JPH06282841A

JPH06282841A - 磁気記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH06282841A
Application number: JP9385293A
Authority: JP
Inventors: Tomio Kobayashi; 富夫小林; Kenichi Sato; 研一佐藤; Hiroshi Uchiyama; 浩内山; Kazunobu Chiba; 一信千葉; Ryoichi Hiratsuka; 亮一平塚; Yuichi Arizaka; 裕一蟻坂; Tsutomu Takeda; 勉武田; Takao Mori; 敬郎森
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-03-30
Filing date: 1993-03-30
Publication date: 1994-10-07

Abstract

(57)【要約】【構成】Ｃｏを主体とする磁性蒸着薄膜２を磁性層と
する磁気記録媒体において、前記磁性蒸着薄膜上に、保
護膜としてＳｉ酸化物マトリックス層と金属酸化物分散
層よりなる２層組織構造の複合酸化物蒸着膜３を形成す
る。【効果】上記複合酸化物蒸着膜は磁性蒸着薄膜上に強
固に密着形成されるので、走行耐久性，耐食性に優れた
磁気記録媒体を得ることができる。また、上記複合酸化
物蒸着膜は成膜速度の速い真空蒸着法によって成膜され
るので磁気記録媒体の生産性が向上できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁性蒸着薄膜を磁性層と
する，いわゆる蒸着型の磁気記録媒体及びその製造方法
に関し、特に磁性蒸着薄膜上に形成する保護膜の改良に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）
等の分野においては、高画質化を図るべく密度記録の向
上を目的として種々の改良が進められている。例えば、
記録媒体として、ベースフィルム上にＣｏ、あるいはＣ
ｏ−Ｃｒ系合金，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ系合金，Ｃｏ−Ｎｉ
系合金等の強磁性金属材料を真空蒸着法により直接被着
してなる磁性蒸着薄膜を磁性層とする，いわゆる蒸着テ
ープが使用されるようになっている。

【０００３】この蒸着テープは、磁性層の厚みを極めて
薄くすることが可能であるため記録減磁や再生時の厚み
損失が著しく小さい、磁性層中の強磁性金属原子の占有
体積率を大きくできるため高保磁力，高磁束密度が得ら
れる等，高密度記録に適した特長を有するものである。

【０００４】ところで、このような蒸着テープにおいて
は、磁性層として形成される磁性蒸着薄膜表面の平滑性
が極めて高いため、磁気ヘッドやガイドローラ等の摺動
部材に対する実質的な接触面積が大きく、従って摩擦係
数が大きくなり凝着現象（いわゆる貼り付き），テープ
表面の損傷が起き易く走行耐久性に欠ける。また、上記
磁性蒸着薄膜は金属材料より構成されるために保存中、
特に高温ないしは高湿度下に放置された場合に磁性層表
面に腐食を生じ易く、このために飽和磁化量の如き磁気
特性が経時的に劣化する問題もある。

【０００５】そこで、このような蒸着テープにおいて
は、磁性層上に保護膜としてＳｉＯ₂，ＺｒＯ₂，ダイ
ヤモンドライクカーボン等の非磁性高硬度膜を真空薄膜
形成技術により成膜し、この非磁性高硬度膜によりテー
プ表面の摩擦係数の低減，損傷の防止を図るとともに金
属酸化因子の磁性層への侵入を抑えるようになされてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ダイヤ
モンドライクカーボン膜は、真空蒸着法で成膜するのに
適さず、成膜速度が真空蒸着法に比べて格段に遅いカー
ボンをターゲットとしたＲＦスパッタリング法，炭化水
素ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって成膜するしか
ない。すなわち、ＲＦスパッタリング法，プラズマＣＶ
Ｄ法の成膜速度は、真空蒸着法（斜め蒸着法を含む）の
成膜速度が約５０００〜５００００ｎｍ／分であるのに
対して約５０〜１０００ｎｍ／分と遅く、このような成
膜方法でしか成膜できないダイヤモンドライクカーボン
膜を保護膜に用いた場合には、保護膜の成膜工程にかな
りの時間を要し、生産性の点で不利である。

【０００７】一方、ＳｉＯ₂，ＺｒＯ₂等の非磁性高硬
度膜は、ＲＦスパッタリング法，反応性スパッタリング
法によっても成膜されるが、真空蒸着法によっても成膜
できるといった利点がある。しかし、これら非磁性高硬
度膜は、磁性蒸着薄膜に対する密着強度が不足してお
り、磁性層上に保護膜として形成した場合に、摺動部材
との繰り返し摺動により徐々に磁性層から剥離して保護
効果が劣化する。

【０００８】ここで、ＳｉＯ₂，ＺｒＯ₂等の非磁性高
硬度膜の密着強度は、該非磁性高硬度膜を蒸着法で成膜
する場合、成膜基板を２００〜３００℃に加熱すること
によって向上できることが一般に知られている。しか
し、蒸着テープにおいて汎用されている基板が耐熱温度
約１００℃以下と耐熱性に劣るポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）基板であることを考慮すると、基板の加
熱を行うことはＰＥＴ基板を変形させる危険性があるこ
とから妥当ではない。

【０００９】この他、非磁性高硬度膜の密着強度を増大
させる方法としては、蒸着に先んじて成膜面にボンバー
ド処理，逆スパッタリング処理，ドライエッチング処理
等の処理を施しておく方法もある。しかし、これら処理
を上記蒸着テープに適用しても、磁性層と保護膜の密着
強度の向上は極僅かに過ぎず、保護効果の大幅な延長を
達成するには至らない。

【００１０】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、保護膜の磁性層に対する
密着強度を向上させるとともに保護膜の成膜時間を短縮
し、走行耐久性，耐食性，生産性に優れた磁気記録媒体
及びその製造方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上にＣｏ
を主成分とする磁性蒸着薄膜が形成され、該磁性蒸着薄
膜上に保護膜としてＳｉ酸化物を主成分とする複合酸化
物蒸着膜が形成されていることを特徴とするものであ
る。

【００１２】また、上記複合酸化物蒸着膜がＳｉ酸化物
とＣｒ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｂ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃ
ｏ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｂｉ，Ｂａ，希土類金属から選ばれる
少なくとも１種の酸化物を含有することを特徴とするも
のである。さらに、本発明の磁気記録媒体の製造方法
は、上記磁気記録媒体の複合酸化物蒸着膜を形成するに
際し、蒸着源としてＳｉを主成分とするＳｉとＣｒ，Ｓ
ｎ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｂ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｚｒ，
希土類金属から選ばれる少なくとも１種からなるＳｉ合
金を用い、酸素ガス雰囲気中で真空蒸着すること特徴と
するものである。

【００１３】また、上記磁気記録媒体の複合酸化物蒸着
膜を形成するに際し、蒸着源としてＳｉＯとＴｉＯ₂，
Ｂ₂Ｏ₃，ＭｇＯ，Ｂｉ₂Ｏ₃，ＮｉＯ，ＢａＯ，Ａｌ
₂Ｏ₃の中から選ばれる少なくとも１種の酸化物からな
る混合酸化物を用いることを特徴とするものである。

【００１４】本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁
性支持体上にＣｏを主成分とする磁性蒸着薄膜が形成さ
れてなるいわゆる蒸着型の磁気記録媒体である。

【００１５】上記磁性蒸着薄膜は、ＣｏあるいはＣｏ−
Ｃｒ系合金，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ系合金，Ｃｏ−Ｎｉ系合
金等のＣｏ系合金を蒸着源として用い、微量の酸素混入
雰囲気下、真空蒸着を行うことで成膜されるものであ
る。ここで、蒸着に際しては斜め蒸着，垂直蒸着のいず
れでもよいが、通常は斜め蒸着とされる。

【００１６】図１に、斜め蒸着によって形成された磁性
蒸着薄膜の組織構造を模式的に示す。このようにして成
膜される磁性蒸着薄膜は、ＣｏあるいはＣｏ合金がカラ
ム状に斜めに結晶成長しており、その結晶カラム１の境
界域及び膜表面がＣｏ−Ｏ層２となっている。この結晶
カラム１の構造は、成膜雰囲気中へ導入する酸素量によ
って制御され、成膜雰囲気中の酸素の混入量が多い場合
程、結晶カラム及び結晶カラム内粒子が微細化される。

【００１７】ここで、本発明においては、このような磁
性蒸着薄膜上に、媒体表面の摩擦係数を低減するととも
に該磁性蒸着薄膜を摺動部材との摺動，金属酸化因子と
の接触から保護するために、Ｓｉ酸化物を主成分とする
複合酸化物蒸着膜３を保護膜として形成する。

【００１８】上記複合酸化物蒸着膜の主成分となるＳｉ
酸化物とは、ＳｉＯ_x（但し、ｘは１〜２である。）で
表されるものであり、具体的にはＳｉＯとＳｉＯ₂の混
合酸化物である。上記複合酸化物蒸着膜では、このＳｉ
酸化物を主成分としていることにより、摩擦係数が低い
ものとなり、且つ磁性蒸着薄膜上に強固に密着形成でき
る。

【００１９】ここで上記複合酸化物蒸着膜の密着強度
は、Ｓｉ及びＳｉＯがＣｏよりも酸素との親和力が高い
ことに起因している。以下に、この複合酸化物蒸着膜と
磁性蒸着薄膜の密着機構について説明する。

【００２０】すなわち、Ｃｏを主体とする磁性蒸着薄膜
は、上述の如く膜表面がＣｏ−Ｏ層２となっている。し
たがって、上記複合酸化物蒸着膜３は、このＣｏ−Ｏ層
の上に直接成膜されることとなる。

【００２１】例えば図２に示す如く、Ｃｏ−Ｏ層２上
に、Ｓｉを蒸着源として、酸素混入雰囲気下、Ｓｉ酸化
物蒸着膜４を成膜したとする。すると、Ｃｏ−Ｏ層２表
面では、被着した活性なＳｉ及びＳｉＯが、その酸素親
和力がＣｏよりも大きいことから化１，化２に示す如く
ＣｏＯを還元してＣｏを生成し、それ自身はそれぞれ酸
化されてＳｉＯ₂あるいはＳｉＯを経てＳｉＯ₂とな
る。

【００２２】

【化１】

【００２３】

【化２】

【００２４】このような酸化還元反応によって生成され
るＣｏは、反応に関与していないＣｏ−Ｏ層２との密着
強度が高く、その一方、酸化還元反応によって生成した
ＳｉＯ₂との密着強度も高い。またこの酸化還元反応に
よって生成したＳｉＯ₂はさらにその上に順次被着され
るＳｉＯとＳｉＯ₂よりなるＳｉ酸化物蒸着膜４とも強
固に密着する。つまり、上述のような酸化還元反応によ
ってＣｏ−Ｏ層２とＳｉ酸化物蒸着膜４の界面にＣｏ
Ｏ，ＳｉＯ，Ｃｏ，ＳｉＯ₂の反応混在層５が形成さ
れ、この反応混在層５がＣｏ−Ｏ層２とＳｉ酸化物蒸着
膜４を強固に密着させる。

【００２５】しかし、上述のようにして成膜されるＳｉ
酸化物蒸着膜４は、Ｓｉ酸化物がアモルファス単一相と
なって連続的に成長，膜形成した単一相組織であるた
め、ＣｏＯとの相互作用及びＳｉ酸化物膜成長時に膜内
に生成する内部要因的歪との和として生成される膜内応
力が同一方向性を持って内在している。

【００２６】このように同一方向性を持った膜内応力を
内在している保護膜は、一部にクラックが入るとそれが
広い範囲に伝播して広面積に及ぶクラックが誘発され、
耐久性の点で問題がある。

【００２７】そこで、本発明においては、Ｓｉ酸化物蒸
着膜そのものではなく、Ｓｉ酸化物蒸着膜をマトリック
ス相とし、このマトリックス相にＣｒ，Ｓｎ，Ａｌ，
Ｂ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｂｉ，Ｂ
ａ，希土類金属から選ばれる少なくとも一種の酸化物を
微細に分散せしめた複合酸化物蒸着膜を保護膜として形
成する。

【００２８】すなわち、このような複合酸化物蒸着膜
は、図３に示すように、Ｓｉ酸化物マトリックス相１１
と金属酸化物分散相１２の２相構造組織である。このた
め、膜内応力が分散されてクラックが発生し難く、ま
た、図４に示すようにたとえＳｉ酸化物マトリックス相
１１にクラック１３が入ったとしても金属酸化物分散相
１２の存在によってクラックの伝播が停止され、クラッ
クが広面積に及ぶのが防止される。

【００２９】なお、上記複合酸化物蒸着膜において、主
成分となるＳｉ酸化物，すなわちＳｉＯ_xの酸素含有量
ｘは複合酸化物膜の密着強度，膜強度に影響を与え、密
着強度，膜強度をともに向上させるには１．１〜１．９
の範囲とすることが好ましい。また、金属酸化物分散相
のクラック伝播防止効果は、金属酸化物の分散量，用い
る金属酸化物の種類の適正化，あるいは図５に示すよう
に２種類以上の金属酸化物分散相１２を組み合わせるこ
とにより向上できる。しかし金属酸化物分散相１２の複
合酸化物蒸着膜３に占める割合があまり大きくなると該
複合酸化物蒸着膜３の耐久性が劣化し、保護膜としての
機能が十分に得られなくなる。したがって、金属酸化物
分散相１２を構成する金属原子とＳｉ酸化物マトリック
ス相１１を構成するＳｉとは、金属原子／Ｓｉ酸化物
（モル比）が２／１０以下となるように量設定すること
が好ましい。また、上記複合酸化物蒸着膜３には、組織
構造に影響を与えない程度の微量の窒素が含有されてい
てもよい。

【００３０】上述のようなＳｉ酸化物マトリックス相１
１に金属酸化物分散相１２が微量分散した二相組織構造
の複合酸化物蒸着膜３は、例えばＳｉと、微量のＣｒ，
Ｓｎ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｂ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｚ
ｒ，希土類金属から選ばれる少なくとも１種の金属から
なるＳｉ合金を蒸着源とし、酸素ガス導入雰囲気中で真
空蒸着することによって成膜できる。

【００３１】蒸着源となるＳｉと上記に例示した金属元
素のＳｉ合金を酸素ガス導入雰囲気中で加熱蒸発させる
と、Ｓｉと金属元素は酸化されてそれぞれＳｉ酸化物と
金属酸化物となる。そして、これら酸化物は互いに固溶
することなく、Ｓｉ酸化物マトリックス相１１中に金属
酸化物が微量分散相として析出し、上記二相組織構造の
複合酸化物蒸着膜３が形成される。

【００３２】ここで、Ｓｉ酸化物と固溶しない酸化物を
生成する金属としては上記に例示した金属元素以外にも
各種存在するが、本発明において特に上記金属元素を選
定したのは、上記金属元素の蒸発速度がＳｉの蒸着速度
と近似しているか，あるいは若干遅いからである。

【００３３】すなわち、Ｓｉ合金を蒸着源として真空蒸
着する場合に、Ｓｉと、Ｓｉと合金を構成する金属元素
の蒸発速度が大きく異なっていると成膜される蒸着膜の
組成比が蒸着の進行に伴って経時的に変化し、蒸着初期
に成膜された蒸着膜と蒸着後期で成膜された蒸着膜とで
組成比が大きくずれる。これにより、形成される複合酸
化物蒸着膜は走行耐久性が不安定なものとなる。上記に
例示した金属元素は、蒸発速度が比較的Ｓｉと近似して
いる。したがって、このような金属元素のＳｉ合金を蒸
着源として用いることにより、組成比変動を生ずること
なく耐久性の均一な複合酸化物蒸着膜が成膜される。

【００３４】参考のため、各種元素の温度と蒸発速度
（ｍｏｌ／ｍ²・秒）の関係を図６に示す。これら元素
の内、Ｓｉと蒸着速度が近似している元素は、上述の如
く蒸着膜の組成変動を生じ難く、蒸着源となるＳｉ合金
の構成金属元素として適している。また、Ｓｉより蒸着
速度が適度に遅い元素は、蒸着速度が遅いことがむしろ
Ｓｉ酸化物中に微細析出するのに有利に働く。一方、Ａ
ｇよりも蒸発速度の速い元素は、Ｓｉとの組成比コント
ロールが困難であり、走行耐久性の安定な保護膜が形成
できない点から幾分不適当である。

【００３５】また、さらに上記２相組織構造の複合酸化
物蒸着膜３は、蒸着源としてＳｉＯ₂及びＳｉＯとＴｉ
Ｏ₂，Ｂ₂Ｏ₃，ＭｇＯ，Ｂｉ₂Ｏ₃，ＮｉＯ，Ｂａ
Ｏ，Ａｌ₂Ｏ₃の中から選ばれる少なくとも１種の金属
酸化物からなる混合酸化物を用いて真空蒸着するこによ
っても形成できる。

【００３６】ここで、蒸着源として上記金属酸化物を選
んだのはＳｉ酸化物と蒸着速度が近似しているからであ
る。図７に、各種酸化物の温度と蒸発速度（ｍｏｌ／時
間・面積）の関係を示す。ＳｉＯ₂よりも蒸発速度が極
端に速い金属酸化物は、Ｓｉ酸化物中に微量分散物とし
て析出させることが難く、２相組織構造の形成が困難で
ある。逆に、ＳｉＯ₂よりも金属酸化物の蒸発速度が極
端に遅い場合には、金属酸化物を蒸発させるために蒸着
温度を高温に設定しなければならず、蒸着膜を形成する
非磁性支持体に熱損傷を生じさせる虞れがある。

【００３７】なお、本発明の磁気記録媒体において、上
記磁性蒸着薄膜１，複合酸化物蒸着膜３が形成される非
磁性支持体１としては、高分子フィルムや剛性プラスチ
ック基板，ＡｌやＡｌ合金等よりなる金属板，ガラス板
等、通常の磁気記録媒体で使用されているものがいずれ
も使用可能であり、その形態もシート状，テープ状，デ
ィスク状，カード状，ドラム状等、用途に応じて適宜選
択することができる。

【００３８】

【作用】本発明では、Ｃｏを主体とする磁性蒸着薄膜を
磁性層とする磁気記録媒体において、前記磁性蒸着薄膜
上に、Ｓｉ酸化物を主成分とし、所定の金属酸化物を微
量分散成分とする複合酸化物蒸着膜を保護膜として成膜
する。上記複合酸化物蒸着膜は、その主成分であるＳｉ
酸化物と磁性蒸着薄膜表面のＣｏ−Ｏ層とが酸化還元反
応を起こすことによって磁性蒸着薄膜上に強固に密着形
成される。また、上記複合酸化物蒸着膜は、金属酸化物
を微量分散成分として含んでいることにより、膜内応力
が分散され、また一部にクラックが入った場合でもその
伝播が微量分散する金属酸化物によって停止されクラッ
クが広面積に及ぶことがない。したがって、このような
複合酸化物蒸着膜が保護膜として形成された磁気記録媒
体は、摺動部材に対して繰り返し摺動した場合でも保護
膜の保護効果が十分に維持され、優れた走行性，耐久
性，耐酸化性を示す。

【００３９】なお、上記複合酸化物蒸着膜は、例えばＳ
ｉと、微量のＣｒ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｂ，Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｚｒ，希土類金属から選ばれる少なく
とも１種の金属からなるＳｉ合金を蒸着源とし、酸素ガ
ス導入雰囲気中で真空蒸着するか、あるいは蒸着源とし
てＳｉＯ₂及びＳｉＯとＴｉＯ₂，Ｂ₂Ｏ₃，ＭｇＯ，
Ｂｉ₂Ｏ₃，ＮｉＯ，ＢａＯ，Ａｌ₂Ｏ₃の中から選ば
れる少なくとも１種の金属酸化物からなる混合酸化物を
用いて真空蒸着することによって短時間に形成される。

【００４０】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について実験
結果に基づいて説明する。

【００４１】実施例１本実施例は保護膜となるＳｉ複合酸化物蒸着膜を、蒸着
源としてＳｉ合金を用い、酸素ガス導入雰囲気下、真空
蒸着によって成膜した例である。

【００４２】先ず、厚さ１０μｍ，幅１５０ｍｍのポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製非磁性支持体上
に、アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックス
を約１０００万個／ｍｍ²の密度で載置し下塗り層を形
成した。そして、この下塗り層が形成された非磁性支持
体上に、磁性層としてＣｏ−Ｎｉ斜方蒸着薄膜を、保護
膜として複合酸化物蒸着膜を真空蒸着法によって成膜
し、蒸着テープ原反を作製した。

【００４３】本実施例で使用した蒸着装置について図面
を参照しながら説明する。上記蒸着装置は、図８に示す
ように、排気管９によって内部が高真空状態となされた
チャンバー１１内に、巻き出しロール８，巻き取りロー
ル７，冷却キャン６よりなる走行系と、蒸発源である金
属磁性材料が収容された収容容器２と、蒸着時に酸素ガ
スを導入する酸素ガス導入管４とを収容することにより
構成されている。

【００４４】上記巻き出しロール８，冷却キャン６，巻
き取りロール７には、長尺状の非磁性支持体１２が順次
掛け渡され、前記巻き出しロール８より冷却キャン６側
に送り出されて最終的に前記巻き取りロール７に巻き取
られるようになされている。また、上記冷却キャン６の
内部には、図示しない冷却装置が設けられ、前記非磁性
支持体１２の温度上昇による変形等を防止するようにな
されている。

【００４５】上記収容容器２は、前記冷却キャン６の下
方に配設されている。そして、この収容容器２内に収容
される蒸着源は、電子銃１によって加熱蒸発させられ、
前記冷却キャン６の外周囲を走行する非磁性支持体１２
上に蒸着膜として被着形成されるようになされている。

【００４６】また、上記冷却キャン６の外周囲近傍部に
は、前記金属磁性材料の加熱蒸発による金属蒸気流を遮
蔽するシャッター３が配設されている。上記シャッター
３は、蒸気流が前記非磁性支持体１２に対して所定角度
範囲で斜めに蒸着されるように当該非磁性支持体１２の
所定範囲を覆うものである。

【００４７】また、上記非磁性支持体１２の走行方向の
下流側，すなわち金属蒸気流の低入射角側には、外部よ
りチャンバー１１内へ導かれ酸素ガス導入管４が配設さ
れており、この酸素ガス導入管４から導入される酸素に
よって非磁性支持体上に被着された蒸着元素が酸化でき
るようになっている。さらに、この酸素ガス導入管４の
近傍には、イオン化電極５が配設されている。このイオ
ン化電極５は、蒸着流を帯電させて非磁性支持体との電
位差を大きくして加速し、付着強度を増加させるための
ものである。

【００４８】このように構成された蒸着装置を用いて非
磁性支持体１２上に磁性蒸着薄膜，複合酸化物蒸着膜を
形成するには、先ず、チャンバー１１内を真空状態とし
た後、巻き出しロール８から巻き取りロール７に亘って
非磁性支持体１２を走行させる。そして、金属磁性材料
を加熱蒸発させ、この蒸気流を前記シャッター３の操作
により非磁性支持体１２の所定角度範囲に供給する。こ
のとき同時に前記酸素ガス導入管４より所定量の酸素ガ
スを導入し、非磁性支持体１２の幅方向全体に亘って酸
素ガスを供給する。すると、前記冷却キャン６の周面に
沿って走行する非磁性支持体１２上に蒸着膜が被着され
る。そして、蒸着膜が形成された非磁性支持体１２は上
記巻き取りロール７に巻き取られる。

【００４９】なお、本実施例で採用したＣｏ−Ｎｉ斜方
蒸着薄膜，複合酸化物蒸着膜の蒸着条件を以下に示す。Ｃｏ−Ｎｉ斜方蒸着薄膜蒸着条件蒸着源：Ｃｏ₈₀Ｎｉ₂₀（重量％）入射角：９０°〜４５° テープスピード：０．１７ｍ／秒Ｏ₂導入流量：３．３×１０^-6ｍ³／秒テープの幅：１２７ｍｍ蒸着時クーリングロール温度：−２０℃ 蒸着時真空度：７×１０^-2Ｐａ蒸着薄膜膜厚：０．２μｍ複合酸化物蒸着膜蒸着条件蒸着源：Ｓｉ₉₀Ｔｉ₁₀（重量％）入射角：−２０°〜＋２０° テープスピード：０．２ｍ／秒Ｏ₂導入流量：６．０×１０^-6ｍ³／秒蒸着時真空度：７×１０^-2Ｐａ蒸着膜膜厚：０．０２μｍ

【００５０】そして、このようにして作製された蒸着テ
ープ原反について、非磁性支持体のＣｏ−Ｎｉ蒸着薄膜
が成膜された側とは反対側の面にカーボンがウレタンバ
インダーに分散されてなるバックコート塗料を塗布して
厚さ０．６μｍのバックコート層を形成し、複合酸化物
蒸着膜の表面にはパーフルオロポリエーテルを塗布して
トップコート層を形成し、８ｍｍ幅に裁断して磁気テー
プを作製した。

【００５１】実施例２〜実施例１６複合酸化物蒸着膜を成膜する際の蒸着源，酸素流量，蒸
着時真空度を表１に示すように変えたこと以外は実施例
１と同様にして磁気テープを作製した。

【００５２】実施例１７〜実施例２３本実施例は、保護膜となる複合酸化物蒸着膜を、蒸着源
としてＳｉ酸化物と金属酸化物を用い、真空蒸着によっ
て成膜した例である。

【００５３】複合酸化物蒸着膜を成膜する際の蒸着源，
蒸着時真空度を表２に示すように変え、蒸着雰囲気中に
酸素ガスを導入しなかったこと以外は実施例１と同様に
して磁気テープを作製した。

【００５４】比較例１Ｃｏ−Ｎｉ斜方蒸着膜上に保護膜としてＡｌ蒸着膜を以
下の蒸着条件で成膜したこと以外は実施例１と同様にし
て磁気テープを作製した。Ａｌ蒸着膜蒸着条件蒸着源：Ａｌ入射角：−２０°〜＋２０° テープスピード：０．２ｍ／秒Ｏ₂導入流量：６．０×１０^-6ｍ³／秒蒸着時真空度：７×１０^-2Ｐａ蒸着膜膜厚：０．０２μｍ

【００５５】比較例２Ｃｏ−Ｎｉ斜方蒸着膜上に保護膜としてＳｉＯ₂蒸着膜
を以下の蒸着条件で成膜したこと以外は実施例１と同様
にして磁気テープを作製した。ＳｉＯ₂蒸着膜蒸着条件蒸着源：ＳｉＯ₂ 入射角：−２０°〜＋２０° テープスピード：０．２ｍ／秒Ｏ₂導入流量：６．０×１０^-6ｍ³／秒蒸着時真空度：７×１０^-2Ｐａ蒸着膜膜厚：０．０２μｍ

【００５６】以上のようにして作製された各種磁気テー
プについて、信号記録を行い、ＴＳＳヘッドでスチル再
生したときに再生出力が３ｄＢ減少するまでの時間（ス
チル耐久時間）を測定した。なお、測定には、ソニー社
製，商品名ＥＶ−Ｓ９００の８ｍｍＶＴＲ改造機を用い
た。その結果を蒸着条件とともに表１〜表３に示す。

【００５７】

【表１】

【００５８】

【表２】

【００５９】

【表３】

【００６０】表１〜表３を見てわかるように、保護膜と
してＡｌ蒸着膜，ＳｉＯ₂蒸着膜が形成された比較例
１，比較例２の磁気テープに比べて、保護膜として複合
酸化物蒸着膜が形成された実施例１〜実施例２３の磁気
テープは遙に長いスチル耐久時間を示す。また、スチル
再生２時間経過後に実施例１〜実施例４の磁気テープ及
び比較例１，比較例２の磁気テープについてテープ表面
の様子を観察したところ、比較例１，比較例２の磁気テ
ープには損傷が認められたが、実施例１〜実施例４の磁
気テープにはそのような損傷は認められなかった。

【００６１】このことから、複合酸化物蒸着膜は保護膜
として適しており、このような複合酸化物蒸着膜を保護
膜として形成することは磁気記録媒体の走行耐久性の向
上を図る上で非常に有効であることがわかった。

【００６２】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、非磁性支持体上に磁性層としてＣｏを主成分と
する磁性蒸着薄膜が形成されてなる磁気記録媒体におい
て、前記磁性蒸着薄膜上に保護膜としてＳｉ酸化物を主
成分とする複合酸化物蒸着膜を形成するので、磁性蒸着
薄膜に対する密着強度が非常に優れた保護膜が得られ、
走行耐久性，耐食性に優れた磁気記録媒体を得ることが
可能である。また、上記複合酸化物蒸着膜は、成膜速度
の比較的早い真空蒸着法によって成膜されるので、保護
膜の形成時間が短縮でき、磁気記録媒体の生産性の向上
を図ることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ｃｏを主体とする磁性蒸着薄膜の組織構造を示
す模式図である。

【図２】複合酸化物蒸着膜と磁性蒸着薄膜の密着機構を
説明する模式図である。

【図３】Ｓｉ酸化物マトリックス相と金属酸化物微細分
散相よりなる複合酸化物蒸着膜を示す模式図である。

【図４】上記複合酸化物蒸着膜にクラックが入った様子
を示す模式図である。

【図５】Ｓｉ酸化物マトリックス相と２種類の金属酸化
物微細分散相よりなる複合酸化物蒸着膜を示す模式図で
ある。

【図６】各種金属元素の温度と蒸着速度の関係を示す特
性図である。

【図７】各種金属酸化物の温度と蒸着速度の関係を示す
特性図である。

【図８】蒸着装置の構成を示す模式図である。

【符号の説明】

１・・・結晶カラム２・・・Ｃｏ−Ｏ層３・・・複合酸化物蒸着膜４・・・Ｓｉ酸化物蒸着膜５・・・反応混在層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者千葉一信東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者平塚亮一東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者蟻坂裕一東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者武田勉東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者森敬郎東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体上にＣｏを主成分とする磁
性蒸着薄膜が形成され、該磁性蒸着薄膜上に保護膜とし
てＳｉ酸化物を主成分とする複合酸化物蒸着膜が形成さ
れていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】上記複合酸化物蒸着膜がＳｉ酸化物とＣ
ｒ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｂ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，
Ｚｒ，Ｍｇ，Ｂｉ，Ｂａ，希土類金属から選ばれる少な
くとも１種の酸化物を含有することを特徴とする請求項
１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】請求項２に記載の磁気記録媒体の複合酸
化物蒸着膜を形成するに際し、蒸着源としてＳｉとＣ
ｒ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｂ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，
Ｚｒ，希土類金属から選ばれる少なくとも１種からなる
Ｓｉ合金を用い、酸素ガス雰囲気中で真空蒸着すること
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】請求項２に記載の磁気記録媒体の複合酸
化物蒸着膜を形成するに際し、蒸着源としてＳｉＯ₂，
ＳｉＯとＴｉＯ₂，Ｂ₂Ｏ₃，ＭｇＯ，Ｂｉ₂Ｏ₃，Ｎ
ｉＯ，ＢａＯ，Ａｌ₂Ｏ₃の中から選ばれる少なくとも
１種の金属酸化物からなる混合酸化物を用いて真空蒸着
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。