JPH04334847A - 高周波電界によるプラズマからのイオン引出し方法 - Google Patents
高周波電界によるプラズマからのイオン引出し方法Info
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- JPH04334847A JPH04334847A JP3107081A JP10708191A JPH04334847A JP H04334847 A JPH04334847 A JP H04334847A JP 3107081 A JP3107081 A JP 3107081A JP 10708191 A JP10708191 A JP 10708191A JP H04334847 A JPH04334847 A JP H04334847A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波電界によるプラズ
マからのイオン引き出しに係り、プラズマを用いたイオ
ン源や、プラズマからイオンを引き出し利用する半導体
製造プロセス、またレ−ザ照射により生成された光電離
プラズマからのイオン引出し方法に関する。
マからのイオン引き出しに係り、プラズマを用いたイオ
ン源や、プラズマからイオンを引き出し利用する半導体
製造プロセス、またレ−ザ照射により生成された光電離
プラズマからのイオン引出し方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術として、プラズマからのイオン
の引出しは、プラズマに静電界を印加して実施していた
。
の引出しは、プラズマに静電界を印加して実施していた
。
【０００３】一方、高周波電界によりプラズマ中に電界
を発生させ、プラズマ中の荷電粒子（電子及びイオン）
を加速する技術が、核融合におけるプラズマ加熱研究で
、種々試みられてきた。その代表的な従来技術として、
プラズマ中のイオンサイクロトロン運動の周波数近くの
高周波電界を印加しイオンの閉じ込め効率を向上する技
術がある（文献名古屋大学プラズマ研究所研究報告、Ｉ
ＰＰＪ−ＲＥＶ−５（１９８９）「高周波閉じ込めとカ
スプ」佐藤照幸・高山一男編、）。
を発生させ、プラズマ中の荷電粒子（電子及びイオン）
を加速する技術が、核融合におけるプラズマ加熱研究で
、種々試みられてきた。その代表的な従来技術として、
プラズマ中のイオンサイクロトロン運動の周波数近くの
高周波電界を印加しイオンの閉じ込め効率を向上する技
術がある（文献名古屋大学プラズマ研究所研究報告、Ｉ
ＰＰＪ−ＲＥＶ−５（１９８９）「高周波閉じ込めとカ
スプ」佐藤照幸・高山一男編、）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし前者の従来技術
では、引出しイオン流束を増加させるためにプラズマの
密度を増加させても、外部電界はプラズマ表面近傍でシ
−ルドされプラズマ内部へ浸透できなくなり、イオン引
き出し効率が改善されない問題があった。また、イオン
引出し効率を向上させるために高電圧を印加するとイオ
ンの運動エネルギ−が大きくなるために、反射等により
電極へのイオン付着率が低下したり、電極の消耗が激し
くなる問題があった。
では、引出しイオン流束を増加させるためにプラズマの
密度を増加させても、外部電界はプラズマ表面近傍でシ
−ルドされプラズマ内部へ浸透できなくなり、イオン引
き出し効率が改善されない問題があった。また、イオン
引出し効率を向上させるために高電圧を印加するとイオ
ンの運動エネルギ−が大きくなるために、反射等により
電極へのイオン付着率が低下したり、電極の消耗が激し
くなる問題があった。
【０００５】後者の従来技術は、イオンをプラズマ内に
閉じ込める様にイオンを加速することを目的として、高
周波電界の周波数や発生方法及び電極構造を決定してお
り、後述の本発明の目的であるイオンの引出しには適用
できない。
閉じ込める様にイオンを加速することを目的として、高
周波電界の周波数や発生方法及び電極構造を決定してお
り、後述の本発明の目的であるイオンの引出しには適用
できない。
【０００６】本発明の目的は、プラズマにより外部より
印加された静電界がシ−ルドされることによってプラズ
マからのイオン引出し効率が低下するのを改善するため
のイオン引出し方法を提供することにある。
印加された静電界がシ−ルドされることによってプラズ
マからのイオン引出し効率が低下するのを改善するため
のイオン引出し方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、高周波電界をプラズマに印加、プラズマ内に電界を
生成させ、イオンをプラズマの外部方向にドリフトさせ
引出す。
に、高周波電界をプラズマに印加、プラズマ内に電界を
生成させ、イオンをプラズマの外部方向にドリフトさせ
引出す。
【０００８】
【作用】高周波電界をプラズマに印加する際に、その周
波数をプラズマが持つ固有の振動の周波数に一致させる
と高周波電界はプラズマ中に浸透し、この電界はイオン
をプラズマの外部に引出すように働く。
波数をプラズマが持つ固有の振動の周波数に一致させる
と高周波電界はプラズマ中に浸透し、この電界はイオン
をプラズマの外部に引出すように働く。
【０００９】特に、プラズマをはさんだ電極で高周波電
界を印加する場合には、プラズマと電極は静電的に結合
し、プラズマ中に静電固有振動を効率良く誘起できる。 この静電固有振動が作る電界は電極面の法線方向であり
、イオンはこの電界で周期的に加速減速しながら電極方
向にドリフトし、プラズマの表面まで導かれる。プラズ
マ表面に導かれたイオンは外部電界でプラズマ外部に引
出すことができる。
界を印加する場合には、プラズマと電極は静電的に結合
し、プラズマ中に静電固有振動を効率良く誘起できる。 この静電固有振動が作る電界は電極面の法線方向であり
、イオンはこの電界で周期的に加速減速しながら電極方
向にドリフトし、プラズマの表面まで導かれる。プラズ
マ表面に導かれたイオンは外部電界でプラズマ外部に引
出すことができる。
【００１０】また、印加する高周波電界の周波数をプラ
ズマパラメ−タ及び電極構造にあわせて適当に選択する
と、プラズマ中に固有振動を発生できるので、プラズマ
中の電界強度を真空中の強度に比べてかなり強くするこ
とができる。ここで、固有振動とはプラズマ中を伝播す
る波で進行方向が互いに逆の２つの波が合成されて作る
定在波型の振動のことである。
ズマパラメ−タ及び電極構造にあわせて適当に選択する
と、プラズマ中に固有振動を発生できるので、プラズマ
中の電界強度を真空中の強度に比べてかなり強くするこ
とができる。ここで、固有振動とはプラズマ中を伝播す
る波で進行方向が互いに逆の２つの波が合成されて作る
定在波型の振動のことである。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。プラズマ１を挾んで１対の平行平板電極２を設置し
、電極面に平行に磁場３を印加しながら、電極に電源４
から高周波電界５を印加してイオンを電極に引出す。
る。プラズマ１を挾んで１対の平行平板電極２を設置し
、電極面に平行に磁場３を印加しながら、電極に電源４
から高周波電界５を印加してイオンを電極に引出す。
【００１２】プラズマ中に浸透する高周波電界の周波数
を以下計算する。高周波電界印加時のプラズマの比誘電
率εｐは εｐ＝１＋εｅ＋εｉ と表わせる。ここで、εｅはプラズマ中の電子による寄
与を示し、εｉはイオンの寄与を示す。ここで、εｐは
複素数であるが、その実数部Ｒｅ（εｐ）がゼロ近傍の
値となる共鳴周波数の時、高周波電界はプラズマ中に浸
透できる。
を以下計算する。高周波電界印加時のプラズマの比誘電
率εｐは εｐ＝１＋εｅ＋εｉ と表わせる。ここで、εｅはプラズマ中の電子による寄
与を示し、εｉはイオンの寄与を示す。ここで、εｐは
複素数であるが、その実数部Ｒｅ（εｐ）がゼロ近傍の
値となる共鳴周波数の時、高周波電界はプラズマ中に浸
透できる。
【００１３】ここで、「電子のラ−マ半径がプラズマの
幅に比べて十分小さく、かつ、イオンのラ−マ半径がプ
ラズマの幅に比べて十分大きいという条件」（条件−１
と呼ぶ。）を満たす様な磁場をプラズマ領域に作ると、
εｐの周波数依存は図２のように変化する。この特性を
計算する際に用いたパラメ−タ−を以下にまとめる。
幅に比べて十分小さく、かつ、イオンのラ−マ半径がプ
ラズマの幅に比べて十分大きいという条件」（条件−１
と呼ぶ。）を満たす様な磁場をプラズマ領域に作ると、
εｐの周波数依存は図２のように変化する。この特性を
計算する際に用いたパラメ−タ−を以下にまとめる。
【００１４】電極間隔；５ｃｍ、
電極長さ；１００ｃｍ、
磁場強度；５０ガウス、
プラズマ密度；５×１０１０／ｃｍ３、イオン温度；０
．５ｅＶ、 電子温度；１ｅＶ 図中で実線は誘電率の実数部を示し、Ｒｅ（εｐ）〜０
となるプラズマの共鳴周波数は４つある。また、図中の
点線は誘電率の虚数部で、この値が大きいとプラズマ中
で高周波電界が電子にエネルギ−を与え、波が減衰して
しまうため、プラズマ中で電界が均一に生成できない可
能性がある。
．５ｅＶ、 電子温度；１ｅＶ 図中で実線は誘電率の実数部を示し、Ｒｅ（εｐ）〜０
となるプラズマの共鳴周波数は４つある。また、図中の
点線は誘電率の虚数部で、この値が大きいとプラズマ中
で高周波電界が電子にエネルギ−を与え、波が減衰して
しまうため、プラズマ中で電界が均一に生成できない可
能性がある。
【００１５】プラズマ中の高周波電界によるイオンのド
リフト速度は周波数に逆比例するため、低周波の高周波
電界ほどイオンの引出し速度が速くなり、引出し時間が
短くなるので、引出し効率は高くなる。よって、図中の
１４４ＭＨｚや２．８ＧＨｚの高い共鳴周波数では、高
周波電界の振動周期が速すぎるためにイオンのドリフト
速度が小さく、引出し効率が低くなる。一方、２７０ｋ
Ｈｚ（ｆ１と呼ぶ）及び５．７ＭＨｚ（ｆ２と呼ぶ）の
共鳴周波数では、前２者に比べ２〜４桁振動数が低くイ
オン引出しに適している。この共鳴周波数ｆ１では誘電
率の虚数部が大きいが、電極間でイオン引出し用の電界
は波長程度の領域にしか存在せず、電子の相互作用距離
が非常に短いので、上述したプラズマ中での高周波電界
の減衰は一般に無視できる。
リフト速度は周波数に逆比例するため、低周波の高周波
電界ほどイオンの引出し速度が速くなり、引出し時間が
短くなるので、引出し効率は高くなる。よって、図中の
１４４ＭＨｚや２．８ＧＨｚの高い共鳴周波数では、高
周波電界の振動周期が速すぎるためにイオンのドリフト
速度が小さく、引出し効率が低くなる。一方、２７０ｋ
Ｈｚ（ｆ１と呼ぶ）及び５．７ＭＨｚ（ｆ２と呼ぶ）の
共鳴周波数では、前２者に比べ２〜４桁振動数が低くイ
オン引出しに適している。この共鳴周波数ｆ１では誘電
率の虚数部が大きいが、電極間でイオン引出し用の電界
は波長程度の領域にしか存在せず、電子の相互作用距離
が非常に短いので、上述したプラズマ中での高周波電界
の減衰は一般に無視できる。
【００１６】共鳴周波数ｆ１及びｆ２は、電極長を長く
すると低周波側にシフトするので、イオン引出し効率向
上の観点から可能な限り長尺型の電極を用いることが望
ましい。また、共鳴周波数ｆ１は電極間隔を大きくした
り、電子温度を低下させることで低周波側にシフトする
。共鳴周波数ｆ２は、磁場強度を条件−１の範囲内で弱
くしたり、電極間隔を狭くすると低周波側にシフトさせ
ることができる。
すると低周波側にシフトするので、イオン引出し効率向
上の観点から可能な限り長尺型の電極を用いることが望
ましい。また、共鳴周波数ｆ１は電極間隔を大きくした
り、電子温度を低下させることで低周波側にシフトする
。共鳴周波数ｆ２は、磁場強度を条件−１の範囲内で弱
くしたり、電極間隔を狭くすると低周波側にシフトさせ
ることができる。
【００１７】プラズマに周波数ｆ１の高周波電界を印加
した場合のプラズマ内の電界強度の空間分布の１例を図
３に示す。高周波電界はプラズマ中心で最大となり、電
極面でゼロとなる固有振動となる。この電界中でイオン
の運動を考えると、図４のようになる。ピ−ク値１００
Ｖ／ｃｍで、時刻ｔ＝０μｓで立ち上がり始める電界が
プラズマ中で発生したとき（図４（ａ））、電極に対し
て垂直方向（ｘ軸方向）のイオンの速度及び位置の時間
変化は図４（ｂ）及び（ｃ）の様になる。ｔ＝０で初速
度０のイオンの速度は、高周波電界と９０°位相が遅れ
るために図４−（ｂ）の様になる。イオンの移動距離は
（ｂ）を積分して得られ、イオンは振動しながらｘ軸方
向にドリフトする。したがって、イオンはプラズマの表
面に導かれ、プラズマ表面から引出される。この計算で
は、プラズマ中に１００Ｖ／ｃｍの一様な電界が存在す
るとイオンは３ｃｍの距離を７μｓで移動できることに
なる。この速度は、静電界がプラズマで完全にシ−ルド
された場合のイオンの速度に比べ約１桁速く、よって高
周波電界によるイオン引出し効率を約１桁向上できるこ
とになる。
した場合のプラズマ内の電界強度の空間分布の１例を図
３に示す。高周波電界はプラズマ中心で最大となり、電
極面でゼロとなる固有振動となる。この電界中でイオン
の運動を考えると、図４のようになる。ピ−ク値１００
Ｖ／ｃｍで、時刻ｔ＝０μｓで立ち上がり始める電界が
プラズマ中で発生したとき（図４（ａ））、電極に対し
て垂直方向（ｘ軸方向）のイオンの速度及び位置の時間
変化は図４（ｂ）及び（ｃ）の様になる。ｔ＝０で初速
度０のイオンの速度は、高周波電界と９０°位相が遅れ
るために図４−（ｂ）の様になる。イオンの移動距離は
（ｂ）を積分して得られ、イオンは振動しながらｘ軸方
向にドリフトする。したがって、イオンはプラズマの表
面に導かれ、プラズマ表面から引出される。この計算で
は、プラズマ中に１００Ｖ／ｃｍの一様な電界が存在す
るとイオンは３ｃｍの距離を７μｓで移動できることに
なる。この速度は、静電界がプラズマで完全にシ−ルド
された場合のイオンの速度に比べ約１桁速く、よって高
周波電界によるイオン引出し効率を約１桁向上できるこ
とになる。
【００１８】以上、磁場が存在する際の高周波電界によ
るイオン引出し法について述べたが、磁場を利用しなく
てもプラズマ中に同様の電界を生成できれば、イオン引
出しは可能である。
るイオン引出し法について述べたが、磁場を利用しなく
てもプラズマ中に同様の電界を生成できれば、イオン引
出しは可能である。
【００１９】また、プラズマに印加する高周波電界の初
期位相を図４に示した値よりπだけずらすと、イオンの
加速方向はｘ軸の負の方向になるので、イオンの引出し
方向を逆にできる。また、プラズマを放電やレ−ザによ
りパルス的に生成するときは、プラズマ生成のタイミン
グと高周波電界の位相を、イオン引出し方向を考えて制
御する必要がある。この時、高周波電界により誘起され
るプラズマ中の電界の形成時間が長くイオン引出し効率
が低くなるときは、あらかじめ低密度のプラズマを生成
してこれに高周波電界を弱く印加してプラズマ内に電界
を浸透させておき、次に高密度プラズマを生成すると同
時に高周波電界の強度をあげて、プラズマ内の電界形成
時間を短縮することが考えられる。
期位相を図４に示した値よりπだけずらすと、イオンの
加速方向はｘ軸の負の方向になるので、イオンの引出し
方向を逆にできる。また、プラズマを放電やレ−ザによ
りパルス的に生成するときは、プラズマ生成のタイミン
グと高周波電界の位相を、イオン引出し方向を考えて制
御する必要がある。この時、高周波電界により誘起され
るプラズマ中の電界の形成時間が長くイオン引出し効率
が低くなるときは、あらかじめ低密度のプラズマを生成
してこれに高周波電界を弱く印加してプラズマ内に電界
を浸透させておき、次に高密度プラズマを生成すると同
時に高周波電界の強度をあげて、プラズマ内の電界形成
時間を短縮することが考えられる。
【００２０】次に本発明の２番目の実施例を図５で説明
する。この実施例では、プラズマからのイオン引出し用
電極２を分割してプラズマをはさむように設置する。位
相調整器８で各電極に印加する高周波電界の位相に差を
つけて、電極に平行方向の高周波電界の波長を制御する
。これにより、電極に平行方向のプラズマ中の電界分布
を制御して、電極にたいするイオン引出し方向、引出し
時間及び引出し効率を制御する。
する。この実施例では、プラズマからのイオン引出し用
電極２を分割してプラズマをはさむように設置する。位
相調整器８で各電極に印加する高周波電界の位相に差を
つけて、電極に平行方向の高周波電界の波長を制御する
。これにより、電極に平行方向のプラズマ中の電界分布
を制御して、電極にたいするイオン引出し方向、引出し
時間及び引出し効率を制御する。
【００２１】イオン引出しに伴って、プラズマの密度、
温度、形状等のプラズマパラメ−タが変化するために、
共鳴周波数がドリフトする可能性がある。この場合には
イオン回収に伴う共鳴周波数の変化に伴って、高周波電
界の周波数を高速で掃引（チャ−ピング）する必要があ
る。この時、周波数の掃引は■イオン電流をモニタ−し
てこれが最大になるように周波数を変化させる帰還制御
型の掃引法■あらかじめイオン引出しにともなった周波
数の変化を予想して、これに対応する周波数変化ができ
るプログラム式任意波形発生器による掃引法が可能であ
る。
温度、形状等のプラズマパラメ−タが変化するために、
共鳴周波数がドリフトする可能性がある。この場合には
イオン回収に伴う共鳴周波数の変化に伴って、高周波電
界の周波数を高速で掃引（チャ−ピング）する必要があ
る。この時、周波数の掃引は■イオン電流をモニタ−し
てこれが最大になるように周波数を変化させる帰還制御
型の掃引法■あらかじめイオン引出しにともなった周波
数の変化を予想して、これに対応する周波数変化ができ
るプログラム式任意波形発生器による掃引法が可能であ
る。
【００２２】高周波電界を有効にプラズマに印加するた
めに、高周波発振器とプラズマとの間にインピ−ダンス
整合器を設置する必要がある。高周波電界の周波数を掃
引するときには、この整合器の同調も高速でチュ−ニン
グする必要がある。インピ−ダンス整合器は、コンデン
サ−とコイルで構成されており、インピ−ダンスの整合
はこれらの値を調整して実施する。イオン引出しの時間
がｍｓ以下のときには、これらの値を変化させるのに機
械的な調整法では難しい。このための方法として、コイ
ルのリアクタンスを高速で制御する方法が考えられる。 これは、磁性体に２つのコイルを巻いた構造をもち、そ
の１つに流す電流を制御して磁性体内の磁束を制御、他
方を整合器用のコイルとして用いる。したがって、整合
器からの高周波電力の反射パワ−をモニタ−して、これ
が最小になるようにコイル１に流す電流を制御すれば、
高速でインピ−ダンスの整合がとれる。インピ−ダンス
整合器調整法には、抵抗回路を整合回路出力に並列につ
け加えることによって整合のＱ値を下げ、共鳴周波数の
変化範囲以上に同調周波数領域を広げる方法もある。
めに、高周波発振器とプラズマとの間にインピ−ダンス
整合器を設置する必要がある。高周波電界の周波数を掃
引するときには、この整合器の同調も高速でチュ−ニン
グする必要がある。インピ−ダンス整合器は、コンデン
サ−とコイルで構成されており、インピ−ダンスの整合
はこれらの値を調整して実施する。イオン引出しの時間
がｍｓ以下のときには、これらの値を変化させるのに機
械的な調整法では難しい。このための方法として、コイ
ルのリアクタンスを高速で制御する方法が考えられる。 これは、磁性体に２つのコイルを巻いた構造をもち、そ
の１つに流す電流を制御して磁性体内の磁束を制御、他
方を整合器用のコイルとして用いる。したがって、整合
器からの高周波電力の反射パワ−をモニタ−して、これ
が最小になるようにコイル１に流す電流を制御すれば、
高速でインピ−ダンスの整合がとれる。インピ−ダンス
整合器調整法には、抵抗回路を整合回路出力に並列につ
け加えることによって整合のＱ値を下げ、共鳴周波数の
変化範囲以上に同調周波数領域を広げる方法もある。
【００２３】３番目の実施例として、静電界に高周波電
界を印加してイオン引出しをする方法を示す。この方法
では、高周波電界でプラズマ内からイオンを引出し、こ
れをプラズマ表面で静電界により追加速して電極に入射
させるため、イオン電流とイオン運動エネルギ−を独立
に制御できる特徴をもつ。このため、プラズマを用いた
物質表面加工や粒子打ち込みが可能となる。また、この
方法で、高周波電界によるイオン引出しができなくなる
までプラズマが低密度になったときに、静電界でイオン
の引出しを続行させることも可能である。
界を印加してイオン引出しをする方法を示す。この方法
では、高周波電界でプラズマ内からイオンを引出し、こ
れをプラズマ表面で静電界により追加速して電極に入射
させるため、イオン電流とイオン運動エネルギ−を独立
に制御できる特徴をもつ。このため、プラズマを用いた
物質表面加工や粒子打ち込みが可能となる。また、この
方法で、高周波電界によるイオン引出しができなくなる
までプラズマが低密度になったときに、静電界でイオン
の引出しを続行させることも可能である。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、静電界印加ではイオン
引出し効率が低下するような高密度プラズマからでも短
時間でイオンをひきだせ、また、引出し時の運動エネル
ギ−も制御可能な手段を提供できる。
引出し効率が低下するような高密度プラズマからでも短
時間でイオンをひきだせ、また、引出し時の運動エネル
ギ−も制御可能な手段を提供できる。
【図１】本発明をイオン回収電極に平行な磁場を利用し
て実施した場合の摸式図を示す。
て実施した場合の摸式図を示す。
【図２】図１に示した装置でプラズマに高周波電界を印
加した時のプラズマの比誘電率の周波数依存を示す。
加した時のプラズマの比誘電率の周波数依存を示す。
【図３】プラズマに共鳴する高周波電界を印加したとき
の、プラズマ中での電界強度の時間変化の摸式図を示す
。
の、プラズマ中での電界強度の時間変化の摸式図を示す
。
【図４】プラズマ中で一様な高周波電界が発生した際の
プラズマイオンの運動の時間変化を摸式的に示す。
プラズマイオンの運動の時間変化を摸式的に示す。
【図５】高周波電極を分割し、各電極に位相の異なる高
周波電界を印加する場合の装置の摸式図を示す。
周波電界を印加する場合の装置の摸式図を示す。
１…プラズマ、２…イオン引出し電極、３…磁場、４…
高周波電源システム、５…高周波電界、６…高周波電源
、７…電力分配器、８…位相調整器、９…整合器、１０
…高周波ケ−ブル。
高周波電源システム、５…高周波電界、６…高周波電源
、７…電力分配器、８…位相調整器、９…整合器、１０
…高周波ケ−ブル。
Claims (11)
- 【請求項１】プラズマからイオンを引出すプロセスにお
いて、プラズマに電界を生成できる高周波電界を印加し
て、イオンをプラズマ外部にドリフトさせ引出すことを
特徴とするイオン引出し方法。 - 【請求項２】請求項１において、プラズマに共鳴しプラ
ズマ中に電界を生成できる周波数の高周波電界を印加す
る際に、磁界を印加することを特徴としたイオン引出し
方法。 - 【請求項３】請求項１または２において、プラズマをは
さんで設置した電極の長さ及び間隔を変えることにより
共鳴周波数を制御することを特徴とするイオン引出し方
法。 - 【請求項４】請求項１または３において、プラズマをは
さんで設置した電極を分割して、各電極に印加する高周
波電界の位相に差を持たせる事を特徴としたイオン引出
し装置。 - 【請求項５】請求項１から４のいずれか１項において、
プラズマの変化による共鳴周波数の変化に同期して高周
波電界周波数を変化させることを特徴としたイオン引出
し方法。 - 【請求項６】請求項１から４のいずれか１項において、
プラズマの変化による共鳴周波数の変化幅以上の同調範
囲を持つ高周波電源回路を用いた事を特徴としたイオン
引出し方法。 - 【請求項７】請求項１から６のいずれか１項において、
静電界に高周波電界を印加したことを特徴としたイオン
引出し方法。 - 【請求項８】請求項１から７のいずれか１項において、
パルス的に高周波電界を印加し、また高周波電界の初期
位相を調整することでイオンの引き出し方向及び時間を
制御する事を特徴としたイオン引出し方法。 - 【請求項９】請求項１から７のいずれか１項において、
パルス的にプラズマを生成し、かつプラズマ生成時の高
周波電界の位相を調整することで、イオンの引き出し方
向を制御する事を特徴とした高周波電界によるイオン引
出し方法。 - 【請求項１０】請求項８または９において、予備的に生
成したプラズマ中に高周波電界を浸透させておき、次に
この中にパルス的に高密度プラズマを生成することで、
プラズマ内の高周波電界立上り時間を短縮することを特
徴としたイオン引出し方法。 - 【請求項１１】請求項１から１０のいずれか１項におい
て、高周波電界の周波数、位相及び電界強度を調整して
、プラズマからの引き出し速度を制御する事を特徴とす
るイオン引き出し方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3107081A JP2915164B2 (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 高周波電界によるプラズマからのイオン引出し方法 |
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| JP3107081A JP2915164B2 (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 高周波電界によるプラズマからのイオン引出し方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04334847A true JPH04334847A (ja) | 1992-11-20 |
| JP2915164B2 JP2915164B2 (ja) | 1999-07-05 |
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ID=14450003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3107081A Expired - Fee Related JP2915164B2 (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 高周波電界によるプラズマからのイオン引出し方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2915164B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024534135A (ja) * | 2021-09-17 | 2024-09-18 | コリア アトミック エナジー リサーチ インスティテュート | 多重パルシングを用いたプラズマ均一度制御システムおよびその制御方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62125626A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-06 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPH03152923A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-06-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | エッチング装置 |
| JPH0415921A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ活性化方法及びその装置 |
| JPH04137530A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法 |
-
1991
- 1991-05-13 JP JP3107081A patent/JP2915164B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH04137530A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2024534135A (ja) * | 2021-09-17 | 2024-09-18 | コリア アトミック エナジー リサーチ インスティテュート | 多重パルシングを用いたプラズマ均一度制御システムおよびその制御方法 |
| US12501535B2 (en) | 2021-09-17 | 2025-12-16 | Korea Atomic Energy Research Institute | Plasma uniformity control system using multi-pulsing and control method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2915164B2 (ja) | 1999-07-05 |
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