1が垂直になるように保たれる。なお図2のaは平面
図、bは公転時の形態を表わしている。
【0013】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、レジ
スト塗布に際して、レジスト滴下後、半導体基板を自転
及び公転させると同時に、公転させることにより生じた
重力に対して垂直に保つことにより、レジスト内応力が
緩和され、写真製版後のレジストのはがれ、寸法変動を
抑えることかできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例によるレジスト塗布装置を
示す斜視図aと動作説明図bである。
【図2】この発明の他の実施例を示す平面図a及び動作
時の斜視図bである。
【図3】従来のレジスト塗布装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
1    半導体基板 2    真空チャック 3    ノズル 4    長さ可変アーム 5    角度自動調整継手 6    軸 7    バッチ式カップ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  半導体基板にレジストを回転塗布する
    方法において、上記半導体基板上にレジストを滴下して
    後、該基板を自転及び公転させると同時に、公転により
    生じた重力に対し基板を常に垂直に保つことを特徴とす
    るレジスト塗布方法。
  2. 【請求項2】  半導体基板を固定する回転チャックに
    角度自動調整継手を介して長さ可変アームを連結し、こ
    のアームを回転させるようにしたことを特徴とするレジ
    スト塗布装置。
  3. 【請求項3】  バッチ式カップの周囲に角度自動調整
    継手を介して自転する半導体基板を支持するようにした
    ことを特徴とするレジスト塗布装置。
JP3130434A 1991-05-02 1991-05-02 レジスト塗布方法及び装置 Pending JPH04332117A (ja)

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JPH04332117A true JPH04332117A (ja) 1992-11-19

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003093957A (ja) * 2001-09-25 2003-04-02 Ulvac Japan Ltd 金属薄膜の形成方法及び金属薄膜形成装置
JP2013136023A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Koa Glass Kk 被処理物搬送装置および静電塗装方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003093957A (ja) * 2001-09-25 2003-04-02 Ulvac Japan Ltd 金属薄膜の形成方法及び金属薄膜形成装置
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