JPH04332857A - 酵素センサ - Google Patents

酵素センサ

Info

Publication number
JPH04332857A
JPH04332857A JP13184491A JP13184491A JPH04332857A JP H04332857 A JPH04332857 A JP H04332857A JP 13184491 A JP13184491 A JP 13184491A JP 13184491 A JP13184491 A JP 13184491A JP H04332857 A JPH04332857 A JP H04332857A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
enzyme
thermocouple
substrate
thermoelectric conversion
enzyme sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13184491A
Other languages
English (en)
Inventor
Masashi Komabayashi
正士 駒林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP13184491A priority Critical patent/JPH04332857A/ja
Publication of JPH04332857A publication Critical patent/JPH04332857A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
  • Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は医療計測、発酵計測、環
境計測等の分野において、糖類、尿素、脂質等の化学物
質を選択的に検出する酵素センサ、詳しくはサーモパイ
ルを用いた酵素センサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこのような酵素センサとしては、
例えば酵素上での基質と酵素との反応のエンタルピー変
化(温度変化)を、サーミスタを用いて検出するものが
ある。
【0003】このサーミスタを用いた温度変化検知方式
としては、例えば以下のような3タイプが知られている
。すなわち、固定化生体触媒(酵素)を収容した反応カ
ラムの下流にサーミスタを配置したシングル型、反応カ
ラムの上流および下流にそれぞれサーミスタを配設した
ディファレンシャル型、活性リアクタ(カラム)と参照
リアクタ(カラム)とを並列に配設し、それらのリアク
タの下流にサーミスタをそれぞれ配設したスプリットフ
ロー型が知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の酵素センサは、以下の課題を有していた。
【0005】すなわち、シングル型の温度検知方式では
、酵素を収容するカラムと温度変化を検知するサーミス
タとが別体で構成、配置されていたため、基質との酵素
反応以外にも該サーミスタの周囲の温度変化によっても
その抵抗値が変化する。このため、測定精度が低くなる
という欠点があった。
【0006】一方、ディファレンシャル型の温度検知方
式では、反応カラムの上流および下流に取り付けた2つ
のサーミスタにより、それぞれ温度を変化を検出して、
その検出値によって周囲の温度についての補償を行うも
のである。
【0007】しかしながら、このタイプのサーミスタに
あっては、カラム中での基質の吸着に伴う温度変化(酵
素反応による温度変化以外の温度変化)を補正すること
ができないという課題があった。
【0008】さらに、スプリットフロー型のタイプでは
、熱失活させた固定化酵素を充填した参照用カラムを反
応用カラムと並列に配設し、吸着による温度変化を補正
するようにしているが、装置全体として構成が複雑にな
り、系全体の温度の均一性を保つことが困難になってい
る。
【0009】
【課題解決のための知見】そこで、本願の発明者は、酵
素と基質との反応による温度差を直接測定し、周囲温度
に対する補償を不必要とし、しかも、サーモパイル構造
とすることにより素子を小型化することができる、との
知見を得た。
【0010】また、素子表面の全面に酵素を固定化し、
そのサーモパイル(熱電対パターン)の一端部の上の酵
素のみを熱失活させることによって、吸着に伴う温度変
化もキャンセルすることができる、との知見を得た。
【0011】
【発明の目的】そこで、本発明は、測定精度を高めるこ
とができ、かつ、小型化可能な酵素センサを提供するこ
とを、その目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明に係る酵素センサ
は、絶縁性基板と、この絶縁性基板の表面に配設された
熱電対パターンと、この熱電対パターンの一端部の表面
に被着された酵素担体と、を備えている。
【0013】また、上記熱電対パターンは、その一端側
から他端側に向かって延在するN型半導体からなる第1
の熱電変換物質と、該第1の熱電変換物質に一端側で接
続され、他端側に向かって延在するP型半導体からなる
第2の熱電変換物質と、で構成されている。
【0014】また、上記熱電対パターンは一平面に配設
された構造を有している。
【0015】また、上記熱電対パターンは絶縁膜を介し
て複数層に積層された構造である。
【0016】さらに、上記第1および第2の熱電変換物
質は、FeSi2系化合物である。
【0017】
【作用】本発明によれば、基質が酵素と反応しての温度
上昇と周囲温度との間の温度差を熱電対パターンにより
直接検出することができるため、その周囲温度に対する
補償回路が不必要である。
【0018】また、本発明は、リソグラフィ法を用いる
ことによって、わずかな面積に多数の熱電対を形成する
ことができるため、高感度化を容易に実現することがで
きる。
【0019】また、本発明においては、これらの熱電対
パターンを積層化することにより、より高感度の酵素セ
ンサを得ることができる。
【0020】また、本発明では、熱電対の材質として、
FeSi2系化合物を用いると、これは耐酸化性が高く
、高温でも安定なため、発熱反応に最適な温度で酵素セ
ンサとして動作させることが容易にできる。
【0021】また、このFeSi2系化合物はゼーベッ
ク係数が高いので、より高感度なセンサを構成すること
ができる。
【0022】
【実施例】本発明に係る酵素センサを実施例に基づいて
以下説明する。
【0023】図1および図2は本発明の一実施例を説明
するためのものである。
【0024】これらの図において、ガラス、エポキシ樹
脂等の絶縁性基板11上には、薄膜の熱電対パターン1
2が例えば蒸着、スパッタリングで薄膜を被着しリソグ
ラフィプロセスでパターニングすることにより、被着、
形成されている。
【0025】この熱電対パターン12は、第1の線材1
3と第2の線材14とを交互に直列に接続したもので、
全体として櫛歯状に配設されている。
【0026】この熱電対パターン12は、銅−コンスタ
ンタン、アルメル−クロメルなどの一般的な熱電対材料
で形成してもよいが、FeSi2系化合物で形成するこ
とが望ましい。例えば第1の線材13としてp型FeS
i2を、第2の線材としてn型FeSi2を組合せるも
のとする。あるいは、これらの線材13,14としてB
i、Te、Sb、Pbの単体、若しくは、その化合物の
内から選択した組合せを用いることもできる。
【0027】そして、その配線パターン12における線
材13,14の延在する方向(図1、矢印方向)の両端
側(折り返し部分)において、線材13および14は電
気的に接続されている。
【0028】この薄膜熱電対パターン12の表面全体は
酵素の担体となる厚膜15によって被覆されている。こ
の厚膜担体15は細孔制御セラミックスの粉体、例えば
TiO2、ガラス、SiO2、ZrO2等をスクリーン
印刷等の手段により被着してさらに焼成したものである
【0029】さらに、この厚膜15全体には酵素、例え
ばウレアーゼが固定化されている。例えばガラス15上
に酵素を固定化する場合は、シラノール基をシラン処理
して、次に、アゾ結合をつくって酵素を固定化するもの
である。
【0030】そして、このようにして酵素を固定化した
担体厚膜15の一部、すなわち、熱電対パターン12の
線材13、線材14の一端側の接続部上の担体厚膜15
Aには、例えば所定波長のレーザが照射されてその酵素
が熱失活させられている。
【0031】したがって、この担体厚膜15に被覆され
、酵素が熱失活された配線パターン12の一端側部分は
低温部として、また、その他端側部分は高温部として、
熱電対を構成することとなる。
【0032】なお、これらの熱電対パターン12におい
て線材13,14の両端部は電極部としてそれぞれリー
ド線を介して電圧測定器に接続されている。
【0033】また、このようにして得られたセンサ素子
は、酵素等を変更することによって、検知する基質を選
択することができる。ウレアーゼの場合は検出される基
質は尿素である。
【0034】また、熱電対パターン12の繰り返し数(
線材13,14の接続の数)を増やすことによってその
感度を向上させることができる。
【0035】次に、本実施例に係る酵素センサの製法を
説明する。
【0036】まず、絶縁体基板11としてアルミナ基板
を使用するものとする。そして、この基板11上に所定
パターンのレジストを被着し、さらに、この上から例え
ばスパッタリングによりFeSi2膜13を全面に被着
する。このスパッタリング条件は、Arガス圧を、3×
10−3Torrとし,印加電圧はDC1KVであり、
その膜厚を3μmであった。
【0037】次に、レジストとともにFeSi2膜13
をリフトオフして、上記櫛歯状のパターンを基板11上
に形成する。
【0038】続いて同様の方法でFeSi2膜14から
なる櫛歯上のパターンを形成する。
【0039】次いで、第1の線材13と第2の線材14
とを結晶化させるためにアニールを行い、熱電対パター
ン12を完成させる。例えば、これらの線材をFeSi
2で形成した場合には、600℃で30分間のアニール
を行う。アニールにより熱起電力を高めるものである。
【0040】さらに、この熱電対パターン12を形成す
るFeSi2膜13,14の全面上に例えばスクリーン
印刷により所定の厚さのガラス膜15を被着する。
【0041】このガラス膜15上には例えばシラノール
基をシラン処理し、そして、アゾ結合をつくることによ
りウレアーゼを固定化する。
【0042】そして、このガラス膜15の上面で他端側
部分には例えばレジストを被着する。さらに、このガラ
ス膜表面の一端側部分15Aには所定波長のレーザを照
射してウレアーゼを熱失活させる。この結果、一端側部
分のガラス膜15Aに固定化されたウレアーゼは熱失活
しており、他端側部分のそれは熱失活していないことと
なる。
【0043】このようにして形成されたセンサ素子に対
し、線材13,14の電極部にリード線をハンダ付けす
る。そして、これらリード線を例えば電圧測定器に接続
する。
【0044】なお、上記リソグラフィプロセスを各層毎
に繰り返すことにより、複数層を積層することができる
【0045】したがって、この厚膜15表面が基質(尿
素)を含む媒体にさらされると、失活していない酵素(
ウレアーゼ)によって酵素反応が生じ、尿素は二酸化炭
素とアンモニアに分解される。そして、このとき、所定
の発熱を生じる。この結果、担体厚膜15の他端側部分
の温度が上昇する一方、一端側部分15Aの温度は酵素
反応による温度上昇は生じない。すなわち、この線材1
3,14においてその他端側部分が加熱されて高温にな
り、その一端側部分が低温の状態であると、第1の線材
13と第2の線材14とに熱起電力が発生する。
【0046】そして、これらの熱電対パターン12によ
り生じた熱起電力を電圧測定器によって測定することに
より基質である尿素の濃度を検出することができる。こ
の場合、測定可能な温度差は、例えば10−3〜10−
2Kである。
【0047】また、この酵素サーミスタにあっては、測
定対象の物質を直接測定することができ、周囲の温度等
を補償するための回路等の手段は不必要である。さらに
、上記実施例に示すように、吸着による温度上昇は熱電
対の両端部に同じ程度に作用するため、これは電圧測定
の段階でキャンセルされているものである。
【0048】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る酵素
センサは、周囲温度に対する補償回路(補償素子)が不
必要で、小型化することができ、しかもその高感度化を
実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る酵素センサを示すその
平面図である。
【図2】一実施例に係る酵素センサの縦断面図である。
【符号の説明】
11  絶縁性基板 12  熱電対パターン 13  第1の線材(第1の熱電変換物質)14  第
2の線材(第1の熱電変換物質)15  担体厚膜(酵
素担体)

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  絶縁性基板と、この絶縁性基板の表面
    に配設された熱電対パターンと、この熱電対パターンの
    一端部の表面上に被着された酵素担体と、を備えたこと
    を特徴とする酵素センサ。
  2. 【請求項2】  上記熱電対パターンは、その一端側か
    ら他端側に向かって延在するN型半導体からなる第1の
    熱電変換物質と、この第1の熱電変換物質に一端側で電
    気的に接続され、他端側に向かって延在するP型半導体
    からなる第2の熱電変換物質と、を有する[請求項1]
    に記載の酵素センサ。
  3. 【請求項3】  上記熱電対パターンは一平面に配設さ
    れた構造を有する[請求項1]または[請求項2]に記
    載の酵素センサ。
  4. 【請求項4】  上記熱電対パターンは絶縁膜を介して
    複数層に積層された構造である[請求項1]、[請求項
    2]または[請求項3]に記載の酵素センサ。
  5. 【請求項5】  上記第1の熱電変換物質および第2の
    熱電変換物質は、FeSi2系化合物である[請求項2
    ]、[請求項3]または[請求項4]に記載の酵素セン
    サ。
JP13184491A 1991-05-07 1991-05-07 酵素センサ Pending JPH04332857A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13184491A JPH04332857A (ja) 1991-05-07 1991-05-07 酵素センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13184491A JPH04332857A (ja) 1991-05-07 1991-05-07 酵素センサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04332857A true JPH04332857A (ja) 1992-11-19

Family

ID=15067427

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13184491A Pending JPH04332857A (ja) 1991-05-07 1991-05-07 酵素センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04332857A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001099798A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Yazaki Corp 接触燃焼式ガスセンサ並びにガス検出方法及びその装置
JP2003506703A (ja) * 1999-08-05 2003-02-18 ハネウエル・インコーポレーテッド マイクロセンサハウジング
JP2006090822A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Citizen Watch Co Ltd 熱電式化学センサとその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003506703A (ja) * 1999-08-05 2003-02-18 ハネウエル・インコーポレーテッド マイクロセンサハウジング
JP2001099798A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Yazaki Corp 接触燃焼式ガスセンサ並びにガス検出方法及びその装置
JP2006090822A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Citizen Watch Co Ltd 熱電式化学センサとその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5783154A (en) Sensor for reducing or oxidizing gases
KR101489104B1 (ko) 전기 소자
JPS6323500B2 (ja)
US20090312954A1 (en) Sensor
AU603918B2 (en) Mass air flow sensors
US20240147861A1 (en) Thermoelectric device
US11193904B2 (en) Pixel for analyzing a gaseous analyte
JPH0510901A (ja) 触媒燃焼式ガスセンサ
US20190107502A1 (en) Pixel for Thermal Transport and Electrical Impedance Sensing
US20200096396A1 (en) Gas Sensors
JP4798961B2 (ja) ヒータデバイス及びこれを用いた気体センサ装置
JPH04332857A (ja) 酵素センサ
KR20190139144A (ko) 접촉 연소식 가스 센서 및 그 제조 방법
JP5765609B2 (ja) 電気素子、集積素子、電子回路及び温度較正装置
JPH02260581A (ja) 厚膜熱電素子
KR100896482B1 (ko) 열센서를 이용한 가스센서 및 그 제조 방법
JP4490774B2 (ja) 差動型熱電素子
JP3030337B2 (ja) 極低温用温度計
CN113767270B (zh) 具有高灵敏度的差示量热计
JPS63172948A (ja) ガスセンサ
JP2952379B2 (ja) 感温装置
JPH04235338A (ja) 湿度センサ
JPH03274708A (ja) 感温装置
JPH0750679Y2 (ja) サーモパイル型赤外線センサ
KR20060094664A (ko) 브릿지 구조를 갖는 가스 검지용 단일칩 가스센서 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19990601