JPH09319094A - スピンナ塗布方法およびスピンナ塗布装置 - Google Patents
スピンナ塗布方法およびスピンナ塗布装置Info
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- JPH09319094A JPH09319094A JP8131989A JP13198996A JPH09319094A JP H09319094 A JPH09319094 A JP H09319094A JP 8131989 A JP8131989 A JP 8131989A JP 13198996 A JP13198996 A JP 13198996A JP H09319094 A JPH09319094 A JP H09319094A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 塗布物を均一に塗布することができないとい
う問題点があった。 【解決手段】 スピンナ１１上に載置したマスク基板１
４上に、ホトレジスト液１３がマスク基板１４の回転の
中心に至る範囲でスピンナ１１回転中心軸から離れた円
周上に備えた複数のノズル１２ａ〜１２ｈからホトレジ
スト液１３を滴下し、スピンナ１１とともにマスク基板
１４を回転させホトレジスト液１３を遠心塗布する。
う問題点があった。 【解決手段】 スピンナ１１上に載置したマスク基板１
４上に、ホトレジスト液１３がマスク基板１４の回転の
中心に至る範囲でスピンナ１１回転中心軸から離れた円
周上に備えた複数のノズル１２ａ〜１２ｈからホトレジ
スト液１３を滴下し、スピンナ１１とともにマスク基板
１４を回転させホトレジスト液１３を遠心塗布する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、スピンナを利用
し被塗布物表面に塗布物を均一に塗布し、且つ、被塗布
物上の異物を除去することができるスピンナ塗布方法お
よびスピンナ塗布装置に関するものである。
し被塗布物表面に塗布物を均一に塗布し、且つ、被塗布
物上の異物を除去することができるスピンナ塗布方法お
よびスピンナ塗布装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、マスク基板の中央にホトレジスト
液を滴下し、スピンナにてマスク基板を回転させ、マス
ク基板上にホトレジスト液を塗布していた。しかしこの
方法では、ホトレジスト液がマスク基板上全面に拡がる
まで時間がかかり、塗布ムラが生じるという問題点があ
った。ここで、これを解決するために以下の手段が提供
されている。
液を滴下し、スピンナにてマスク基板を回転させ、マス
ク基板上にホトレジスト液を塗布していた。しかしこの
方法では、ホトレジスト液がマスク基板上全面に拡がる
まで時間がかかり、塗布ムラが生じるという問題点があ
った。ここで、これを解決するために以下の手段が提供
されている。
【０００３】図５は例えば特開昭５７−１３０５７０号
公報に示された従来のスピンナ塗布装置の構成を示す図
である。図において、容器１の下部中央に固設したモー
タ２の回転軸３にスピンナ４を連結している。このモー
タ２は回転速度の制御が可能なものを使用し、スピンナ
４を垂直な回転軸を中心に高速回転及び低速回転できる
ようにしている。
公報に示された従来のスピンナ塗布装置の構成を示す図
である。図において、容器１の下部中央に固設したモー
タ２の回転軸３にスピンナ４を連結している。このモー
タ２は回転速度の制御が可能なものを使用し、スピンナ
４を垂直な回転軸を中心に高速回転及び低速回転できる
ようにしている。
【０００４】又、容器１の上部には、図示しないホトレ
ジスト溜に連通したノズル５を設け、塗布物としてのホ
トレジスト液６をノズル先端からスピンナ４上の被塗布
物としてのマスク基板７上に滴下する。そして、このノ
ズル５はスピンナ４の回転軸線Ｏから偏倚した位置に設
け、マスク基板７に対してノズル５が相対的に描く軌跡
が回転軸線Ｏを中心とする環状となるように構成してい
る。
ジスト溜に連通したノズル５を設け、塗布物としてのホ
トレジスト液６をノズル先端からスピンナ４上の被塗布
物としてのマスク基板７上に滴下する。そして、このノ
ズル５はスピンナ４の回転軸線Ｏから偏倚した位置に設
け、マスク基板７に対してノズル５が相対的に描く軌跡
が回転軸線Ｏを中心とする環状となるように構成してい
る。
【０００５】次に上記のように構成されたスピンナ塗布
装置を使用したスピンナ塗布方法について説明する。ま
ず、スピンナ４上に水平に吸着支持したマスク基板７上
にホトレジスト液６を滴下する一方、モータ２を低速回
転してスピンナ４をゆっくりと回転させる。このため、
ホトレジスト液６はノズル５とスピンナ４との相対的な
軌跡に沿って円盤状に滴下される。
装置を使用したスピンナ塗布方法について説明する。ま
ず、スピンナ４上に水平に吸着支持したマスク基板７上
にホトレジスト液６を滴下する一方、モータ２を低速回
転してスピンナ４をゆっくりと回転させる。このため、
ホトレジスト液６はノズル５とスピンナ４との相対的な
軌跡に沿って円盤状に滴下される。
【０００６】そして、若干拡がることにより図６のよう
に円形となる。次いで、モータ２を高速回転すればマス
ク基板７も一体的に高速回転され、マスク基板７上のホ
トレジスト液６を遠心力により周辺方向へ流動させマス
ク基板７の全面にホトレジストを塗布することができ
る。
に円形となる。次いで、モータ２を高速回転すればマス
ク基板７も一体的に高速回転され、マスク基板７上のホ
トレジスト液６を遠心力により周辺方向へ流動させマス
ク基板７の全面にホトレジストを塗布することができ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のスピンナ塗布装
置は、ノズル５をスピンナ４の回転軸線Ｏより偏倚した
位置に設け、モータ２をゆっくり回転させマスク基板７
上でホトレジスト液６の滴下半径を大きくすることによ
り、マスク基板の中央にホトレジスト液を滴下するのと
比較すると、ホトレジスト液がマスク基板全面に拡がる
時間が短縮され塗布ムラが減少しているものの、図６の
状態とするために、モータ２をゆっくり回転させホトレ
ジスト液６を塗布しているため、時間がかかりホトレジ
スト液６中の有機溶剤が蒸発し、均一性が悪くなるとい
う問題点があった。この問題はマスク基板７の大口径が
進むにつれ、顕著となる。
置は、ノズル５をスピンナ４の回転軸線Ｏより偏倚した
位置に設け、モータ２をゆっくり回転させマスク基板７
上でホトレジスト液６の滴下半径を大きくすることによ
り、マスク基板の中央にホトレジスト液を滴下するのと
比較すると、ホトレジスト液がマスク基板全面に拡がる
時間が短縮され塗布ムラが減少しているものの、図６の
状態とするために、モータ２をゆっくり回転させホトレ
ジスト液６を塗布しているため、時間がかかりホトレジ
スト液６中の有機溶剤が蒸発し、均一性が悪くなるとい
う問題点があった。この問題はマスク基板７の大口径が
進むにつれ、顕著となる。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、被塗布物表面に塗布物を均一に
塗布することができるスピンナ塗布方法およびスピンナ
塗布装置に関するものである。
ためになされたもので、被塗布物表面に塗布物を均一に
塗布することができるスピンナ塗布方法およびスピンナ
塗布装置に関するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
のスピンナ塗布方法は、スピンナ上に載置した被塗布物
上に塗布物を滴下し、スピンナとともに被塗布物を回転
させ塗布物を遠心塗布するスピンナ塗布方法において、
塗布物の滴下は、滴下された塗布物が被塗布物の回転の
中心に至る範囲でスピンナ回転中心軸から離れた円周上
の複数の箇所から行うものである。
のスピンナ塗布方法は、スピンナ上に載置した被塗布物
上に塗布物を滴下し、スピンナとともに被塗布物を回転
させ塗布物を遠心塗布するスピンナ塗布方法において、
塗布物の滴下は、滴下された塗布物が被塗布物の回転の
中心に至る範囲でスピンナ回転中心軸から離れた円周上
の複数の箇所から行うものである。
【００１０】又、この発明の請求項２のスピンナ塗布方
法は、請求項１において、スピンナの中心から離れた同
一円周上に等間隔にて成る８ヶ所以上から塗布物を滴下
するものである。
法は、請求項１において、スピンナの中心から離れた同
一円周上に等間隔にて成る８ヶ所以上から塗布物を滴下
するものである。
【００１１】又、この発明の請求項３のスピンナ塗布方
法は、スピンナ上に水平に載置した被塗布物上に塗布物
を滴下し、スピンナの垂直な回転軸を中心に被塗布物を
回転させることにより塗布物を遠心塗布した後、被塗布
物をその遠心塗布時の回転中心軸を中心に回転させかつ
回転中心軸をすりこぎ状に傾動回転させることにより、
被塗布物をその塗布面が水平と傾斜した状態で回転させ
るようにしたものである。
法は、スピンナ上に水平に載置した被塗布物上に塗布物
を滴下し、スピンナの垂直な回転軸を中心に被塗布物を
回転させることにより塗布物を遠心塗布した後、被塗布
物をその遠心塗布時の回転中心軸を中心に回転させかつ
回転中心軸をすりこぎ状に傾動回転させることにより、
被塗布物をその塗布面が水平と傾斜した状態で回転させ
るようにしたものである。
【００１２】又、この発明の請求項４のスピンナ塗布方
法は、請求項３において、被塗布物の水平に対する傾き
角度を３０゜以上６０゜以下としたものである。
法は、請求項３において、被塗布物の水平に対する傾き
角度を３０゜以上６０゜以下としたものである。
【００１３】又、この発明の請求項５のスピンナ塗布装
置は、被塗布物を載置して被塗布物を回転するスピンナ
と、スピンナの回転軸から離れた円周上の複数箇所に塗
布物を滴下するノズルとを備えたものである。
置は、被塗布物を載置して被塗布物を回転するスピンナ
と、スピンナの回転軸から離れた円周上の複数箇所に塗
布物を滴下するノズルとを備えたものである。
【００１４】又、この発明の請求項６のスピンナ塗布装
置は、請求項５において、ノズルは、環状の管に、等間
隔に穴を備えて成るものである。
置は、請求項５において、ノズルは、環状の管に、等間
隔に穴を備えて成るものである。
【００１５】又、この発明の請求項７のスピンナ塗布装
置は、請求項５において、ノズルは、円周上に複数個備
えられ、各ノズルを被塗布物の半径方向に移動する移動
手段を備えたものである。
置は、請求項５において、ノズルは、円周上に複数個備
えられ、各ノズルを被塗布物の半径方向に移動する移動
手段を備えたものである。
【００１６】又、この発明の請求項８のスピンナ塗布装
置は、被塗布物を水平に載置して被塗布物を垂直な回転
軸を中心に回転するスピンナと、被塗布物の上面に塗布
物を滴下するノズルと、被塗布物の回転中心軸を中心に
回転させかつ回転中心軸をすりこぎ状に傾動回転させ、
被塗布物を水平から傾斜した状態で回転させる回転機構
とを備えたものである。
置は、被塗布物を水平に載置して被塗布物を垂直な回転
軸を中心に回転するスピンナと、被塗布物の上面に塗布
物を滴下するノズルと、被塗布物の回転中心軸を中心に
回転させかつ回転中心軸をすりこぎ状に傾動回転させ、
被塗布物を水平から傾斜した状態で回転させる回転機構
とを備えたものである。
【００１７】
実施の形態１．以下、この発明の実施の形態を図につい
て説明する、図１はこの発明の実施の形態１におけるス
ピンナ塗布装置の構成を示す図である。図において、従
来の場合と同様に、容器８の下部中央に固設したモータ
９の回転軸１０にスピンナ１１を連結している。又、容
器８の上部には、図示しないホトレジスト溜に連通した
複数のノズル１２ａ〜１２ｈを設け、塗布物としてのホ
トレジスト液１３をノズル先端からスピンナ１１の被塗
布物としてのマスク基板１４上に滴下する。
て説明する、図１はこの発明の実施の形態１におけるス
ピンナ塗布装置の構成を示す図である。図において、従
来の場合と同様に、容器８の下部中央に固設したモータ
９の回転軸１０にスピンナ１１を連結している。又、容
器８の上部には、図示しないホトレジスト溜に連通した
複数のノズル１２ａ〜１２ｈを設け、塗布物としてのホ
トレジスト液１３をノズル先端からスピンナ１１の被塗
布物としてのマスク基板１４上に滴下する。
【００１８】そして、これら複数のノズル１２ａ〜１２
ｈは例えば図２に示すように、スピンナ１１の回転軸線
Ｏ1、すなわちマスク基板４の中心から半径の半分の位
置距離ずれした同一円周上に等間隔に８ヶ所設けてい
る。各ノズル１２ａ〜１２ｈよりホトレジスト液１３を
滴下し、滴下したホトレジスト液がマスク基板１４上の
中心に至る様にするのが、このようにノズル１２ａ〜１
２ｈを等間隔８ヶ所設けることにより確実に行えるよう
になる。もちろん、８ヶ所以上備えるようにすれば、よ
りこのことを確実に行いやすくなることは言うまでもな
い。これらノズル１２ａ〜１２ｈの位置及び数は、ホト
レジスト液１３の粘度や、マスク基板１４の大きさ等に
より滴下時にマスク基板１４の中心にホトレジスト液１
３が到達する範囲に適宜設定すればよい。又、これらの
ことを加味できるように例えばノズル１２ａ〜１２ｈ
が、それぞれ半径方向に自由に移動できる移動手段を備
えるように構成してもよいことは言うまでもない。
ｈは例えば図２に示すように、スピンナ１１の回転軸線
Ｏ1、すなわちマスク基板４の中心から半径の半分の位
置距離ずれした同一円周上に等間隔に８ヶ所設けてい
る。各ノズル１２ａ〜１２ｈよりホトレジスト液１３を
滴下し、滴下したホトレジスト液がマスク基板１４上の
中心に至る様にするのが、このようにノズル１２ａ〜１
２ｈを等間隔８ヶ所設けることにより確実に行えるよう
になる。もちろん、８ヶ所以上備えるようにすれば、よ
りこのことを確実に行いやすくなることは言うまでもな
い。これらノズル１２ａ〜１２ｈの位置及び数は、ホト
レジスト液１３の粘度や、マスク基板１４の大きさ等に
より滴下時にマスク基板１４の中心にホトレジスト液１
３が到達する範囲に適宜設定すればよい。又、これらの
ことを加味できるように例えばノズル１２ａ〜１２ｈ
が、それぞれ半径方向に自由に移動できる移動手段を備
えるように構成してもよいことは言うまでもない。
【００１９】次に上記のように構成された実施の形態１
のスピンナ塗布装置を使用したスピンナ塗布方法につい
て説明する。まず、スピンナ１１上に水平に吸着支持し
たマスク基板１４上に各ノズル１２ａ〜１２ｈからそれ
ぞれホトレジスト液１３を滴下する。各ノズル１２ａ〜
１２ｈから滴下されたホトレジスト液１３は、マスク基
板１４上で直ちに若干拡がることにより互いに一体化さ
れ、図３に示すような円形となる。この際、マスク基板
１４の中心にあたる回転軸線Ｏ1の位置まで確実にホト
レジスト液１３が到達する範囲で、各ノズル１２ａ〜１
２ｈの位置およびホトレジスト液１３の量は調整されて
いる。次いで、モータ９を高速回転させ、マスク基板１
４上にホトレジスト液１３を遠心力により周辺方向へ流
動させマスク基板１４の全面にホトレジスト液１３を塗
布することができる。
のスピンナ塗布装置を使用したスピンナ塗布方法につい
て説明する。まず、スピンナ１１上に水平に吸着支持し
たマスク基板１４上に各ノズル１２ａ〜１２ｈからそれ
ぞれホトレジスト液１３を滴下する。各ノズル１２ａ〜
１２ｈから滴下されたホトレジスト液１３は、マスク基
板１４上で直ちに若干拡がることにより互いに一体化さ
れ、図３に示すような円形となる。この際、マスク基板
１４の中心にあたる回転軸線Ｏ1の位置まで確実にホト
レジスト液１３が到達する範囲で、各ノズル１２ａ〜１
２ｈの位置およびホトレジスト液１３の量は調整されて
いる。次いで、モータ９を高速回転させ、マスク基板１
４上にホトレジスト液１３を遠心力により周辺方向へ流
動させマスク基板１４の全面にホトレジスト液１３を塗
布することができる。
【００２０】上記のように構成された実施の形態１のス
ピンナ塗布装置は、このように各ノズル１２ａ〜１２ｈ
から滴下させるのみにてホトレジスト液１３の滴下半径
を容易に大きくすることができるため、従来１つのノズ
ルでスピンナを低速回転させ、図３のホトレジスト液１
３の状態にしていた場合と比較し、非常に短時間で行う
ことができるので、ホトレジスト液１３中の有機溶剤が
ほとんど蒸発することがなく、又、従来の場合と同様、
高速回転中におけるホトレジスト液１３の広がる面積が
少なくてすむので、マスク基板１４全面にホトレジスト
液１３が広がる時間が非常に少なくてすむ。これらのこ
とより、塗布ムラのない均一な塗布を行うことができ
る。
ピンナ塗布装置は、このように各ノズル１２ａ〜１２ｈ
から滴下させるのみにてホトレジスト液１３の滴下半径
を容易に大きくすることができるため、従来１つのノズ
ルでスピンナを低速回転させ、図３のホトレジスト液１
３の状態にしていた場合と比較し、非常に短時間で行う
ことができるので、ホトレジスト液１３中の有機溶剤が
ほとんど蒸発することがなく、又、従来の場合と同様、
高速回転中におけるホトレジスト液１３の広がる面積が
少なくてすむので、マスク基板１４全面にホトレジスト
液１３が広がる時間が非常に少なくてすむ。これらのこ
とより、塗布ムラのない均一な塗布を行うことができ
る。
【００２１】ところで、各ノズル１２ａ〜１２ｈの先端
にホトレジスト液１３が付着しこれらの乾燥により生ず
ると考えられる異物が落下することがあるが、この場合
マスク基板１４の回転中心からずれて落下するため、マ
スク基板１４の回転中心に異物が落下した場合に比較
し、スピンナ１１の高速回転による遠心力を受けやす
く、異物はスピンナ１１の高速回転後すぐにマスク基板
１４上から外方へ飛び出すこととなるので、異物の影響
も最小限にすることができる。
にホトレジスト液１３が付着しこれらの乾燥により生ず
ると考えられる異物が落下することがあるが、この場合
マスク基板１４の回転中心からずれて落下するため、マ
スク基板１４の回転中心に異物が落下した場合に比較
し、スピンナ１１の高速回転による遠心力を受けやす
く、異物はスピンナ１１の高速回転後すぐにマスク基板
１４上から外方へ飛び出すこととなるので、異物の影響
も最小限にすることができる。
【００２２】尚、上記実施の形態１ではノズルを複数備
える例を示したがこれに限られることはなく各ノズルの
配置位置を固定してよければ、例えば１つの環状の管に
複数の穴を開けた簡単な構造のものとしても上記実施の
形態１と同様に塗布することができることは言うまでも
なく、さらには１つの管にてホトレジスト液の制御を行
うため、ホトレジスト液の制御が行いやすくなる。又、
上記実施の形態１では複数のノズルを同一円周上に備え
る例を示したがこれに限られることはなく、例えば径の
異なる２つの円周上に複数のノズルを備え、マスク基板
１４の回転の中心を２重に取り囲むように形成すれば、
大口径のマスク基板に対してはより有効的となる。又、
上記実施の形態１ではマスク基板上の一部にホトレジス
ト液を滴下するようにしたが、これに限られることはな
く、例えばマスク基板上全面にホトレジスト液が滴下す
るようにし、遠心塗布にて滴下時のムラのみ修正するよ
うにしてもよい。
える例を示したがこれに限られることはなく各ノズルの
配置位置を固定してよければ、例えば１つの環状の管に
複数の穴を開けた簡単な構造のものとしても上記実施の
形態１と同様に塗布することができることは言うまでも
なく、さらには１つの管にてホトレジスト液の制御を行
うため、ホトレジスト液の制御が行いやすくなる。又、
上記実施の形態１では複数のノズルを同一円周上に備え
る例を示したがこれに限られることはなく、例えば径の
異なる２つの円周上に複数のノズルを備え、マスク基板
１４の回転の中心を２重に取り囲むように形成すれば、
大口径のマスク基板に対してはより有効的となる。又、
上記実施の形態１ではマスク基板上の一部にホトレジス
ト液を滴下するようにしたが、これに限られることはな
く、例えばマスク基板上全面にホトレジスト液が滴下す
るようにし、遠心塗布にて滴下時のムラのみ修正するよ
うにしてもよい。
【００２３】実施の形態２．図４はこの発明の実施の形
態２におけるスピンナ塗布装置の構成を示す図である。
図において、実施の形態１と同様にスピンナ１５は図示
しないモータの回転軸１６に連結されている。スピンナ
１５上には回転機構としての傾斜板１７を介してマスク
基板１８が載置されている。この傾斜板１７はスピンナ
１５と着脱可能であり、着装時にはスピンナ１５と同様
にマスク基板１８を水平に保持しながら回転し、脱装時
にはスピンナ１５上にて傾き角度θに応じてマスク基板
１８を傾けながら、回転中心軸Ｏ3を回転させかつ回転
中心軸Ｏ3をすりこぎ状に傾動回転させる回転機構を有
している。この回転機構としては例えばネジ式、磁界式
などのものが考えられる（図示省略）。
態２におけるスピンナ塗布装置の構成を示す図である。
図において、実施の形態１と同様にスピンナ１５は図示
しないモータの回転軸１６に連結されている。スピンナ
１５上には回転機構としての傾斜板１７を介してマスク
基板１８が載置されている。この傾斜板１７はスピンナ
１５と着脱可能であり、着装時にはスピンナ１５と同様
にマスク基板１８を水平に保持しながら回転し、脱装時
にはスピンナ１５上にて傾き角度θに応じてマスク基板
１８を傾けながら、回転中心軸Ｏ3を回転させかつ回転
中心軸Ｏ3をすりこぎ状に傾動回転させる回転機構を有
している。この回転機構としては例えばネジ式、磁界式
などのものが考えられる（図示省略）。
【００２４】次に上記のように構成された実施の形態２
のスピンナ塗布装置を使用したスピンナ塗布方法につい
て説明する。まず、図４（ａ）に示すように傾斜板１７
をスピンナ１５に着装した状態にて、上記実施の形態１
と同様の方法を用いて複数のノズルからマスク基板１８
上にホトレジスト液を滴下し、スピンナ１５とともに回
転軸線Ｏ2を中心としてマスク基板１８を回転させ、ホ
トレジスト液を遠心塗布し、マスク基板１８上に均一に
塗布する。この時点では、マスク基板１８上のホトレジ
スト液は有機溶剤が蒸発し、流動性はほとんどない。
のスピンナ塗布装置を使用したスピンナ塗布方法につい
て説明する。まず、図４（ａ）に示すように傾斜板１７
をスピンナ１５に着装した状態にて、上記実施の形態１
と同様の方法を用いて複数のノズルからマスク基板１８
上にホトレジスト液を滴下し、スピンナ１５とともに回
転軸線Ｏ2を中心としてマスク基板１８を回転させ、ホ
トレジスト液を遠心塗布し、マスク基板１８上に均一に
塗布する。この時点では、マスク基板１８上のホトレジ
スト液は有機溶剤が蒸発し、流動性はほとんどない。
【００２５】次に、図４（ｂ）に示すように傾斜板１７
をスピンナ１５から脱装した状態にする。この際、スピ
ンナ１５上では傾斜板１７の傾き角度θに依存してマス
ク基板１８も傾斜している。そして、マスク基板１８を
スピンナ１５上で傾斜板１７の傾き角度θに依存して傾
け、マスク基板１８を上記遠心塗布時の回転中心軸Ｏ3
を中心に回転させかつ回転中心軸Ｏ3をすりこぎ状に傾
動回転させる。このことにより、マスク基板１８上では
何れの位置にも遠心力が生じやすく、マスク基板１８上
のホトレジスト液上の異物を除去することができる。
をスピンナ１５から脱装した状態にする。この際、スピ
ンナ１５上では傾斜板１７の傾き角度θに依存してマス
ク基板１８も傾斜している。そして、マスク基板１８を
スピンナ１５上で傾斜板１７の傾き角度θに依存して傾
け、マスク基板１８を上記遠心塗布時の回転中心軸Ｏ3
を中心に回転させかつ回転中心軸Ｏ3をすりこぎ状に傾
動回転させる。このことにより、マスク基板１８上では
何れの位置にも遠心力が生じやすく、マスク基板１８上
のホトレジスト液上の異物を除去することができる。
【００２６】上記のように構成された実施の形態２のス
ピンナ塗布装置は、マスク基板１８上にホトレジスト液
を塗布した後、マスク基板１８を回転中心軸Ｏ3を中心
に回転させかつ回転中心軸Ｏ3をすりこぎ状に傾動回転
させることにより、マスク基板１８をその塗布面を水平
と傾斜した状態で回転させているのでホトレジスト液上
に付着した異物を遠心力により確実に除去することがで
きる。尚、上記回転により異物除去を行っているため、
上記マスクの基板１８上の全ての位置に同様の力がかか
るので、マスク基板１８上のホトレジスト液が動くこと
はない。
ピンナ塗布装置は、マスク基板１８上にホトレジスト液
を塗布した後、マスク基板１８を回転中心軸Ｏ3を中心
に回転させかつ回転中心軸Ｏ3をすりこぎ状に傾動回転
させることにより、マスク基板１８をその塗布面を水平
と傾斜した状態で回転させているのでホトレジスト液上
に付着した異物を遠心力により確実に除去することがで
きる。尚、上記回転により異物除去を行っているため、
上記マスクの基板１８上の全ての位置に同様の力がかか
るので、マスク基板１８上のホトレジスト液が動くこと
はない。
【００２７】上記実施の形態２では傾斜板１７の傾き角
度θについて特に示さなかったが、３０゜〜６０゜の範
囲にて行うようにすればよい。このことは角度が小さす
ぎても大きすぎてもマスク基板１８の中心部が受ける遠
心力が小さくなるからである。
度θについて特に示さなかったが、３０゜〜６０゜の範
囲にて行うようにすればよい。このことは角度が小さす
ぎても大きすぎてもマスク基板１８の中心部が受ける遠
心力が小さくなるからである。
【００２８】又、上記実施の形態２では上記実施の形態
１と同様のホトレジスト液の塗布を行った後に用いた例
を示したがこれに限られることはなく、従来の方法にて
ホトレジスト液の塗布を行った後用いるようにすれば、
マスク基板のホトレジスト液上の異物を除去することが
できることは言うまでもない。
１と同様のホトレジスト液の塗布を行った後に用いた例
を示したがこれに限られることはなく、従来の方法にて
ホトレジスト液の塗布を行った後用いるようにすれば、
マスク基板のホトレジスト液上の異物を除去することが
できることは言うまでもない。
【００２９】上記各実施の形態ではマスク基板上にホト
レジスト液を塗布する場合について示したが、これに限
られることはなく、スピンナを利用して塗布する場合に
は何れの場合についても同様に行うことができる。
レジスト液を塗布する場合について示したが、これに限
られることはなく、スピンナを利用して塗布する場合に
は何れの場合についても同様に行うことができる。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば、塗布物の滴下は、滴下された塗布物が被塗布物の
回転の中心に至る範囲でスピンナ回転中心軸から離れた
円周上の複数の箇所から行うので、被塗布物上、径の大
きな範囲に塗布物を短時間で形成できるため塗布ムラの
ない回転塗布を行うことができるスピンナ塗布方法を提
供することが可能である。
れば、塗布物の滴下は、滴下された塗布物が被塗布物の
回転の中心に至る範囲でスピンナ回転中心軸から離れた
円周上の複数の箇所から行うので、被塗布物上、径の大
きな範囲に塗布物を短時間で形成できるため塗布ムラの
ない回転塗布を行うことができるスピンナ塗布方法を提
供することが可能である。
【００３１】又、この発明の請求項２によれば、請求項
１において、スピンナの中心から離れた同一円周上に等
間隔にて成る８ヶ所以上から塗布物を滴下するので、被
塗布物の滴下制御が行いやすくなり、塗布ムラのない回
転塗布を容易に行うことができるスピンナ塗布方法を提
供することが可能である。
１において、スピンナの中心から離れた同一円周上に等
間隔にて成る８ヶ所以上から塗布物を滴下するので、被
塗布物の滴下制御が行いやすくなり、塗布ムラのない回
転塗布を容易に行うことができるスピンナ塗布方法を提
供することが可能である。
【００３２】又、この発明の請求項３によれば、スピン
ナ上に水平に載置した被塗布物上に塗布物を滴下し、ス
ピンナの垂直な回転軸を中心に被塗布物を回転させるこ
とにより塗布物を遠心塗布した後、被塗布物をその遠心
塗布時の回転中心軸を中心に回転させかつ回転中心軸を
すりこぎ状に傾動回転させることにより、被塗布物をそ
の塗布面が水平と傾斜した状態で回転させるようにした
ので、塗布物上の異物が被塗布物上の何れの位置に存在
しても遠心力により除去できるスピンナ塗布方法を提供
することが可能である。
ナ上に水平に載置した被塗布物上に塗布物を滴下し、ス
ピンナの垂直な回転軸を中心に被塗布物を回転させるこ
とにより塗布物を遠心塗布した後、被塗布物をその遠心
塗布時の回転中心軸を中心に回転させかつ回転中心軸を
すりこぎ状に傾動回転させることにより、被塗布物をそ
の塗布面が水平と傾斜した状態で回転させるようにした
ので、塗布物上の異物が被塗布物上の何れの位置に存在
しても遠心力により除去できるスピンナ塗布方法を提供
することが可能である。
【００３３】又、この発明の請求項４によれば、請求項
３において、被塗布物の水平に対する傾き角度を３０゜
以上６０゜以下としたので、塗布物上の異物を確実に除
去できるスピンナ塗布方法を提供することが可能であ
る。
３において、被塗布物の水平に対する傾き角度を３０゜
以上６０゜以下としたので、塗布物上の異物を確実に除
去できるスピンナ塗布方法を提供することが可能であ
る。
【００３４】又、この発明の請求項５によれば、被塗布
物を載置して被塗布物を回転するスピンナと、スピンナ
の回転軸から離れた円周上の複数箇所に塗布物を滴下す
るノズルとを備えたので、被塗布物上に径の大きな範囲
に塗布物を短時間で容易に滴下することができるスピン
ナ塗布装置を提供することが可能である。
物を載置して被塗布物を回転するスピンナと、スピンナ
の回転軸から離れた円周上の複数箇所に塗布物を滴下す
るノズルとを備えたので、被塗布物上に径の大きな範囲
に塗布物を短時間で容易に滴下することができるスピン
ナ塗布装置を提供することが可能である。
【００３５】又、この発明の請求項６によれば、請求項
５において、ノズルは、環状の管に、等間隔に穴を備え
て成るので、ノズルの構造が簡単に形成することができ
るスピンナ塗布装置を提供することが可能である。
５において、ノズルは、環状の管に、等間隔に穴を備え
て成るので、ノズルの構造が簡単に形成することができ
るスピンナ塗布装置を提供することが可能である。
【００３６】又、この発明の請求項７によれば、請求項
５において、ノズルは、円周上に複数個備えられ、各ノ
ズルを被塗布物の半径方向に移動する移動手段を備えた
ので、被塗布物の大きさ、又、塗布物の粘度に応じてノ
ズルの位置を適宜設定することができるスピンナ塗布装
置を提供することが可能である。
５において、ノズルは、円周上に複数個備えられ、各ノ
ズルを被塗布物の半径方向に移動する移動手段を備えた
ので、被塗布物の大きさ、又、塗布物の粘度に応じてノ
ズルの位置を適宜設定することができるスピンナ塗布装
置を提供することが可能である。
【００３７】又、この発明の請求項８によれば、被塗布
物を水平に載置して被塗布物を垂直な回転軸を中心に回
転するスピンナと、被塗布物の上面に塗布物を滴下する
ノズルと、被塗布物の回転中心軸を中心に回転させかつ
回転中心軸をすりこぎ状に傾動回転させ、被塗布物を水
平から傾斜した状態で回転させる回転機構とを備えたの
で、被塗布物上の何れの位置にも遠心力が働くスピンナ
塗布装置を提供することが可能である。
物を水平に載置して被塗布物を垂直な回転軸を中心に回
転するスピンナと、被塗布物の上面に塗布物を滴下する
ノズルと、被塗布物の回転中心軸を中心に回転させかつ
回転中心軸をすりこぎ状に傾動回転させ、被塗布物を水
平から傾斜した状態で回転させる回転機構とを備えたの
で、被塗布物上の何れの位置にも遠心力が働くスピンナ
塗布装置を提供することが可能である。
【図１】 この発明の実施の形態１のスピンナ塗布装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図２】 図１におけるスピンナ塗布装置のマスク基板
と複数のノズルとの位置関係を示す図である。
と複数のノズルとの位置関係を示す図である。
【図３】 図１におけるスピンナ塗布装置のホトレジス
ト液滴下後の状態を示す図である。
ト液滴下後の状態を示す図である。
【図４】 この発明の実施の形態２のスピンナ塗布装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図５】 従来のスピンナ塗布装置の構成を示す図であ
る。
る。
【図６】 図５におけるスピンナ塗布装置のスピンナを
回転させながらホトレジスト液滴下した後の状態を示す
図である。
回転させながらホトレジスト液滴下した後の状態を示す
図である。
１１，１５ スピンナ、１２ａ〜１２ｈ ノズル、１３
ホトレジスト液、１４，１８ マスク基板、１７ 傾
斜板、Ｏ1，Ｏ2 回転軸線、Ｏ3 回転中心軸線。
ホトレジスト液、１４，１８ マスク基板、１７ 傾
斜板、Ｏ1，Ｏ2 回転軸線、Ｏ3 回転中心軸線。
Claims (8)
- 【請求項１】 スピンナ上に載置した被塗布物上に塗布
物を滴下し、上記スピンナとともに上記被塗布物を回転
させ上記塗布物を遠心塗布するスピンナ塗布方法におい
て、上記塗布物の滴下は、滴下された上記塗布物が上記
被塗布物の回転の中心に至る範囲で上記スピンナ回転中
心軸から離れた円周上の複数の箇所から行うことを特徴
とするスピンナ塗布方法。 - 【請求項２】 スピンナの中心から離れた同一円周上に
等間隔にて成る８ヶ所以上から塗布物を滴下することを
特徴とする請求項１記載のスピンナ塗布方法。 - 【請求項３】 スピンナ上に水平に載置した被塗布物上
に塗布物を滴下し、上記スピンナの垂直な回転軸を中心
に上記被塗布物を回転させることにより上記塗布物を遠
心塗布した後、上記被塗布物をその上記遠心塗布時の回
転中心軸を中心に回転させかつ上記回転中心軸をすりこ
ぎ状に傾動回転させることにより、上記被塗布物をその
塗布面が水平と傾斜した状態で回転させるようにしたス
ピンナ塗布方法。 - 【請求項４】 被塗布物の水平に対する傾き角度を３０
゜以上６０゜以下としたことを特徴とする請求項３記載
のスピンナ塗布方法。 - 【請求項５】 被塗布物を載置して上記被塗布物を回転
するスピンナと、上記スピンナの回転軸から離れた円周
上の複数箇所に塗布物を滴下するノズルとを備えたこと
を特徴とするスピンナ塗布装置。 - 【請求項６】 ノズルは、環状の管に、等間隔に穴を備
えて成ることを特徴とする請求項５記載のスピンナ塗布
装置。 - 【請求項７】 ノズルは、円周上に複数個備えられ、上
記各ノズルを被塗布物の半径方向に移動する移動手段を
備えたことを特徴とする請求項５記載のスピンナ塗布装
置。 - 【請求項８】 被塗布物を水平に載置して上記被塗布物
を垂直な回転軸を中心に回転するスピンナと、上記被塗
布物の上面に塗布物を滴下するノズルと、上記被塗布物
の回転中心軸を中心に回転させかつ上記回転中心軸をす
りこぎ状に傾動回転させ、上記被塗布物を水平から傾斜
した状態で回転させる回転機構とを備えたことを特徴と
するスピンナ塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8131989A JPH09319094A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | スピンナ塗布方法およびスピンナ塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8131989A JPH09319094A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | スピンナ塗布方法およびスピンナ塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09319094A true JPH09319094A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15070959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8131989A Pending JPH09319094A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | スピンナ塗布方法およびスピンナ塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09319094A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108433A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007014944A (ja) * | 2005-06-10 | 2007-01-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薬液塗布装置及び薬液塗布方法 |
| JP2007058200A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-03-08 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法 |
| KR101229102B1 (ko) * | 2005-06-10 | 2013-02-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 약액 도포 장치 및 약액 도포 방법 |
-
1996
- 1996-05-27 JP JP8131989A patent/JPH09319094A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108433A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007014944A (ja) * | 2005-06-10 | 2007-01-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薬液塗布装置及び薬液塗布方法 |
| KR101229102B1 (ko) * | 2005-06-10 | 2013-02-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 약액 도포 장치 및 약액 도포 방법 |
| US8722135B2 (en) | 2005-06-10 | 2014-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for discharging chemical solution |
| JP2007058200A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-03-08 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法 |
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