JPH04335230A - 光ディスク原盤の作製方法 - Google Patents

光ディスク原盤の作製方法

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JPH04335230A
JPH04335230A JP13601191A JP13601191A JPH04335230A JP H04335230 A JPH04335230 A JP H04335230A JP 13601191 A JP13601191 A JP 13601191A JP 13601191 A JP13601191 A JP 13601191A JP H04335230 A JPH04335230 A JP H04335230A
Authority
JP
Japan
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wavelength
master
optical disc
pits
light intensity
Prior art date
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Pending
Application number
JP13601191A
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English (en)
Inventor
Masayuki Kinoshita
昌幸 木下
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は光ディスク原盤の作製
方法に関し、特にパターンサイズの小さいグルーブ、ピ
ットの形成に適する光ディスク原盤の作製方法に関する
【0002】
【従来の技術】従来、光ディスク原盤は、図5中の(a
)〜(d)に示すように、基板となるガラス円板1にポ
ジ型ホトレジスト膜2を塗布して熱処理した後、レーザ
ービーム3をレンズ4により絞ってホトレジスト膜2に
照射し、同心円状あるいは螺旋状のプリグルーブやピッ
トパターンの露光を行なって潜像5を形成し、これを現
像して上記プリグルーブやピットに対応する凹凸パター
ン6をホトレジスト膜2上の形成し、さらに熱処理を加
えることにより製作している。
【0003】図6に従来の光ディスク原盤記録装置の概
略を示す。この装置の記録光学系は、Arレーザ8より
射出したレーザービームをミラー9でプリグループ用ビ
ームとピット用ビームとに分岐させ、各レーザービーム
を夫々アナログ変調器10、11、デジタル変調器12
、13及び拡大レンズ系14、15を通過させ、ビーム
スプリッタ16で合成し、対物レンズ17に導き、原盤
18に照射する。この原盤18は、図5においては、ポ
ジ型ホトレジスト膜2を塗布したガラス円板1である。 また原盤18の回転時の面振れに追従させるためのフォ
ーカス光学系は、He−Neレーザ19より射出したビ
ームを対物レンズ17に導いて原盤18に照射させ、原
盤18からの反射光をビームスプリッタ20により検出
器23に入射させ、そして検出器21からの入射信号に
より制御回路22がアクチェータ23を駆動し、アクチ
ュエータ23により対物レンズ17を駆動するようにな
っている。図中24は原盤18を回転駆動するモーター
、25a、25bは四分の一波長板、26a〜26cは
ミラー、27a、27bはダイクロイックミラー、28
はシリンドリカルレンズである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光ディスク
の記録密度を高密度化するためには、記録トラック間隔
、トラック方向のデータ間隔を狭める必要があり、この
ためには、グルーブやピットの幅や径を小さくしなけれ
ばならない。これを達成するには原盤への情報記録時に
露光ビーム径λと対物レンズの開口数NAとの比λ/N
Aを小さくすれば良いが、開口数NAは理論限界値が1
であり、既にNA0.9が超えるものを使用されている
ため改善の巾は小さい。従って、光の波長λを短くする
ことが一般的に行なわれている。ところが単に露光ビー
ムの波長λを短くすると光強度が不足するので、レジス
ト感度が高い波長λを採用して整合を取る必要がある。 このため、一般的なカッテング用レーザ光源としては、
波長441.6nmのヘリウムカドミニウム(He−c
d)レーザー又は波長457.9nmのアルゴン(Ar
)レーザーを用いている。しかしながらこれらの波長の
レーザー光では、ポジ型ホトレジスト膜のレジスト分光
感度が高くなって低い光強度でも光反応が起こり、情報
記録されたプリピット及びプリグルーブの溝断面形状に
は肩ダレが発生し、結局はデータ間隔を狭めるに至って
いなかった。
【0005】また光ディスクの記録密度を高密度化する
ための他の方法として、特開平1−317241号公報
に示すような、現像工程、水洗、乾燥を付加する作製方
法が提案されている。この方法は、プリグルーブやプリ
ピットの凹部をホトレジスト膜に露光する工程の前工程
として、未露光のホトレジスト膜を現像液中に浸漬し、
あるいは膜状に現像液をシャワーした後に水洗、乾燥す
るようにしたものである。しかしながらこの方法では情
報記録原盤に欠陥が多くなりかねないという問題がある
【0006】本発明はこのような従来の問題に鑑みてな
したもので、プリグルーブ、プリピットの溝断面形状の
肩ブレを小さくして情報記録密度を高密度化することを
可能とする光ディスク原盤の作製方法を提供することを
目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、基板上に設けたポジ型ホトレジストの感光
層にレーザー光を照射してトラッキング用プリグルーブ
やアドレスピットに対応するプリピット形成用の凹部を
形成する光ディスク原盤の作製方法において、上記レー
ザー光の波長を、ポジ型ホトレジストの吸光度が0.1
以下の領域となる波長としたことを特徴とする。
【0008】また本発明は上記目的を達成するために、
上記レーザー光の波長を465nm以上529nm以下
の範囲のものを用いるようにすることができる。
【0009】本発明に係る光ディスク原盤の作製方法の
原理を図3及び図4を用いて説明する。図3はポジ型ホ
トレジストの吸光度と露光波長との関係を示すグラフで
あり、図4は波長と光強度との関係を示すグラフである
。これらの図からわかるように、波長457.9nmと
波長488nmの吸光度を比較すると波長488nmの
Arレーザの光強度の増加度はレジスト感度の低下度よ
り大きい。即ち、波長が短くなると吸光度は上昇し、波
長が長くなると吸光度は低下するが、光強度は吸光度低
下以上の出力があり、光強度不足になることはない。こ
のような波長域は吸光度が0.1以下となる範囲、即ち
波長が465nm以上529nm以下の範囲である。ま
た、ポジ型ホトレジストの露光にこのような長波長域を
用いた場合、高光量を与えないと光反応しない。本発明
に係る光ディスク原盤の作製方法はこれらを利用するも
のである。
【0010】
【実施例】次に本発明の実施例を、図1を参照して従来
の例と比較して説明する。図1は光強度とレジスト層の
断面形状との関係を示しており、図の上側は露光レーザ
ービームの強度分布を示し、下側は現像されたホトレジ
ストのプリピットの溝断面形状を示す。図中Aは従来使
用した波長域のレーザービームの光強度分布、Bは本発
明で使用する波長域のレーザービームの光強度分布であ
る。また図中Cは従来の溝断面形状、Dは本発明による
溝断面形状を示す。
【0011】光ディスク原盤は基板となるガラス円板に
ポジ型ホトレジストとしてシプリー社S1400を0.
26μmの厚さに塗布して熱処理した後、記録ビームを
ホトレジスト膜に照射してプリグルーブやプリピット形
成用の凹部を形成した。記録装置は図6に示す装置と同
一のものであり、対物レンズの開口数をNA=0.91
、従来例の記録波長は457.9nm、本発明の実施例
の記録波長は488nmで、光強度は従来例の記録波長
の場合に比べ4倍となっている。ホトレジスト層Xの感
度の低いところの波長で露光すると、大きな光量が得ら
れた部分だけホトレジスト層Xが反応し、ホトレジスト
層Xが反応する高光量域(図中破線Hの上方部分)の強
度分布は急峻であることから、溝断面は急峻なものにな
り、肩ダレの少ない溝形状Dが得られている。これに対
して従来使用している波長域では、レジストのレジスト
分光感度が高くなって低い光強度でも光反応が起こり、
情報記録されたプリピット及びプリグルーブの溝断面形
状Cには肩ダレが発生している。図2に本発明の実施例
及び従来例に従って作製したプリピット及びプリグルー
ブの断面電子顕微鏡(SEM)写真像に対応する形状を
示す。
【0012】なお、プリピットやプリグルーブの形状の
大きさは光強度を可変することにより可変できる。また
、ホトレジスト層の膜厚が異なる場合、光強度を可変し
て適正の溝形状を得るようにすればよい。また波長の選
択は、例えばArレーザ後端にある波長選択用プリズム
を移動するだけで行うことができ、特別の設備を新たに
加えることなく従来の原盤作製設備を用いて実現できる
【0013】
【発明の効果】本発明に係る光ディスク原盤の作製方法
は以上説明してきたように、基板上に設けたポジ型ホト
レジストの感光層に照射してトラッキング用プリグルー
ブやアドレスピットに対応するプリピット形成用の凹部
を形成するレーザー光の波長を、ポジ型ホトレジストの
吸光度が0.1以下の領域となる波長としたので、肩ダ
レが小さく、従来に比べ溝幅及び溝径とも小さなプリピ
ット及びプリグルーブが形成でき光ディスクの高密度化
が可能になるという効果がある。また従来の原盤作製工
程を変更することがないので、従来と同様に扱え、低欠
陥の情報記録原盤が作製できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の実施例及び従来例における光強
度とレジスト層の断面形状との関係を示しており、図の
上側は露光レーザービームの強度分布を示し、下側は現
像されたホトレジストのプリピットの溝断面形状を示す
グラフである。
【図2】図2は本発明の実施例及び従来例に従って作製
したプリピット及びプリグルーブの断面電子顕微鏡(S
EM)写真像に対応する溝形状を示す断面図。
【図3】図3はポジ型ホトレジストの吸光度と露光波長
との関係を示すグラフである。
【図4】図4は波長と光強度との関係を示すグラフであ
る。
【図5】図5は光ディスク原盤の作製手順を示す断面図
である。
【図6】図6は光ディスク原盤記録装置の概略を示すブ
ロック図である。
【符号の説明】
A  従来例で使用する波長域のレーザービームの光強
度分布 B  本発明実施例で使用する波長域のレーザービーム
の光強度分布 C  従来例で形成される溝断面形状 D  本発明実施例で形成される溝断面形状X  ホト
レジスト層

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  基板上に設けたポジ型ホトレジストの
    感光層にレーザー光を照射してトラッキング用プリグル
    ーブやアドレスピットに対応するプリピット形成用の凹
    部を形成する光ディスク原盤の作製方法において、上記
    レーザー光の波長を、ポジ型ホトレジストの吸光度が0
    .1以下の領域となる波長としたことを特徴とする光デ
    ィスク原盤の作製方法。
  2. 【請求項2】  上記レーザー光の波長を465nm以
    上529nm以下としたことを特徴とする請求項1に記
    載の光ディスク原盤の作製方法。
JP13601191A 1991-05-09 1991-05-09 光ディスク原盤の作製方法 Pending JPH04335230A (ja)

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