JPH04334859A - イオン打込装置のスキャン速度制御法 - Google Patents

イオン打込装置のスキャン速度制御法

Info

Publication number
JPH04334859A
JPH04334859A JP3105515A JP10551591A JPH04334859A JP H04334859 A JPH04334859 A JP H04334859A JP 3105515 A JP3105515 A JP 3105515A JP 10551591 A JP10551591 A JP 10551591A JP H04334859 A JPH04334859 A JP H04334859A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion
ion beam
scanning
implantation
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3105515A
Other languages
English (en)
Inventor
Shizushi Isogai
静志 磯貝
Yukio Nishizawa
西沢 幸雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP3105515A priority Critical patent/JPH04334859A/ja
Publication of JPH04334859A publication Critical patent/JPH04334859A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン打込装置におけ
るイオンビームまたは回転円板のスキャン速度制御方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】イオンを均一に打ち込むためには、イオ
ンビームあるいは回転円板スキャンする速度を、回転中
心からイオンビーム中心位置までの距離の関数として制
御する必要がある。従来、このスキャン速度の制御は、
イオンビーム位置あるいは回転円板位置を検出し、回転
中心からイオンビーム中心位置までの距離に変換し、ス
キャン速度を演算し制御している。打ち込み中は、イオ
ンビーム位置が時々刻々と変化するため、打ち込み中は
常時この演算を行っている。また、イオンビームの中心
位置は、イオン源またはイオンビームラインの条件によ
り変化するためイオンビーム中心ずれの補正演算も合わ
せて行っている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術では
、リアルタイム性に問題があった。すなわち、チャージ
アップ防止やウェハの温度上昇抑制のために、スキャン
速度を上昇させる場合、スキャン速度の演算に時間を要
し、速度の応答性を悪化させ、結果的に均一性の低下を
招く。また、均一性の向上のためには、スキャン速度の
分解能、すなわちビーム位置の検出分解能を向上させる
必要があるが、スキャン速度の演算に要する時間は、こ
の分解能に制限を与える。
【0004】本発明は、スキャン速度のリアルタイム性
の向上を目的としており、ビーム位置の検出分解能を確
保しつつ、スキャン速度の応答性を向上させるスキャン
制御法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、予め回転中心からイオンビーム中心位置までの距離
の関数として、基準となるスキャン速度制御データを記
憶装置内に保存しておき、打ち込み時にはスキャン位置
から基準データを引出し、この基準データに打ち込み条
件やイオンビーム中心位置変化によるずれ分をアナログ
的に補正するものである。
【0006】
【作用】本発明でのスキャン制御法は、イオンビームの
位置を検出するだけでスキャン速度を決定することがで
きるために、スキャン位置の分解能を確保しつつ、スキ
ャン速度の応答性を高めることができ、スキャン速度の
リアルタイム性を向上させることができる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図を用いて説明す
る。
【0008】図1は、実施例の構成図である。回転円板
1の周辺に複数枚のウェハ2が装着されている。回転円
板1は、回転モータ3により高速回転している。更に、
スキャンモータ4により、回転方向と直交する方向に往
復移動している。スキャン速度は、スキャンモータ4に
与えられるスキャン制御信号5によりコントロールされ
ている。イオンビーム6の位置は固定しているため、イ
オンビーム中心位置と回転中心との距離は、回転円板の
位置から導かれる。回転円板位置は、スキャンモータと
連動するアブソリュートエンコーダ7により検出するこ
とができる。イオンビーム中心位置ずれ量は、回転円板
1後方のファラデー8により検出される。イオンビーム
電流量9は、ファラデー8と回転円板1で検出計測され
る。
【0009】一般的にイオン量の均一性を確保するため
のスキャン速度は、数1式で示されるように、イオンビ
ーム中心位置と回転中心との距離Rの関数として与えら
れる。
【0010】
【数1】
【0011】ここでKは、均一性を確保するための定数
であり、回転円板の回転数、ドーズ量、イオンビーム電
流量、ウェハサイズなどの装置条件、打ち込み条件によ
り導かれる定数である。打ち込み中のビーム電流の変動
を考慮すると、数2式のようになる。
【0012】
【数2】
【0013】一方、イオンビーム中心位置のずれ量ΔR
を考慮すると、
【0014】
【数3】
【0015】となる。テイラー展開を用いて近似すると
【0016】
【数4】
【0017】となる。イオンビーム中心位置と回転中心
との距離Rは、回転円板位置としてアブソリュートエン
コーダにより検出される。RとエンコーダデータEとの
間には、数5の関係がある。R0は、エンコーダ基準位
置でのイオンビーム中心位置と回転中心との距離で、r
は、エンコーダ1LSB当りの距離である。
【0018】
【数5】
【0019】これらの式を整理すると、数6式となる。
【0020】
【数6】
【0021】これらの関係式にもとづき、基準となる関
数g(E),g′(E)を記憶装置10,10′(例え
ば、ROM等の記憶素子)に予め保存しておく。打ち込
みを行う場合、先ずドーズ量、ビーム電流などの打ち込
み条件からK1を算出し、増幅器11の増幅度としてセ
ットする。また、ファラデーにて検出された、イオンビ
ーム位置のずれ量ΔRを増幅器12の増幅度としてセッ
トする。そして、円板位置に対応するエンコーダデータ
13を記憶装置10のアドレスとしてセットすると、組
み込まれている関数に従って、基準速度に対応するデー
タ14が出力される。また、イオンビーム位置ずれ量に
よる補正データ15も同様に出力される。これらのデー
タをD/A変換器16,16′を通して加算し、増幅器
11でK1倍し、更に増幅器17によりビーム電流Iを
乗ずる。そして、最後にスキャンモータに与える周波数
に変換するV/F変換器18を通して出力する。
【0022】以上のように、本実施例によれば、打ち込
み中の演算処理がないため、スキャン速度の高速化にも
対応でき、かつスキャン位置検出分解能も確保できるた
め、均一性を向上させるスキャン速度のリアルタイム性
を実現することが出来る。
【0023】上記は、ビーム位置を固定し回転円板をス
キャンさせる、いわゆるメカニカルスキャン方式への適
用例であるが、円板を固定しビームを移動させる、いわ
ゆるビームスキャン方式にも同様に適用しうる。この場
合、ビームの位置検出は、ビームをスキャンするための
磁場電流値となり、スキャン速度は、この磁場電流値の
変化量に対応させることができる。
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、スキャン位置データか
ら直接スキャン速度に対応するデータを導くことが出来
るため、スキャン速度のリアルタイム性の向上が出来、
打ち込み均一性の向上に効果がる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のスキャン速度制御構成図で
ある。
【符号の説明】
1…回転円板、4…スキャンモータ、6…イオンビーム
、7…アブソリュートエンコーダ、8…ファラデー、1
0,10′…記憶装置(予め基準関数が格納されている
)、11,12,17…増幅器、14…基準速度データ
、15…補正データ、18…V/F変換器。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】試料をイオン化し、加速するイオン源部と
    、該イオン源より引き出されたイオンビームから任意の
    イオン種を選択するための質量分離用電磁石と、質量分
    離されたイオン種を照射する被照射物を収納する打込室
    部と、各部を制御する入出力制御装置と、制御データを
    記憶するための記憶装置からなり、被照射物を周辺に装
    着した回転円板を回転させると共に、回転方向と直角方
    向にイオンビームあるいは、回転円板をスキャン移動さ
    せることによりイオン量の均一性を確保しているイオン
    打込装置において、基準となるスキャン速度を予め記憶
    装置内に保存して、打込時は基準からのずれ量のみ補正
    することを特徴とするイオン打込装置のスキャン速度制
    御法。
JP3105515A 1991-05-10 1991-05-10 イオン打込装置のスキャン速度制御法 Pending JPH04334859A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3105515A JPH04334859A (ja) 1991-05-10 1991-05-10 イオン打込装置のスキャン速度制御法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3105515A JPH04334859A (ja) 1991-05-10 1991-05-10 イオン打込装置のスキャン速度制御法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04334859A true JPH04334859A (ja) 1992-11-20

Family

ID=14409740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3105515A Pending JPH04334859A (ja) 1991-05-10 1991-05-10 イオン打込装置のスキャン速度制御法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04334859A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0644573A1 (en) * 1993-09-20 1995-03-22 Eaton Corporation Scan control for ion beam apparatus
WO2005010955A3 (en) * 2003-07-21 2005-08-11 Qc Solutions Inc Method and apparatus for real-time in-situ ion implantation with closed loop control

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0644573A1 (en) * 1993-09-20 1995-03-22 Eaton Corporation Scan control for ion beam apparatus
WO2005010955A3 (en) * 2003-07-21 2005-08-11 Qc Solutions Inc Method and apparatus for real-time in-situ ion implantation with closed loop control
US7160742B2 (en) 2003-07-21 2007-01-09 Qc Solutions, Inc. Methods for integrated implant monitoring

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4494005A (en) Beam scanning control device for ion implantation system
JP2699170B2 (ja) イオンビーム走査方法および装置
JPH07182999A (ja) イオン注入機及びその作動方法
US4680474A (en) Method and apparatus for improved ion dose accuracy
JP3358336B2 (ja) イオン注入装置における注入条件異常検出方法
JPH04334859A (ja) イオン打込装置のスキャン速度制御法
KR910007835B1 (ko) 1차입자 비임 조사장치 및 그의 조사방법
KR20040005988A (ko) 가변 공간 주파수 주사선으로 이온 주입하는 방법 및 장치
JPH0234152B2 (ja)
JP2630165B2 (ja) イオン処理方法
JPS62271339A (ja) イオン打込装置
JPS62177848A (ja) イオン打込制御方法
JPS5911402Y2 (ja) 質量分析計の質量数ピ−クトツプ自動判別設定装置
JP2805812B2 (ja) イオン注入装置
JPS5891638A (ja) 電子ビ−ム露光方法
JPH10283973A (ja) ウエハメカニカルスキャン方法及びイオン注入装置
JPH0696715A (ja) イオン打込装置
JPS5856418A (ja) 電子ビ−ム露光装置
JPS62263631A (ja) 荷電粒子ビ−ム描画装置におけるアライメントの調整方法
JPH0754917Y2 (ja) イオン注入装置
JPH02148554A (ja) イオン注入装置の制御方法
JPS63143735A (ja) イオン打込装置の再打込方法
JPS63141251A (ja) イオン注入装置
JPH0744026B2 (ja) イオン注入装置
JPS6318243B2 (ja)