JPH04334093A - 多層配線板とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、接着性絶縁層を介し積
層された複数枚の内層用回路板を備える多層配線板とそ
の製造方法に係り、特に、内層用回路板に設けられた銅
箔製の配線層と上記接着性絶縁層との接着不良が防止で
きると共に製造工程途上で適用された適宜処理剤が上記
配線層と接着性絶縁層との界面に残留し難い多層配線板
とその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の多層配線板は、例えば、図４〜
図１０に示すような各工程を経て製造されている。以下
その概略を説明すると、図４に示すように銅箔により形
成された配線層を有する複数枚の内層用回路板ａを外層
用銅箔ａ１と共に接着性絶縁層（プリプレグ）ｂを介し
積層して一体化し、かつ、適宜穿設手段により図５に示
すようなスルーホールｃを穿設（ドリリング）した後、
このスルーホールｃの内壁面を銅箔にて覆うため銅によ
るスルーホールめっき処理を施して図６に示すようなめ
っき層ｄを積層体表面とスルーホールｃ内壁面にそれぞ
れ形成する。

【０００３】次いで、このめっき層ｄの面上にスルーホ
ールｃ周辺の一部と配線層形成部位を除きフォトレジス
ト層ｅをパターン状に形成する（図７参照）と共に、こ
のフォトレジスト層ｅから露出する部位に銅・はんだめ
っき層ｆを形成（図８参照）し、かつ、上記フォトレジ
スト層ｅを除去した後、この銅・はんだめっき層ｆをマ
スクにして図９に示すように上記めっき層ｄ等をエッチ
ングにより除去し、更にこれ等面上にソルダー・レジス
ト層ｇを成膜して図１０に示すような多層配線板ｈを製
造する方法が採られている。

【０００４】ところで、上記複数枚の内層用回路板ａを
接着性絶縁層（プリプレグ）ｂを介して積層する際、内
層用回路板ａに設けられた配線層が表面平滑な銅箔によ
り構成されているため上記接着性絶縁層ｂとの接着強度
が不十分となり配線層と接着性絶縁層ｂとが経時的に剥
離し易い欠点があった。

【０００５】このため、従来においては図１１の（Ａ）
〜（Ｂ）に示すように銅箔より成る配線層ｉの表面を、
例えば、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）が１５〜２５ｇ
／ｌ程度溶解されたアルカリ性亜塩素酸ナトリウム水溶
液等で酸化処理してＣｕＯとＣｕ２　Ｏより成る針状結
晶の酸化膜ｊを形成し、上記配線層ｉの表面を粗面化さ
せて接着性絶縁層ｂとの接着強度の向上を図る方法が採
られている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このような方法を採る
ことで全体的には配線層ｉと接着性絶縁層ｂとの接着強
度の向上が図れる反面、ＣｕＯとＣｕ２　Ｏとで構成さ
れた酸化膜ｊはアルカリ溶液に対し耐性を有するものの
酸には比較的容易に溶解されてしまうため、多層配線板
の製造工程途上において図１２（Ａ）に示すようにスル
ーホールｃの内壁面から露出する積層面が酸性の処理剤
に触れた場合（例えば上述したスルーホールめっき処理
の際、化学銅めっきに対する触媒性を付与するため塩酸
酸性のパラジウム・錫水溶液にて処理するような場合）
、その接触部位の酸化膜ｊが図１２（Ｂ）に示すように
酸により溶解して上記配線層ｉの金属銅が露出され、図
１３に示すようにピンク色のリングｒがスルーホールｃ
の周縁に沿って形成される“ハローイング”と称される
現象が発生することがあった。

【０００７】そして、この現象が発生すると図１４に示
すようにスルーホールｃ内壁面の配線層ｉと接着性絶縁
層ｂとの界面に空隙ｓが形成されてしまうためこれ等間
の接着強度の低下が起こって経時的に剥離し易くなる問
題点があり、かつ、この空隙ｓ内に上記処理剤が残留し
易くなるため多層配線板としての信頼性を著しく低下さ
せる問題点があった。

【０００８】このような技術的背景の下において本発明
者等が上記酸化膜ｊに耐酸性を付与する方法を鋭意研究
したところ、従来法において酸化膜ｊが耐酸性を示さな
い原因は酸により容易に溶解されるＣｕＯが上記酸化膜
ｊ中に多量に存在するためで、このＣｕＯの比率を下げ
比較的耐酸性を有するＣｕ２　Ｏの比率を上げることに
より酸化膜ｊに耐酸性を付与できることを見出し本発明
を完成するに至ったものである。

【０００９】因みに、従来法における酸化膜中のＣｕ２
　ＯのＣｕＯに対する比（Ｃｕ２　Ｏ／ＣｕＯ×１００
）は３０〜４０％程度であり、また、上記ハローイング
の発生量（図１３中、直径０．３５ｍｍのスルーホール
ｃ周縁からの距離Ｌで示されるリングの幅により表示さ
れる）は平均で１３０〜１５０μｍ以上であり数百μｍ
になることもあった。

【００１０】そこで、本発明の課題とするところは、上
記ハローイングの発生量を１００μｍ以下にすることに
より内層用回路板に設けられた銅箔製の配線層と上記接
着性絶縁層との接着不良が防止できると共に製造工程途
上で適用された適宜処理剤が上記配線層と接着性絶縁層
との界面に残留し難い多層配線板とその製造方法を提供
することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】すなわち請求項１に係る
発明は、ＣｕＯとＣｕ２　Ｏの酸化膜が表面に形成され
た銅箔製の配線層を有する内層用回路板が接着性絶縁層
を介し複数積層されて成る多層配線板を前提とし、上記
酸化膜中におけるＣｕ２　Ｏ／ＣｕＯの比率が８０％以
上に設定されていることを特徴とするものであり、他方
、請求項２に係る発明は、ＣｕＯとＣｕ２　Ｏの酸化膜
が表面に形成された銅箔製の配線層を有する内層用回路
板が接着性絶縁層を介し複数積層されて成る多層配線板
を前提とし、上記酸化膜中におけるＣｕ２　Ｏ／ＣｕＯ
の比率が８０％以上でその酸化膜の膜厚が０．４μｍ〜
０．８μｍに設定されていることを特徴とするものであ
る。

【００１２】また、請求項３に係る発明は、銅箔により
形成された配線層を有する内層用回路板の上記配線層を
酸化処理してその表面にＣｕＯとＣｕ２　Ｏからなる酸
化膜を形成し、かつ、酸化処理されたこれ等複数枚の内
層用回路板を接着性絶縁層を介し積層して多層配線板を
製造する方法を前提とし、酸化膜中におけるＣｕ２　Ｏ
／ＣｕＯの比率が８０％以上となる条件で上記酸化処理
を施すことを特徴とするものであり、他方、請求項４に
係る発明は、銅箔により形成された配線層を有する内層
用回路板の上記配線層を酸化処理してその表面にＣｕＯ
とＣｕ２　Ｏからなる酸化膜を形成し、かつ、酸化処理
されたこれ等複数枚の内層用回路板を接着性絶縁層を介
し積層して多層配線板を製造する方法を前提とし、酸化
膜中におけるＣｕ２　Ｏ／ＣｕＯの比率が８０％以上で
その酸化膜の膜厚が０．４μｍ〜０．８μｍとなる条件
で上記酸化処理を施すことを特徴とするものである。

【００１３】このような技術的手段において上記配線層
を酸化処理するための処理液としては、従来同様、アル
カリ性亜塩素酸ナトリウム水溶液やアルカリ性過硫酸カ
リ水溶液等がそのまま適用でき、また、その処理方法も
従来同様、予め脱脂処理された内層用回路板を上記処理
液に浸漬することによって行われる。

【００１４】この場合、酸化膜中におけるＣｕ２　Ｏ／
ＣｕＯの比率が８０％以上になるようにその処理温度を
従来の９０〜９５℃からこれより低い７０〜８５℃程度
に、また、処理時間を従来の４分３０秒からこれより短
い時間に設定することが望ましい。また、上記アルカリ
性亜塩素酸ナトリウム水溶液やアルカリ性過硫酸カリ水
溶液のアルカリ濃度を従来より高く設定することにより
簡単に達成することができる。

【００１５】尚、この様な条件で酸化処理を施した場合
にＣｕ２　Ｏ／ＣｕＯの比率が８０％以上となる理由に
ついては未だ十分に解明されてないが、上記条件に設定
すると『Ｃｕ２　Ｏ→ＣｕＯ』の反応が抑制されＣｕＯ
の比率が下がることに起因しているものと推察している
。

【００１６】また、２段階処理により上記Ｃｕ２　Ｏの
比率をより高めた酸化膜を形成してもよい。すなわち、
アルカリ性亜塩素酸ナトリウム水溶液やアルカリ性過硫
酸カリ水溶液等のアルカリ性酸化処理液で１回目の酸化
処理を施して銅箔表面にＣｕ２　ＯとＣｕＯの酸化膜を
形成する。この場合、Ｃｕ２　Ｏの結晶は酸化膜の表面
側から内側へ成長する傾向があるのに対しＣｕＯの結晶
は酸化膜の内側から表面側へ成長する傾向があるため、
酸化膜の表面側はＣｕＯの結晶で覆われ酸化膜の内側に
Ｃｕ２　Ｏの結晶が多く存在する傾向にある。従って、
この酸化膜表面をエッチング処理してその表面側に多量
に存在するＣｕＯ結晶を除去することにより酸化膜中の
Ｃｕ２　Ｏの比率を高めることができる。次に、１回目
のアルカリ性酸化処理液よりそのアルカリ濃度が高いア
ルカリ性酸化処理液で２回目の酸化処理を施すことによ
り酸化膜中のＣｕ２　Ｏの比率を更に高めることが可能
となる。尚、最初の酸化処理と２回目の酸化処理とを共
にアルカリ濃度の高いアルカリ性酸化処理液で行っても
も当然のことながらよい。また、１回目の酸化処理で形
成した酸化膜のエッチング条件としてはこの酸化膜を溶
解しうる酸性溶液、例えば、希硫酸等のオキソ酸、希塩
酸に代表される塩基酸、ハロゲン化水素酸、アンモニア
水等が適用できる。また、このエッチングの処理時間は
その酸化膜の厚さが０．２μｍ前後、好ましくは０．１
５〜０．２０μｍ程度残るまで、例えば、十数秒ないし
３０秒間程度とする。

【００１７】次に、上記酸化膜の膜厚については特に制
限はなく、従来同様、１．０μｍ前後の適宜値に設定可
能である。但し、この膜厚が大きくなると膜端部の露出
面積も大きくなり酸性の処理剤に触れた場合のサイドエ
ッチを受け易くなるため、好ましくは薄く設定した方が
よい。請求項２及び４に係る発明はこの様な観点からな
されたもので、酸化膜の膜厚を０．４μｍ〜０．８μｍ
程度に設定することで上記サイドエッチを受け難くなり
ハローイング現象が更に抑制される利点を有している。

【００１８】尚、上述の酸化処理がなされた内層用回路
板を積層した後における多層配線板の製造工程は任意で
あり、例えば、上述した従来法と同様な工程を経て製造
してもよいし他の工程を経てもよい。また、適用される
内層用回路板については、その一面側にのみ配線層を有
するものでもあるいは両面側にそれぞれ配線層を有する
ものでもよく任意である。

【００１９】

【作用】請求項１に係る発明によれば、配線層の表面に
形成された酸化膜中におけるＣｕ２　Ｏ／ＣｕＯの比率
が８０％以上に設定されており、また、請求項３に係る
発明によれば、酸化膜中におけるＣｕ２　Ｏ／ＣｕＯの
比率が８０％以上となる条件で配線層の酸化処理を施し
ていることから、耐酸性の大きいＣｕ２　Ｏの割合が増
大する分その酸化膜の耐酸性が向上するため、多層配線
板の製造工程途上において適宜酸処理を施しても上記配
線層の酸化膜が溶解され難くなり、配線層の金属銅が部
分的に露出するハローイング現象を抑制することが可能
になる。

【００２０】他方、請求項２に係る発明によれば、配線
層の表面に形成された酸化膜中におけるＣｕ２　Ｏ／Ｃ
ｕＯの比率が８０％でその酸化膜の膜厚が０．４μｍ〜
０．８μｍに設定されており、また、請求項４に係る発
明によれば、酸化膜中におけるＣｕ２　Ｏ／ＣｕＯの比
率が８０％以上でその酸化膜の膜厚が従来法における膜
厚より小さな０．４μｍ〜０．８μｍとなる条件で酸化
処理を施していることから、酸化膜の耐酸性が向上しし
かも酸化膜の膜厚も薄くサイドエッチが起り難いため、
多層配線板の製造工程途上において適宜酸処理を施して
も上記配線層の酸化膜が更に溶解され難くなり、配線層
の金属銅が部分的に露出するハローイング現象をより確
実に抑制することが可能になる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。

【００２２】［実施例１］まず、表裏両面に銅箔が貼着
されたガラス・エポキシ銅貼積層板（３４０ｍｍ×５１
０ｍｍ×１．６ｍｍ）を用い、従来同様、フォトエッチ
ング処理により上記銅箔をパターニングして内層用回路
板を製造した。

【００２３】次に、ニュウトラル・クリーン６８（商標
、シップレー社製）の２５％溶液を用い６０℃の条件で
上記内層用回路板の両面側に形成された銅箔製の配線層
を脱脂処理し、かつ、水洗した後、エッチ（Ｅｔｃｈ）
７４６（商標、シップレー社製）を１５％及びＨ２　Ｏ
２　を１０％含む処理液を用いて６０秒間のソフトエッ
チング処理を施しかつ水洗し、更に、硫酸を主成分とす
る固形酸（４４ｇ／ｌ）を用いて酸洗しかつ水洗した。

【００２４】この様に前処理された内層用回路板の配線
層を以下の条件で酸化処理し図１に示すように配線層１
の表面にＣｕ２　ＯとＣｕＯから成る酸化膜２を形成し
た。

【００２５】 　　　　酸化処理液の組成：Ｎａ３　ＰＯ４　・１２Ｈ
２　Ｏ　　　　１７ｇ／ｌ　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　ＮａＯＨ　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　３１ｇ／ｌ　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　ＮａＣｌＯ２　　　　　　　　　
　　　　　　　　４３ｇ／ｌ　　　　　　　　　　処理
液温度：８５℃　　　　　　　　　　　　処理時間：４
分尚、図１中、２１はＣｕＯを主成分とする酸化膜を、
また、２２はＣｕ２　Ｏを主成分とする酸化膜をそれぞ
れ示している。

【００２６】また、上記酸化膜２の膜厚はオージェ分光
分析により１．０μｍであることがまたＣｕ２　Ｏ／Ｃ
ｕＯの比率は薄膜用Ｘ線回析装置により８０％であるこ
とが確認された。

【００２７】次いで、上記酸化膜２が形成された内層用
回路板を乾燥させた後、複数枚の内層用回路板を外層用
銅箔とともに接着性絶縁層を介して重合し、加熱加圧し
て多層配線板を製造した。

【００２８】そして、従来と同様にこの多層配線板をド
リルにより孔開け加工して直径０．３５ｍｍのスルーホ
ールを形成し、かつ、従来同様酸洗等を行った後、スル
ーホールめっき処理（無電解銅めっき・パネルめっき）
を施してスルーホール内壁面と多層配線板表面に２０μ
ｍの銅めっき層を形成し、更に、水洗、酸洗等の常套処
理を施し、かつ、従来同様のフォトレジスト層形成処理
、２０μｍの電解銅めっき処理、エッチング処理、ソル
ダー・レジスト層形成処理等を経て多層配線板を製造し
た。

【００２９】この様にして求められた多層配線板のハロ
ーイング発生量について測定したところ、図２に示すよ
うにピンクリングの幅Ｌの値は約８０μｍで従来法に較
べて極めて低減され、従って、本発明を適用したことに
より配線層と接着性絶縁層との接着強度が強固でかつ配
線層と接着性絶縁層との界面に適宜処理剤が残留し難い
多層配線板が求められることが確認できた。

【００３０】［実施例２］以下に示す条件で酸化処理を
行った以外は実施例１と略同一である。

【００３１】 　　　　酸化処理液の組成：Ｎａ３　ＰＯ４　・１２Ｈ
２　Ｏ　　　　１７ｇ／ｌ　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　ＮａＯＨ　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　３１ｇ／ｌ　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　ＮａＣｌＯ２　　　　　　　　　
　　　　　　　　４３ｇ／ｌ　　　　　　　　　　処理
液温度：８０℃　　　　　　　　　　　　処理時間：４
分尚、上記酸化膜２の膜厚はオージェ分光分析により０
．６μｍであることがまたＣｕ２　Ｏ／ＣｕＯの比率は
薄膜用Ｘ線回析装置により１４０％であることが確認さ
れた。

【００３２】そして、この様にして求められた多層配線
板のハローイング発生量について測定したところ、ピン
クリングの幅Ｌの値は約７０μｍ以下であり従来法に較
べて極めて低減され、かつ、実施例１よりも良好である
ことが確認できた。

【００３３】［実施例３］以下の条件で酸化処理を２段
階で行った以外は実施例１と略同一である。

【００３４】 （第一段階） 　　　　酸化処理液の組成：Ｎａ３　ＰＯ４　・１２Ｈ
２　Ｏ　　　　１７ｇ／ｌ　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　ＮａＯＨ　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　２１ｇ／ｌ　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　ＮａＣｌＯ２　　　　　　　　　
　　　　　　　　４３ｇ／ｌ　　　　　　　　　　処理
液温度：９０℃　　　　　　　　　　　　処理時間：４
分３０秒上記条件で酸化処理を施し図３（Ａ）に示すよ
うに配線層１の表面にＣｕ２ＯとＣｕＯから成る厚さ１
．０μｍの酸化膜２を形成しかつ水洗した。

【００３５】次に、この酸化処理された内層用回路板を
１０％のＨ２　ＳＯ４　水溶液に２０〜３０秒間浸漬し
、図３（Ｂ）に示すように上記酸化膜２の厚さが０．２
μｍになるまでエッチング処理し、かつ、水洗した。

【００３６】次いで、以下に示す条件で第二段階の酸化
処理を施し、図３（Ｃ）に示すような酸化膜２０を形成
しかつ水洗した。

【００３７】 （第二段階） 　　　　酸化処理液の組成：Ｎａ３　ＰＯ４　・１２Ｈ
２　Ｏ　　　　１７ｇ／ｌ　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　ＮａＯＨ　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　３１ｇ／ｌ　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　ＮａＣｌＯ２　　　　　　　　　
　　　　　　　　４３ｇ／ｌ　　　　　　　　　　処理
液温度：８０℃　　　　　　　　　　　　処理時間：４
分尚、上記酸化膜２０の膜厚はオージェ分光分析により
０．６μｍであることがまたＣｕ２　Ｏ／ＣｕＯの比率
は薄膜用Ｘ線回析装置により１５０％であることが確認
された。

【００３８】そして、この様にして求められた多層配線
板のハローイング発生量について測定したところ、ピン
クリングの幅Ｌの値は約６０μｍ以下であり実施例２と
同様に良好であることが確認できた。

【００３９】［比較例］以下に示す条件で酸化処理を行
った以外は実施例１と略同一である。

【００４０】 　　　　酸化処理液の組成：Ｎａ３　ＰＯ４　・１２Ｈ
２　Ｏ　　　　１７ｇ／ｌ　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　ＮａＯＨ　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　２１ｇ／ｌ　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　ＮａＣｌＯ２　　　　　　　　　
　　　　　　　　４３ｇ／ｌ　　　　　　　　　　処理
液温度：９５℃　　　　　　　　　　　　処理時間：４
分３０秒尚、上記酸化膜２の膜厚はオージェ分光分析に
より１．０μｍであることがまたＣｕ２　Ｏ／ＣｕＯの
比率は薄膜用Ｘ線回析装置により３３％であることが確
認された。

【００４１】そして、この比較例に係る多層配線板のハ
ローイング発生量について測定したところ、ピンクリン
グの幅Ｌの値は約１４０μｍであり上記実施例１〜３の
多層配線板と較べ極めて劣っていることが確認できた。

【００４２】

【発明の効果】請求項１及び３に係る発明によれば、耐
酸性の大きいＣｕ２Ｏの割合が増大する分その酸化膜の
耐酸性が向上するため、多層配線板の製造工程途上にお
いて適宜酸処理を施しても配線層の酸化膜が溶解され難
くなり配線層の金属銅が部分的に露出するハローイング
現象を抑制することが可能になる。

【００４３】他方、請求項２及び４に係る発明によれば
、酸化膜の耐酸性が向上ししかも酸化膜の膜厚も薄くサ
イドエッチが起り難いため、多層配線板の製造工程途上
において適宜酸処理を施しても上記配線層の酸化膜が更
に溶解され難くなり配線層の金属銅が部分的に露出する
ハローイング現象をより確実に抑制することが可能にな
る。

【００４４】従って、上記配線層と接着性絶縁層との接
着不良が防止できると共に配線層と接着性絶縁層との界
面に上記酸処理剤等が残留し難くなるため多層配線板と
しての信頼性を著しく向上できる効果を有している。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例に係る内層用回路板の一部拡大断面図。

【図２】実施例に係る多層配線板の一部拡大斜視図。

【図３】図３（Ａ）〜（Ｃ）は２回の酸化処理により酸
化膜を形成する工程説明図。

【図４】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。

【図５】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。

【図６】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。

【図７】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。

【図８】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。

【図９】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。

【図１０】製造された従来の多層配線板の概略斜視図。

【図１１】図１１（Ａ）〜（Ｂ）は従来の配線層表面を
酸化処理する工程説明図。

【図１２】図１２（Ａ）〜（Ｂ）はスルーホール形成後
における従来の多層配線板の一部拡大断面図。

【図１３】スルーホール形成後における従来の多層配線
板の一部拡大斜視図。

【図１４】図１３のＷ−Ｗ面の部分断面図。

【符号の説明】

１　　　　配線層 ２　　　　酸化膜

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　ＣｕＯとＣｕ２　Ｏの酸化膜が表面に
   形成された銅箔製の配線層を有する内層用回路板が接着
   性絶縁層を介し複数積層されて成る多層配線板において
   、上記酸化膜中におけるＣｕ２　Ｏ／ＣｕＯの比率が８
   ０％以上に設定されていることを特徴とする多層配線板
   。
2. 【請求項２】　　ＣｕＯとＣｕ２　Ｏの酸化膜が表面に
   形成された銅箔製の配線層を有する内層用回路板が接着
   性絶縁層を介し複数積層されて成る多層配線板において
   、上記酸化膜中におけるＣｕ２　Ｏ／ＣｕＯの比率が８
   ０％以上でその酸化膜の膜厚が０．４μｍ〜０．８μｍ
   に設定されていることを特徴とする多層配線板。
3. 【請求項３】　　銅箔により形成された配線層を有する
   内層用回路板の上記配線層を酸化処理してその表面にＣ
   ｕＯとＣｕ２　Ｏからなる酸化膜を形成し、かつ、酸化
   処理されたこれ等複数枚の内層用回路板を接着性絶縁層
   を介し積層して多層配線板を製造する方法において、酸
   化膜中におけるＣｕ２　Ｏ／ＣｕＯの比率が８０％以上
   となる条件で上記酸化処理を施すことを特徴とする多層
   配線板の製造方法。
4. 【請求項４】　　銅箔により形成された配線層を有する
   内層用回路板の上記配線層を酸化処理してその表面にＣ
   ｕＯとＣｕ２　Ｏからなる酸化膜を形成し、かつ、酸化
   処理されたこれ等複数枚の内層用回路板を接着性絶縁層
   を介し積層して多層配線板を製造する方法において、酸
   化膜中におけるＣｕ２　Ｏ／ＣｕＯの比率が８０％以上
   でその酸化膜の膜厚が０．４μｍ〜０．８μｍとなる条
   件で上記酸化処理を施すことを特徴とする多層配線板の
   製造方法。