JPH04332139A - 他物品ろう付け用接合面を有する電子構造部品の製造方法 - Google Patents

他物品ろう付け用接合面を有する電子構造部品の製造方法

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JPH04332139A
JPH04332139A JP13041291A JP13041291A JPH04332139A JP H04332139 A JPH04332139 A JP H04332139A JP 13041291 A JP13041291 A JP 13041291A JP 13041291 A JP13041291 A JP 13041291A JP H04332139 A JPH04332139 A JP H04332139A
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JP
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brazing
workpiece
plated
peripheral wall
soldering
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JP13041291A
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Takaharu Miyamoto
隆春 宮本
Fumio Miyagawa
文雄 宮川
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック端子をろう
付けする半導体収納装置周壁等の他物品ろう付け用接合
面を有する電子構造部品の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体チップを収容するキャ
ビティ周壁を高熱伝導性の銅−タングステン合金などで
形成してなる、メタルパッケージと呼ばれる半導体収納
装置がある。
【0003】この装置では、その周壁の一部に、接続線
路を持つセラミック端子をろう付けしている。
【0004】ところで、銅−タングステン合金などから
なる周壁はろう材に濡れにくいので、その周壁にセラミ
ック端子をろう付けする際には、周壁表面にニッケルめ
っき等のめっきを施して、周壁表面をろう材に濡れやす
い状態としている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記め
っきを施した周壁にセラミック端子をろう付けした場合
には、セラミック端子ろう付け用のろう材が、セラミッ
ク端子をろう付けした周壁の接合面以外の、周壁内底面
等に流出して付着した。そして、それらの付着したろう
材が、例えば周壁内底面にボンディングする半導体チッ
プやチップ搭載用のステージ等に種々の悪影響を与えた
。具体的には、半導体チップやステージを周壁内底面に
ボンディングした際に、周壁内底面に付着したろう材で
、チップ底面やステージ底面と周壁内底面との間に隙間
が生じてしまった。そして、半導体チップが発する熱を
周壁を通して半導体収納装置外部に効率良く放散できな
くなったり、半導体チップやステージのボンディング材
にろう材中の銀が混入する等して、ボンディング材の接
合力が低下したりした。
【0006】これは、セラミック端子の接合面以外の周
壁内底面等にもニッケルめっき等のめっきが施されてい
て、それらの底面等がろう材に濡れやすい状態にあるの
で、セラミック端子ろう付け用ろう材が、それらの周壁
内底面等に流出するからである。
【0007】なお、このような難点を解消するために、
上記周壁のセラミック端子ろう付け用接合面のみに部分
めっきを施す方法が考えられる。しかし、近時の半導体
収納装置は益々小型化、高密度化が進んでいて、その周
壁形状も小型精緻化しており、そのような小型精緻化し
た周壁のセラミック端子ろう付け用接合面のみに、部分
めっきを的確に施すことは、多大な困難を伴い、事実上
不可能に近い。
【0008】また、セラミック端子を周壁にろう付けし
た後、周壁内底面等を切削、研磨等して、それらの表面
に流出して付着したろう材を除去する方法も考えられる
。しかし、上記と同様に、小型精緻化した周壁内底面等
を、セラミック端子を傷付けずに切削、研磨等して、そ
れらの表面に流出して付着したろう材を除去することは
、多大な困難を伴い、事実上不可能に近い。
【0009】これらと同様なことは、ろう材に濡れやす
いめっきを施した各種の他物品ろう付け用の接合面を有
するその他の小型精緻化した電子構造部品にも言える。
【0010】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たもので、他物品ろう付け用接合面にろう材に濡れやす
いめっきを施して、それ以外のろう材を付着させたくな
い表面部分にめっきを施していない電子構造部品を容易
かつ的確に形成可能な、他物品ろう付け用接合面を有す
る電子構造部品の製造方法(以下、製造方法という)を
提供しようとするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の製造方法は、電子構造部品形成用のろう材
に濡れにくい被加工部材に1次加工を施して、その被加
工部材に他物品ろう付け用接合面を形成する工程と、そ
の1次加工を施した被加工部材の少なくともろう付け用
接合面にめっきを施して、そのろう付け用接合面をろう
材に濡れやすい状態とする工程と、そのめっきを施した
被加工部材のろう付け用接合面以外の少なくともろう材
を付着させたくない表面部分を形成する被加工部材部分
に2次加工を施して、電子構造部品を形成する工程とを
含むことを特徴としている。
【0012】
【作用】上記工程からなる製造方法においては、1次加
工を施した被加工部材の少なくともろう付け用接合面に
めっきを施した際に、ろう付け用接合面以外の被加工部
材表面にめっきが施された状態となっても、その後に、
そのめっきを施した被加工部材のろう付け用接合面以外
のろう材を付着させたくない表面部分を形成する被加工
部材部分に2次加工を施した際に、そのろう材を付着さ
せたくない表面部分を形成するめっきが施された被加工
部材表面部分を取り除くことができる。そして、他物品
ろう付け用接合面にめっきを施して、それ以外のろう材
を付着させたくない表面部分にめっきを施していない電
子構造部品を容易かつ的確に形成できる。
【0013】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明する
。図1は本発明の製造方法により形成可能な電子構造部
品を用いた半導体収納装置を示し、詳しくはその斜視図
を示している。以下、この図中の半導体収納装置を説明
する。
【0014】図において、10は、ろう材に濡れにくい
高熱伝導性の、銅−タングステン合金、近時開発された
第1、第2、第3モリブデン基合金の何れかで形成した
、半導体チップ収容用のキャビティ60周囲を囲む周壁
である。
【0015】ここで、第1モリブデン基合金とは、ニッ
ケル2〜12重量%、銅1.5〜8重量%を含み、残部
がモリブデンおよび不可避的不純物の組成のモリブデン
基合金を言い、その詳細は特願平2−232792号明
細書に記載されている。
【0016】第2モリブデン基合金とは、ニッケル2〜
12重量%、鉄1.5〜8重量%を含み、残部がモリブ
デンおよび不可避的不純物の組成のモリブデン基合金を
言い、その詳細は特願平2−232791号明細書に記
載されている。
【0017】第3モリブデン基合金とは、ニッケル2〜
12重量%、鉄1.5〜8重量%、タングステン2〜1
2重量%を含み、残部がモリブデンおよび不可避的不純
物の組成のモリブデン基合金を言い、その詳細は特願平
2−232791号明細書に記載されている。
【0018】周壁10は、上端が広く開口した有底の方
形箱体状をしていて、その左右の側壁12a,12bの
内外に、階段面14a,14bをそれぞれ備えている。
【0019】階段面14a,14bを備えた左右の側壁
12a,12b中央部には、凹部16a,16bを設け
ていて、それらの凹部16a,16bに、接続線路32
を備えたセラミック端子30をそれぞれろう付けしてい
る。
【0020】セラミック端子30の接続線路32外端に
は、金属製のリード40を接続している。
【0021】セラミック端子30上端面を含む周壁10
上端面には、シールリング20をろう付けしている。
【0022】図1に示した半導体収納装置は、以上のよ
うに構成していて、この装置では、その周壁10を、本
発明の製造方法を用いて形成可能である。
【0023】以下、この半導体収納装置の周壁10を本
発明の製造方法に従い形成した場合の好適な実施例を説
明する。
【0024】ろう材に濡れにくい、銅−タングステン合
金、第1、第2、第3モリブデン基合金の何れかからな
る周壁10形成用の長方形ブロック状をした被加工部材
Aを用意している。そして、図2に示したように、その
被加工部材Aに1次加工を施して、その被加工部材Aに
セラミック端子ろう付け用接合面50とシールリングろ
う付け用接合面70をそれぞれ形成している。詳しくは
、図2に示したように、エンドミル等を用いて、被加工
部材Aの左右端部中央表面に、盲穴状をした縦長の切欠
き穴52をそれぞれ設けて、それらの切欠き穴52内周
面の一部に、セラミック端子ろう付け用接合面50を形
成している。それと共に、被加工部材A上端面をラッピ
ング等して平滑化し、被加工部材A上端面の一部にシー
ルリングろう付け用接合面70を形成している。
【0025】または、ろう材に濡れにくい、銅−タング
ステン合金、第1、第2、第3モリブデン基合金の何れ
かからなる周壁10形成用の長帯形ブロック状をした被
加工部材Bを用意している。そして、図3に示したよう
に、その被加工部材Bに1次加工を施して、その被加工
部材Bにセラミック端子ろう付け用接合面50とシール
リングろう付け用接合面70をそれぞれ形成している。 詳しくは、図3に示したように、エンドミル等を用いて
、被加工部材Bの表面中央の縦方向に、盲穴状をした縦
長の切欠き穴52や縦長穴54をそれぞれ所定間隔あけ
て複数個並べて設けて、それらの切欠き穴52や縦長穴
54内周面の一部にセラミック端子ろう付け用接合面5
0をそれぞれ形成している。それと共に、被加工部材B
上端面をラッピング等して平滑化し、被加工部材B上端
面の一部にシールリングろう付け用接合面70を形成し
ている。
【0026】次に、それらの1次加工を施した被加工部
材AやBのセラミック端子ろう付け用接合面50とシー
ルリングろう付け用接合面70を含む被加工部材AやB
周囲表面全体に、ニッケルめっき等のめっき(図示せず
)を施して、それらのろう付け用接合面50を含む被加
工部材AやB周囲表面全体を、銀ろう等のろう材に濡れ
やすい状態としている。
【0027】または、セラミック端子ろう付け用接合面
50とシールリングろう付け用接合面70、あるいはそ
れに加えてそれらの周辺の被加工部材AやB上端面とそ
の側面の一部等を除く、被加工部材AやB表面をめっき
付着防止用の樹脂材等からなるマスキング部材(図示せ
ず)で覆った状態で、被加工部材AやB表面にめっき(
図示せず)を施して、それらのろう付け用接合面50,
70、あるいはそれに加えてそれらの周辺の被加工部材
AやB上端面とその側面の一部等に部分めっき(図示せ
ず)を施し、それらのろう付け用接合面50,70、あ
るいはそれに加えてそれらの周辺の被加工部材AやB上
端面とその側面の一部等をろう材に濡れやすい状態とし
ている。そして、被加工部材AやBのセラミック端子ろ
う付け用接合面50とシールリングろう付け用接合面7
0以外の被加工部材A周囲表面に無駄なめっきを施すの
を防いでいる。
【0028】次に、エンドミル等を用いて、上記メッキ
を施した被加工部材AまたはBのろう材を付着させたく
ない表面部分を形成する被加工部材AやB部分に、2次
加工を施している。それと共に、その他の上記めっきを
施した被加工部材AまたはBのセラミック端子ろう付け
用接合面50とシールリングろう付け用接合面70以外
の所定の被加工部材AやB部分にも、必要とする2次加
工を施している。
【0029】具体的には、図2に示した被加工部材Aに
あっては、その被加工部材A上端面中央に、上端が広く
開口した有底の方形状をしたキャビティ60を設けてい
る。それと共に、被加工部材Aの左右端部の内外に、階
段面14a,14bをそれぞれ設けている。
【0030】図3に示した被加工部材Bにあっては、図
中に一点鎖線で示したように、被加工部材Bを、縦長穴
54中途部を横断して、横方向に複数に切断している。 そして、それらの複数に切断した被加工部材B上端面中
央に、上端が広く開口した有底の方形状をしたキャビテ
ィ60をそれぞれ設けている。それと共に、それらの切
断した被加工部材Bの左右端部の内外に、階段面14a
,14bをそれぞれ設けている。
【0031】そして、図4に示したような、上端が広く
開口した有底の方形箱体状をした周壁10であって、そ
の左右側壁12a,12bの内外に階段面14a,14
bをそれぞれ設けると共に、その左右側壁12a,12
b中央に切欠き穴52や縦長穴54の一部からなる凹部
16a,16bをそれぞれ備えた、銅−タングステン合
金、第1、第2、第3モリブデン基合金の何れかからな
る周壁10を形成している。それと共に、凹部16a,
16b内側のセラミック端子ろう付け用接合面50と周
壁10上端面のシールリングろう付け用接合面70にろ
う材に濡れやすいめっき(図の破線でハッチングを施し
た部分)を施して、それ以外のろう材を付着させたくな
い周壁10内底面等にめっきを施していない周壁10を
形成している。
【0032】図2ないし図4に示した周壁10の製造方
法は、以上の工程からなる。
【0033】なお、この周壁10の製造方法においては
、1次加工の際に、被加工部材Aの左右端部に階段面1
4bを設けたり、被加工部材Bの左右端部やその中途部
表面に、切欠き穴52や縦長穴54を横断して、階段面
14b形成用の溝(図示せず)を設けたりして、2次加
工の際に、それらの階段面14bを設ける手数を省いて
も良い。ただし、そうした場合は、それらの階段面14
b表面をマスキング部材で覆わない限り、それらの階段
面14b表面にめっきが施された状態の周壁10が形成
される。
【0034】図5は本発明の製造方法により形成可能な
電子構造部品を用いた他の半導体収納装置を示し、詳し
くはその斜視図を示している。以下、この図中の半導体
収納装置を説明する。
【0035】図において、100は、ろう材に濡れやす
い高熱伝導性の、銅−タングステン合金、前述の第1、
第2、第3モリブデン基合金の何れかで形成した底板で
ある。
【0036】底板100は、平板状をしていて、その上
端面中央に、半導体チップ搭載用の薄板状のステージ1
20を一体に突設している。
【0037】底板100上端面周囲には、ほぼ方形枠体
状をしたセラミック枠体200を、そのセラミック枠体
200内側にステージ120を嵌入した状態で、搭載し
ている。そして、セラミック枠体200下端面に備えた
ろう材に濡れやすいめっき(図示せず)を施したメタラ
イズ層220を介して、セラミック枠体200下端面を
底板100上端面にろう付けしている。そして、底板1
00で、セラミック枠体200底面を気密に封じていて
、セラミック枠体200内側に半導体チップ収容用の有
底のキャビティ600を形成している。
【0038】セラミック枠体200は、その断面が逆T
字状をしていて、その内外周囲に階段面230a,23
0bをそれぞれ備えている。
【0039】セラミック枠体200内外の階段面230
a,230bには、メタライズからなる細帯状の接続線
路300を、セラミック枠体200内部を通して、複数
本連続して並べて備えている。
【0040】セラミック枠体200外側の階段面230
bに備えた接続線路300外端には、細帯状をした金属
製のリード400をろう付けしている。
【0041】セラミック枠体200上端面には、キャッ
プろう付け用のろう材に濡れやすいめっき(図示せず)
を施したメタライズ層240を備えている。
【0042】図5に示した半導体収納装置は、以上のよ
うに構成していて、この装置では、そのステージ120
を一体に突設した底板100を、本発明の製造方法を用
いて形成可能である。
【0043】以下、この半導体収納装置のステージ12
0を一体に突設した底板100を本発明の製造方法に従
い形成した場合の好適な実施例を説明する。
【0044】ろう材に濡れにくい、銅−タングステン合
金、第1、第2、第3モリブデン基合金の何れかからな
る底板形成用の方形ブロック状をした被加工部材Cを用
意している。そして、図6に示したように、その被加工
部材Cに1次加工を施して、その被加工部材C上端面周
囲に、セラミック枠体ろう付け用接合面500を形成し
ている。詳しくは、図6に示したように、エンドミル等
を用いて、被加工部材C上端面周囲に、階段面140を
連続して設けている。そして、被加工部材C上端面中央
に、方形平板状のステージ形成用部材122を残すよう
にしている。
【0045】次に、その1次加工を施した被加工部材C
の階段面140を含む被加工部材C周囲表面全体にニッ
ケルめっき等のめっき(図示せず)を施して、その階段
面140を含む被加工部材C周囲表面全体を、ろう材に
濡れやすい状態としている。
【0046】または、被加工部材Cの階段面140、あ
るいはそれに加えてその周辺の被加工部材C上端面中央
のステージ形成用部材122周囲側面等を除く、被加工
部材C周囲表面をめっき付着防止用のマスキング部材で
覆った状態で、被加工部材C周囲表面にめっきを施して
、階段面140、あるいはそれに加えてその周辺のステ
ージ形成用部材122周囲側面等にめっき(図示せず)
を施し、階段面140、あるいはそれに加えてその周辺
のステージ形成用部材122周囲側面等をろう材に濡れ
やすい状態としている。そして、被加工部材Cのそれ以
外の被加工部材C周囲表面に無駄なめっきを施すのを防
いでいる。
【0047】次に、エンドミル等を用いて、上記めっき
を施した被加工部材Cのろう材を付着させたくない表面
部分を形成するステージ形成用部材122上端面に、切
削等の2次加工を施している。それと共に、その他の上
記めっきを施した被加工部材Cの階段面140以外の被
加工部材C周囲側面やその底面等に、ラッピング等の2
次加工を施している。
【0048】そして、図7に示したような、底板100
上端面周囲に連続する階段面140を設けると共に、底
板100上端面中央に薄板状のステージ120を一体に
突設した、銅−タングステン合金、第1、第2、第3モ
リブデン基合金の何れかからなる底板100を形成して
いる。それと共に、底板100のセラミック枠体ろう付
け用接合面500を構成する階段面140にろう材に濡
れやすいめっき(図の破線でハッチングを施した部分)
を施して、それ以外のろう材を付着させたくないステー
ジ120上端面やその他の底板100周囲側面等にめっ
きを施していない底板100を形成している。
【0049】図6および図7に示した底板100の製造
方法は、以上の工程からなる。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば、セラミック端子、シールリング、セラミック
枠体等の他物品ろう付け用接合面にろう材に濡れやすい
めっきを施して、それ以外のろう材を付着させたくない
表面部分にめっきを施していない、半導体収納装置の周
壁、ステージを一体に突設した底板等の、ろう材に濡れ
にくい被加工部材からなる電子構造部品を、手数を掛け
ずに容易かつ的確に形成可能となる。
【0051】そして、それらのろう付け用接合面にセラ
ミック端子、シールリング、セラミック枠体等の他物品
をろう付けした際に、めっきを施していない被加工部材
の素地が露出している表面部分に漏れ出そうとするろう
材を、そのろう材に濡れにくい被加工部材の素地が露出
している表面部分で、ろう付け用接合面等へとはじき返
すことができる。そして、ろう材が、半導体チップやス
テージをボンディングする周壁内底面、シールリングを
ろう付けする周壁上端面、半導体チップをボンディング
する底板に一体に突設したステージ上端面等に漏れ出し
て付着して、種々の悪影響を与えるのを確実に防止でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の製造方法により形成可能な電子構造部
品を用いた半導体収納装置の斜視図である。
【図2】図1の半導体収納装置の周壁を本発明の製造方
法により形成した場合の製造工程説明図である。
【図3】図1の半導体収納装置の周壁を本発明の製造方
法により形成した場合の製造工程説明図である。
【図4】図1の半導体収納装置の周壁を本発明の製造方
法により形成した場合の製造工程説明図である。
【図5】本発明の製造方法により形成可能な電子構造部
品を用いた半導体収納装置の斜視図である。
【図6】図5の半導体収納装置の周壁を本発明の製造方
法により形成した場合の製造工程説明図である。
【図7】図5の半導体収納装置の周壁を本発明の製造方
法により形成した場合の製造工程説明図である。
【符号の説明】
10  周壁 20  シールリング 30  セラミック端子 40  リード 50  セラミック端子ろう付け用接合面52  切欠
き穴 54  縦長穴 60  キャビティ 70  シールリングろう付け用接合面100  底板 120  ステージ 200  セラミック枠体 300  接続線路 400  リード 500  セラミック枠体ろう付け用接合面600  
キャビティ A  被加工部材 B  被加工部材 C  被加工部材

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  電子構造部品形成用のろう材に濡れに
    くい被加工部材に1次加工を施して、その被加工部材に
    他物品ろう付け用接合面を形成する工程と、その1次加
    工を施した被加工部材の少なくともろう付け用接合面に
    めっきを施して、そのろう付け用接合面をろう材に濡れ
    やすい状態とする工程と、そのめっきを施した被加工部
    材のろう付け用接合面以外の少なくともろう材を付着さ
    せたくない表面部分を形成する被加工部材部分に2次加
    工を施して、電子構造部品を形成する工程とを含むこと
    を特徴とする他物品ろう付け用接合面を有する電子構造
    部品の製造方法。
JP13041291A 1991-05-02 1991-05-02 他物品ろう付け用接合面を有する電子構造部品の製造方法 Pending JPH04332139A (ja)

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