JPH04335206A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH04335206A JPH04335206A JP13593791A JP13593791A JPH04335206A JP H04335206 A JPH04335206 A JP H04335206A JP 13593791 A JP13593791 A JP 13593791A JP 13593791 A JP13593791 A JP 13593791A JP H04335206 A JPH04335206 A JP H04335206A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は強磁性金属薄膜を有する
磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】近年磁気テープはますます高密度化して
おり、中でもCoを主体としNi等を添加した強磁性金
属薄膜を用いた磁気テープは、飽和磁束密度が大きくし
かも保磁力が高いので、盛んに研究されている。
おり、中でもCoを主体としNi等を添加した強磁性金
属薄膜を用いた磁気テープは、飽和磁束密度が大きくし
かも保磁力が高いので、盛んに研究されている。
【0003】この型の磁気テープは種々の方法で製造さ
れるが、特に優れた方法としては、非磁性基体上に斜め
蒸着法により強磁性金属薄膜を単層膜として形成したり
、2層以上積層して多層構造としたりすることが提案さ
れている。
れるが、特に優れた方法としては、非磁性基体上に斜め
蒸着法により強磁性金属薄膜を単層膜として形成したり
、2層以上積層して多層構造としたりすることが提案さ
れている。
【0004】磁気テープの非磁性基体としては、通常、
ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムが用いら
れている。
ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムが用いら
れている。
【0005】このような樹脂フィルム上に蒸着により磁
性層を形成すると、樹脂フィルムを通して水分や空気が
侵入し、磁性層が腐食して記録・再生時の電磁変換特性
等が劣化する。また、耐久性の点でも不十分である。
性層を形成すると、樹脂フィルムを通して水分や空気が
侵入し、磁性層が腐食して記録・再生時の電磁変換特性
等が劣化する。また、耐久性の点でも不十分である。
【0006】従来、特開昭59−112427号、特開
昭62−137720号、特開昭63−104212号
等にて、各種金属下地層を、樹脂フィルムと磁性層との
間に形成する旨の提案がなされているが、このような下
地層では、成膜エネルギーが低いために、高密度の下地
層が得られず水分や空気等の遮断が不十分で、耐食性や
耐久性は不十分である。
昭62−137720号、特開昭63−104212号
等にて、各種金属下地層を、樹脂フィルムと磁性層との
間に形成する旨の提案がなされているが、このような下
地層では、成膜エネルギーが低いために、高密度の下地
層が得られず水分や空気等の遮断が不十分で、耐食性や
耐久性は不十分である。
【0007】また、Ti下地層は、Co系の磁性層と局
部電池を形成するために、防錆効果が低い。
部電池を形成するために、防錆効果が低い。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的は
、強磁性金属薄膜を磁性層とする磁気記録媒体の磁性層
の発錆を防止し、磁気記録媒体の耐食性と耐久性と電磁
変換特性とを向上させることにある。
、強磁性金属薄膜を磁性層とする磁気記録媒体の磁性層
の発錆を防止し、磁気記録媒体の耐食性と耐久性と電磁
変換特性とを向上させることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(4)の構成によって達成される。 (1)非磁性の樹脂基体上に、下地膜と、強磁性金属薄
膜とを有する磁気記録媒体において、前記下地膜は、金
属酸化物膜を表面層として有する金属膜であることを特
徴とする磁気記録媒体。
(1)〜(4)の構成によって達成される。 (1)非磁性の樹脂基体上に、下地膜と、強磁性金属薄
膜とを有する磁気記録媒体において、前記下地膜は、金
属酸化物膜を表面層として有する金属膜であることを特
徴とする磁気記録媒体。
【0010】(2)前記金属酸化物膜と前記金属膜との
膜厚の比〔金属酸化物膜の膜厚/金属膜の膜厚〕が0.
01〜0.5である上記(1)に記載の磁気記録媒体。
膜厚の比〔金属酸化物膜の膜厚/金属膜の膜厚〕が0.
01〜0.5である上記(1)に記載の磁気記録媒体。
【0011】(3)前記金属膜の膜厚は500〜200
0A である上記(1)または(2)に記載の磁気記録
媒体。
0A である上記(1)または(2)に記載の磁気記録
媒体。
【0012】(4)前記強磁性金属薄膜がCoを主成分
とするものであり、前記金属がAl、Zn、Mn、V、
Zr、Cr、Fe、InおよびTlから選ばれる少なく
とも一種以上である上記(1)ないし(3)のいずれか
に記載の磁気記録媒体。
とするものであり、前記金属がAl、Zn、Mn、V、
Zr、Cr、Fe、InおよびTlから選ばれる少なく
とも一種以上である上記(1)ないし(3)のいずれか
に記載の磁気記録媒体。
【0013】
【作用】本発明の磁気記録媒体は、磁気テープであり、
樹脂基体と磁性層である強磁性金属薄膜との間に、下地
膜を有する。この下地膜は、表面層として金属酸化物膜
を有する金属膜である。このとき、金属酸化物膜と金属
膜との膜厚の比〔金属酸化物膜厚/金属膜厚〕は0.0
1〜0.5であり、金属膜の膜厚は500〜2000A
である。この場合の下地膜全体の電気抵抗率は100
Ω・cm以下である。
樹脂基体と磁性層である強磁性金属薄膜との間に、下地
膜を有する。この下地膜は、表面層として金属酸化物膜
を有する金属膜である。このとき、金属酸化物膜と金属
膜との膜厚の比〔金属酸化物膜厚/金属膜厚〕は0.0
1〜0.5であり、金属膜の膜厚は500〜2000A
である。この場合の下地膜全体の電気抵抗率は100
Ω・cm以下である。
【0014】このように、下地層を2層構成とすること
によって、磁性層における防錆効果が格段と向上し、磁
性層上には表面保護膜を設ける必要がないほどとなり、
また設けたとしても膜厚を小さくすることができる。
によって、磁性層における防錆効果が格段と向上し、磁
性層上には表面保護膜を設ける必要がないほどとなり、
また設けたとしても膜厚を小さくすることができる。
【0015】このような効果は、金属膜または金属酸化
物膜のみでは、得られるものではない。また、金属酸化
物膜を下層とし、金属膜を上層としても得られるもので
はない。
物膜のみでは、得られるものではない。また、金属酸化
物膜を下層とし、金属膜を上層としても得られるもので
はない。
【0016】すなわち、金属膜のみでは、例えば蒸着に
よる膜形成の際に、Alのように融点が低いものでは磁
性層中にこれが拡散して磁気構造に影響を与え、結晶異
方性が出なくなり、磁気特性が乱れ、電磁変換特性に悪
影響を及ぼす。また、金属酸化物膜のみでは、絶縁物で
あるために、電子の授受ができず、磁性層が腐食しやす
くなる。さらには、積層順を反対にしても金属の拡散等
による電磁変換特性への悪影響が同様に生じる。
よる膜形成の際に、Alのように融点が低いものでは磁
性層中にこれが拡散して磁気構造に影響を与え、結晶異
方性が出なくなり、磁気特性が乱れ、電磁変換特性に悪
影響を及ぼす。また、金属酸化物膜のみでは、絶縁物で
あるために、電子の授受ができず、磁性層が腐食しやす
くなる。さらには、積層順を反対にしても金属の拡散等
による電磁変換特性への悪影響が同様に生じる。
【0017】上記のように防錆効果が向上する結果、走
行性や電磁変換特性等の経時安定性、信頼性が向上する
。例えば、錆が発生すると、磁気テープが巾方向にわん
曲するカッピングが発生してくるが、このカッピングに
よりヘッドタッチが悪くなり、走行摩擦が経時的に増大
して走行不良が生じるに至るが、本発明は、これを有効
に防止する。
行性や電磁変換特性等の経時安定性、信頼性が向上する
。例えば、錆が発生すると、磁気テープが巾方向にわん
曲するカッピングが発生してくるが、このカッピングに
よりヘッドタッチが悪くなり、走行摩擦が経時的に増大
して走行不良が生じるに至るが、本発明は、これを有効
に防止する。
【0018】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。本発明の磁気記録媒体は、具体的には磁気
テープである。
に説明する。本発明の磁気記録媒体は、具体的には磁気
テープである。
【0019】<非磁性基体>本発明に用いる非磁性基体
の材質に特に制限はなく、強磁性金属薄膜蒸着時の熱に
耐える各種フィルム、例えばポリエチレンテレフタレー
ト等を用いることができる。また特開昭63−1031
5号公報に記載の各材料が使用可能である。
の材質に特に制限はなく、強磁性金属薄膜蒸着時の熱に
耐える各種フィルム、例えばポリエチレンテレフタレー
ト等を用いることができる。また特開昭63−1031
5号公報に記載の各材料が使用可能である。
【0020】<下地膜>下地膜は、金属酸化物膜を表面
層として有する金属膜である。このような2層構成とす
ることによって、本発明の効果が得られる。このときの
金属は、本発明における磁性層がCoを主成分とする強
磁性金属薄膜であるため、Coより卑である金属であれ
ば特に制限はないが、取扱い性などから、Al、Zn、
Mn、V、Zr、Cr、Fe、In、Tl等を用いるこ
とが好ましい。また、成膜状態でこれらの合金であって
もよい。
層として有する金属膜である。このような2層構成とす
ることによって、本発明の効果が得られる。このときの
金属は、本発明における磁性層がCoを主成分とする強
磁性金属薄膜であるため、Coより卑である金属であれ
ば特に制限はないが、取扱い性などから、Al、Zn、
Mn、V、Zr、Cr、Fe、In、Tl等を用いるこ
とが好ましい。また、成膜状態でこれらの合金であって
もよい。
【0021】一方、酸化物としては、これら金属の酸化
物であり、Al2O3 、ZnO、MnO、V2 O3
、ZrO2 、Cr2 O3 、Fe3 O4 、F
e2 O3 、InO2 、TlO2 等である。
物であり、Al2O3 、ZnO、MnO、V2 O3
、ZrO2 、Cr2 O3 、Fe3 O4 、F
e2 O3 、InO2 、TlO2 等である。
【0022】このような下地膜は、金属蒸着膜を成膜す
る際の成膜後期に、酸素を導入しつつ蒸着を行ない、表
面層として金属酸化物膜をほぼ同時に形成するようにし
てもよい。
る際の成膜後期に、酸素を導入しつつ蒸着を行ない、表
面層として金属酸化物膜をほぼ同時に形成するようにし
てもよい。
【0023】また、金属を蒸着源として蒸着等により金
属膜を成膜し、その後金属酸化物を蒸着源とする蒸着や
これをターゲットとするスパッタ等により金属酸化物膜
を成膜し、積層するようにしてもよい。
属膜を成膜し、その後金属酸化物を蒸着源とする蒸着や
これをターゲットとするスパッタ等により金属酸化物膜
を成膜し、積層するようにしてもよい。
【0024】さらに、まず金属膜を好ましくは蒸着によ
り成膜し、その後、この金属膜を大気中にさらすことに
よって表面層を酸化物としてもよい。特に、このような
酸化方法をとることが好ましいものとしては、Al蒸着
膜が挙げられる。このときの大気にさらす時間は、通常
、30分〜24時間程度とすればよい。
り成膜し、その後、この金属膜を大気中にさらすことに
よって表面層を酸化物としてもよい。特に、このような
酸化方法をとることが好ましいものとしては、Al蒸着
膜が挙げられる。このときの大気にさらす時間は、通常
、30分〜24時間程度とすればよい。
【0025】このとき、アニーリング等の表面処理を併
用してもよい。アニーリングによるときは、温度50〜
80℃で大気中で行なえばよく、また酸素分圧が20%
以上の雰囲気で行なうことが好ましい。
用してもよい。アニーリングによるときは、温度50〜
80℃で大気中で行なえばよく、また酸素分圧が20%
以上の雰囲気で行なうことが好ましい。
【0026】本発明における金属膜と酸化物膜との膜厚
の比は、〔金属酸化物膜の膜厚(dMOX )/金属膜
の膜厚(dM )〕が0.01〜0.5、好ましくは0
.02〜0.1となるようにすればよい。
の比は、〔金属酸化物膜の膜厚(dMOX )/金属膜
の膜厚(dM )〕が0.01〜0.5、好ましくは0
.02〜0.1となるようにすればよい。
【0027】また、金属膜の膜厚は500〜2000A
、好ましくは800〜1500A とすればよく、酸
化物膜の膜厚は、金属膜の膜厚より小さいのが一般的で
あり、かつ上記関係を満たすように設定すればよく、通
常20〜1000A 、好ましくは40〜250A の
範囲で選択すればよい。このような酸化物膜の膜厚は、
下地膜全体の電気抵抗率を100Ω・cm以下とするも
のである。
、好ましくは800〜1500A とすればよく、酸
化物膜の膜厚は、金属膜の膜厚より小さいのが一般的で
あり、かつ上記関係を満たすように設定すればよく、通
常20〜1000A 、好ましくは40〜250A の
範囲で選択すればよい。このような酸化物膜の膜厚は、
下地膜全体の電気抵抗率を100Ω・cm以下とするも
のである。
【0028】このような膜厚比および膜厚とすることに
よって、本発明の効果が向上する。そして、防錆効果と
いう観点からは、下地膜全体および金属膜の膜厚はある
程度の厚みを有するものでなければならず、このような
前提のもとで、上記膜厚比を満足することが効果を奏す
る上で好ましい。
よって、本発明の効果が向上する。そして、防錆効果と
いう観点からは、下地膜全体および金属膜の膜厚はある
程度の厚みを有するものでなければならず、このような
前提のもとで、上記膜厚比を満足することが効果を奏す
る上で好ましい。
【0029】なお、酸化物膜の膜厚はオージェ分光分析
法(AES)、X線光電子分光法(ESCA)によって
測定することができる。また、全体の膜厚は、AES、
ESCA、蛍光X線法によって測定することができる。
法(AES)、X線光電子分光法(ESCA)によって
測定することができる。また、全体の膜厚は、AES、
ESCA、蛍光X線法によって測定することができる。
【0030】本発明における下地膜は、他の下地膜と併
用してもよく、このようなものには、例えば、プラズマ
重合膜がある。プラズマ重合膜と併用するときの本発明
における下地膜との位置関係は、基体上にプラズマ重合
膜を成膜したのち、本発明の下地膜を成膜するものとす
る方が好ましい。
用してもよく、このようなものには、例えば、プラズマ
重合膜がある。プラズマ重合膜と併用するときの本発明
における下地膜との位置関係は、基体上にプラズマ重合
膜を成膜したのち、本発明の下地膜を成膜するものとす
る方が好ましい。
【0031】<磁性層>本発明における磁性層は、Co
を主成分とし、斜め蒸着法により形成される1層または
2層以上の強磁性金属薄膜から構成されることが好まし
い。
を主成分とし、斜め蒸着法により形成される1層または
2層以上の強磁性金属薄膜から構成されることが好まし
い。
【0032】斜め蒸着法は、例えば、供給ロールから繰
り出された長尺フィルム状の非磁性基体を回転する冷却
ドラムの表面に添わせて送りながら、一個以上の定置金
属源から斜め蒸着をし、巻き取りロールに巻き取るもの
である。
り出された長尺フィルム状の非磁性基体を回転する冷却
ドラムの表面に添わせて送りながら、一個以上の定置金
属源から斜め蒸着をし、巻き取りロールに巻き取るもの
である。
【0033】この際、成膜時の強磁性金属成分の入射角
と基体法線との角度をθとしたとき、θは変化し、初期
のθmax から、最終のθmin の範囲で蒸着が行
なわれる。そして、強磁性薄膜蒸着時のθmax は8
0〜90度であることが好ましく、θminは10〜6
0度であることが好ましい。
と基体法線との角度をθとしたとき、θは変化し、初期
のθmax から、最終のθmin の範囲で蒸着が行
なわれる。そして、強磁性薄膜蒸着時のθmax は8
0〜90度であることが好ましく、θminは10〜6
0度であることが好ましい。
【0034】磁性層を構成する各強磁性金属薄膜は、N
iを含有するCo−Ni合金であることが好ましく、特
にモル比でCoを約80%、Niを約20%含有する合
金が好適である。
iを含有するCo−Ni合金であることが好ましく、特
にモル比でCoを約80%、Niを約20%含有する合
金が好適である。
【0035】また、必要に応じてCrを10%以下含有
していてもよく、特開昭63−10315号公報等に記
載されている各種金属やその他の金属成分を含有してい
てもよい。
していてもよく、特開昭63−10315号公報等に記
載されている各種金属やその他の金属成分を含有してい
てもよい。
【0036】さらに、必要に応じて少量の酸素を各層の
表面層に含有させたり、この他非磁性層を介在させたり
して、耐食性等を向上させることができる。
表面層に含有させたり、この他非磁性層を介在させたり
して、耐食性等を向上させることができる。
【0037】磁性層全体の厚さは、1200〜3000
A 程度であることが好ましい。このとき出力を十分に
大きくすることができる。
A 程度であることが好ましい。このとき出力を十分に
大きくすることができる。
【0038】蒸着金属粒子の入射角は蒸着初期のθma
x から最終のθmin まで連続的に変化し、非磁性
基体表面にCoを主成分とする強磁性金属の柱状結晶粒
子を弧状一方向に成長させ、整列させるものである。磁
性層を多層構成とする場合は、この工程を繰り返し行な
う。
x から最終のθmin まで連続的に変化し、非磁性
基体表面にCoを主成分とする強磁性金属の柱状結晶粒
子を弧状一方向に成長させ、整列させるものである。磁
性層を多層構成とする場合は、この工程を繰り返し行な
う。
【0039】本発明の磁気記録媒体は、前記のような下
地膜を用いているので防錆効果が極めて大きく、磁性層
上に改めて表面保護膜などを設ける必要がないほどであ
り、設けたしてもその膜厚を小さくすることができる。 このように表面保護膜(トップコート膜)を設ける必要
がないか、小さくてすむため、スペーシングロスによる
電磁変換特性の低下を避ける上で有利である。
地膜を用いているので防錆効果が極めて大きく、磁性層
上に改めて表面保護膜などを設ける必要がないほどであ
り、設けたしてもその膜厚を小さくすることができる。 このように表面保護膜(トップコート膜)を設ける必要
がないか、小さくてすむため、スペーシングロスによる
電磁変換特性の低下を避ける上で有利である。
【0040】
【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
する。 実施例1 供給ロールから厚さ7μmのポリエチレンテレフタレー
トフィルムを繰り出して、回転する円筒状冷却ドラムの
周囲に添わせて移動させ、10−4Paの真空に引いた
。
する。 実施例1 供給ロールから厚さ7μmのポリエチレンテレフタレー
トフィルムを繰り出して、回転する円筒状冷却ドラムの
周囲に添わせて移動させ、10−4Paの真空に引いた
。
【0041】蒸着源としてAlまたはZnを用いて表1
に示すような蒸着膜を成膜した。なお、金属酸化物膜を
表面層とするときは、成膜後期に酸素を導入しつつ行な
った。膜厚の測定はAESによった。また、表面酸化物
膜の膜厚の測定はAESにより、エッチングレートより
求めた。なお、下地膜は基体側から第1層、第2層とす
る。
に示すような蒸着膜を成膜した。なお、金属酸化物膜を
表面層とするときは、成膜後期に酸素を導入しつつ行な
った。膜厚の測定はAESによった。また、表面酸化物
膜の膜厚の測定はAESにより、エッチングレートより
求めた。なお、下地膜は基体側から第1層、第2層とす
る。
【0042】この下地膜を成膜したポリエチレンテレフ
タレートフィルムを、10−4PaのAr雰囲気で、供
給ロールから繰り出して、回転する円筒状冷却ドラムの
周囲に添わせて移動させ20at%Ni−CO合金を斜
め蒸着して強磁性金属薄膜を形成し、巻き取りロールに
巻き取った。
タレートフィルムを、10−4PaのAr雰囲気で、供
給ロールから繰り出して、回転する円筒状冷却ドラムの
周囲に添わせて移動させ20at%Ni−CO合金を斜
め蒸着して強磁性金属薄膜を形成し、巻き取りロールに
巻き取った。
【0043】次いで、この巻き取りロールを供給ロール
とし、PETフィルム表面の法線方向を挟んで上記斜め
蒸着時の入射方向と交差する入射方向にて強磁性金属を
斜め蒸着して、2層構成の磁性層を有する磁気記録媒体
サンプルNo.1〜No. 4を得た。
とし、PETフィルム表面の法線方向を挟んで上記斜め
蒸着時の入射方向と交差する入射方向にて強磁性金属を
斜め蒸着して、2層構成の磁性層を有する磁気記録媒体
サンプルNo.1〜No. 4を得た。
【0044】また、上記サンプルNo. 1〜No.
4において、Al2 O3 をターゲットとして用いて
スパッタし、Al2 O3 スパッタ膜を下地膜とする
サンプルNo. 5を作製した。さらに、下地膜を成膜
しないサンプルNo. 6を作製した。またフィルム基
体上にAl2 O3 をターゲットとしてAl2 O3
スパッタ膜を成膜し、その後Alを蒸着源としてAl
蒸着膜を成膜して、サンプルNo. 3の下地膜の層構
成を反対にした下地膜とするほかは、同様にサンプルN
o. 7を作製した。さらに、サンプルNo. 3にお
いて、Al膜とAl2 O3 膜との膜厚の比をかえた
サンプルNo.8を作製した。
4において、Al2 O3 をターゲットとして用いて
スパッタし、Al2 O3 スパッタ膜を下地膜とする
サンプルNo. 5を作製した。さらに、下地膜を成膜
しないサンプルNo. 6を作製した。またフィルム基
体上にAl2 O3 をターゲットとしてAl2 O3
スパッタ膜を成膜し、その後Alを蒸着源としてAl
蒸着膜を成膜して、サンプルNo. 3の下地膜の層構
成を反対にした下地膜とするほかは、同様にサンプルN
o. 7を作製した。さらに、サンプルNo. 3にお
いて、Al膜とAl2 O3 膜との膜厚の比をかえた
サンプルNo.8を作製した。
【0045】この磁気テープサンプルNo. 1〜No
. 8を、8mmビデオデッキ(ソニー社製S900)
に装填し、下記の評価を行なった。
. 8を、8mmビデオデッキ(ソニー社製S900)
に装填し、下記の評価を行なった。
【0046】(1)Δφm
80℃、90%RHにて1週間保存後の最大磁束密度φ
mを測定し、初期のφmに対する増加分を求めた。
mを測定し、初期のφmに対する増加分を求めた。
【0047】(2)走行摩擦経時変化
80℃、90%RHにて1週間保存後の動摩擦係数μを
測定し、初期のμに対する増加率を求めた。
測定し、初期のμに対する増加率を求めた。
【0048】(3)防錆性
A)60℃、90%RHの環境で1週間保存後、テープ
の磁性層側の変色度を目視で判定した。評価基準は下記
のとおりとした。 ◎:変化なし 〇:薄い黄色に変色 △:黄色に変色 ×:青色に変色 B)H2 S 100ppm 雰囲気にて、テープを
暴露し錆の発生までの時間を目視で観察した。
の磁性層側の変色度を目視で判定した。評価基準は下記
のとおりとした。 ◎:変化なし 〇:薄い黄色に変色 △:黄色に変色 ×:青色に変色 B)H2 S 100ppm 雰囲気にて、テープを
暴露し錆の発生までの時間を目視で観察した。
【0049】(4)磁気特性
VSMにて、磁束密度(φm )、保磁力(Hc)、保
磁力角形比(S* )、および角形比(SQ)を測定し
た。
磁力角形比(S* )、および角形比(SQ)を測定し
た。
【0050】結果を表1に示す。なお、表中には、金属
膜に対する酸化物膜の膜厚比(dMOX/dM )等も
併記する。
膜に対する酸化物膜の膜厚比(dMOX/dM )等も
併記する。
【0051】
【表1】
【0052】表1から明らかなように、金属膜のみを下
地膜とするサンプルNo. 1および金属膜と酸化物膜
の上下関係を本発明とは逆にしたサンプルNo. 7で
は、磁気特性の低下が見られる。また、酸化物膜のみを
下地膜とするサンプルNo. 5および下地膜のないサ
ンプルNo. 6では、防錆性が顕著に悪化する。また
、金属膜に対する酸化物膜の膜厚の比が大きい下地膜の
サンプルNo. 8では、防錆性が顕著に悪化する。こ
れに対し、サンプルNo. 2〜No. 4では、磁気
特性が良好で防錆性も十分である。
地膜とするサンプルNo. 1および金属膜と酸化物膜
の上下関係を本発明とは逆にしたサンプルNo. 7で
は、磁気特性の低下が見られる。また、酸化物膜のみを
下地膜とするサンプルNo. 5および下地膜のないサ
ンプルNo. 6では、防錆性が顕著に悪化する。また
、金属膜に対する酸化物膜の膜厚の比が大きい下地膜の
サンプルNo. 8では、防錆性が顕著に悪化する。こ
れに対し、サンプルNo. 2〜No. 4では、磁気
特性が良好で防錆性も十分である。
【0053】実施例2
実施例1の本発明の磁気テープサンプルNo. 2〜N
o. 4において、金属蒸着膜を成膜したのち、アニー
リングを行なうことによって表面層を酸化物膜とした下
地膜とするほかは、同様にして本発明の磁気テープサン
プルNo. 22〜No. 24を作製した。
o. 4において、金属蒸着膜を成膜したのち、アニー
リングを行なうことによって表面層を酸化物膜とした下
地膜とするほかは、同様にして本発明の磁気テープサン
プルNo. 22〜No. 24を作製した。
【0054】このときのアニーリング条件は、温度60
℃、酸素分圧20%(1atm )とした。
℃、酸素分圧20%(1atm )とした。
【0055】これらのサンプルNo. 22〜No.
24について、実施例1と同様の評価を行なった。結果
を表2に示す。
24について、実施例1と同様の評価を行なった。結果
を表2に示す。
【0056】
【表2】
【0057】表2から、サンプルNo. 22〜No.
24では良好な特性を示すことがわかる。
24では良好な特性を示すことがわかる。
【0058】実施例3
実施例1の本発明の磁気テープサンプルNo. 2〜N
o. 4において、金属を蒸着源として金属蒸着膜を成
膜したのち、さらにその上に接して金属酸化物をターゲ
ットとしてスパッタ膜を成膜して下地膜とするほかは、
同様にして本発明の磁気テープサンプルNo. 32〜
No. 34を作製した。
o. 4において、金属を蒸着源として金属蒸着膜を成
膜したのち、さらにその上に接して金属酸化物をターゲ
ットとしてスパッタ膜を成膜して下地膜とするほかは、
同様にして本発明の磁気テープサンプルNo. 32〜
No. 34を作製した。
【0059】これらのサンプルNo. 32〜No.
34について、実施例1と同様の評価を行なった。結果
を表3に示す。
34について、実施例1と同様の評価を行なった。結果
を表3に示す。
【0060】
【表3】
【0061】表3から、サンプルNo. 32〜34で
は良好な特性を示すことがわかる。
は良好な特性を示すことがわかる。
【0062】なお、実施例1〜3において、金属をMn
、V、Zr、Cr、Fe、In、Tlおよびこれらの酸
化物の組み合わせにそれぞれかえて、同様の操作を行な
い、同様に評価したところ、Al、Znの場合とほぼ同
等の結果を示した。
、V、Zr、Cr、Fe、In、Tlおよびこれらの酸
化物の組み合わせにそれぞれかえて、同様の操作を行な
い、同様に評価したところ、Al、Znの場合とほぼ同
等の結果を示した。
【0063】実施例4
実施例1と同様のフィルム基体を用い、蒸着源としてA
lを用いて蒸着膜を成膜した。この蒸着膜を下地膜とし
て実施例1と同様に磁性層を設層し、磁気フィルムサン
プルNo. 41を作製した。
lを用いて蒸着膜を成膜した。この蒸着膜を下地膜とし
て実施例1と同様に磁性層を設層し、磁気フィルムサン
プルNo. 41を作製した。
【0064】また、サンプルNo. 41において、A
l蒸着膜を成膜した後、これを大気に24時間程度さら
して表面層をAl2 O3 としたものを下地膜とする
ほかは同様にして、サンプルNo. 42を作製した。
l蒸着膜を成膜した後、これを大気に24時間程度さら
して表面層をAl2 O3 としたものを下地膜とする
ほかは同様にして、サンプルNo. 42を作製した。
【0065】上記において、膜厚は実施例1と同様にし
て測定した。
て測定した。
【0066】また、下地膜を設けないサンプルNo.
43も作製した。
43も作製した。
【0067】これらのサンプルNo. 41〜No.
43について実施例1と同様の評価を行なった。結果を
表4に示す。
43について実施例1と同様の評価を行なった。結果を
表4に示す。
【0068】
【表4】
【0069】表4から明らかなように、表面に酸化物膜
を有する金属膜を下地膜とするサンプルNo. 42で
は良好な特性を示すことがわかる。
を有する金属膜を下地膜とするサンプルNo. 42で
は良好な特性を示すことがわかる。
【0070】
【発明の効果】本発明によれば、磁性層の発錆を防止す
ることができ、磁気記録媒体の耐食性と耐久性と電磁変
換特性とを向上させることができる。
ることができ、磁気記録媒体の耐食性と耐久性と電磁変
換特性とを向上させることができる。
Claims (4)
- 【請求項1】 非磁性の樹脂基体上に、下地膜と、強
磁性金属薄膜とを有する磁気記録媒体において、前記下
地膜は、金属酸化物膜を表面層として有する金属膜であ
ることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項2】 前記金属酸化物膜と前記金属膜との膜
厚の比〔金属酸化物膜の膜厚/金属膜の膜厚〕が0.0
1〜0.5である請求項1に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項3】 前記金属膜の膜厚は500〜2000
A である請求項1または2に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項4】 前記強磁性金属薄膜がCoを主成分と
するものであり、前記金属がAl、Zn、Mn、V、Z
r、Cr、Fe、InおよびTlから選ばれる少なくと
も一種以上である請求項1ないし3のいずれかに記載の
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03135937A JP3093818B2 (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03135937A JP3093818B2 (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04335206A true JPH04335206A (ja) | 1992-11-24 |
| JP3093818B2 JP3093818B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=15163333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03135937A Expired - Fee Related JP3093818B2 (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3093818B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005032327A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| US7303829B2 (en) * | 2003-05-30 | 2007-12-04 | Sony Corporation | Magnetic recording medium |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6855416B2 (en) | 2001-10-17 | 2005-02-15 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Thin film magnetic recording medium |
-
1991
- 1991-05-10 JP JP03135937A patent/JP3093818B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7303829B2 (en) * | 2003-05-30 | 2007-12-04 | Sony Corporation | Magnetic recording medium |
| JP2005032327A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3093818B2 (ja) | 2000-10-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991124 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000627 |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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