JPH04334057A - 密着型リニアセンサユニット - Google Patents
密着型リニアセンサユニットInfo
- Publication number
- JPH04334057A JPH04334057A JP3104499A JP10449991A JPH04334057A JP H04334057 A JPH04334057 A JP H04334057A JP 3104499 A JP3104499 A JP 3104499A JP 10449991 A JP10449991 A JP 10449991A JP H04334057 A JPH04334057 A JP H04334057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- linear sensor
- package
- center
- hole
- fap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置における
密着型リニアセンサユニットに関するものである。
密着型リニアセンサユニットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、密着型リニアセンサはオフィスオ
ートメーション（以降、ＯＡと略称する。）機器に使用
されるイメージ読み取り用のセンサ（以降、イメージセ
ンサと略称する。）に多数使用されるようになってきて
おり、各種の密着型リニアセンサが使用されている。ま
た、ＯＡ機器の小型化にともないイメージセンサに対す
る小型化の要求も厳しくなってきている。
ートメーション（以降、ＯＡと略称する。）機器に使用
されるイメージ読み取り用のセンサ（以降、イメージセ
ンサと略称する。）に多数使用されるようになってきて
おり、各種の密着型リニアセンサが使用されている。ま
た、ＯＡ機器の小型化にともないイメージセンサに対す
る小型化の要求も厳しくなってきている。
【０００３】従来技術の密着型リニアセンサのパッケー
ジは、図３にその断面図で示すように下面にリニアセン
サ１をマウントしたファイバーアレイプレート２（以降
、ＦＡＰと略称する。）を、リニアセンサ１から信号を
取り出す回路を内蔵したＦＡＰ２より大型の集積回路基
板（以降、ＩＣ基板と略称する。）５の上にマウントし
、ＩＣ基板３と同じ大きさのガラス強化エポキシ樹脂製
（以降、ガラスエポキシと略称する。）の支持基板１０
でＩＣ基板５を支持した密着型リニアセンサユニットを
、ＯＡ機器に取り付けるための樹脂製のユニットケース
１１に封入して作られていた。
ジは、図３にその断面図で示すように下面にリニアセン
サ１をマウントしたファイバーアレイプレート２（以降
、ＦＡＰと略称する。）を、リニアセンサ１から信号を
取り出す回路を内蔵したＦＡＰ２より大型の集積回路基
板（以降、ＩＣ基板と略称する。）５の上にマウントし
、ＩＣ基板３と同じ大きさのガラス強化エポキシ樹脂製
（以降、ガラスエポキシと略称する。）の支持基板１０
でＩＣ基板５を支持した密着型リニアセンサユニットを
、ＯＡ機器に取り付けるための樹脂製のユニットケース
１１に封入して作られていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術の密着型リニアセンサパッケージの場合、ＦＡＰ２よ
り大型の支持基板１０の外側を更にユニットケース１１
で覆うような構造をしており、そのためパッケージの大
きさは幅方向でＦＡＰ２の幅の約３〜４倍となり、ＯＡ
機器に採用するための密着型リニアセンサの小型化の要
求に対して満足させることが不充分であった。
術の密着型リニアセンサパッケージの場合、ＦＡＰ２よ
り大型の支持基板１０の外側を更にユニットケース１１
で覆うような構造をしており、そのためパッケージの大
きさは幅方向でＦＡＰ２の幅の約３〜４倍となり、ＯＡ
機器に採用するための密着型リニアセンサの小型化の要
求に対して満足させることが不充分であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】先に述べた課題を解決す
るために、この発明は、以下に説明する３種類の密着型
リニアセンサのパッケージを提案する。
るために、この発明は、以下に説明する３種類の密着型
リニアセンサのパッケージを提案する。
【０００６】■ＦＡＰと同じ大きさで中央にリニアセン
サを収納可能な貫通孔を設けた樹脂板と、ＦＡＰと同じ
大きさで中央に信号回路を内蔵したＩＣ基板とＦＡＰを
接合したパッケージ。
サを収納可能な貫通孔を設けた樹脂板と、ＦＡＰと同じ
大きさで中央に信号回路を内蔵したＩＣ基板とＦＡＰを
接合したパッケージ。
【０００７】■ＦＡＰと同じ大きさで中央にリニアセン
サを収納可能な穴を設け、穴の中に発光ダイオード（以
降、ＬＥＤと略称する。）を内蔵した樹脂パッケージを
ＦＡＰと接合したパッケージ。
サを収納可能な穴を設け、穴の中に発光ダイオード（以
降、ＬＥＤと略称する。）を内蔵した樹脂パッケージを
ＦＡＰと接合したパッケージ。
【０００８】■ＦＡＰと同じ大きさで中央にリニアセン
サを収納可能な穴を設け、穴の中にＬＥＤを内蔵した射
出成形回路部品パッケージをＦＡＰと接合したパッケー
ジ。
サを収納可能な穴を設け、穴の中にＬＥＤを内蔵した射
出成形回路部品パッケージをＦＡＰと接合したパッケー
ジ。
【０００９】
【作用】この発明では、先に述べたような３種類のパッ
ケージのいずれを採用しても密着型リニアセンサのパッ
ケージの幅をＦＡＰの幅と同じ大きさにすることができ
る。
ケージのいずれを採用しても密着型リニアセンサのパッ
ケージの幅をＦＡＰの幅と同じ大きさにすることができ
る。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１１】図１はこの発明の第一の実施例の密着型リ
ニアセンサパッケージの断面図、図２はこの発明の第二
および再三の実施例の密着型リニアセンサパッケージの
断面図である。
ニアセンサパッケージの断面図、図２はこの発明の第二
および再三の実施例の密着型リニアセンサパッケージの
断面図である。
【００１２】図１に示すようにこの発明の第一の実施例
の密着型リニアセンサパッケージは、リニアセンサ１を
下面中央にマウントされたＦＡＰ２と、ＦＡＰ２と同じ
大きさで、中央にリニアセンサ１を収納可能なように充
分なゆとりを持って貫通孔３を設けたガラスエポキシな
どの樹脂板４と、やはりＦＡＰ２と同じ大きさで、中央
部にリニアセンサ１を駆動し、かつ、信号出力を取り出
す回路を内蔵したＩＣ基板５の３つの部分により構成さ
れ、ＦＡＰ２と樹脂板４とＩＣ基板５を接合することに
よりパッケージが完成する。図には示されていないがこ
の発明の第一の実施例のパッケージには当然のことなが
ら、電源供給、回路駆動、信号出力用のリードあるいは
リードフレームが取り付けられている。
の密着型リニアセンサパッケージは、リニアセンサ１を
下面中央にマウントされたＦＡＰ２と、ＦＡＰ２と同じ
大きさで、中央にリニアセンサ１を収納可能なように充
分なゆとりを持って貫通孔３を設けたガラスエポキシな
どの樹脂板４と、やはりＦＡＰ２と同じ大きさで、中央
部にリニアセンサ１を駆動し、かつ、信号出力を取り出
す回路を内蔵したＩＣ基板５の３つの部分により構成さ
れ、ＦＡＰ２と樹脂板４とＩＣ基板５を接合することに
よりパッケージが完成する。図には示されていないがこ
の発明の第一の実施例のパッケージには当然のことなが
ら、電源供給、回路駆動、信号出力用のリードあるいは
リードフレームが取り付けられている。
【００１３】図２に示すようにこの発明の第二の実施例
の密着型リニアセンサパッケージは、リニアセンサ１を
下面中央にマウントされたＦＡＰ２と、ＦＡＰ２と同じ
大きさで、中央にＬＥＤ８をマウントし、かつ、リニア
センサ１を収納可能なように充分なゆとりを持って穴６
を設けた樹脂パッケージ７により構成され、ＦＡＰ２と
樹脂パッケージ７を接合することによりパッケージが完
成する。この第二の実施例のパッケージでは、イメージ
センサに画像情報を取り込むための照明を、内蔵された
ＬＥＤ８により行うことが可能となるが、ＩＣ基板５が
内蔵されていないため回路駆動、信号出力の外部回路が
必要となる。
の密着型リニアセンサパッケージは、リニアセンサ１を
下面中央にマウントされたＦＡＰ２と、ＦＡＰ２と同じ
大きさで、中央にＬＥＤ８をマウントし、かつ、リニア
センサ１を収納可能なように充分なゆとりを持って穴６
を設けた樹脂パッケージ７により構成され、ＦＡＰ２と
樹脂パッケージ７を接合することによりパッケージが完
成する。この第二の実施例のパッケージでは、イメージ
センサに画像情報を取り込むための照明を、内蔵された
ＬＥＤ８により行うことが可能となるが、ＩＣ基板５が
内蔵されていないため回路駆動、信号出力の外部回路が
必要となる。
【００１４】第三の実施例は、図２に示された第二の実
施例の樹脂パッケージ７に代えて、射出成形回路部品（
電子材料 １９９１年４月号 ７３頁“多機能化進
むＭＩＤ（射出成形回路部品）とその応用”参照）パッ
ケージ７を使用したものが第三の実施例の密着型リニア
センサパッケージである。この第三の実施例の密着型リ
ニアセンサパッケージの場合は、ＭＩＤパッケージ７に
よりＬＥＤ８の点灯はもとより、第一の実施例に示した
ＩＣ基板５に内蔵されている各種の回路を取り込むこと
が可能であり、小型で多機能な密着型リニアセンサを実
現することができる。
施例の樹脂パッケージ７に代えて、射出成形回路部品（
電子材料 １９９１年４月号 ７３頁“多機能化進
むＭＩＤ（射出成形回路部品）とその応用”参照）パッ
ケージ７を使用したものが第三の実施例の密着型リニア
センサパッケージである。この第三の実施例の密着型リ
ニアセンサパッケージの場合は、ＭＩＤパッケージ７に
よりＬＥＤ８の点灯はもとより、第一の実施例に示した
ＩＣ基板５に内蔵されている各種の回路を取り込むこと
が可能であり、小型で多機能な密着型リニアセンサを実
現することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、先に
述べたように３種類のパッケージのいずれを採用しても
密着型リニアセンサのパッケージの幅をＦＡＰの幅と同
じ大きさにすることができ、ＯＡ機器側の小型化の要求
を満たすことが可能となるばかりでなく、部品点数の削
減によるコストダウン効果が得られえる。
述べたように３種類のパッケージのいずれを採用しても
密着型リニアセンサのパッケージの幅をＦＡＰの幅と同
じ大きさにすることができ、ＯＡ機器側の小型化の要求
を満たすことが可能となるばかりでなく、部品点数の削
減によるコストダウン効果が得られえる。
【図１】この発明の第一の実施例の密着型リニアセンサ
パッケージの断面図。
パッケージの断面図。
【図２】この発明の第二および第三の実施例の密着型リ
ニアセンサパッケージの断面図。
ニアセンサパッケージの断面図。
【図３】従来例の密着型リニアセンサパッケージの断面
図である。
図である。
１ リニアセンサ
２ ＦＡＰ
３ 貫通孔
４ 樹脂板
５ ＩＣ基板
６ 穴
７ 樹脂パッケージ（ＭＩＤパッケージ）８
ＬＥＤ
ＬＥＤ
Claims (3)
- 【請求項１】下面中央にリニアセンサをマウントしたフ
ァイバーアレイプレートと、前記ファイバーアレイプレ
ートと同一の大きさで、中央に前記リニアセンサを収納
可能な貫通孔を設けた樹脂板と、前記ファイバーアレイ
プレートと同一の大きさで、中央に前記リニアセンサを
駆動し、かつ、信号出力を取り出す回路を内蔵した集積
回路基板により構成され、該集積回路基板上に前記樹脂
板を接合し、該樹脂板上に前記ファイバーアレイプレー
トを接合したことを特徴とする密着型リニアセンサユニ
ット。 - 【請求項２】下面中央にリニアセンサをマウントしたフ
ァイバーアレイプレートと、前記ファイバーアレイプレ
ートと同一の大きさで、中央に前記リニアセンサを収納
可能な穴を設けた樹脂パッケージと、発光ダイオードア
レイにより構成され、該発光ダイオードアレイを前記穴
の中央にマウントした前記樹脂パッケージに、前記ファ
イバーアレイプレートを接合したことを特徴とする密着
型リニアセンサユニット。 - 【請求項３】下面中央にリニアセンサをマウントしたフ
ァイバーアレイプレートと、前記ファイバーアレイプレ
ートと同一の大きさで、中央に前記リニアセンサを収納
可能な穴を設けた射出成形回路部品パッケージと、発光
ダイオードアレイにより構成され、該発光ダイオードア
レイを前記穴の中央にマウントした前記射出成形回路部
品パッケージに、前記ファイバーアレイプレートを接合
したことを特徴とする密着型リニアセンサユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3104499A JPH04334057A (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 密着型リニアセンサユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3104499A JPH04334057A (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 密着型リニアセンサユニット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04334057A true JPH04334057A (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=14382212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3104499A Pending JPH04334057A (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 密着型リニアセンサユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04334057A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861086A (en) * | 1997-03-10 | 1999-01-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for sputter etch conditioning a ceramic body |
-
1991
- 1991-05-09 JP JP3104499A patent/JPH04334057A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861086A (en) * | 1997-03-10 | 1999-01-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for sputter etch conditioning a ceramic body |
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