JPH04333820A - 二次元表示素子の特性評価装置および二次元表示素子の製造方法 - Google Patents
二次元表示素子の特性評価装置および二次元表示素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH04333820A JPH04333820A JP10559491A JP10559491A JPH04333820A JP H04333820 A JPH04333820 A JP H04333820A JP 10559491 A JP10559491 A JP 10559491A JP 10559491 A JP10559491 A JP 10559491A JP H04333820 A JPH04333820 A JP H04333820A
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- JP
- Japan
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- dimensional display
- display element
- characteristic evaluation
- divided
- liquid crystal
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- Pending
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- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶パネルなどの二
次元表示素子の表示むらなどを測定する場合に適用して
好適な二次元表示素子の特性評価装置に関する。
次元表示素子の表示むらなどを測定する場合に適用して
好適な二次元表示素子の特性評価装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】画像表示素子などとして使用されている
液晶パネルなどの二次元表示素子では、画面上における
輝度、表示色、応答速度などの不均一性によって表示む
らが発生する。そのため、工場出荷段階や電子機器に組
み込む前に、二次元表示素子（以下、二次元表示素子と
して液晶パネルを例示する）の特性評価の検査が実施さ
れ、表示むらのない液晶パネルを使用するようにしてい
る。
液晶パネルなどの二次元表示素子では、画面上における
輝度、表示色、応答速度などの不均一性によって表示む
らが発生する。そのため、工場出荷段階や電子機器に組
み込む前に、二次元表示素子（以下、二次元表示素子と
して液晶パネルを例示する）の特性評価の検査が実施さ
れ、表示むらのない液晶パネルを使用するようにしてい
る。
【０００３】このような特性評価の検査を実施するには
、例えば図３に示すように液晶パネル１０の表示画面Ｓ
を複数例えば９分割し、各分割表示画面Ｓ１〜Ｓ９のう
ち、中央の分割表示画面Ｓ５での測定値を基準にしてそ
の周辺の分割表示領域の測定値がどれだけずれているか
で、その液晶パネル１０の特性を評価するようにしてい
る。測定値とは上述したように輝度レベルや色レベルな
どである。
、例えば図３に示すように液晶パネル１０の表示画面Ｓ
を複数例えば９分割し、各分割表示画面Ｓ１〜Ｓ９のう
ち、中央の分割表示画面Ｓ５での測定値を基準にしてそ
の周辺の分割表示領域の測定値がどれだけずれているか
で、その液晶パネル１０の特性を評価するようにしてい
る。測定値とは上述したように輝度レベルや色レベルな
どである。
【０００４】そのため、分割表示領域Ｓ１〜Ｓ９に表示
領域に対応した受光部（図示しない）を用意し、液晶パ
ネル１０若しくは受光部を相対的に図の矢印で示すよう
に順次ずらしてその分割表示領域ごとに測定値を求める
ようにしている。
領域に対応した受光部（図示しない）を用意し、液晶パ
ネル１０若しくは受光部を相対的に図の矢印で示すよう
に順次ずらしてその分割表示領域ごとに測定値を求める
ようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そのため、測定値検出
作業を各分割表示領域Ｓ１からＳ９まで順次実行しなけ
ればならないので測定時間がかかる他、液晶パネル１０
若しくは受光部の何れかを相対的に所定のピッチで移動
させなければならないので、その移動機構が複雑化する
欠点をもつ。
作業を各分割表示領域Ｓ１からＳ９まで順次実行しなけ
ればならないので測定時間がかかる他、液晶パネル１０
若しくは受光部の何れかを相対的に所定のピッチで移動
させなければならないので、その移動機構が複雑化する
欠点をもつ。
【０００６】そこで、この発明では測定時間の短縮と特
性評価装置の簡略化を図れる二次元表示素子の特性評価
装置を提案するものである。
性評価装置の簡略化を図れる二次元表示素子の特性評価
装置を提案するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、この発明においては、二次元表示素子の画面を仮想
的に複数に分割してそれぞれから得られる特性測定用画
像がレンズ系を介して二次元受光素子に結像され、この
受光素子は分割個数と同じ受光部を有し、それぞれの受
光部から同時に得られる分割数に対応した複数の検出出
力に基づいて二次元表示素子の特性評価が行なわれるよ
うにしたことを特徴とするものである。
め、この発明においては、二次元表示素子の画面を仮想
的に複数に分割してそれぞれから得られる特性測定用画
像がレンズ系を介して二次元受光素子に結像され、この
受光素子は分割個数と同じ受光部を有し、それぞれの受
光部から同時に得られる分割数に対応した複数の検出出
力に基づいて二次元表示素子の特性評価が行なわれるよ
うにしたことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】二次元表示素子として液晶パネル１０を例示す
るならば、この液晶パネル１０の表示画面が９分割され
、それぞれの分割表示画面Ｓ１〜Ｓ９から得られる分割
画像（特性測定用画像）がレンズ系１２を介して受光素
子２０上に結像される。受光素子２０も分割数に対応し
て９分割されているので、分割表示画面Ｓ１〜Ｓ９の分
割画像が対応する受光部ＰＤ１〜ＰＤ９上に結像される
。
るならば、この液晶パネル１０の表示画面が９分割され
、それぞれの分割表示画面Ｓ１〜Ｓ９から得られる分割
画像（特性測定用画像）がレンズ系１２を介して受光素
子２０上に結像される。受光素子２０も分割数に対応し
て９分割されているので、分割表示画面Ｓ１〜Ｓ９の分
割画像が対応する受光部ＰＤ１〜ＰＤ９上に結像される
。
【０００９】したがって、受光部ＰＤ１〜ＰＤ９からは
それぞれの分割画像に対応した検出信号ＰＤａ〜ＰＤｉ
が同時に得られることになる。同時に得られた検出信号
ＰＤａ〜ＰＤｉは特性評価回路３４に供給されて輝度レ
ベルのむらや色レベルのむらなどからその液晶パネル１
０の表示むらの度合が評価される。
それぞれの分割画像に対応した検出信号ＰＤａ〜ＰＤｉ
が同時に得られることになる。同時に得られた検出信号
ＰＤａ〜ＰＤｉは特性評価回路３４に供給されて輝度レ
ベルのむらや色レベルのむらなどからその液晶パネル１
０の表示むらの度合が評価される。
【００１０】これによれば、受光部ＰＤ１〜ＰＤ９から
はそれぞれの分割画像に対応した検出信号ＰＤａ〜ＰＤ
ｉが同時に得られるので、特性評価のための測定時間が
短縮され、また液晶パネル１０などに対する移動機構も
不要になる。
はそれぞれの分割画像に対応した検出信号ＰＤａ〜ＰＤ
ｉが同時に得られるので、特性評価のための測定時間が
短縮され、また液晶パネル１０などに対する移動機構も
不要になる。
【００１１】
【実施例】続いて、この発明に係る二次元表示素子の特
性評価装置の一例を図面を参照して詳細に説明する。
性評価装置の一例を図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】図１はこの発明に係る特性評価装置３０の
うちその光学検出系の要部の一例であって、説明の都合
上二次元表示素子１０としては液晶パネルを示す。この
発明においても図３に示したように表示画面Ｓが仮想的
に９個に分割され、液晶パネル１０を駆動することによ
って特定の測定用の画像が表示される。
うちその光学検出系の要部の一例であって、説明の都合
上二次元表示素子１０としては液晶パネルを示す。この
発明においても図３に示したように表示画面Ｓが仮想的
に９個に分割され、液晶パネル１０を駆動することによ
って特定の測定用の画像が表示される。
【００１３】それぞれの分割表示領域Ｓ１〜Ｓ９から得
られる特性測定用画像つまり分割画像はレンズ系１２を
介して受光素子２０上に結像される。受光素子２０もま
た表示領域の分割数と同じ受光部ＰＤ１〜ＰＤ９を有し
、これら受光部ＰＤ１〜ＰＤ９より分割画像に対応した
検出信号ＰＤａ〜ＰＤｉが同時に出力される。受光素子
２０としてはホトダイオードやＣＣＤなどを使用するこ
とができる。
られる特性測定用画像つまり分割画像はレンズ系１２を
介して受光素子２０上に結像される。受光素子２０もま
た表示領域の分割数と同じ受光部ＰＤ１〜ＰＤ９を有し
、これら受光部ＰＤ１〜ＰＤ９より分割画像に対応した
検出信号ＰＤａ〜ＰＤｉが同時に出力される。受光素子
２０としてはホトダイオードやＣＣＤなどを使用するこ
とができる。
【００１４】受光部ＰＤ１〜ＰＤ９はそれぞれ単一の受
光部として構成してもよければ、複数の画素で１つの受
光部を構成し、その平均値をそれらの検出信号ＰＤａ〜
ＰＤｉとして使用することもできる。本例では検出レベ
ルのＳ／Ｎを高めるため複数の画素で１つの受光部を構
成した場合を示す。
光部として構成してもよければ、複数の画素で１つの受
光部を構成し、その平均値をそれらの検出信号ＰＤａ〜
ＰＤｉとして使用することもできる。本例では検出レベ
ルのＳ／Ｎを高めるため複数の画素で１つの受光部を構
成した場合を示す。
【００１５】受光素子２０から同時に出力された検出信
号ＰＤａ〜ＰＤｉは図２に示すようにそれぞれアンプ３
２ａ〜３２ｉを介して特性評価回路３４に供給されて、
検出信号ＰＤａ〜ＰＤｉに含まれる輝度レベルや色レベ
ルから液晶パネル１０自体の表示むらの度合が一挙に求
められる。したがって、特性評価回路３４はマイクロプ
ロセッサ（ＣＰＵ）などが使用され、ソフト的に特性評
価処理がなされることになる。出力端子３６には特性評
価結果が得られる。
号ＰＤａ〜ＰＤｉは図２に示すようにそれぞれアンプ３
２ａ〜３２ｉを介して特性評価回路３４に供給されて、
検出信号ＰＤａ〜ＰＤｉに含まれる輝度レベルや色レベ
ルから液晶パネル１０自体の表示むらの度合が一挙に求
められる。したがって、特性評価回路３４はマイクロプ
ロセッサ（ＣＰＵ）などが使用され、ソフト的に特性評
価処理がなされることになる。出力端子３６には特性評
価結果が得られる。
【００１６】表示むらを算出する際の基準レベルとして
は予め定められた特定のレベルを使用してもよければ、
検出信号ＰＤａ〜ＰＤｉの平均値をその基準レベルとし
て使用してもよい。
は予め定められた特定のレベルを使用してもよければ、
検出信号ＰＤａ〜ＰＤｉの平均値をその基準レベルとし
て使用してもよい。
【００１７】上述した実施例では二次元表示素子として
液晶パネルを使用したが、プラズマ表示素子などの二次
元表示素子の特性評価にも利用できる。表示画面Ｓの分
割数は９個に限らない。４個、６個あるいは９個以上で
ももちろんよい。分割数が多いほど特性評価の精度が高
くなり、それだけ高品位の二次元表示素子を提供できる
。
液晶パネルを使用したが、プラズマ表示素子などの二次
元表示素子の特性評価にも利用できる。表示画面Ｓの分
割数は９個に限らない。４個、６個あるいは９個以上で
ももちろんよい。分割数が多いほど特性評価の精度が高
くなり、それだけ高品位の二次元表示素子を提供できる
。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る二次元表
示素子の特性評価装置では、二次元表示素子の画面を仮
想的に複数に分割してそれぞれから得られる特性測定画
像をレンズ系を介して二次元受光素子に結像して、分割
個数と同じ受光部から同時に得られる複数の検出出力に
基づいて一挙に二次元表示素子の特性評価を行なうよう
にしたものである。
示素子の特性評価装置では、二次元表示素子の画面を仮
想的に複数に分割してそれぞれから得られる特性測定画
像をレンズ系を介して二次元受光素子に結像して、分割
個数と同じ受光部から同時に得られる複数の検出出力に
基づいて一挙に二次元表示素子の特性評価を行なうよう
にしたものである。
【００１９】これによれば、特性測定画像に関する検出
信号を同時に得ることができるから、特性評価作業を迅
速に行なうことができる。複数の検出信号は同時に出力
されるので、二次元表示素子と受光素子とは何れも固定
して使用できる。そのため、従来のように被測定対象物
である二次元表示素子あるいは受光素子の何れかを相対
的に分割数だけ順次移動させながら検出信号を求めるよ
うな移動機構は全く要らない。その分従来よりも装置を
著しく簡略化できる特徴を有する。
信号を同時に得ることができるから、特性評価作業を迅
速に行なうことができる。複数の検出信号は同時に出力
されるので、二次元表示素子と受光素子とは何れも固定
して使用できる。そのため、従来のように被測定対象物
である二次元表示素子あるいは受光素子の何れかを相対
的に分割数だけ順次移動させながら検出信号を求めるよ
うな移動機構は全く要らない。その分従来よりも装置を
著しく簡略化できる特徴を有する。
【図１】この発明に係る二次元表示素子の特性評価装置
に使用される光学検出系の一例を示す要部の構成図であ
る。
に使用される光学検出系の一例を示す要部の構成図であ
る。
【図２】この発明に係る二次元表示素子の特性評価装置
に使用される回路系の一例を示す要部の系統図である。
に使用される回路系の一例を示す要部の系統図である。
【図３】従来の特性評価作業を説明するための表示画面
の例である。
の例である。
１０ 二次元表示素子（液晶パネル）Ｓ１〜Ｓ９
分割表示領域 １２ レンズ系 ２０ 受光素子 ＰＤ１〜ＰＤ９ 受光部 ＰＤａ〜ＰＤｉ 検出信号 ３４ 特性評価回路
分割表示領域 １２ レンズ系 ２０ 受光素子 ＰＤ１〜ＰＤ９ 受光部 ＰＤａ〜ＰＤｉ 検出信号 ３４ 特性評価回路
Claims (1)
- 【請求項１】 二次元表示素子の画面を仮想的に複数
に分割してそれぞれから得られる特性測定用画像がレン
ズ系を介して二次元受光素子に結像され、この受光素子
は上記分割個数と同じ受光部を有し、それぞれの受光部
から同時に得られる上記分割数に対応した複数の検出出
力に基づいて上記二次元表示素子の特性評価が行なわれ
るようにしたことを特徴とする二次元表示素子の特性評
価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10559491A JPH04333820A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 二次元表示素子の特性評価装置および二次元表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10559491A JPH04333820A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 二次元表示素子の特性評価装置および二次元表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04333820A true JPH04333820A (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=14411830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10559491A Pending JPH04333820A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 二次元表示素子の特性評価装置および二次元表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04333820A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8471365B2 (en) | 2009-09-24 | 2013-06-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device |
| US8581296B2 (en) | 2009-11-11 | 2013-11-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Compound semiconductor device |
| US8828140B2 (en) | 2005-06-23 | 2014-09-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Nitride crystal, nitride crystal substrate, epilayer-containing nitride crystal substrate, semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US8853670B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-10-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | III nitride semiconductor substrate, epitaxial substrate, and semiconductor device |
| US8952494B2 (en) | 2009-09-30 | 2015-02-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group III nitride semiconductor substrate having a sulfide in a surface layer |
-
1991
- 1991-05-10 JP JP10559491A patent/JPH04333820A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8828140B2 (en) | 2005-06-23 | 2014-09-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Nitride crystal, nitride crystal substrate, epilayer-containing nitride crystal substrate, semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US8471365B2 (en) | 2009-09-24 | 2013-06-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device |
| US8853670B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-10-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | III nitride semiconductor substrate, epitaxial substrate, and semiconductor device |
| US8952494B2 (en) | 2009-09-30 | 2015-02-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group III nitride semiconductor substrate having a sulfide in a surface layer |
| US9070828B2 (en) | 2009-09-30 | 2015-06-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | III nitride semiconductor substrate, epitaxial substrate, and semiconductor device |
| US8581296B2 (en) | 2009-11-11 | 2013-11-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Compound semiconductor device |
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