JPH04332425A - 進行波管遅波回路の製造方法 - Google Patents

進行波管遅波回路の製造方法

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JPH04332425A
JPH04332425A JP10294791A JP10294791A JPH04332425A JP H04332425 A JPH04332425 A JP H04332425A JP 10294791 A JP10294791 A JP 10294791A JP 10294791 A JP10294791 A JP 10294791A JP H04332425 A JPH04332425 A JP H04332425A
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JP
Japan
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envelope
helix
spacer
slow
wave circuit
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Pending
Application number
JP10294791A
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English (en)
Inventor
Kokei Matsuura
弘敬 松浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は進行波管遅波回路の製造
方法に関し、特に遅波回路外囲器の内部に誘電体支柱に
保持されたヘリックスを固定する工程を含む進行波管遅
波回路の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ヘリックス型遅波回路を使用する進行波
管は、電子ビームを射出する電子銃,電子ビームと信号
との相互作用により信号を増幅するヘリックス型遅波回
路,増幅作用を終えた電子ビームを捕捉するコレクタ等
から構成されている。
【0003】電子ビームがヘリックスを通過する時、電
子ビームは空間電荷の影響により外側に拡がりヘリック
スに衝突する。ヘリックスに衝突する電子の量が多くな
ると、ヘリックス型遅波回路で信号の増幅に寄与する電
子の数が減少し、進行波管のエネルギー変換効率は低下
する。さらに、電子ビームの衝突によりヘリックスは高
温に加熱され、多量のガスを放出してカソードの劣化を
まねいたり、ヘリックスが溶断して進行波管は動作不能
となる。このような不具合の発生を防止し、終始一定の
径に電子ビームを集束させるために周期磁界集束装置が
用いられる。
【0004】周期磁界集束装置としては、振動,衝撃と
いった外力に対してヘリックスの位置がずれないように
、また、ヘリックスと遅波回路外囲器の間の熱抵抗が小
さくなるようにヘリックス及び誘電対支柱を確実かつ精
密に遅波回路外囲器内に保持する必要がある。
【0005】従来、周期磁界集束装置としては、図4に
示すように、遅波回路外囲器となる非磁性金属の円筒状
外囲器9を刃状治具11により外周側面の120度等配
の三方向から加圧して円筒状外囲器9を略三角形に変形
させ、誘電体支柱3に三方向から支持されたヘリックス
4を挿入した後、圧力を解除することによりヘリックス
を保持する、いわゆるディストーションスクイズ法によ
り製作されたヘリックス型遅波回路の外周に、図5に示
すように、磁性金属製の中心に孔を持つ円盤状のポール
ピース1を複数個嵌合させ、ポールピース1の間に円環
状の永久磁石10を電子ビームと同心円上に配置した構
造のものが知られていた。ディストーションスクイズ法
は、それほど高い部品精度を必要とせず、容易に、かつ
確実にヘリックス4を遅波回路外囲器内に保持すること
ができるため広く用いられていた。
【0006】しかし、進行波管の高周波数大出力化にと
もない、周期磁界集束装置も高い磁束密度が要求される
ようになり、永久磁石10と誘電体支柱3との間に非磁
性金属を介さない構造、即ち、図6に示すような磁性体
金属からなる中心に孔を持つ円盤状のポールピース1と
非磁性金属からなる円筒状のスペーサ2を交互に積み重
ね、ろう付により遅波回路外囲器を製作し、ポールピー
ス1の間に永久磁石10を配置した、いわゆるポールピ
ース一体型遅波回路外囲器をもつ周期磁界集束装置が提
案されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ポールピース一体型遅波回路外囲器では、遅波回路外囲
器にヘリックスを挿入する際にドーナツ板状ポールピー
スを変形させることが困難でありディストーションスク
イズ法を利用できない。このため、まず、ろう付した遅
波回路外囲器の内径をガンドリル等で精密に研削し、次
に、ヘリックス及び誘電体支柱を圧入する方法がとられ
ていたが、この方法では、研削された遅波回路外囲器内
径とヘリックス及び誘電体支柱からなる内部構体外形の
寸法差を数μm以内に抑えなければならず、極めて高い
部品寸法精度が要求される。また、強い力で圧入するた
め誘電体支柱が折れる、あるいは圧入時の位置ずれを防
止するためヘリックスと誘電体支柱とを接着する必要が
あるなどの問題点があった。
【0008】更には、僅かな部品の寸法差でヘリックス
を保持するため保持強度が弱く、ヘリックスの位置がず
れやすい問題点もあった。
【0009】本発明の目的は、高い部品寸法精度を必要
とせず、誘電体支柱の破損やヘリックスの位置ずれかな
く容易に遅波回路外囲器にヘリックスを挿入し固定でき
る進行波管遅波回路の製造方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、中心に孔を有
する円盤状のポールピースと円筒上のスペーサとを交互
に積み重ね接合してなる外囲器の内部に3本の誘電体支
柱に保持されたヘリックスを配置した進行波管遅波回路
の製造方法において、前記外囲器の内部に前記誘電体支
柱に保持されたヘリックスを挿入する工程と、前記外囲
器の一部を構成する前記スペーサの外側面に前記スペー
サより熱膨張係数が小さい金属治具を配置固定する工程
と、該金属治具を配置固定した前記外囲器を加熱する工
程と、加熱した前記外囲器を冷却することにより前記外
囲器の内部に前記誘電体支柱に保持されたヘリックスを
固定する工程とを含む。
【0011】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
【0012】図1(a),(b)は本発明の第1の実施
例を説明する部分断面図である。
【0013】第1の実施例は、まず、第1図(a)に示
すように、外形9mm,内径1.8mmで、径1.8m
mから4.5mmの部分の厚さが1.6mm,径4.5
mmから径9mmの部分の厚さが1mmのT字形の純鉄
製の円盤状のポールピース1と、外径4.5mm,内径
1.8mm,厚さ2.5mmのモネルメタル製の円筒状
のスペーサ2とを、JISBAu−1Vろう板を介して
交互に積み重ね、水素雰囲気中で1020℃に加熱して
ろう付し外囲器を得た。
【0014】次に、図1(b)に示すように、誘電体支
柱3に三方向から支持されたヘリックス4を外囲器の内
部に挿入し、続いて内径4.5mm、外径10mm、厚
さ3mmで、内周の凌に面取りを施し、面取り後の内周
面の軸方向の厚さが2.3mmのモリブデン製の円環を
半割りにした円環状治具5をそれぞれのポールピース1
間のスペーサ2の外周側面に一対づつ配置した。更に、
内径10mm,外径16mmのモリブデン製の円筒を軸
方向に半割りにした円筒状治具6を円環状治具5の外周
側面に全ての円環状治具5を覆うように配置し、その円
筒状治具6の外周の数個所を径0.8mmのモリブデン
線で固縛した。
【0015】こうして組み立てた遅波回路を水素雰囲気
中で800℃に加熱した後室温まで冷却した。この加熱
の際に、スペーサ2の熱膨張率が円環状治具5及び円筒
状治具6より大きい為、スペーサ2は円環状治具5及び
円筒状治具6によって熱膨張を妨げられ、径の中心に向
かって塑性変形し、これを冷却したスペーサ2の内径は
加熱前の内径より小さくなって、誘電体支柱3に支持さ
れたヘリックス4は外囲器の内部にしっかりと固定され
た。なお、以上の説明から分るように、ヘリックス4の
外周に3本の誘電体支柱3を配置した構造物の仮想外径
は、加熱前のスペーサ2の内径より小さく、加熱後のそ
れより大きく選ぶ必要があり、本実施例ではヘリックス
4と誘電体支柱3との構造物の仮想外径を1.785m
mとした。
【0016】図2は本発明の第2の実施例を説明する部
分断面図、図3は本発明の第2の実施例に使用する固定
治具の斜視図である。
【0017】第2の実施例においては、前記第1の実施
例と同様の部品及び製造方法によって遅波回路を作製し
たが、この際に、図2に示すように、第1の実施例にお
けるモリブデン製の円環状治具5及び円筒状治具6を一
体化した治具を用いた。
【0018】即ち、図3に示すように、内径4.5mm
,外径16mmのモリブデン製の円筒を軸方向に半割り
にし、更にポールピース1が入る部分にポールピース1
のピッチで径10mm,幅1.2mmの半円形の溝を設
け、更に、内径4.5mmの内周部それぞれの凌に、内
周部の軸方向の幅が2.3mmになるように面取りを施
した固定治具8を作製し、第1の実施例の円環状治具5
及び円筒状治具6に変えて用いた。
【0019】この方法によれば、治具が高価になるが組
み立てが容易になる為量産に対応できる。更に、固定治
具8の外周を固縛したモリブデン線7に替えて固定治具
8の外側に嵌合するモリブデン製の円筒を用いれば、更
に組み立ては容易になる。
【0020】一方、試作等、極めて作製する遅波回路の
数が少ない場合は、円環状治具5及び円筒状治具6ある
いは固定治具8などを一切用いず、スペーサ2の外周を
直接しっかりとした、例えば、径1mm以上のモリブデ
ン線で固縛することによっても前述の実施例と同じ効果
が得られる。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、円
盤状のポールピースと円筒状のスペーサとを交互に積み
重ねて接合した外囲器の内部に誘電体支柱に保持された
ヘリックスを挿入し、スペーサの外側面に前期スペーサ
より熱膨張係数が小さい金属治具を固定した後に加熱し
てスペーサを内側に塑性変形させ、更に、冷却すること
により、容易に塑性変形したスペーサで外囲器の内部に
前期誘電体支柱に保持されたヘリックスを固定すること
ができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を説明する部分断面図で
ある。
【図2】本発明の第2の実施例を説明する部分断面図で
ある。
【図3】本発明の第2の実施例に使用する固定治具の斜
視図である。
【図4】従来のディストーションスクイズ法によるヘリ
ックスの挿入方法を説明する断面図である。
【図5】従来の遅波回路の一例の部分断面図である。
【図6】従来のポールピース一体型遅波回路の部分断面
図である。
【符号の説明】
1    ポールピース 2    スペーサ 3    誘電体支柱 4    ヘリックス 5    円環状治具 6    円筒状治具 7    モリブデン線 8    固定治具 9    円筒状外囲器 10    永久磁石 11    刃状治具

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  中心に孔を有する円盤状のポールピー
    スと円筒上のスペーサとを交互に積み重ね接合してなる
    外囲器の内部に3本の誘電体支柱に保持されたヘリック
    スを配置した進行波管遅波回路の製造方法において、前
    記外囲器の内部に前記誘電体支柱に保持されたヘリック
    スを挿入する工程と、前記外囲器の一部を構成する前記
    スペーサの外側面に前記スペーサより熱膨張係数が小さ
    い金属治具を配置固定する工程と、該金属治具を配置固
    定した前記外囲器を加熱する工程と、加熱した前記外囲
    器を冷却することにより前記外囲器の内部に前記誘電体
    支柱に保持されたヘリックスを固定する工程とを含むこ
    とを特徴とする進行波管遅波回路の製造方法。
JP10294791A 1991-05-09 1991-05-09 進行波管遅波回路の製造方法 Pending JPH04332425A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100464623C (zh) * 2005-12-05 2009-02-25 南京工业大学 微波管慢波电路粘接装配方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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